JPH0352249A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH0352249A JPH0352249A JP1188122A JP18812289A JPH0352249A JP H0352249 A JPH0352249 A JP H0352249A JP 1188122 A JP1188122 A JP 1188122A JP 18812289 A JP18812289 A JP 18812289A JP H0352249 A JPH0352249 A JP H0352249A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「概要コ
半導体装置の製造方法、特にウェーハをチップ毎に切断
して、切断したチップをひとつづつ取り上げる半導体装
置の製造方法に関し、 ウェーハの切断により発生した切断屑を有効に取除くこ
とができる半導体装置の製造方法を提供することを目的
とし、 粘着テープ上にウェーハを貼付し、前記ウェーハを予め
定められたチップ状に切断し、前記チップの大きさ以下
のピッチで配列された複数の尖頭状突起が形成された載
置台上に、切断されたウ工−ハが載った粘着テープを載
置すること及び前記切断されたウェーハ表面を保護用テ
ープで覆うことを行い、前記粘着テープの下面と前記載
置台の尖頭状突起の隙間との間に形成された空間を真空
吸引し、前記＠護用テープを取除き、前記チップをひと
つずつ取り上げることを特徴とする半導体装置の製造方
法ように構成する． ［産業上の利用分野］ 本発明は半導体装置の製造方法、特にウェーハをチップ
毎に切断して、切断したチップをひとつづつ取り上げる
半導体装置の製造方法に関する．［従来の技術］ 近年、半導体装置の高集積化に伴い、信頼性への要求が
高くなっている．ウェーハをチップ毎に切断する方法と
しては、ウェーハの厚さの半分だけ切断し、切断したウ
ェーハをクラッキングするハーフカット方式と、ウェー
ハを粘着テープに貼付し、貼付したウェーハをわずかな
厚さだけ残して切断し、その後クラッキングするセミフ
ルカット方式と、粘着テープに貼付したウェーハを完全
に切断するフルカット方式がある． ハーフカット方式とセミフルカット方式では、粘着テー
プを拡領することにより、切断されたウェーハをチップ
毎に分離するようにしている。しかし、粘着テープの拡
張が均一に行われないことがあるため、これらの方式で
は、その後のチップ選別に支障を来たすことがあった． これに対し、フルカット方式は粘着テープを拡張するこ
とがないため、ウェーハの切断方法として有望である。
して、切断したチップをひとつづつ取り上げる半導体装
置の製造方法に関し、 ウェーハの切断により発生した切断屑を有効に取除くこ
とができる半導体装置の製造方法を提供することを目的
とし、 粘着テープ上にウェーハを貼付し、前記ウェーハを予め
定められたチップ状に切断し、前記チップの大きさ以下
のピッチで配列された複数の尖頭状突起が形成された載
置台上に、切断されたウ工−ハが載った粘着テープを載
置すること及び前記切断されたウェーハ表面を保護用テ
ープで覆うことを行い、前記粘着テープの下面と前記載
置台の尖頭状突起の隙間との間に形成された空間を真空
吸引し、前記＠護用テープを取除き、前記チップをひと
つずつ取り上げることを特徴とする半導体装置の製造方
法ように構成する． ［産業上の利用分野］ 本発明は半導体装置の製造方法、特にウェーハをチップ
毎に切断して、切断したチップをひとつづつ取り上げる
半導体装置の製造方法に関する．［従来の技術］ 近年、半導体装置の高集積化に伴い、信頼性への要求が
高くなっている．ウェーハをチップ毎に切断する方法と
しては、ウェーハの厚さの半分だけ切断し、切断したウ
ェーハをクラッキングするハーフカット方式と、ウェー
ハを粘着テープに貼付し、貼付したウェーハをわずかな
厚さだけ残して切断し、その後クラッキングするセミフ
ルカット方式と、粘着テープに貼付したウェーハを完全
に切断するフルカット方式がある． ハーフカット方式とセミフルカット方式では、粘着テー
プを拡領することにより、切断されたウェーハをチップ
毎に分離するようにしている。しかし、粘着テープの拡
張が均一に行われないことがあるため、これらの方式で
は、その後のチップ選別に支障を来たすことがあった． これに対し、フルカット方式は粘着テープを拡張するこ
とがないため、ウェーハの切断方法として有望である。
［発明が解決しようとする課題コ
しかしながら、フルカット方式によりウェーハを切断す
ると、小さい切断屑が切断消内にたまり、チップを取上
げる際にチップを下から突上げると、切断消内の切断屑
が飛び出して、チップ表面に栽って、ワイヤ間ショート
やパッド間ショートの原因となるという問題があった． 本発明は上記事情を考慮してなされたもので、ウェーハ
の切断により発生した切断屑を有効に取除くことができ
る半導体装置の！＃遣方法を提供することを目的とする
． ［課題を解決するための千段］ 上記目的は、粘着テープ上にウェーハを貼付し、前記ウ
ェーハを予め定められたチップ状に切断し、前記チップ
の大きさ以下のピッチで配列された複数の尖頭状突起が
形成された載置台上に、切断されたウェーハが載った粘
着テープを載置すること及び前記切断されたウェーハ表
面を保護用テープで覆うことを行い、前記粘着テープの
下面と前記載置台の尖頭状突起の隙間との間に形成され
た空間を真空吸引し、前記保護用テープを取除き、前記
チップをひとつずつ取り上げることを特徴とする半導体
装置の製造方法によって達成される。
ると、小さい切断屑が切断消内にたまり、チップを取上
げる際にチップを下から突上げると、切断消内の切断屑
が飛び出して、チップ表面に栽って、ワイヤ間ショート
やパッド間ショートの原因となるという問題があった． 本発明は上記事情を考慮してなされたもので、ウェーハ
の切断により発生した切断屑を有効に取除くことができ
る半導体装置の！＃遣方法を提供することを目的とする
． ［課題を解決するための千段］ 上記目的は、粘着テープ上にウェーハを貼付し、前記ウ
ェーハを予め定められたチップ状に切断し、前記チップ
の大きさ以下のピッチで配列された複数の尖頭状突起が
形成された載置台上に、切断されたウェーハが載った粘
着テープを載置すること及び前記切断されたウェーハ表
面を保護用テープで覆うことを行い、前記粘着テープの
下面と前記載置台の尖頭状突起の隙間との間に形成され
た空間を真空吸引し、前記保護用テープを取除き、前記
チップをひとつずつ取り上げることを特徴とする半導体
装置の製造方法によって達成される。
［作用］
本発明によれば、粘着テープと載置台の尖頭状突起の隙
間との間に形成された空間を真空吸引することにより切
断屑を保護用テープに付着させて取除く． ［実施例コ 本発明の第ｌの実施例による半導体装置の製造方法を第
１図を用いて説明する．第１図（ａ２）〜（ｅ２）は同
図（ａ１）〜（ｅ１）の一部拡大図である。
間との間に形成された空間を真空吸引することにより切
断屑を保護用テープに付着させて取除く． ［実施例コ 本発明の第ｌの実施例による半導体装置の製造方法を第
１図を用いて説明する．第１図（ａ２）〜（ｅ２）は同
図（ａ１）〜（ｅ１）の一部拡大図である。
まず、切断すべきウェーハ１０を、フレーム１２により
張られた粘着テーブ１４上に張付ける（第１図（８１）
． （８２））．粘着テープ１４としては、ポリエチレ
ン（ＰＥ）テープや、ポリ塩化ビニール（ＰＶＣ）テー
プや、ポリオレフイン（ＰＯ）テープや、ＵＶテープ等
を用いることができる．次に、ウェーハ切断装置（図示
せず）により、粘着テープ１４を切断しないようにウェ
ーハ１０のみをフルカットして多数のチツプ１０ａを形
成する（第１図（ｂ１）．（ｂ２））．なお、ウェーハ
１０を完全に切断するためには粘着テープｌ４が少し切
り込まれてもよい．フルカットによる切断屑１６は、第
１図（１３２）に示すように切断溝１８内にｔ二まって
いる． 次に、ウェーハ１０が張付けられた粘着テープ１４を本
実施例の特徴である載置台２０上に載置し、ウェーハ１
０の表面を非粘着性の保護用テーブ２２により覆う（第
１図（ｃ１）， （ｃ２））．栽置台２０の詳細を第２
図を用いて説明する．同図（ａ）は平面図、同図（ｂ）
は断面図である．基台２０ａの外壁２０ｂはフレーム１
２を支持するためのものであり、この外壁２０ｂの内側
に多数の尖頭状突起２０ｃが形成されている。尖頭状突
起２０ｃは先端が尖っており、花を生けるのに用いられ
る剣山のような形状をしている。尖頭状突起２０ｃのピ
ッチは切断されたチップの大きさより少し小さいことが
望ましい．例えば、ピッチ１ｍｍの尖頭状突起２０ｃを
有する載置台２０は、１〜２ｍｍのチップサイズのウェ
ーハに適しており、ピッチ３ｍｍの尖頭状突起２０ｃを
有ずる載置台２０は、３〜５ｍｍのチップサイズのウェ
ーハに適しており、ピッチ５ｍｍの尖頭状突起２０ｃを
有する載置台２０は、６ｍｍ以上のチップサイズのウェ
ーハに適している。
張られた粘着テーブ１４上に張付ける（第１図（８１）
． （８２））．粘着テープ１４としては、ポリエチレ
ン（ＰＥ）テープや、ポリ塩化ビニール（ＰＶＣ）テー
プや、ポリオレフイン（ＰＯ）テープや、ＵＶテープ等
を用いることができる．次に、ウェーハ切断装置（図示
せず）により、粘着テープ１４を切断しないようにウェ
ーハ１０のみをフルカットして多数のチツプ１０ａを形
成する（第１図（ｂ１）．（ｂ２））．なお、ウェーハ
１０を完全に切断するためには粘着テープｌ４が少し切
り込まれてもよい．フルカットによる切断屑１６は、第
１図（１３２）に示すように切断溝１８内にｔ二まって
いる． 次に、ウェーハ１０が張付けられた粘着テープ１４を本
実施例の特徴である載置台２０上に載置し、ウェーハ１
０の表面を非粘着性の保護用テーブ２２により覆う（第
１図（ｃ１）， （ｃ２））．栽置台２０の詳細を第２
図を用いて説明する．同図（ａ）は平面図、同図（ｂ）
は断面図である．基台２０ａの外壁２０ｂはフレーム１
２を支持するためのものであり、この外壁２０ｂの内側
に多数の尖頭状突起２０ｃが形成されている。尖頭状突
起２０ｃは先端が尖っており、花を生けるのに用いられ
る剣山のような形状をしている。尖頭状突起２０ｃのピ
ッチは切断されたチップの大きさより少し小さいことが
望ましい．例えば、ピッチ１ｍｍの尖頭状突起２０ｃを
有する載置台２０は、１〜２ｍｍのチップサイズのウェ
ーハに適しており、ピッチ３ｍｍの尖頭状突起２０ｃを
有ずる載置台２０は、３〜５ｍｍのチップサイズのウェ
ーハに適しており、ピッチ５ｍｍの尖頭状突起２０ｃを
有する載置台２０は、６ｍｍ以上のチップサイズのウェ
ーハに適している。
この載置台２０に粘着テーブ１４を載置すると、粘着テ
ープ１４により外壁２０ｂ内側の空間が密閉されること
になる。
ープ１４により外壁２０ｂ内側の空間が密閉されること
になる。
次に、ノズル２０ｄから吸引すると、この密閉された空
間が真空吸引され、粘着テーブ１４が押下げられる。こ
のため、尖頭状突起２０ｃにより突上げられて、切断溝
１８内の切断屑１６が勢いよく飛上がり、保護用テープ
２２の下面に突きささったり静電気の力で吸着する〈第
１図（ｄ１）， （ｄ２））．保護用テープ２２がある
ため、飛上がった切断屑１６がチップ１０ａ表面に載っ
てワイヤ間ショートやパッド間ショートを起こすことが
ない．保護用テーブ２２としては、例えば塩化ビニール
のテープが用いられる． また、同時にウェーハ１０の各チツプ１０ａも尖頭状突
起２０ｃにより突上げられ、チツ７１０ａが剥離し易く
なる。
間が真空吸引され、粘着テーブ１４が押下げられる。こ
のため、尖頭状突起２０ｃにより突上げられて、切断溝
１８内の切断屑１６が勢いよく飛上がり、保護用テープ
２２の下面に突きささったり静電気の力で吸着する〈第
１図（ｄ１）， （ｄ２））．保護用テープ２２がある
ため、飛上がった切断屑１６がチップ１０ａ表面に載っ
てワイヤ間ショートやパッド間ショートを起こすことが
ない．保護用テーブ２２としては、例えば塩化ビニール
のテープが用いられる． また、同時にウェーハ１０の各チツプ１０ａも尖頭状突
起２０ｃにより突上げられ、チツ７１０ａが剥離し易く
なる。
次に、保護用テープ２２を除去して、切断屑１６を取除
く（第１図（ｅｌ）， ｆｅ２））。その後、選別装置
（図示せず〉によりチップをひとつずつ取上げる． このように本実施例によれば、切断屑を保護用テープに
付着させて取除くことができる。このため、切断屑がチ
ップ表面に載ってワイヤ間ショートやパッド間ショート
を引起こすことがない．次に、本発明の第２の実施例に
よる半導体装置の製造方法を第３図を用いて説明する。
く（第１図（ｅｌ）， ｆｅ２））。その後、選別装置
（図示せず〉によりチップをひとつずつ取上げる． このように本実施例によれば、切断屑を保護用テープに
付着させて取除くことができる。このため、切断屑がチ
ップ表面に載ってワイヤ間ショートやパッド間ショート
を引起こすことがない．次に、本発明の第２の実施例に
よる半導体装置の製造方法を第３図を用いて説明する。
第２図（ａ２）〜（ｆ２）は同図（ａ１） 〜（ｆ１）
ノ一部拡大図である．第ｌの実施例と同一の部分には同
一の符号を付して説明を省略する。
ノ一部拡大図である．第ｌの実施例と同一の部分には同
一の符号を付して説明を省略する。
本実施例では、フルカットされたウェーハ１０を｛Ｘ護
するためのテープとして、紫外線照射により粘着力を減
少させることができるＵＶテープ２４を用いている点に
特徴がある． 切断すべきウェーハ１０を粘着テープ１４上に張付け（
第３図（ａ１）． （ａ２））、ウェーハ１０をフルカ
ットして多数のチップ１０ａを形成し（第３図（ｂ１）
， （ｂ２））、ウェーハ１０が張付けられた粘着テー
ブ１４を栽置台２０上に載置した後、ウェーハ１０の表
面をＵＶテープ２４により覆う（第３図（ｃ１）， （
ｃ２））． 続いて、ノズル２０ｄから密閉空間を真空吸引すると、
尖頭状突起２０ｃにより切断溝ｌ８内の切断屑１６が勢
いよく飛上がり、ＵＶテープ２４の下面に衝突する．Ｕ
Ｖテープ２４は粘着力があるためほとんどの切断屑１６
が吸着される（第３図ｆｄ１）， （ｄ２））． 次に、ｔＪＶテープ２４に紫外線を照射して粘着力を減
少させる（第３図（ｅｌ）， （ｅ２））。粘着力を低
下させた後、ＵＶテープ２４をウェーハ１０から除去す
る（第３図（ｆ１）， （ｆ２））．このように本実方
色例によれば保護用テープとしてＵＶテープを用いたの
で効率よく切断屑を捕獲することができる。
するためのテープとして、紫外線照射により粘着力を減
少させることができるＵＶテープ２４を用いている点に
特徴がある． 切断すべきウェーハ１０を粘着テープ１４上に張付け（
第３図（ａ１）． （ａ２））、ウェーハ１０をフルカ
ットして多数のチップ１０ａを形成し（第３図（ｂ１）
， （ｂ２））、ウェーハ１０が張付けられた粘着テー
ブ１４を栽置台２０上に載置した後、ウェーハ１０の表
面をＵＶテープ２４により覆う（第３図（ｃ１）， （
ｃ２））． 続いて、ノズル２０ｄから密閉空間を真空吸引すると、
尖頭状突起２０ｃにより切断溝ｌ８内の切断屑１６が勢
いよく飛上がり、ＵＶテープ２４の下面に衝突する．Ｕ
Ｖテープ２４は粘着力があるためほとんどの切断屑１６
が吸着される（第３図ｆｄ１）， （ｄ２））． 次に、ｔＪＶテープ２４に紫外線を照射して粘着力を減
少させる（第３図（ｅｌ）， （ｅ２））。粘着力を低
下させた後、ＵＶテープ２４をウェーハ１０から除去す
る（第３図（ｆ１）， （ｆ２））．このように本実方
色例によれば保護用テープとしてＵＶテープを用いたの
で効率よく切断屑を捕獲することができる。
本発明は上記実施例に限らず種々の変形が可能である．
例えば、上記実施例では半導体ウェーハを切断する場合
を例として説明したが、シリコンやＧａＡｓ等の半導体
ウェーハ以外でも板状のウェーハをチップ状に切断する
場合であれは、いかなるウェーハにも本発明を適用でき
る． ［発明の効果］ 以上の通り、本発明によれば、ウェーハの切断により発
生した切断屑を有効に取除くことができる．
を例として説明したが、シリコンやＧａＡｓ等の半導体
ウェーハ以外でも板状のウェーハをチップ状に切断する
場合であれは、いかなるウェーハにも本発明を適用でき
る． ［発明の効果］ 以上の通り、本発明によれば、ウェーハの切断により発
生した切断屑を有効に取除くことができる．
第１図は本発明の第１の実施例による半導体装置の製造
方法の工程断面図、 第２図は同半導体装置の製造方法で用いられれる載置台
を示す図、 第３図は本発明の第２の実施例による半導体装置の製造
方法の工程断面図である． 図において、 １０・・・ウェーハ １０ａ・・・チップ １２・・・フレーム １４・・・粘着テープ １６・・・切断屑 １８・・・切断溝 ２０・・・載置台 ２０ａ・・・基台 ２０ｂ・・・外壁 Ｏｃ・・・尖頭状突起 Ｏｄ・・・ノズル ２・・・保護用テープ ４・・・ＵＶテープ 一一一ノ 本発明で用いろれる載置台を示す図 第２図
方法の工程断面図、 第２図は同半導体装置の製造方法で用いられれる載置台
を示す図、 第３図は本発明の第２の実施例による半導体装置の製造
方法の工程断面図である． 図において、 １０・・・ウェーハ １０ａ・・・チップ １２・・・フレーム １４・・・粘着テープ １６・・・切断屑 １８・・・切断溝 ２０・・・載置台 ２０ａ・・・基台 ２０ｂ・・・外壁 Ｏｃ・・・尖頭状突起 Ｏｄ・・・ノズル ２・・・保護用テープ ４・・・ＵＶテープ 一一一ノ 本発明で用いろれる載置台を示す図 第２図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 粘着テープ上にウェーハを貼付し、 前記ウェーハを予め定められたチップ状に切断し、 前記チップの大きさ以下のピッチで配列された複数の尖
頭状突起が形成された載置台上に、切断されたウェーハ
が載った粘着テープを載置すること及び前記切断された
ウェーハ表面を保護用テープで覆うことを行い、 前記粘着テープの下面と前記載置台の尖頭状突起の隙間
との間に形成された空間を真空吸引し、前記保護用テー
プを取除き、前記チップをひとつずつ取り上げることを
特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1188122A JP2532142B2 (ja) | 1989-07-20 | 1989-07-20 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1188122A JP2532142B2 (ja) | 1989-07-20 | 1989-07-20 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0352249A true JPH0352249A (ja) | 1991-03-06 |
| JP2532142B2 JP2532142B2 (ja) | 1996-09-11 |
Family
ID=16218098
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1188122A Expired - Fee Related JP2532142B2 (ja) | 1989-07-20 | 1989-07-20 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2532142B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006281434A (ja) * | 2005-03-11 | 2006-10-19 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウェーハの保持機構 |
| JP2007294819A (ja) * | 2006-04-27 | 2007-11-08 | Fujikura Ltd | 基板ホルダー |
-
1989
- 1989-07-20 JP JP1188122A patent/JP2532142B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006281434A (ja) * | 2005-03-11 | 2006-10-19 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウェーハの保持機構 |
| JP2007294819A (ja) * | 2006-04-27 | 2007-11-08 | Fujikura Ltd | 基板ホルダー |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2532142B2 (ja) | 1996-09-11 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |