JPH01183146A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH01183146A JPH01183146A JP731688A JP731688A JPH01183146A JP H01183146 A JPH01183146 A JP H01183146A JP 731688 A JP731688 A JP 731688A JP 731688 A JP731688 A JP 731688A JP H01183146 A JPH01183146 A JP H01183146A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- capacitor
- gate electrode
- view
- gate
- oxide film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明はキャパシタを有する半導体装置に関するもの
である。
である。
第５図は従来のキャパシタの平面図、第６図は第５図の
断面図である。図において、半導体基板（１）上の一部
に、ゲート酸化膜（２）が形成され、このゲート酸化膜
（２１上にゲート電極（３１が形成される。
断面図である。図において、半導体基板（１）上の一部
に、ゲート酸化膜（２）が形成され、このゲート酸化膜
（２１上にゲート電極（３１が形成される。
次に、矢印（４）の方向に沿ってイオン注入が行われる
。その後、注入されたイオンはドライブされ従来のキャ
パシタは以上のように構成されていたので、ゲート電極
の下には拡散層が形成されず、ＭＯ８キャパシタとなる
。したがって、従来のキャパシタではゲート電極電位が
しきい値電圧■ＴＨ以上だとキャパシタとして動作する
が、しきい値電圧以下だとキャパシタとして動作しない
という問題点があった。
。その後、注入されたイオンはドライブされ従来のキャ
パシタは以上のように構成されていたので、ゲート電極
の下には拡散層が形成されず、ＭＯ８キャパシタとなる
。したがって、従来のキャパシタではゲート電極電位が
しきい値電圧■ＴＨ以上だとキャパシタとして動作する
が、しきい値電圧以下だとキャパシタとして動作しない
という問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、ゲート電極の電位がしきい値電圧ＶＴＲ以下
の場合でも、動作可能となるキャパこの発明に係るキャ
パシタは幅の狭いゲート電極を適当な間隔を置いて配置
したもので、このゲート電極のすき間から半導体基板に
イオン注入が行えるようにしたものである。
たもので、ゲート電極の電位がしきい値電圧ＶＴＲ以下
の場合でも、動作可能となるキャパこの発明に係るキャ
パシタは幅の狭いゲート電極を適当な間隔を置いて配置
したもので、このゲート電極のすき間から半導体基板に
イオン注入が行えるようにしたものである。
この発明におけるキャパシタは幅が狭くて適当な間隔を
置いて形成されたゲート電極のすき間から注入されたイ
オンがドライブされることによって広゛がり、隣接した
拡散層がつながってゲート電極の下面に拡散層を有する
キャパシタとなる。
置いて形成されたゲート電極のすき間から注入されたイ
オンがドライブされることによって広゛がり、隣接した
拡散層がつながってゲート電極の下面に拡散層を有する
キャパシタとなる。
第１図はこの発明の一実施例であるキャパシタの平面図
、第２図は第１図の断面図である。図において、半導体
基板（１１上の一部にゲート酸化膜（２１が形成され、
このゲート酸化膜（２１上に幅の狭いゲート電極（６１
が適当な間隔をおいて折り返した形で形成される。
、第２図は第１図の断面図である。図において、半導体
基板（１１上の一部にゲート酸化膜（２１が形成され、
このゲート酸化膜（２１上に幅の狭いゲート電極（６１
が適当な間隔をおいて折り返した形で形成される。
次に、矢印（４１の方向に沿ってイオン注入が行なわれ
る。その後、注入されたイオンはドライブされて、第２
図における左右の方向に広がり、ゲート電極（６１の下
に拡散層（７）を形成する。
る。その後、注入されたイオンはドライブされて、第２
図における左右の方向に広がり、ゲート電極（６１の下
に拡散層（７）を形成する。
ここで、ゲート電極（６）の幅は注入イオンをドライブ
する時に生ずる拡散層の広がりの２倍以下であることが
望ましいが、それ以上であっても同様の効果を奏するの
でかまわない。
する時に生ずる拡散層の広がりの２倍以下であることが
望ましいが、それ以上であっても同様の効果を奏するの
でかまわない。
なお、上記実施例ではゲート電極（６１を折り返した形
で形成したものを示したが、第３図に示すようにくし状
（８１に形成してもよく、上記実施例とゲート電極以外
の構造は等しく、また同様の効果を奏する。第４図は第
３図の断面図を示す。
で形成したものを示したが、第３図に示すようにくし状
（８１に形成してもよく、上記実施例とゲート電極以外
の構造は等しく、また同様の効果を奏する。第４図は第
３図の断面図を示す。
以上のようにこの発明によれば、幅の狭いゲート電極を
適当な間隔を置いて形成したので、ゲート電極のすき間
から注入されたイオンがドライブされることによって広
がり、隣接した拡散層がつながって、ゲート電極の下面
に拡散層を有するキャパシタが形成されるため、ゲート
電極の電位がしきい値電圧ＶＴＭ以下の場合でもキャパ
シタとして動作可能となる。
適当な間隔を置いて形成したので、ゲート電極のすき間
から注入されたイオンがドライブされることによって広
がり、隣接した拡散層がつながって、ゲート電極の下面
に拡散層を有するキャパシタが形成されるため、ゲート
電極の電位がしきい値電圧ＶＴＭ以下の場合でもキャパ
シタとして動作可能となる。
第１図は、この発明の一実施例によるキャパシタの平面
図、第２図は第１図の断面図、第３図はこの発明の他の
実施例を示すキャパシタの平面図、第４図は第３図の断
面図、第５図は従来のキャパシタの平面図、第６図は第
５図の断面図である。 図において、（１）は半導体基板、（２）はゲート酸化
膜、（４１はイオ〉注入、１６１ 、１６１はゲート電
極、（７）は拡散層を示す。 なお、図中、同一符号は同一、または相当部分を示す。
図、第２図は第１図の断面図、第３図はこの発明の他の
実施例を示すキャパシタの平面図、第４図は第３図の断
面図、第５図は従来のキャパシタの平面図、第６図は第
５図の断面図である。 図において、（１）は半導体基板、（２）はゲート酸化
膜、（４１はイオ〉注入、１６１ 、１６１はゲート電
極、（７）は拡散層を示す。 なお、図中、同一符号は同一、または相当部分を示す。
Claims (1)
- 半導体基板上の一部にゲート酸化膜を形成し、このゲ
ート酸化膜上にゲート電極を設けイオン注入を行なった
後に、注入イオンをドライブすることによって拡散層を
形成するような構造をもったキャパシタを有する半導体
装置において、幅の細いゲート電極を間隔をおいて配置
しこのゲート電極の下にも拡散層を設けたことを特徴と
す半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP731688A JPH01183146A (ja) | 1988-01-14 | 1988-01-14 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP731688A JPH01183146A (ja) | 1988-01-14 | 1988-01-14 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01183146A true JPH01183146A (ja) | 1989-07-20 |
Family
ID=11662586
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP731688A Pending JPH01183146A (ja) | 1988-01-14 | 1988-01-14 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01183146A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997032343A1 (en) * | 1996-02-28 | 1997-09-04 | Sierra Semiconductor Coporation | High-precision, linear mos capacitor |
-
1988
- 1988-01-14 JP JP731688A patent/JPH01183146A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997032343A1 (en) * | 1996-02-28 | 1997-09-04 | Sierra Semiconductor Coporation | High-precision, linear mos capacitor |
| US6063659A (en) * | 1996-02-28 | 2000-05-16 | Le; Hung Pham | Method of forming a high-precision linear MOS capacitor using conventional MOS device processing steps |
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