JPH0356454A - 光学活性化合物、液晶組成物及び液晶表示素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、新規な光学活性化合物、その製法、液晶組威
物及び液晶表示素子に係り、特に応答性、メモリー性に
優れた強誘電性液晶表示用材料及びその原料に関するも
のである。

〔従来技術〕

液晶表示素子は、その優れた特徴（低電圧作動、低消費
電力、薄型表示が可能、明るい場所でも使用でき目がつ
かれない。）によって、現在広く用いられている。しか
しながら、最も一般的であるＴＮ型表示方式では、ＣＲ
Ｔなどの発光型表示方式と比較すると応答が極めて遅く
、かつ印加電場を切った場合の表示の記憶（メモリー効
果）が得られないため、高速応答の必要な光シャッター
、プリンターヘッド、時分割駆動の必要なテレビ等の動
画面等への応用には多くの制約があり、適したものとは
言えなかった． 最近、メイヤーらにより強誘電性液晶を用いる表示方式
が報告され、これによるとＴＮ型の１００〜１０００倍
という高速応答とメモリー効果が得られるため、次世代
の液晶表示素子として期待され、現在、盛んに研究、開
発が進められている．強誘電性液晶の液晶相は、チルト
系のキラルスメクチック相に属するものであるが、実用
的には、その中で最も低粘性であるキラルスメクチック
Ｃ（以下Ｓｃ′と省略する）相が最も望ましい．Ｓｃ＊
相を示す液晶化合物は、既に数多く合成され、検討され
ているが、強誘電性表示素子として用いるための条件と
しては、（イ）室温を含む広い温度範囲でＳｃ＊相を示
すこと、（口）良好な配向を得るために、Ｓｃ′相の高
温側に適当な相系列を有し、かつその螺旋ピッチが大き
いこと、（ハ）適当なチルト角を有すること、（二）粘
性が小さいこと（ホ）自発分極がある程度大きいこと、
が好ましいが、これらを単独で満足するものは知られて
いない。

このためＳｃ“相を示す液晶組戒物（以下Ｓｃ′液晶組
成物と省略する）が用いられている．Ｓｃ＊液晶組ｔｃ
物の調製方法としては主としてＳｃ′相を示す液晶化合
物（以下ＳＣ″液晶化合物と省略する）を混合する方法
と、光学的に活性でないＳ，相を示す液晶組或物（以下
Ｓ，液晶組戒物と省略する）に光学的に活性な化合物ま
たは組底物をキラルドーパントとして加える方法がある
が、ＳＣ液晶組或物はＳｃ＊液晶組戒物よりも低粘度で
あるので、後者の方法が高速応答に適しており一般的で
ある．キラルドーパントとしては必ずしもＳｃ′相、あ
るいは液晶性さえも示す必要はないが、Ｓｃ液晶組成物
に添加した場合にその転移点をあまり降下させないもの
が好ましくできるだけ少量の添加で充分大きい自発分極
を誘起できるものが、ＳＣ“液晶組底物としての粘度を
低下させ応答の高速化をはかるうえて好都合である．こ
のようなキラルドーパントを構或するためにはこれまで
知られている光学活性化合物だけでは充分でなく、より
強い自発分極を示しうる化合物が望まれていた。

強い自発分極を示すためには化合物中における不斉中心
と双極子とができるだけ近接しておりかつそれらは液晶
中心骨格（コア）にできるだけ近接しており、また双極
子はできるだけ強い程好ましいことは既に知られている
．強い双極子モーメントを示す基としては、シアノ基を
あげることができるがこれを不斉中心に直結させ、かつ
コアに近接させることば合戒的にかなり困難でありこれ
までにはわずかにアミノ酸を出発原料とした．（第１２
回国際液晶学会予稿集１９８８年）が知られているにす
ぎず、その不斉中心をさらにコアに近づけた化合物は知
られていなかった。

〔発明が解決しようとする課題〕

以上のように従来の化合物ではキラルドーパントとして
用いた場合、その誘起しうる自発分極は充分大きいもの
ではなく、高速応答性のＳｃ＊液晶組或物を得るために
はその改善が望まれていた．本発明が解決しようとする
課題はキラルドーパントの構或或分として、少量の添加
によっても充分大きい自発分極を誘起しうるシアノ基を
含有する新規な光学活性の化合物及びその合威方法、及
びそれを用いた高速応答の可能な強誘電性液晶組或物及
び液晶表示素子の提供を可能とすることである。

〔問題を解決するための手段〕

本発明は上記課題を解決するために、次の一般式（Ｉ）
で示されるところのシアノ基を有する光学活性化合物を
提供する。

（式中、Ｒ１は炭素原子数ｌ〜２０のアルキル基又はこ
のアルキル基中の任意の１個又は互いに隣接しない２な
いし３個の一Ｃｌ，＋−が未置換又は−Ｏ−Ｏ　　　　
　　　　０　　　０ くは一ＣＨ＝Ｎ−に置換され、かつ任意の１〜２個Ｙ． のＣＨ！が未置換又は一〇一に置換され、Ｙｌ＋Ｙ２は
Ｙ２ それぞれ独立に｝ｌ，Ｆ，　Ｃｊ！，ＣＨｘ，　Ｃｈ，
ＱＣ｝ｌｘ，ＣＮ　Ｏ）Ｉｔ’ずれかを表わし、置換に
より不斉炭素が生しる場合、該不斉炭素の絶対配置↓よ
　（Ｉ？）　，　（Ｓ）の少くとも１つであり、かつ任
意のＣＨ．，Ｃｌｊが未置換又はＣＦ　１ＣＦ　，に置
換された基を表わし、Ｘ 独立に未置換又は−Ｃ＝もしくは一Ｎ＝に置換され、Ｘ
はーＦ，　−Ｃ　ｌ　，　−ＣＨ３．　−ＣＮ．−ＣＦ
３又は−ＯＣＨ　３を表わし、任意の１〜２個のＣＨ２
は未置換又はそれぞれ独立ない２個のーＣｌ．−は未置
換又は−０−もしくはーＳ−に置換され、任意の一己Ｈ
一は未置換又は−εＸＩ−に置換され、ＸＩは−Ｆ．　
−Ｃｆ，−ＣＨ１−ＣＮ，−ＣＦ．又は−ＯＣＯ，を表
わし、２，及びＺｚはそれぞれ独立的にｃｏｏ．　ｏｃ
ｏ，単結合を表わし、ｍはＯ又は１を表わし、Ｒｚは炭
素原子数１〜１５のアルキル基の任意の１個又は互いに
隣接しない２〜３個のＣＩＩ２が未置換又は一〇一に置
換され、かつ任意の１〜３個のＣｔ＋Ｚが未置換Ｃｌｈ
　　　　　Ｆ　　　　　　　ＣＪ！又はそれぞれ独立的
に一ＣＨ−，　　−ＣＨ−，　　−ＣＨ場合には該不斉
炭素の絶対配置は（Ｒ），　（Ｓ）の少くとも１つであ
り、Ｃ゛は（Ｒ）又は（Ｓ）配置の不斉炭素原子を表わ
す。） 上記において、詩にＲ１としては炭素数１〜２０のアル
キル基、アルコキシル基、アルコキシ力ルボニル基、ア
ルカノイルオキシ基が好ましい。また、を表わすことが
好ましく、χ２， ｘ３ はＦあるいは ＣＮあるいはＨを表わすが、 少くとも一方はＨでは 特に好ましい。

また、２．及びＺ２はＣＯＯ　，　ＯＣＯ　，　ＣＨｚ
Ｏ　，ＯＣＨｚ　，又は単結合が特に好ましい。

また、Ｒｔは、直鎖又は光学的に活性であってもよい分
岐のアルキル基であるか、下記一般式（Ｉｆ）で表わさ
れる光学的に活性な基であることが特に好ましい。

式中、４２，　ｍはそれぞれ独立に０〜５の整数を表わ
すが、特にｆ＝ｍ＝ｏが好ましく、Ｒｆｆは炭素数１〜
１０のアルキル基をＣ一は（Ｒ）または（Ｓ）配置の不
斉炭素を表わす。

本発明はまた液晶組戒物を提供する． 本発明にいうところの液晶組戒吻は、前記一般式（Ｉ）
の化合物の少くとも１種を構戒成分として含有するもの
であり、特に強誘電性液晶表示用としては、主成分であ
るＳｃ相を示す母体液晶中に前記一般式（Ｉ）の化合物
の少くとも１種をキラルドーパントの一部または全部と
して添加してなるＳｃ”液晶組底物が適している． また、ネマチック液晶に少量添加することにより、ＴＮ
液晶としていわゆるリバースドメインの防止に、あるい
はＳＴＮ液晶としての用途等に利用できる． 本発明はまた上記一般式（Ｉ）で示される、シアノ基を
有する新規な光学活性化谷物の製造法を提供する．即ち
次の一般式（ＩＩＩ）で示されるところのアルデヒド （式中、Ｒｌは炭素数１〜２０のアルキル基、アルコキ
シル基、アルコキシ力ルポニル基又はアルカを表わし、
ｘ２．　ｙ，３はＨ，Ｆ又はＣＮを表わすが少くとも１
方はＨでな＜、Ｚ＋．Ｚｚはそれぞれ独立にＣＯＯ　．
　ＯＣＯ　，　ＣＴｏＯ　，　ＯＣＨｚあるいは単結合
を表わし、ｍはＯまたは１を表わす）をルイス酸及び光
学活性ジオールの存在下、トリメチルシリルシアニドと
反応させて下記一般式（ＩＶ）で示される光学活性シア
ンドリン誘導体とする。

ＣＮ 同様の意味を有し、Ｃ“は（Ｉ？）または（Ｓ）配置の
不斉炭素原子を表わす） ルイス酸としては、チタン（ＴＶ）系が好ましく、特に
、ジクロロジアルコキシチタン又はテトラアルコキシエ
タンが好しい．（奈良坂ら、Ｃｈｅｍ．Ｌｅｔｔ．　，
１９８７．　２０７３及プ特開昭６３　．１５０．　２
５６号）。光学活性ジオールと５てシ：光学活性の４．
５−ビス（ジフェニルとドＣキシメチル）−２−メチル
−２−フェニルー１，３−ジオキソラン又は酒石酸エス
テルが特に好ましい。

また本反応は、脱水縮合剤存在下に行うことが好ましく
、特にモレキュラーシーブス存在下に行うことが好まし
い。

溶媒としては通常の炭化水素系、塩素系、工一テル系な
どの溶媒を用いることができるが特にトルエンが好まし
い。

上記一般式（ＩＶ）で示されるシアンヒドリン誘導体を
Ｒ”−ＣＯＯＩＩで示される一般式（Ｖ）のカルボン酸
とＤＣＣ等の縮合剤存在下で反応させることにより一般
式（Ｉ）の化合物を得ることができる。

上記一般式（Ｖ）で示されるＲ２は炭素原子数１〜１５
のアルキル基の任意の１個又は互いに隣接しない２〜３
個のＣＨｚは一〇一に置換の可能であり、また任意の１
〜３個のＣＨ，は、それぞれ独立く、置換によって不斉
炭素が生じる場合には該不斉炭素の絶対配置は（Ｒ）．
　（Ｓ）又はこれらの混合物であっても良＜、Ｃ“は（
Ｒ）又は（Ｓ）配置の不斉炭素原子を表わす。

上記のようにして本発明の一般式（Ｉ）のシアノ基を有
する光学活性化合物が得られるが、これらに属する個々
の具体的な化合物及び上記一般式（ＩＩＩ），　　（Ｉ
Ｖ）等に属する個々の具体的中間物は、融点等の相転移
温度、元素分析、赤外吸収スペクトル（ｒＲ）、核磁気
共鳴スペクトル（ＮＭＲ）、マススペクトル（ＭＳ）の
手段により確認することができる。

斯くして得られた一般式（Ｉ）で示される化合物の例を
表１にあげる。表中、Ｃｒは結晶相、ｌは等方性液体相
を、ＳＡはスメクチフクＡ相をＳｃｔｈはキラルスメク
チックＣ相を（　）内はその相がモノトロピンクである
ことを表わす． ☆は急冷下、その相の存在が確認できるが、結晶化のた
め、その転移温度の測定ができないことを示している． 光学純度は近傍に複数の不斉中心を有する化合物につい
てはＮＭＲ測定値をｄｅ　（ジアステレオマー過剰率）
で表わし、その他（＃）については中間体のシアンヒド
リン誘導体を（Ｒ）−２−メトキシ−２−フェニルー３
．３．３　−　｝ルフルオロプロパン酸クロリドと反応
させて得られるエステル化合物のＮＭＲ測定による値を
ｅｅまたはｄｅで示す．後に再結晶を行った場合にはさ
らに高い光学純度となる。

（この頁以下余白） 本発明の一般式（．１）の化合物は、単独でもＳｃ”相
を含め、液晶相を示すものも存在するけれども、２環型
では液晶性が悪く、３環型では融点が高いために、単独
での使用にはあまり適していない。

ｍ或物として、特に強誘電性液晶表示素子として用いる
場合には、粘性の小さいＳｃ液晶組戒物中に、キラルド
ーパントの一部又は全部として加えることによりＳｃ“
液晶組戒物として用いるのが効果的である。

上記一般式（ＩＩ）の光学活性基を有する上記一般式（
Ｉ）の化合物をドーピングするＳｃ組戒物として用いる
べきＳｃ化合物としては、例えば、下記一般式（Ａ）で
表わされるようなフェニルベンゾエート系化合物や一般
式（Ｂ）で表わされるビリミジン系化合物をあげること
ができる。

（式中、Ｒ”及びＲｈは直鎖または分技のアルキル基、
アルコキシル基、アルコキシカルポニル基、アルカノイ
ルオキシ基、またはアルコキシカルポニルオキシ基を表
わし、 同一であっても異な っていても良い。

（式中、 Ｒ” ａｈ は前記一般弐Ａと同じ） また、 一般式 （Ａ）、 （Ｂ） を含め、 一般式（Ｃ） で 表わされる化合物も同様の目的に使用することができる
。

（式中、 Ｒ” Ｒ１ は一般式Ａと．同じであり、 わし、 同一であっても異なっていてもよい。

ｚ２は ？ＣＯＯ−、−０ＣＯ−　　、−ＣＨ２０−、−　ＯＣ
Ｒ　ｚ−、−ＣＨ２ＣＩＩ■一、一ＣミＣ−、単結合を
表わす。） また、Ｓｃ相の温度範囲を高温域に拡大する目的には、
一般式（Ｄ）で表わされる３環型化合物を用いることが
できる。

（式中、Ｒ”　　　Ｒ’は一般式Ａと同様であり、も異
なっていてもよく、Ｚ”，Ｚゝは前記一般式（Ｃ）の２
１と同様であって、同一であっても異なっていてもよい
。） これら化合物は混合してＳｃ液晶組成物として用いるの
が効果的であるが組成物としてＳｃ相を示せばよいので
あって、個々の化合物については、必ずしもＳｃ相を示
す必要はない。

こうして得られたＳｃ液晶組成物に本発明の一般式（Ｉ
）で示される化合物、及び必要とあれば、他の光学活性
化合物をキラルドーバントとして加えることにより、容
易に室温を含む広い温度範囲でＳｃ”相を示すような液
晶組成物を得ることができる． 斯くして得られた液晶組底物は配向処理を施した２枚の
透明ガラス電極間に厚さ１〜２０μｍ程度の薄膜として
封入することにより、液晶表示用セルとして使用できる
。

良好なコントラストを得るためには、均一に配向したモ
ノドメインのセルとする必要がある。この目的のために
既に多くの方法が試みられているが、液晶材料としては
、一般的には、等方性液体（Ｉ）相からの冷却時にキラ
ルネマチック（Ｎ１）相を経由して、Ｓｃ’″相あるい
はＳ，相を経てＳｃ’″相に相転移する液晶であって、
かつ、Ｎ”相及びＳｃ”相、特にＮ“相における螺施ピ
ッチが長いものが、良好な配同性を示すことが知られて
いる。

螺施のピンチを大きくするには、揺れの向きが互いに相
反するキラル化合物を適量混合してキラルドーパントと
して用いればよいわけであるが、その際、自発分極が、
打ち消し合わないように注意する必要がある． 上記一般式（Ｉ）で示される本化合物には、不斉炭素原
子が少くとも１個（Ｃ゜）存在するが、化合物（Ｉ）が
誘起する自発分極、及びらせんピッチの向きは、Ｃ゜の
絶対配置が（Ｒ）の場合、ｅで左、（ｓ）の場合、ｅで
右である。（自発分極の向きは、よく知られた強誘電性
液晶である、Ｐ−デシルオキシベンジリデンアミノ桂皮
酸（Ｓ）　−　２−メチルブチルエステル（　ＤＯＢＡ
ＭＢＣ　）のそれをｅと定義する） 従って、既知の光学活性化合物であって、その誘起する
自発分極とらせんピッチの向きがΦで右、あるいはｅで
左の化合物と組み合わせることにより、自発分極を打ち
消し合うことなく、らせんピッチを長くすることが可能
である。

このような化合物としては、例えば光学活性基とし−こ
、−［１　−ｔ；−Ｌ；ｌｉ−υ一Ｋ化合物を挙シデる
ことかできる． ＣＨ， −ＣＯＯ　　ＣＨｚＣＨ　　ＣｚＨｓ等のその誘起する
自発分極が充分小さい光学活性基のみを有する化合物で
は、これらによる自発分極は上記一般式（Ｉ）の化合物
と比較するとはるかに小さいので、らせんピッチの向き
だ５ナを考慮して、混合することも可能である。

上記一般式（Ｉ）の本化合物には、（ｃ０）以外にもＲ
ｌ　，Ｒ２において他の不斉炭素を含む化合物も存在ナ
る． これらＲｌ，Ｒｆｆｉにおける不斉炭素の存在は、その
絶対配置によっては、自発分極をさらに大きくし、ある
いは、らせんピッチを長くしたり、逆に短くする効果を
有する。

例えぽ、実施例９の化合物（表ＩＮα９の化合物）にお
いては、後述するＳｃ母体液晶に５〜１０％添加した場
合には、そのＮ“相におけるらせんピッチは非常に長く
（３０ａｍ以上）、ピッチ調整を行うことなく良好な配
同性を示すＳｃ″組或物を得ることができる。

またＲ’　として光学活性基を有する実施例４の化合物
（表ＩＮα４の化合物）においては、Ｓｃ母体液晶に５
％添加して得られるＳｃ″組或物の２５゜Ｃ（Ｔｃ−Ｔ
　＝３　７＠、チルト角２３．７”）における自発分極
の値は８．２ｎＣ／ｃｕｔであってＲｌが直鎖アルキル
である実施例２の化合物（表ＩＮα２の化合物）のそれ
が、５．　６　ｎＣ／ｃ｛　（Ｔｃ−Ｔ　＝　３　０°
、チルト角２０．１゜）と比較すると、非常に大きくな
っていることがわかる。

さて、上記一般式（Ｉ）の化合物の最大の特徴はキラル
ドーパントとして少量添加した場合にも、非常に大きな
自発分極を示しうることである。

後述の実施例に示すように、本発明の上記一般式（Ｉ）
の化合物を母体液晶中に５％添加することによって得ら
れるＳｃ”化合物の示す自発分極は、３．　５　〜９　
ｎＣ／ｃｄである．これは、前述のＤＯＢＡＭＢＣのそ
れが、単独でも２〜３ｎＣ／ｃＴｉであるのと比較する
と非常に大きい値であることがわかる。

〔実施例〕

以下に実施例をあげて、本発明を具体的に説明するが、
勿論、本発明の主旨、及び適用範囲はこれらの実施例に
より制限されるものではない。

Ｃお、化合物の構造は核磁気共鳴スペクトル（ＮＭＲ）
、及び赤外吸収スペクトル（Ｉｌ＋）、マススペクトル
（ＭＳ）によりｉ認した。相転移温度の測定は温度調節
ステージを備えた偏光顕微鏡、及び示差走査熱量計（Ｄ
Ｓｃ　）により行った。ＩＲにおける（ＫＢｒ）は錠剤
威形により（ｎｅａｔ）は液膜による測定を表わす．Ｎ
ＭＲにおける（ＣＤＣ　ｌ　ｓ）や（ｃｃＬ）は溶媒を
、Ｓはｌ！！線、ｄは２重線、ｔは３重線、ｑｕｉｎｔ
ｅｔは４重線をｓｅｘｔｅｔは６重線を、ｏｃ　ｔｅ　
ｔは８重線をｄｔは２重の３重線を表し、Ｊはカップリ
ング定数を表わす，　ＭＳにおけるハ゛は親ピークを表
わし、（　）内の数値はそのピークの相対強度を表わす
。また、温度は゜Ｃを表わす。組威物中における％はす
べて重量％を表わす。

実施例１ ４−デシルオキシ安息香酸４−（（Ｒ）一シアノ（ペン
タノイルオキシ）メチル）フェニルの合戒ＭＳ４Ａ アルゴン雰囲気下、室温で（４Ｒ，　５Ｒ）−４．５−
ビス（ジフェニルヒドロキシメチル）−２−メチル７２
−フェニル−１．３−ジオキソランＩｇ（Ｉ．　８　９
　ａ＋ｍｏｆ　）のトルエン２０ｍｊ！溶液に、ジクロ
ロジイソプロポキシチタンの０．　５　Ｍ　トルエン溶
液３．３　ｍｌ　（Ｉ．６　５　ｉｍｏｌ）　、さらに
モレキュラーシーブス４Ａ　（６　０　０ｍｅｓｈ）　
　１．８　ｇを加え１時間攪拌した。４一デシルオキシ
安息香酸４−ホルミルフェニル２９９■（０．７８開ｏ
ｌ）のトルエン１０ＩＩＩｌ溶液を加えた後、−５０゜
Ｃに冷却しトリメチルシリルシアニド０．８　１ｍｌ　
（６　ｍｍｏｆ）を加え、２７時間攬拌した。この反応
混合液にｐＨ７の緩衝液を加え、室温にもどし、沈澱を
セライト濾過し、エーテル抽出後、カラムクロマトグラ
フィー（ワコーゲルＣ−２　０　０，ヘキサン／酢酸エ
チル＝８／１）で分離し、４−デシルオキシ安息香酸４
　−　｛　（Ｉ？）一シアノヒドロキシメチル｝フエニ
ル２８２■を粗製物（粗収率８８％，９１％ｅｅ）とし
て得た．この粗製物９３■をジクロロメタン２．５＋ａ
ｌに溶かし、室温でペンタノイルクロリド０．１５ｍｆ
、ピリジン０．２ｍｊ！を加え、３０分攪拌した．水処
理、エーテル抽出後、薄層クロマトグラフィー（シリカ
ゲル、ヘキサン／酢酸エチル＝４／１）で精製して、４
−デシルオキシ安患香酸４−｛　　（Ｒ）一シアノ　（
ペンタノイルオキ）メチル｝フェニル９４■（収率８７
％）を得ることができた。

融点６３゜Ｃ ［αコ　ｏ　　”　　　８．９”　　（ｃ＝　　０．９
４，ＣＨＣ１３”）ＩＲ　（ＫＢｒ）　２９２０，　２
８５０．　１７５５　（Ｃ＝Ｏ）．　１７３０　（Ｃ＝
０），１６０５．　１５１０，　１４７０，　１３２０
，　１２６０，　１２０５．　１１６０，１０９０．　
１０６０，　１００５．　９６０，　８７０，　８５０
，　７６０，　６９０，６５０Ｃ重−１ ＩＩ　ＮＭＲ　（ＣＤＣｆ３）　　δ０．８８　（ｔ，
　Ｊ＝６．５　Ｈｚ，　３８），０．９３　（ｔ，　Ｊ
＝６．５　Ｈｚ．　３８）．　１．１　〜２．０　（ｍ
．　２０　Ｂ）．２．４３　（ｔ，　Ｊ＝７．２　Ｈｚ
，　２　Ｈ），　４．０５　（ｔ＋　Ｊ＝６．５　Ｈｚ
．２Ｈ）．　６．４７　（　ｓ．　Ｌ　Ｈ）．　７．０
　（ｄ，　Ｊ＝８．５　Ｈ２．　２　Ｈ），７．３２　
（ｄ．　Ｊ＝８．５　Ｈｚ．　２　Ｈ）．　７．０　（
ｄ，　Ｊ＝８．５　Ｈｚ．２　Ｈ），　７．３２　（ｄ
，　Ｊ＝８．５　Ｈｚ．　２　Ｈ），　７．６　（ｄ，
Ｊ＝８．５Ｈｚ　．　２　Ｈ），　８．１３　（ｄ，　
Ｊ＝８．５　Ｈｚ，　２　Ｈ）ＭＳ　ｍ／ｚ　　：　　
４９４　（Ｍ”　＋　１．　０．０４　），　２６１　
（Ｉ００），元素分析：Ｃ，。Ｈ，，Ｎｏ，として 計算値：　　Ｃ，　７２．９９　．　Ｈ，　？．９６　
．Ｎ，　２．８４％実測値：　　Ｃ，　７２．７６　；
　Ｈ，　８．１６　．Ｎ，　２．７９％実施例２ ４−（４−オクチルフェニル）安息香酸４−｛（Ｒ）一
シアノ　（ペンタノイルオキシ）メチル｝フェニルの合
或 アルゴン雰囲気下、室温で（　４Ｒ，５Ｒ　）−４．５
　−ビス（ジフエニルヒドロキシメチル）−２−フ工二
ルー１．３−ジオキソラン１　８　８　ｍｇ（０．　３
　６　ｍｍｏｊ！）のトルエン３　ｍｌ溶液に、ジクロ
ロジイソプロボキシチタンの０．　５　４　Ｍ　｝ルエ
ン溶液０．５５ｍｌ（０．　３　ｍｍｏｊ！　）　、さ
らにモレキュラーシーブス３Ａ（６　０　０ｍｅｓｈ）
　　４　０　０ｍｇを加え１時間攪拌した．４−（４−
オクチルフエニル）安息香酸４−ホルξルフェニル６０
■に（０．　１　５　ｍｍｏｆ　）のトルエン２ＩＩＩ
１溶液を加えた後、−５０゜Ｃに冷却しトリメチルシリ
ルシアミド０．　１　ｒｓｆｌ　（０．　８　ｍｔａｏ
ｌ　）を加え、８時間攪拌した．この反応混合液にｐＨ
７の緩衝液を加え、室温にもどし、沈澱をセライト濾過
し、エーテル抽出後、カラムクロマトグラフィー（ワコ
ーゲルＣ−２　０　０，ヘキサン／酢酸エチル＝８／１
）で分離し、４−（４−オクチルフェニル）安息香６４
　−　（　（Ｒ）一シアノヒドロキシメチル｝フエニル
５２■を粗製物（粗収率８１％，８９％ｅｅ）として得
た。この粗製物４５■をジクロロメタン３　ｍｌに溶か
し、室温でペンタノイルクロリド０．１ＩＩｌｌ、ビリ
ジン０．２ｍｌを加え、３０分攪拌した。水処理、エー
テル抽出後、薄層クロマトグラフィ−（シリカゲル、ヘ
キサン／酢酸エチル＝４／１）で精製して、４−（４−
オクチルフエニル）　安息香酸４　−　（　（Ｉ？）一
シアノ（ペンタノイルオキシ）メチル）フェニル４９■
（収率９ｌ％）を得た． 融点６７℃ ［αコ　ｏ　　”−９．９＠　（ｃ＝　　１．０　　５
．Ｃ！ＩＣＬ）ＩＲ　（ＫＢｒ）　２９３０．　１７６
０　（Ｃ＝Ｏ），　１７３０　（Ｃ＝０）．　１６０５
，１５０５，　１４７０，　１４００，　１２６５．　
１２０５．　１１５５，　１１０５．１０？５．　１０
１０．　９６０，　８８０，　８２０．　７６０Ｃ１１
１−’重Ｈ　　ＮＭＲ　　（ＣＤＣ　ｌ　ｓ）　　６　
０．８９　　（ｔ，　　Ｊ＝７．５　　Ｈｚ，　　３　
　Ｈ），０．９３　（ｔ，　Ｊ＝７．３　Ｈｚ，３　Ｈ
），　１．２　〜１．４５（ｂｒｍ，　１２Ｈ）．　１
．６　〜１．７２　（ａ，　４　Ｈ）．　２．３７〜２
．５０　（　ｍ，２Ｈ），２．６７　（ｔ，　Ｊ＝７．
６　Ｈｚ，　２　Ｈ），　６．４７　（　ｓ，　Ｉ　Ｈ
），７．３０　（ｄ，　Ｊ＝８．３　Ｈｚ．　２　Ｎ）
，７．３４　（ｄ，　Ｊ＝８．６　Ｈｚ，２　Ｈ）．　
７．５８　（ｄ，　Ｊ＝８．３　１’ｌｚ．２　Ｈ），
　７．６０　（ｄ，　Ｊ＝８．６　　Ｈｚ，　２　Ｈ）
，　７．７３　（ｄ，　Ｊ＝８．６　Ｈｚ　，　２　Ｈ
），８．２４　（ｄ，　Ｊ＝８．６　Ｈｚ．　２　｝１
）ＭＳ　ｍ／ｚ　　　：　　　５２５　　（Ｍ”　　＋
　　０．５　）．　　２９３　　（Ｉ００）元素分析’
　　ＣｚｉＨｚＪＯ，として計算値：　　Ｃ，　７７．
６８　；　Ｈ，　７．４８　；Ｎ，　２．６８％実測値
：　　Ｃ，　？７．３９　；　Ｈ，　７．６６　；Ｎ，
　２．６３％実施例３ ４　−　［４−（（ｓ）−２−メチルブトキシ）フエニ
ルコ安息香酸４−｛（Ｒ）　　一シアノ（ペンタノイル
オキシ）メチル｝フエニルの合或 ＭＳ４Ａ ｎ 実施例１と同様の条件で、４−デシルオキシ安息香酸４
−ホルミルフェニルのかわりに４−［４〜（（ｓ）−２
−メチルプトキシ｝フェニルニ安息香酸４−ホルミルフ
ェニルを用いて、４−　１４−（（ｓ）−２−メチルブ
トキシ｝フェニル］安息香１４−｛（Ｒ）一シアノヒド
ロキシメチル｝フェニル１５９■を粗製物（粗収率９９
％，９２％ｄｅ）として得た．この粗製物１５３■をジ
ク口Ｃメタン５　ｍｌに溶かし、室温でペンタノイルク
Ｏ　＋Ｊド０．２ｍｌ、ビリジン０．５ｓｊ！を別え、
３０分撹拌した。水処理、エーテル抽出後、薄層クロマ
トグラフィ−（シリカゲル、ヘキサン／酢酸エチル＝４
／ｌ）で精製して、４　−　［４　−　（（ｓ）　−２
−メチルプトキシ｝フェニル］安息香酸４−（（Ｒ）一
シアノ（ペンタノイルオキシ）メチル｝フェニル１２８
■（収率７０％）を得た。さらにこれを再結晶（ヘキサ
ン／エーテル＝３／１）によリ精製し、４　　［４　　
（（ｓ）　−２−メチルブトキシ｝フェニルコ安患香酸
４　−　（　（Ｒ）一シアノ　（ペンタノイルオキシ）
メチル｝フェニル９０■（収率４９％）を得た。

？点１３５゜Ｃ　　Ｃ　１　３　５（Ｓｃ？？）（Ｓａ
７８）１［α］　ｏ　”　　．５．９”　　（ｃ■　　
１．０　１，　ＣＨＣｆｓ）ＩＲ　（ｎｅａｔ）２９８
０．　　１７５５　（Ｃ＝Ｏ）．　　１７４０　（Ｃ＝
０），　１６０５，１５１０，　　１４７０，　　１３
００，　　１２７０．　　１１９０．　　１１？０，　
　１１５０，１０７０，　　１０１０，　　８８０，　
　８３０，　　７７０，　　６９５ｃｍ−’’Ｈ　ＮＭ
Ｒ　（ＣＤＣｊ２　３）　　δ　０．９３　（ｔ，　　
Ｊ＝７．４　Ｈｚ，　３　Ｈ），０．９７　（ｔ，　　
Ｊ＝７．５　１１ｚ，３　Ｅｌ），　　１．０４　（ｄ
，　Ｊ＝６．７　Ｈｚ，３　Ｎ）．　　１．０４　　（
ｄ，　　Ｊ＝６．７　Ｈｚ．　　３　｝！）．　　１．
２４〜１．３４＋＋１１　２　Ｈ）＋　　１．３７　（
ｓｅｘｔｅｔ，　　Ｊ＝７．６　Ｈｚ．　２　Ｈ）＋　
　１．５５〜１．７４　（ｍ，　２　Ｈ）．　　１．９
０　（ｏｃｔｅｔ．　Ｊ−６．７　Ｈｚ．　　１　１｛
），２．３７〜２．５１　（ｍ．　２　Ｈ）．　３．８
０　（ｄｄ，　Ｊ＝９．０，　６．６Ｈｚ＋　　Ｌ　Ｈ
）．　　２．０６　（ｄｄ，　　Ｊ＝９．０，　　６．
６　Ｈｚ，　　Ｉ　Ｈ）．６．４７　　（ｓ，　　Ｉ　
Ｈ），　７．０１　　（ｄ，　Ｊ＝８．８　Ｈｚ，　２
　Ｈ）．７．３４　（ｄ，　Ｊ＝８．６　Ｈｚ．２　Ｈ
），　７．５９　（ｄ，　Ｊ＝８．８　Ｈｚ，２　Ｈ）
，　７．６０　（ｄ．　Ｊ＝８．６　Ｈｚ　，　２　Ｂ
），　７．７０　（ｄ，Ｊ＝８．５　Ｈｚ．　　２　Ｈ
　）．　８．２２　（ｄ，　　Ｊ＝８．５　Ｈｚ，　２
　Ｈ）ＭＳ　　ｍ／ｚ　　　：　　　４９９　　（Ｍ”
　　，　　＜　　１），　　２６７　　（Ｉ００）元素
分析：　　Ｃ３１８３３ＮＯＳとして計算値：　　Ｃ，
　？４．５３　．　Ｈ，　６．６６　．Ｎ，　２．８０
％実測値：　　Ｃ，　？４．２９　ｉ　Ｈ，　６．８１
　．Ｎ，　２．７３％実施例４ ４−　［４−　（（Ｒ）−１−メチルへブチルオキシ｝
フェニル］安息香酸４−｛（Ｒ）一シアノ（ペンタノイ
ルオキシ）メチル｝フェニルの合戒 Ｈ Ｓ４Ａ ＣＮ 実施例１と同様の条件下で、４デシルオキシ安息香酸４
−ホルミルフェニルのかわりに、４−　［４−（　（Ｒ
）−１−メチルへプチルオキシ｝フェニル］安息香酸４
−ホルミルフェニルを用いて、４−　［４−　（（Ｒ）
−１−メチルへプチルオキシ｝フェニル］安息香酸４−
｛（Ｒ｝−シアノヒドロキシメチル｝フェニル粗製物（
粗収率８８％．９０％ｄｅ）として得た．この粗製物８
７■をジクロロメタン３　ｍｌに溶かし、室温でペンタ
ノイルクロリド０．１ｍｊ！，ピリジン０．２ｗｆ！を
加え、３０分攪拌した．水処理、エーテル抽出後、薄層
クロマトグラフィー（シリカゲル、ヘキサン／酢酸エチ
ル＝４／１）で精製して、４一［４−　｛（Ｒ）−１−
メチルへプチルオキシ｝フェニル］安息香酸４−｛（Ｒ
）一シアノ（ペンタノイルオキシ）メチル｝フエニル８
４ａ＋ｇ（収率８２％）を得た．さらにこれを再結晶（
ヘキサン／エーテル＝３／１）により精製し、同化合物
の純品４６■（収率４４％）を得た． 融点６３゜Ｃ ［α］Ｄ！ｏ　　９−１゜（　ｃ　＝　１．０１，　Ｃ
ＨＣＩ　ｌ　ｓ）ＩＲ（　κＢ，　”）　　２９５０　
　．　　１７７０（Ｃ・Ｏ）．　　１７３５（Ｃ・Ｏ）
．　　１６０５．１５１０．　　１４７０．　　１３８
０．　　１３００．　　１２６５．　　１２２０，　　
１２００．１２８０，　　１１４５．　　１１０５．　
　１０７０．　　１０３０．　　１０１５，　　９６０
，８７０，　　８３０，　　８１０，　　７７０，　　
７００，　　５０５ｃｍ−’’Ｈ　ＮＭＲ（ＣＤＣ　ｌ
　！）６０．８９（ｔ，　　．ｒ・７．０　　Ｈｚ　，
３　Ｈ）．０．９３（ｔ．　　Ｊ−７．３　Ｈｚ　．３
　｝１）．　　１．３４（ｄ，　　Ｊ＝６．１　１１ｚ
　，３　１｛）．１．２５　〜１．８３（■，　　１４
　ＩＩ）．　　２．３８　〜２．５０（ｍ．　　２　Ｈ
）．４．４２（ｓｅｘｔｅｔ，　　Ｊ＝６．１　　Ｈｚ
　　ｔＬ　Ｈ）．６．４７（ｓ．　　Ｉ　Ｈ）＋７．０
０（ｄ，　　Ｊ＝８．８　Ｈｚ　　，２　Ｈ），７．３
３（ｄ，　　Ｊ．８．７　Ｈｚ　．２　Ｈ）．　　７．
５９（ｄ，　　Ｊ・８．８　Ｈｚ　．２　Ｈ）．　　７
．６０（ｄ．　　Ｊ・８．７　Ｈｚ　．　　２　Ｂ）．
　　７．７０（ｄ，　　Ｊ＝８．６　　Ｈｚ　．２　１
’ｌ）．８．２２（ｄ，　　ＪＪ．６　Ｈ２．２　Ｈ）
ＭＳ　ｓ／ｚ　：　５４ＨＭ”　．　　２）．　　１９
７（９７）．５７（７５），４３（Ｉ００）４１（８２
）．　　２９（８８） 元素分析：　　ＣｓＪｓＪＯｓとして 計算値：　Ｃ　．　７５．３９　ｉ　Ｈ．　７．２６　
．　Ｎ．　２．５９％実測値：　Ｃ　．　７５．２２　
．　Ｈ．　７．４１　；　Ｎ．　２．５７％実施例５ ４−（４−オクチルフェニル）安息香酸４−［（Ｒ）一
シアノ　（（Ｓ）−２−メチルブタノイルオキシ｝メチ
ル］フェニルの合戒 ｎ 実施例２と同様にして合威した４−（４−オクチルフェ
ニル）安息香酸４−（（Ｒ）一シアノヒドロキシメチル
）フェニルの粗製物１　０　６＋ａｇ　（８　９％ｅｅ
）をジクロロメタン３　ｍｌｌに溶かし、室温（Ｓ）−
２−メチルブタノイルクロリド０．１■２１ピリジン０
．３ｍｆを加え、３時間攬拌した．水処理、エーテル抽
出後、薄層クロマトグラフィー（シリカゲル、ヘキサン
／酢酸エチル＝４／１）で精製して、４−　（４−オク
チルフェニル）安息香酸４−［（Ｒ）一シア／　｛（Ｓ
）−２−メチルブタノイルオキシ｝メチル］フェニル５
２■（収率４３％，８０％ｄｅ）を得た．？点７５゜Ｃ ［αコ　ｏ”　　４．３　　゜　（　ｃ　＝０．９９，
ＣＨＣ１　ｘ）ＩＲ（　ＫＢ，　）　　２９５０　．　
　１７５０（Ｃ．０）．　　１７３５（Ｃ・０），　　
１６１０．１５１０．　　１４６０．　　１２７０．　
　１２１５，　　１１７０．　　１１２０，　　１０８
０，１０１５．　　８７５，　　８２０，　　７６５，
　　６９０　ｃｍ−’’Ｈ　ＮＭＲ（ＣＤＣ　１　３）
δ０．８９（ｔ，　　Ｊ＝７．５　　ＦＩ２，６　Ｈ）
，１．２２（ｄ，Ｊ・７．０　Ｈｚ　，３　Ｈ），　　
１．２３　〜１．８０（ｓ＋．　　１４　Ｈ）．２．５
０（ｓｅｘｔｅｔ，　　Ｊ＝６．７　　Ｈｚ　，Ｉ　Ｈ
）．　　２．６７　　（ｔ．　　Ｊ＝７．９　Ｈｚ　　
．２　Ｈ）．　　６．４８（ｓ　　．　　Ｉ　　Ｈ）．
　　７．３０　　（ｄ．　　Ｊ＝８．３　　Ｈｚ　，２
　Ｈ），　　７．３４　　（ｄ，　　Ｊ・８．Ｉ　　Ｂ
ｚ　．　　２　Ｈ）７．５８（ｄ，　　Ｊ■８．３　Ｈ
ｚ　　，２　１１），　　７．６０（ｄ，　　Ｊ■８．
７　Ｈｚ２　Ｈ），　　７．７３（ｄ，　　Ｊ・８．６
　ｆｉｚ　　ｌ２　Ｈ）．　　８．２４（ｄ，　　８．
７ＨＺ　．　　２　Ｈ）． ＭＳ　ｍ／ｚ　　：　５２５（Ｍ″　．０．５）．　　
２９３（Ｉ００）元素分析：　　Ｃｓ４Ｈ３ＪＯ４とし
て計算値：　　Ｃ　，　？？．６８　；　Ｈ．　７．４
８　；　Ｎ．　２．６６％実測値：　Ｃ　，　７７．５
０　．　Ｈ．　７．６５　．　Ｎ．　２．６０％実施例
６ ４−デシルオキシ安息香Ｍ４−　［（Ｒ）一シアノ（　
（Ｓ）　−２−メチルプタノイルオキシ｝メチル］フェ
ニルの合戒 ｎ 実施例ｌと同様にして合威した４−デシルオキシ安息香
酸４−｛（Ｒ）一シアノヒドロキシメチル｝フェニルの
粗製物１１０■をポリリン酸エチルエステル（ＰＰＥ）
一クロロホルム溶液１．　５　ｔａｒ！　（　Ｂｉｏｃ
ｈｅｍ．Ｂｉｏｐｈｙｓ．　Ａｃｔａ．　　ＪＬＬ．　
　１　（Ｉ９６４）．）に溶かし、室温で（Ｓ）−２−
メチルブタン酸５０μｌを加え、１時間攪拌した．飽和
炭酸水素ナトリウム水溶液を加え、エーテル抽出後、薄
層クロマトグラフィー（シリカゲル、ヘキサン／酢酸エ
チル＝４／１）で精製して、４−デシルオキシ安息香酸
４４（Ｒ）一シアノ　（（Ｓ）−２−メチルブタノイル
オキシ｝メチルコフェニル１１５■（収率８７％）を得
た．さらにヘキサンから再結晶し同化合物９２■（収率
６９％，〉９５％ｄｅ）を得た． 融点３９゛Ｃ Ｅｆｆ　ａｔＯ１．５゜（ｃ　＝１．０７，　ＣＨＣ１
ｓ＞ＩＲ（　ＫＢ，　”）　２９２０　．　１７６０（
Ｃ．Ｏ）．　１７３０（Ｃ．Ｏ），　１６０５．１５１
０．　１４７０，　１３１０．　１２５０，　１２０５
，　１１６５．　１１３０．１０？０，　１０１０，　
　９４５，　　８７５，　　８４０，　　８１０，　　
７６０，６８５，　　６５５．　　５３５　ｃｔａ　−
’Ｉｎ　ＮＭＲ（ＣＤＣｊ！３）　６　０．８８（ｔ．
　Ｊ＝７．５　　１２　．３　Ｈ），０．８９（ｔ，　
Ｊ．７．０　Ｈｚ　．３　Ｈ）．　１．２１（ｄ，　Ｊ
．６．９　｝１ｚ　，３　Ｂ），ｌ．２１〜１−５８（
ｓ＋　１５　Ｈ），　１．６５〜１．７６（ｍ．　Ｉ　
Ｈ）．１．８２（ｑｕｉｎｔｅｔ，　Ｊ＝６．６　Ｈｚ
　ｌ２　１ｆ）＋２．４９（ｓｅｘｔｅｔ，Ｊ＝６．９
　Ｈｚ　＋Ｉ　Ｈ）．　４．０５　（ｔ，　Ｊ＝６．６
　　ＨＺ　，２　Ｈ）．６．４７（ｓ，　Ｉ　Ｈ）．　
６．９７（ｄ．　ＪＰ９．０　Ｈｚ　，　２　Ｈ），７
．３０（ｄ，　Ｊ・８．６　Ｈ２　．２　Ｈ）．　７．
５８（ａ，　Ｊ・８．６　Ｈ．２　Ｂ）．　８．１３（
ｄ，　Ｊ・９．０　Ｈｚ　．２　Ｈ）ＭＳ　ｔａ／ｚ　
：　４９３（Ｍ’　＜　１　）．　２６Ｈ８３）．　１
２Ｈ１００）元素分析：Ｃ，。ＨｓｗＮＯｓとして 計算値：　Ｃ　，　？２．９９　．　｝ｌ，　？．９６
　．　Ｎ，　２．８４％実測値：　Ｃ　．　７３．１１
　；■．　８．０３　；　Ｎ．　２．８５％実施例７ ４−デシルオキシ安患香酸４−［（Ｓ）一シアノ（　（
Ｓ）　−２−メチルブタノイルオキシ）メチル〕フェニ
ルの合成 ？ＩＳ４ Ａ ｎ 実施例ｌと同様な条件下で、（４Ｒ，　５Ｒ）−４．５
−ビス（ジフェニルヒドロキシメチル）−２−メチル−
２−フェニル−１．３−ジオキソランのかわりに、（４
５，５Ｓ）−４．５−ビス（ジフェニルヒドロキシメチ
ル）−２−メチル−２−フェニルー１，３−ジオキソラ
ンを用いて、４−デシルオキシ安息香酸４１（Ｓ）一シ
アノヒドロキシメチル｝フェニル粗製物（粗収率８９％
，９０％ｅｅ）　として得た．この粗製物１６４■をＰ
ＰＥ一クロロホルム溶液１　ｍｌに溶かし、室温で（Ｓ
）一２−メチルブタン酸０．１ａ＋ｊ！を加え、１時間
攪拌した．飽和炭酸水素ナトリウム水溶液を加え、エー
テル抽出後、薄層クロマトグラフィー（シリカゲル，ヘ
キサン／酢酸エチル＝４／１）で精製して、４−デシル
オキシ安息香酸４−［（Ｓ）一シアノ｛（Ｓ）−２−メ
チルブタノイルオキシ｝メチル］フェニル１８１■（収
率９２％）を得た．これをヘキサンから再結晶し、同化
合物１２９■（収率６５％．〉９５％ｄｅ）を得た． 融点３８゜Ｃ ［α］１°＋１２．２　＠（ｃ＝０．９７，　ＣＨＣｊ
！ｓ）ＩＲ（　ＫＢ，　）　２９２０　．　１７５０（
Ｃ．０），　１７３０（Ｃ．０）．　１６０５，１５１
０．　１４６５，　１３２０．　１２６０，　１２０５
，　１１６５．　１１１５．１０６０．　　１０２０，
　　９９５，　　９５０．　　８７０，　　８４０，　
　７６０，６５０　ｃｍ　　一直 ’Ｈ　ＮＭＲ（ＣＤＣＮ　ｘ）６０．８９（ｔ．　　Ｊ
・７．０　　Ｈｚ　，３　Ｈ）．０．９４（ｔ，　　Ｊ
＝７．５　Ｈｚ　　．３　Ｈ）．　　１．１８（ｄ，　
　Ｊ＝７．０　Ｈｚ　．３　Ｈ）．１．２３　〜１．８
２（ｅ＋．　　１５　Ｈ）．　　１．６８　〜１．８０
（ｍ．　　Ｉ　Ｈ）．１．８２（ｑｕｉｎｔｅｔ，　　
Ｊ＝６−６　Ｆｋ　　．２　Ｈ＞．　　２．４９（ｓａ
ｘｔｅｔ．Ｊ・６．９　Ｈｚ　　，２　Ｈ）．　　４．
０４　　（ｔ．　　ＪＪ．６　　１ｈ　，２　Ｂ）．６
．４６（ｓ，　　Ｌ　Ｈ），６．９７（ｄ，　　Ｊ＝９
．０　Ｈｚ　，　　２　Ｂ），７．３０（ｄ，　　Ｊ＝
８．６　Ｈｚ　　．２　Ｈ）．　　７．５８（ｄ．　　
Ｊ．８．６　１’ｌｚ＋２　Ｈ）．　　８．１３（ｄ．
　　Ｊ．９．０　Ｈ２　　．　　２　Ｂ）ＭＳ　ｖａ／
ｚ　　：　４９３　　（　Ｍ”　　．　　０．５）．　
　２６１（Ｉ００），　　１２１（４４）．元素分析：
　　Ｃ３１１｝１３９ＮＯＳとして計算値：　　Ｃ　．
　７２．９９　；Ｈ．　７．９６　；　Ｎ．　２．８４
％実測値：　Ｃ　．　７２．９６　；　Ｈ．　８．１０
　；　Ｎ．　２．８３％実施例８ ４−デシルオキシ安息香酸４−［（Ｒ）一シアノ｛　（
Ｓ）　−２−プトキシプロパノイルオキシ｝メチル］フ
エニルの合威 ＤＭＡＰ ＣＮ ジシクロへキシルカルボジイ逅ド（ＤＣＣ）２２０ｍｇ
のジクロロメタン５　ｙａｌ溶液に（Ｓ）−２−ブトキ
シプロパン！ｏ．ｉａ＋ｚを加え、さらに実施例１と同
様にして合威した４−デシルオキシ安息香酸４−（（Ｒ
）一シアノヒドロキシメチル｝フェニルの粗製物１４２
ｍｇのジクロロメタン１■２溶液と４−ジメチノレアξ
ノビリジン（ＤＭＡＰ）２．２一ｇを加え、３０分撹拌
した．水処理、エーテル抽出後、薄層クロマトグラフィ
ー（シリカゲル，ヘキサン／酢酸エチル＝４／１）で精
製して、４−デシルオキシ安息香酸４−［（Ｒ）一シア
ノ（　（Ｓ）−２−プトキシブロパノイルオキシ）メチ
ル］フェニル１６８ａ＋ｇ（収率９０％）を得た．さら
にヘキサンから再結晶し同化合物１０９ｍｇ（収率５９
％，〉９５％ｄｅ）を得た． 融点４８゜Ｃ ［α］　ｏ”−３４．３　＠（ｃ−１．０５．　ＣＨＣ
ｊ！ｓ）ＩＲ（　ＫＢ，　）　２９３０　．　１７６０
（Ｃ＝０）．　１７４０（Ｃ＝０）．　１６１０．１５
１０．　１３１０．　１２５５．　１２１０，　１１５
０．　１０８０，　１０２０，８７５，　　８４０，　
　７６０　ｃｍ　−’’Ｈ　　ＮＭＲ（ＣＤＣｆ　３）
　６　０．８９（ｔ，　　Ｊ冨７．０　　　Ｈｚ　　，
３　　Ｂ）．０．９１（ｔ，　Ｊ＝７．４　Ｈｚ　，３
　Ｈ）．　１．４０（ｄ，　Ｊ−６．９　Ｈｚ　．３　
Ｈ）．１．２２　〜１．６２（ｓ．　１８　Ｈ），　１
．８２（ｑｕｉｎｔｅｔ，　Ｊ−７．０Ｈｚ　ｌ２　Ｈ
），　３．４０（ｄｔ．　Ｊ＝８．９．　６．５　Ｈｚ
　，Ｉ　Ｈ　）．３．５５（ｄｔ，　Ｊ・８．９．　６
．５　Ｈｚ　．　１　）．　４．０４　（ｔ，　Ｊ・６
．６　Ｈｚ　．　２　Ｈ）＋　４．０５（ｑｕｉｎｔｅ
ｔ，　Ｊ＝６．９　　Ｈｚ　ｌＩ　Ｈ　）．　６．５Ｈ
ｓ　．　Ｌ　Ｈ），　６．９７（ｄ，　Ｊ−９．０　Ｈ
ｚ　，２　Ｈ　），　７．３１（　ｄ，　Ｊ富８．６　
Ｈ２　．　２　Ｈ　）．　７．５８（ｄ．Ｊ＝８．６　
１ｈ　．　２　Ｈ），　８．１３（ｄ，　Ｊ＝９．０　
　Ｈｚ　．２　Ｂ）ＭＳ　ｍＨｚ　：　５３７　（　Ｍ
”　，　＜　１　）　．　２６１（Ｉ００）．，　１２
１（６３）元素分析”　Ｃ３ｚＨａｘＮＯｂとして計算
値：　Ｃ　，　７１．４８　；　Ｈ，　８．０６　．　
Ｎ．　２．６０％実測値：　Ｃ　．　７１．６３　；Ｈ
，　８．１５　．　Ｎ，　２．５６％実施例９ ４−デシルオキシ安息香酸４−［（Ｓ）一シアノ（　（
Ｓ）　−２−ブトキシプロパノイルオキシ）メチル］フ
エニルの合戒 ＤＭＡＰ ＣＮ ＤＣＣ　１　８　１閣ｇのジクロロメタン３ｍｌ溶液に
（Ｓ）−２−ブトキシプロパン酸０．１ｍｊ！を加え、
さらに実施例７と同様にして合威した４−デシルオキシ
安息香酸４−　｛（Ｓ）一シアノヒドロキシメチル｝フ
ェニルの粗製物１５２鵬ｇのジクロロメタン３　ｔａｌ
溶液とＤＭＡＰ２．９ｍｇを加え、３０分撹拌した．水
処理、エーテル抽出後、薄層クロマトグラフィー？シリ
カゲル，ヘキサン／酢酸エチル−４／１）で精製して、
４−デシルオキシ安息香酸４−［（Ｓ）一シアノ　（（
Ｓ）−２−プトキシプ口パノイルオキシ）メチル］フエ
ニル１８０ｍｇ（収率９０％）を得た．さらにヘキサン
から再結晶し同化合物９５ｍｇ（収率４８％．〉９５％
ｄｅ）を得た． 融点４５℃ ［α］１°−８．４°（ｃ＝１．ｏＯ，　ＣＨＣ　ｌ　
ｓ）ＩＲ（　ＫＢ，　）２９３０　．　１７７０（Ｃ＝
０），　１７３０（Ｃ．０）．　１６０５．１５１０．
　１４７０．　１２６０．　１２１５．　１１？０．　
１１２５．　１０７０．１０１０．　　９５０，　　８
４５，　　７６０　ｃｒｙ　−’’Ｈ　ＮＭＲ（ＣＤＣ
　１２　ｓ）６０．８９（ｔ．　Ｊ・７．０　　Ｈｚ　
．３　Ｈ）．０．９１（ｔ，　Ｊ＝７．４　Ｈｚ　．３
　Ｈ），　１．４６（ｄ，　Ｊ冨６．９　ａｘ　，３ｕ
），１．２２　〜１．６２（ｍ，　１８　Ｈ），　１．
８２（ｑｕｉｎｔｅｔ．　Ｊ−７．ＯＨＺ　，２　｝１
）．　３．３９（ｄｔ．　Ｊ＝８．９．　６．５　Ｈｚ
　．Ｉ　ｎ　）．３．５４（ｄｔ．　ＪＪ．９　　６．
５　Ｈｚ　．　Ｉ　Ｈ）．　４．０４（ｑｕｉｎ−ｔｅ
ｔ，　Ｊ■６．Ｑ　Ｈｚ　．　Ｉ　Ｈ）．　４．０５（
ｔ．　ＪＪ．６　　Ｈｚ　，２　Ｈ　）．　　６．５１
（ｓ．　Ｉ　Ｈ）．　６．９７（ｄ，　Ｊ＝９．０　　
Ｈｚ　．２　１｛）．　　７．３１　（　ｄ，　Ｊ・８
．７　　８２　．　２　Ｈ　），　７．６０（　ｄ，　
Ｊ＝８．７　　Ｈｚ　，２　Ｈ）．８．１３（ｄ，　Ｊ
−９．Ｏ　　Ｈ２．２　Ｈ） ＭＳ　　ｓ／ｚ　　：　　５３７　　（　　Ｍ”　　，
　　＜　　１　　）　　．　　２６１（Ｉ００）．　　
１２Ｈ９３）元素分析’　　ＣｘｚＨａｘＮＯｈとして
計算値：　Ｃ　，　７１．４８　；Ｈ，　８．０６　；
　Ｎ，　２．６０％実測値：　Ｃ　．　７１．５０　；
　Ｈ．　８．２１　：　Ｎ．　２．５９％実施例１０ ４−　［４−　（（Ｓ）−２−メチルプトキシ｝フェニ
ル］安息香酸４−（（Ｓ）一シアノ　（　（Ｓ）−２−
メチルブタノイルオキシ）メチル］フェニルの合威 ＭＳ４Ａ ＣＮ ＰＰＥ アルゴン雰囲気下、室温で（４Ｓ　，　５５）−４．５
−ビス（ジフエニルヒドロキシメチル）−２−メチル−
２−フェニルー１．３−ジオキソラン４　８　５ｍｇ　
（０．９　２ｍｍｏｌ）のトルエンｌＯＩＩ１溶液に、
ジクロロジイソプロポキシチタンの０．　５　Ｍ　｝ル
エン溶液１．５ａ＋ｊ！（０．　７　５ｍｍｏｌ）、さ
らにモレキュラーシープス４Ａ（６　０　０ａ＋ｅｓｈ
）　９　５　０＋ｇを加え１時間撹拌した．４−　［４
−　｛（Ｓ）−２−メチルブトキシ｝フェニル］安息香
酸４−ホノレ旦ノレフェニノレ１　５　６ｍｇ　（０．
　４　０ｍｓｏｌ）のトルエン１０ａ＋ｆ溶液を加えた
後、−６０℃に冷却しトリメチルシリルシアニド０．３
５ｍｊ！（２．６ｍｍｏｌ）を加え、５９時間撹拌した
．この反応混合液にｐＨ７の緩衝液を加え、室温にもど
し、沈澱をセライト濾過し、エーテル抽出後、カラムク
ロマトグラフィー（ワコーゲル　Ｃ−２００　，ヘキサ
ン／酢酸エチル＝５／１）で分離し、４−　［４−　（
（Ｓ）−２−メチルブトキシ｝フェニル］安息香酸４−
（（Ｓ）一シアノヒドロキシメチル｝フエニル１４３Ｉ
ｌｇを粗製物（粗収率８６％，８８％ｄｅ　）として得
た．この粗製物１３５ｍｇをＰＰＥ−クロロホルム溶液
２ｍＩ！に溶かし、室温で（Ｓ）−２−メチルブタン酸
０．　１ｍｌを加え、１時間撹拌した．飽和炭酸水素ナ
トリウム水溶液を加え、エーテル抽出後、薄層クロマト
グラフィー（シリカゲル，ベンゼン）で精製して、４−
　［４−　（（Ｓ）−２−メチルプトキシ｝フェニル］
安息香酸ｐ−［（Ｓ）一シアノ　（（Ｓ）−２−メチル
ブタノイルオキシ｝メチル１フェニル１２４Ｉｌｌ（収
率７６％）を得た．これをヘキサンで再結晶し同化合物
１０８ｍｇ（収率６７％，〉９５％ｄｅ）を得た．融点
１２０℃ ［　ａ　］　ａ”＋１９．５”　（ｃ＝１．０２，　Ｃ
ＨＣ　ｌ　ｓ）ＩＲ（　ＫＢ，　）　２９８０　．　１
７７０（Ｃ・Ｏ），　１７３５（Ｃ・０）．　１６０５
．１５１５．　１４６５．　１２９５．　１２７０，　
１２１０．　１２００．　１１７０．１１１０．　１０
？５，　１０２５．　１０１０，　１０００，　　９５
５，　　８２５，７６５　ｃｃｇ　−’ ’Ｈ　ＮＭＲ（ＣＤＣ　ｌ　ｓ）δ０．９５（ｔ，　Ｊ
＝７．５　　｝１ｚ　．３　Ｈ），０．９７（ｔ，　Ｊ
＝７．５　Ｈｚ　．３　ＩＩ）．　１．０４（ｄ，　Ｊ
・６．７　Ｈｚ　，３　Ｈ），１．１８（ｄ，　　Ｊ＝
７．０　Ｈｚ　，　　３　Ｆｌ）．　１．２４〜１．３
６（ｍ　．　ＩＨ），　　１．５０　〜１．６５　（ｍ
．　２　Ｈ），　　１．６９〜１．８Ｈｍ　，Ｌ　Ｈ）
，１．８７〜１．９５（ｍ，　　１　｝１），　　２．
５０　（ｓｅｘｔｅｔ，　　Ｊ＝６．９　Ｈｚ　．　　
Ｉ　Ｈ），３．８０（ｄｄ，　　Ｊ＝９．０，６．６　
　Ｈｚ　．Ｉ　Ｈ），　３．８９（ｄｄ．　　Ｊ＝９．
０．　６．０　ＨＺ　．　Ｉ　Ｂ），　６．４７（ｓ．
　１８）．　７．０１（ｄ，　ＪＪ．８　　１ｈ　，　
２　Ｈ）．　７．３４（ｄ，　Ｊ・８．７　Ｈｚ　，２
　Ｈ）．　７．５９（ｄ．　Ｊ弯８．８　Ｈｚ　，２Ｈ
），　７．６０（ｄ，　Ｊ・８．７　Ｈｚ　．　２　Ｈ
），　７．７０（ｄ，　Ｊ・８．６Ｈｚ　，　２　Ｈ）
．　　８．２２　（ｄ，　　Ｊ・８．６１１２．２Ｈ）
ＭＳ　　ｍＨｚ　：　４９９　　（　Ｍ　”　．　　０
．４）．　２６７（Ｉ０Ｇ），元素分析：　　ＣｘｒＨ
ｓ３ＮＯｓとして計算値：　Ｃ　．　７４．５３　；　
Ｈ．　６．６６　：　Ｎ，　２．８０％実測値：　Ｃ　
．　７４．２６　：Ｈ．　６．６６　Ｓ　Ｎ，　２．７
７％実施例１１ ４−　［４−　（（Ｓ）−１−メチルプチルオキシ｝フ
エニル］安息香酸４−［（Ｓ）一シアノ　（　（Ｓ）−
２−メチルブタノイルオキシ｝メチル］フエニルの合或 ＭＳ４ Ａ ＣＮ 実施例１ Ｏと同様な条件下で、 ［４− ｛（Ｓ）−２− メチルプトキシ｝ フェニル］安息香酸４−ホル旦ル フェニルのかわりに、４−　［４−　｛（Ｓ）−１−メ
チルへプチルオキシ｝フェニル］安息香酸４−ホルミル
フェニルを用いて、４−　［４−　［（Ｓ）−１−メチ
ルへプチルオキシ｝フェニル］安息香酸４−（（Ｓ）一
シアノヒドロキシメチル｝フエニル粗製物（粗収率９４
％．９０％ｄｅ）として得た。この粗製物１５６ａ＋ｇ
をＰＰＥ−クロロホルム溶液３　ｍｌに溶かし、室温で
（Ｓ）一２−メチルブタン酸０．１＋／！を加え、２時
間撹拌した。飽和炭酸水素ナトリウム水溶液を加え、エ
ーテル抽出後、薄層クロマトグラフィー（シカゲル，ヘ
キサン／エーテル＝５／１）で精製して、４−　［４−
　｛（Ｓ）−１−メチルへプチルオキシ｝フェニル］安
息香酸４−［（Ｓ）一シアノ　｛（Ｓ）−２−メチルプ
タノイルオキシ｝メチル］フエニル１６５ｍｇ（収率８
９％）を得た。これをヘキサンから再結晶し同化合物１
３５ｍｇ（収率７３％，〉９５％ｄｅ）を得た．融点８
５゜Ｃ ［α］　Ｄ”＋１０．３”　（ｃ＝０．９９，　ＣＨＣ
ｆ　３）ＩＲ（　ＫＢ，　）　２９５０　．　１７６３
（ｃ＝０），　１７３５（ｃ・Ｏ），　１６０３，１５
１０．　１２７０，　１２１０，　１１９５．　１１７
０．　１１３０．　１０７０．１０１０．　　８３０．
　　７６５　ｃｒａ　−’’Ｈ　ＮＭＲ（ＣＤＣｊ！　
３）δ０．８９（ｔ，　　Ｊ・７．０　　Ｈｚ　．３　
）Ｉ），０．９５（ｔ，　Ｊ・７．５　１Ｌｚ　．３　
Ｈ），　　１．１８（ｄ，　Ｊ・７．Ｏ　ｆ！２．３　
１），１．２５〜１．６６（ｉ＋．　　１０　Ｈ），　
　１．３４（ｄ，　　Ｊ＝６．１　　Ｈｚ　，３　Ｈ）
．　１．６９　〜１．８２（ｍ．　２　Ｈ）．　２．５
０（ｓｅｘｔａｔ，ＪＪ．９　Ｈｚ　Ｉ　Ｈ）＋　４．
４２（ｓｅｘｔｅｔ．　Ｊ＝６．Ｌ　　Ｌ　＋Ｉ　　Ｈ
）．６．４７（ｓ，　　Ｉ　Ｈ）．　６．９９（Ｌ，　
　Ｊ＝１８．８　Ｈ　ｚ　，２　　１｛　），　　７．
３４（ｄ，　Ｊ・８．６　８２　，　　２　Ｈ）．　７
．５９（ｄ，Ｊ・８．８　Ｈｚ　．　２　ＩＩ　）．　
７．６０（ｄ，　Ｊ・８．６　ｎｚ　，　　２　Ｈ）．
７．７０　（ｄ．　Ｊ・８．６　　Ｈｚ　，２　Ｈ）　
　　８．２３（ｄ，　Ｊ・８．６１１！　　，　　２　
Ｈ　） ＭＳ　ｍ／ｚ　：　５４１　　（　Ｍ”　．　　１．８
　）　．　３０９（Ｉ００），　　１９７（８１）元素
分Ｆｒ：　　ＣｓＪｓＪＯｓとして計算値：　Ｃ　．　
７５．３９　；　Ｈ，　？．２６　．　Ｎ，　２．５９
％実測値：　Ｃ　，　？５．４０　；　Ｈ．　７．２５
　：　Ｎ．　２．４９％実施例１２ ４−　［４−　｛（Ｓ）−１−メチルへブチルオキシ｝
フェニル〕安息香酸４−ｒｔｓ）一シアノ｛（Ｓ）−２
−ブトキシプロパノイルオキシ｝メチル］フェニルの合
或ＯＢｕ ＤＭＡＰ ＣＮ ＤＣＣ１５０ａ＋ｇのジクロロメタン３　ｍｌ溶液に（
Ｓ）−２−プトキシプロパン酸０．１ｍＩｌを加え、さ
らに実施例１１と同様にして合威した４−　［４−　（
（Ｓ）−１−メチルへプチルオキシ｝フェニル］安息香
酸４一｛（Ｓ）一シアノヒドロキシメチル｝フェニルの
粗製物１５５ｍｇのジクロロメタン５　ｍＪ２溶液とＤ
ＭＡＰ２ｍｇを加え、１時間撹拌した。水処理、エーテ
ル抽出後、薄層クロマトグラフィー（シリカゲル．ベン
ゼン／酢酸エチル＝２０／ｌ）で精製して、？−テシル
オキシ安息香Ｍ４−　［（Ｓ）−シ７／　（（Ｓ）−２
−ブトキシブロパノイルオキシ｝メチル］フェニル１４
７ａ＋ｇ（収率７４％）を得た．さらにヘキサン／エー
テル−５／１混合液から再結晶し同化合物１０３ｍｇ（
収率５２％，〉９５％ｄｅ）を得た．融点６６℃ ［α］．″”−７．９°（ｃ■１．ＯＯ，　ＣＨＣｆｚ
）ＩＲ（　ＸＢ，　）　２９４０　．　１７８０（Ｃ．
０），　１７２５（Ｃ．０）．　１６０５，１５１０，
　１２７０，　１１９０，　１１２０．　１０？５．　
１０１５．　　８３０，７７０　ｃｍ−’ ＩＨ　ＮＭＲ（ＣＤＣｊ！ｘ）　６　０．８９（ｔ．　
Ｊ．７．Ｏ　　Ｈ２　．３　Ｈ）．０．９２（ｔ，　Ｊ
．７．４　ＨＺ　．３　Ｈ）．　１．３４（ｄ，　Ｊ富
６．１　１２　．３　Ｂ），１．４６（ｄ．　ＪＪ．９
　ＨＺ　，３　Ｈ）．１．２６〜１．６５（ｍ．　１３
　Ｈ）．１．７２〜１．８３（ｍ．　Ｉ　Ｈ），　３．
３９（ｄｔ．　　Ｊ・８．９．　６．５Ｈｚ　．　２　
Ｈ）．　３．５５（ｄｔ，　Ｊ・８．９．　６．５　　
８２　，Ｉ　Ｈ），４．０４　（ｑ．　Ｊ＝６．９　　
Ｈｚ　．　Ｉ　Ｈ）．　４．４２　（ｓｅｘｔｅｔ，Ｊ
＝６．１　Ｈｚ　，Ｉ　Ｈ　）．　６．５２（ｓ，　　
Ｉ　Ｈ）．　６．９９　（ｄ，Ｊ＝８．８　Ｈｚ　，　
２　Ｈ）．　７．３５（ｄ，　Ｊ・８．７　８２　．　
２　　Ｒ）．７．５９　（ｄ，　Ｊ．８．８　　８２　
．　２　ｎ）．　７．６２（ｄ，　Ｊ・８．７Ｈ１　．
　２　Ｂ），　７．７０（ｄ．　Ｊ・８．６　　Ｎ２　
．　２　Ｂ）．　８．２２（ｄ，　　Ｊ・８．６　Ｈ２
　　．　　２　Ｈ）ＭＳ　ｍＨｚ　　：　５８５　　（
　Ｍ”　．　　１．４　　）　．　　３０９（Ｉ００）
．　　１９７（８５）元素分析”　ＣｓＪａＪＯａとし
て 計算値：　Ｃ　，　７３．８２　；Ｈ．　７．４０　．
　Ｎ．　２．３９％実測値：　Ｃ　．　７３．８９　ｉ
　Ｈ．　７．５０　．　Ｎ．　２．３０％実施例ｌ３ （Ｓ）−２−メチルブタン酸（Ｓ）一シアノ［４−　（
４−（４−ペンチルフェニル）フェニル｝フェニル］メ
チルの合或 ＭＳ４Ａ ｎ 実施例１０と同様な条件下で、４−［　４−　［（Ｓ）
−２−メチルブトキシ｝フェニル１安息香酸４−ホルミ
ルフェニルのかわりに、４−　（４−（４−ペンチルフ
ェニノレ〉フェニノレ｝ベンズアノレデヒド２９０＋ｓ
ｇを用いて、（Ｓ）−２−ヒドロキシ−２−　［４−　
（４−（４−ペンチルフェニル）フェニル｝フェニル］
アセトニトリル粗製物（粗収率５７％，９３％ｄｅ）と
して得た。

この粗製物１７０＋ａｇ＠ＰＰＥ−クロロホルム溶液２
ｌＩ１に溶かし、室温で（Ｓ）−２−メチルブタン酸０
．１ｍｊ！を加え、２時間撹拌した．飽和炭酸水素ナト
リウム水溶液を加え、エーテル抽　出後、薄層クロマト
グラフィー（シリカゲル，ベンゼン）で精製して、（Ｓ
）−２−メチルブタン酸（Ｓ）一シアノ［４−　｛４−
（４−ペンチルフェニル）フエニル｝フエニル］メチル
１３９＋ｏｇ（収率６６％）を得た。これをヘキサン／
エーテル＝５／１混合液から再結？し同化合物８６ｍｇ
（収率４ｌ％，〉９５％ｄｅ）を得た． 融点１２４゜ｃ　　Ｃ１２４　（Ｓａ？？）Ｉ［α］　
ｏｔ０＋２３．１＠（ｃ−０．９９．　ＣＨＣｌｓ）Ｉ
Ｒ（　ＫＢ，　）　２９３０　．　１７６０（Ｃ−０）
．　１４９５（Ｃ冨０）．　１４６０．１１？５．　１
１２５．　１０９０．　１０００．　　９５０，　　８
０５．　　５０００屠１ ’Ｈ　ＮＭＲ（ＣＤＣ　ｌ　３）δ０．９２（ｔ．　Ｊ
＝７．１　　Ｈｚ　，３　Ｈ）．０．９５（ｔ，　Ｊ■
Ｔ．４　Ｈｚ　，３　Ｈ）．　１．１９（ｄ．　Ｊ■１
．Ｏ　Ｈｚ　．３　Ｈ），１．３〜１．４２（ａ＋．　
４　Ｈ）．　１．５０〜１．８２　（ｓ．　４　Ｈ），
２．５１（ｓｅｘｔｅｔ，　Ｊ−６．８　．　Ｈｚ　．
　Ｉ　Ｈ）．　２．６６（ｔ，Ｊ＝７．９　Ｈｚ　．　
Ｌ　Ｈ）．　　６．４９（ｓ．　Ｉ　　Ｈ），　７．２
８（ｄ，Ｊ＝８．２　［２　．　２　Ｈ）．　７．５６
（ｄ，　Ｊ＝８．２　　ＩＩ　ｚ　．２　ｎ）．７．６
０（ｄ，　Ｊ＝８．３　Ｈｚ　．　２　ｎ）．　７．６
６（ｄ，　Ｊ＝８．７Ｈｚ　．　２　Ｈ）．　７．６９
（ｄ，　Ｊ・８．７　　ｈ　，　２　ｎ）．　７．７１
（ｄ．　Ｊ・８．３　８２　．　２　Ｈ）ＭＳ　ｃｍ／
ｚ　：　４３９　（　Ｍ　”　，　１００），　３３８
（４５）．元素分析：Ｃ，。Ｈ３３ＮＯｆとして 計算値：　Ｃ　，　８１．９７　；　Ｈ．　７．５７　
．　Ｎ，　３．！９％実測値：　Ｃ　，　８１．８６　
；　Ｈ．　７．６１　；　Ｎ，　３．１０％実施例１４ ４−　Ｃ４−　（＜Ｒ＞−１−メチルへブチルオキシ｝
フェニル］安息香酸４−［（Ｒ）一シアノ｛（２５．３
５）−２−クロロ−３−メチルペンタノイルオキシ｝メ
チル］フェニルの合成 ＣＭ ！，１ ＣＭＡＰ ＣＮ ＤＣＣ１７５ｍｇのジクロロメタン３　ｔｓｌ溶液に（
２Ｓ．３Ｓ）−２−クロロー３−メチルペンタン酸１３
０■を加え、さらに実施例４と同様にして合威した４−
［４−　（（Ｒ）−１−メチルへプチルオキシ｝フェニ
ル］安患香酸４−（（Ｒ）一シアノヒドロキシメチル｝
フェニル粗製物１５５ｍｇのジクロロメタンｌ　ｒａ１
溶液とＤＭＡＰ２．５ｍｇを加え、１時間撹拌した。水
処理、エーテル抽出後、薄層クロマトグラフイー（シリ
カゲル，ヘキサン／酢酸エチル＝５／１）で精製して、
４−　［４−　（（Ｒ）−１−メチルヘブチノレオキシ
）フェニル］安息香酸４−［（Ｒ）一シアノ（　（２Ｓ
，　３Ｓ）−２−クロロー３−メチルペンタノイルオキ
シ｝メチル］フェニル１８５ｍｇ（収率９２％）を得た
．さらにエタノールで再結晶し同化合物７９ｉｅｇ（収
率３９％，〉９４％ｄｅ）を得た． 融点８２゜Ｃ ［　α］　１１”−６．３°（ｃ＝１．０８．　ＣＨＣ
　ｉ　３）ＩＲ（　ＫＢ，　’）　２９５０　．　１７
６０（＋，Ｏ），　１７３５（Ｃ＝Ｏ），　１６１０．
１５１０．　１２８０．　１２１０．　１１７５．　１
１４０．　１０？５，　　８３０．７７０　ｃｔａ−’ ’Ｈ　ＮＭＲ（ＣＤＣ　ｆ　３）δ０．８８（ｔ，　Ｊ
＝７．５　　Ｈｚ　．３　Ｈ），０．８９（ｔ．　Ｊ＝
７．０　Ｈｚ　，３　１’ｌ）．　１．００（ｄ．　Ｊ
＝６．８　１｛Ｚ　，３　｝１），１．３４（ｄ，　Ｊ
・６．１　Ｈｚ　．３　Ｈ），１．２４〜１．５０（励
，９｝１），１．５２　〜１．６５（＋ｎ，　２　Ｈ）
．　１．５２〜１．６５（ｍ，　２　Ｈ）１．７２〜１
．８３（ｍ，　Ｌ　Ｈ），　　２．０３〜２．１４（ｍ
．　Ｉ　Ｈ）．４．２５（ｄ，　Ｊ＝７．０　Ｈｚ　，
　　Ｉ　Ｈ），　４．４２　（　ｓｅｘｔａｔ，６．１
　Ｈｚ　．　Ｌ　Ｈ）．　６．５０（Ｓ．　　Ｌ　Ｈ）
，　６．９９　（ｄ，　Ｊ・８．８　ｔｔ．　．　２　
Ｂ）．　　７．３６（ｄ，　Ｊ＝８．６　１２　，　２
　Ｈ）７．５９（ｄ．　Ｊ・８．８　Ｈｚ　．　２　　
Ｈ）．　７．６２　（ｄ，　Ｊ・８．６Ｈｚ　．　２　
Ｉｔ）．　７．７０（ｄ，　Ｊ．８．６　　１１２　．
　２　１’ｌ），８．２２（ｄ，　　ＪＪ．６　　Ｈｚ
　，　　２　Ｈ）ＭＳ　ｔａ／ｚ　：　５８９　（　Ｍ
”　．　１．０　）　，　３０９（Ｉ００）．　１９７
（９２）元素分析：Ｃ３，■４。Ｃ　Ｉ　ＮＯｓとして
計算値：　Ｃ　，　７１．２３　．　Ｈ，　６．８３　
；　Ｎ，　２．３７ＣＬ６．０１％ 実測値：　Ｃ　，　？１．３３　；１１，　６．９０　
；　Ｎ．　２．４４Ｃｌ．５．８０％ 実施例ｌ５ ４−　［４−　（（Ｓ）−１−メチルへプチルオキシ｝
フエニル］安息香酸４−［（Ｓ）一シアノ　（（２Ｓ，
３Ｓ）−２−クロロ−３−メチルペンタノイルオキシ）
メチル］フエニルの合或 ＣＭ 且２ ＣＭＡＰ ＣＮ ＤＣＣ１７０ｍｇのジクロロメタン３ｌｌｊ！溶液に（
２５．３Ｓ）−２−クロロー３−メチルペンタン酸１３
０■を加え、さらに実施例１ｌと同様にして合成した４
−　［４−　｛（ｓ）−１−メチルへプチルオキシ｝フ
ェニル１安息香酸４−（（Ｓ）一シアノヒドロキシメチ
ル｝フェニル粗製物１５２■のジクロロメタン１　ｍｌ
溶液とＤＭＡＰ２．３＋ａｇを加え、１時間撹拌した．
水処理、エーテル抽出後、薄層クロマトグラフィー（シ
リカゲル，ヘキサン／酢酸エチル−５／ｌ）で精製して
、４−　［４−　｛（Ｓ）−１−メチルへプチルオキシ
｝フヱニル］安息香酸４−［（Ｓ）一シアノ（　（２Ｓ
，　３Ｓ）一２−クロロー３−メチルペンタノイルオキ
シ｝メチル］フエニル１９３ｍｇ（収率９８％）を得た
．さらにエタノールで再結晶し同化合物６０ｓｇ（収率
３０％，〉９５％ｄｅ）を得た． 融点６７゜Ｃ ［α］　ａ”＋３．３゜（Ｃ・１．０３．　ＣＨＣｉゴ
）ＩＲ（　ＫＢ，　）　２９３０　．　１７７０（Ｃ＝
０），　１７３０（Ｃ・０），　１６００，１５１０，
　１２７０，　１２０５，　１１７０．　１０？０，　
９９０，　８２０．７６０　ｃｔａ−’ ’Ｈ　ＮＭＲ（ＣＤＣＩ！　３）６０．８９（ｔ．　Ｊ
＝７．０　　Ｈｚ　．３　Ｂ）．０．９４（ｔ，　Ｊ＝
７．４　Ｈｚ　．３■），　１．０３（ｄ，　Ｊ＝６．
８　Ｈｚ　，３　Ｈ），１．３４（ｄ，　Ｊエ６．Ｉ　
ＨＺ　，３　｝１）．１．２５〜１．５２（ｍ，　９　
Ｈ），１．５５　〜１．７２（＋ｓ，　２　Ｈ）．　１
．７３〜１．８４（ｍ．　Ｉ　Ｈ）．２．０６〜２．１
８（ｍ．　１　｝１）．　４．２４（ｄ，　Ｊ・６．９
　Ｈｚ　，ｌ■）．　４．４２　（Ｓｅｘｔｅｔ．　６
．１　Ｈｚ　．　ｌ　Ｂ）．６．４９（ｓ，１ｕ）．　
６．９９　（ａ．　Ｊ＝８．８　ＨＺ　．　２　ａ）．
　７．３６（ａ，ＪＪ．６　Ｈｚ　．　２　　Ｈ），　
７．５９（ｄ．　ＪＪ．８　　Ｉｔｓ　．２　Ｈ）．７
．６２（ｄ，　Ｊ．８．６　　Ｈ．　，　２　ＩＩ），
　７．７０（ｄ，　Ｊ・８．５Ｈｚ　．　２　Ｈ），　
８．２２（ｄ，　Ｊ＝ｓ．ｓ　　Ｈｚ　．２　Ｈ）ＭＳ
　ｔａ／ｚ　：　５８９　（　Ｍ”　．　１．４　）　
，　３０９（Ｉ００）．　１９７（８３）元素分析：　
Ｃ３ｓＨｓｏＣ　１２　ＮＯｓとして計算値：　Ｃ　，
　？１．２３　：　Ｈ，　６．８３　．　Ｎ，　２．３
７（ｔ’，６．０１％ 実測値：　ｃ　，　７ｔ．ｌ６；　ａ．　６．９１　；
　Ｎ．　２．６７Ｃ　’　＝　　５．８３％ 実施例１６〜１８ 実施例１−１５と同様にして、表ＩＮＯ１６〜１８の各
化合物を得た。

その物性値等は表１にまとめて示した．実施例１つ （Ｓ）−４−｛シアノ（ヘキサノイルすキシ）メチル｝
安息香酸４−オクチルオキシフェニルの合戒アルゴン雰
囲気下、室温で（４Ｒ，５Ｒ）−４．５−ビス（ジフェ
ニルヒド口キシメチル）−２−メチル−２−フェニルー
Ｌ３−ジオキソラン６４０　１１１ｇ　（Ｉ．２　ｍｍ
ｏｌ）のトノレエン８ｍｌ？容液に、ジクロロジイソフ
゜ロボキシチタンの０．５Ｍ｝ルエン溶液２　ｍｌ　（
Ｉ　ｍｍｏｌ）、さらにモレキュラーシーブス４Ａ　（
６００　ｍｅｓｈ）　１．２　ｇを加え１時間攬捗した
．４−ホルミルデ安息番酸４−オクチノレオキシフニニ
ｌレ１８２　ｍｇ　（０．５１　ｖｎｏｌ）のトルエン
４ｉ１溶液を加えた後、−６０℃に冷却しトリメチルシ
リルシアニド０．４　ｍｌ（　３　ｍｍｏｌ）を加え、
１６日間攬拌した．この反応混合液にｐｌｌ　７の緩衝
液を加え、室温に戻し、沈澱をセライト濾過し、エーテ
ル抽出後、カラムクロマトグラフイー（ワコーゲルＣ−
２００．ヘキサン／酢放エチル＝　８／１）で分離し、
（Ｓ）−４−（シアノヒドロキシメチル）安息香酸４−
オクチルオキシフエニル５７　ｍｇを粗製物（粗収率２
９％，３６％ｅ６）　　として得た．この粗製物５２　
ｍｇをジクロ口メタン２ｍｌに溶かし、室温でヘキサノ
イルクロリド０．１　ｍｌ　，ビリシン０．２ｍｌを加
え、１時間攬建した。水処理、エーテル抽出後、薄層ク
ロマトグラフイー（シリカゲル，ヘキサン／酢酸エチル
・４　．，’　１＞で精製して、（ｓ）−４−［シアノ
（ヘキサノイルオキシ）メチルｊ安患香酸４−オクチル
オキシ７エニル５５　ｍｇｌ：収率８３％）を得た．融
点６２−６３℃ ＩＲ　（ＫＢｒ）　２９５０，２８ａＯ，１７６０（　
Ｃ＝０）．１７５０（Ｃ＝０）．１６１０．！５１０，
　１４８０，　１２７５，　１２５０．　１１９０、１
１８０．１１？０．１０２０．７６０　ａｍ−’１ＨＮ
ＭＲ　（　ＣＤＣ　ｘ　，）　　６０．８９　（ｔ．，
　Ｊ＝５．７　Ｈｚ，　６　Ｈ），１．０〜２．０（ｍ
．１８　Ｆｌ），２．４４（ｔ，　Ｊ＝７．４　Ｈｚ，
２　Ｈ），３．９６（ｔ．，　Ｊ＝６．３　Ｈｚ，２　
Ｈ）．６．５１（ｓ，Ｉ　Ｈ），６．９２（ｄ，Ｊ＝９
．３　｝１ｚ，２　Ｈ）．７．１２（ｄ．　Ｊ＝９．３
　Ｈｚ．　２　１１），７．６５（ｄ．Ｊ＝８．４　Ｈ
ｚ．　２　１｛），８．２７（ｄ，　Ｊ＝８．４　Ｈｚ
．２　Ｈ）実施例２０〜２４（一Ｍ式（Ｉ）の化合物を
用いた液晶組底物の調製及び表示素子の作戒）（Ｆ＋．
体液晶の調！！！） 以下の組戒からなるＳｃ母体液晶を調製した．以下母体
液晶ＣＡ）と称する。

２８重量％ ２０重量％ この母体液晶（Ａ）は６８．５゜Ｃ以下でＳＣ相、７３
．５゜Ｃ以下でＳＡ相、８３．５゜Ｃ以下でＮ相を各各
示し、その融点は１３．０゜Ｃであった。

また次のＵ戒からなるＳＣ母体液晶を調製した。

以下母体液晶（Ｂ）と称する。

１２．５％ １２．５％ 及び １１５％ ２０％ ２０．０％ ２０．０％ １０．０％ この母体液晶（Ｂ）は、１１３．５゜Ｃ以下でＮ相、９
０゜Ｃ以下でＳＡ相、８７．５゜Ｃ以下でＳｃ相を各各
示した。

実施例２０（化合物（Ｉ）を用いたＳｃ．”　Ｍｌ戒物
の調製及び表示素子の作成） 母体液晶（Ａ）９５％、表ＩＮ０１の化合＠ＩＪ５％か
らなるＳＣｓ組或物の相転移温度シよ、以下の通りであ
る。（融点は不明確であった．）（”Ｃ）この組威物を
等方性液体相まで加熱し、厚さ２．９μｍのスベーサー
を介′−たポリイミドコーティングーラビング配向処理
を施した２１の透明電極間に充填して、さらに室温まで
徐冷を行って、配向したＳｃ“相の薄膜セルを得た。

このセルに電界強度１　０　Ｖｐ−ｐ／μ麟の５０Ｈｚ
の矩形波を印加してその光学応答を測定したところ、２
５゜Ｃで７９μ秒、３０’Ｃで６２μ秒という応答を示
した．２５゜Ｃに冶ける自発分極は、５．６ｎＣ／ｄ、
その時のチルト角は２１．５゜であった。

ＮＯＩの化合物の割合を７％としたところ、２５゜Ｃに
おける応答は、５４μ秒とさらに高速になった。この組
或物の相転移温度は以下の通りである。

（゜Ｃ） 実施例２ｌ 実施例２０において、ＮＯＩの化合物に代えて、ＮＯ２
の化合物を用い、同様に行った結果を表２に示す。

（この頁以下余白） 実施例２２ 同様にＮＯ５の化合物を用いて同様に行った結果を表３
に示す。

（この頁以下余白） 実施例２３ 以下同様にＮＯ３，　ＮＯ４．　ＮＯ６．　ＮＯ７，　
ＮＯ８．　ＮＯ９．ＮＯＩＯの化合物を母体液晶に添加
して、その相転移温度、化学応答、自発分極を測定した
．（いずれも２５゜Ｃにおいて） その結果を表４に示す． （この頁以下余白） 実施例２４ 表ＩＮ０８の化合物を通常のネマチック液晶粗製物に２
％添加して、そのラセンピッチを測定したところ、６５
゜Ｃで１　０．２　μＩＩ１　，　４　４’Ｃで８．９
μｍであり、温度変化も小さ（、ＴＮ液晶のおけるリバ
ース・ドメインの防止、あるいはＳＴＮ液晶等の用途に
有効に利用できることがわかった．〔発明の効果〕 本発明の一般式（Ｉ）の化合物は、キラルドーパントの
全部又はその一部として、母体となるＳｃ液晶化合物ま
たは組戒物に添加混合することによりＳｃ”液晶組戒物
とした場合において、少量の添加で大きい自発分極を誘
起することが可能であり、このような組或物では、その
粘性を低く押えることができて、反応時間において、従
来のネマチック液晶の１／１００以下、数１０μ秒が可
能であり、液晶デバイスの材料として極めて有用である
．また、ら旋ピッチにおいても特にＮ０相において、ピ
ッチ調整が容易となるら旋ピッチの比較的大きい化合物
、あるいはら旋ピッチ調整等に用いるら旋ピッチの小さ
い化合物の両方を得ることができ、これによって、本発
明のＳｃ”　＆ｌｌ戒物は配向性が非常に良好となる．
また、ら旋ピッチの小さい化合物は、従来のＴＮ液晶に
加えて、いわゆるリバースドメインの防止に用いたり、
さらに、ＳＴＭ液晶等にも好適に用いることができる．
また、本発明の化合物は、本発明の提供する製造法によ
り工業的にも容易に製造できる．また、それ自体無色で
あり、光、水、熱等に対する化学的安定性にも優れるの
もであり、非常に実用的である． 平成２年１月２４日 特許出 願人 大日本インキ化学工業株式会社 財団法人　川村理化学研究所

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、下記一般式（ I ）で表わされる光学活性化合物。 ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） （式中、Ｒ＾１は炭素原子数１〜２０のアルキル基又は
   このアルキル基中の任意の１個又は互いに隣接しない２
   ないし３個の−ＣＨ＿２−が未置換又は−Ｏ−、▲数式
   、化学式、表等があります▼ ▲数式、化学式、表等があります▼もし くは−ＣＨ＝Ｎ−に置換され、かつ任意の１〜２個のＣ
   Ｈ＿２が未置換又は▲数式、化学式、表等があります▼
   に置換され、Ｙ＿１、Ｙ＿２はそれぞれ独立にＨ、Ｆ、
   Ｃｌ、ＣＨ＿３、ＣＦ＿３、ＯＣＨ＿３、ＣＮのいずれ
   かを表わし、置換により不斉炭素が生じる場合、該不斉
   炭素の絶対配置は（Ｒ）、（Ｓ）の少くとも１つであり
   、かつ任意のＣＨ＿２、ＣＨ＿３が未置換又はＣＦ＿２
   、ＣＦ＿３に置換された基を表わし、▲数式、化学式、
   表等があります▼はそれぞれ独立に ▲数式、化学式、表等があります▼又は▲数式、化学式
   、表等があります▼を表わし、 これら環中の任意の１〜４個の−ＣＨ＝はそれぞれ独立
   に未置換又は▲数式、化学式、表等があります▼もしく
   は▲数式、化学式、表等があります▼に置換され、Ｘは
   −Ｆ、−Ｃｌ、−ＣＨ＿３、−ＣＮ、−ＣＦ＿３又は−
   ＯＣＨ＿３を表わし、任意の１〜２個のＣＨ＿２は未置
   換又はそれぞれ独立的に▲数式、化学式、表等がありま
   す▼に置換され、１個又は隣接し ない２個の−ＣＨ＿２−は未置換又は−Ｏ−もしくは−
   Ｓ−に置換され、任意の▲数式、化学式、表等がありま
   す▼は未置換又は▲数式、化学式、表等があります▼に
   置換され、Ｘ＾１は−Ｆ、−Ｃｒ、−ＣＨ＿３、−ＣＮ
   、−ＣＦ＿３又は−ＯＣＨ＿３を表わし、Ｚ＿１及びＺ
   ＿２はそれぞれ独立的にＣＯＯ、ＯＣＯ、ＣＨ＿２Ｏ、
   ＯＣＨ＿２、ＣＨ＿２ＣＨ＿２、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｃ−Ｃ
   Ｈ＿２−、−ＣＨ＿２−Ｃ−又は単結合を表わし、ｍは
   ０又は１を表わし、Ｒ＾２は炭素原子数１〜１５のアル
   キル基の任意の１個又は互いに隣接しない２〜３個のＣ
   Ｈ＿２が未置換又は−Ｏ−に置換され、かつ任意の１〜
   ３個のＣＨ＿２が未置換又はそれぞれ独立的に▲数式、
   化学式、表等があります▼ ▲数式、化学式、表等があります▼に置換され、置換に
   よって不斉炭素が生じる場合には該不斉炭素の絶対配置
   は（Ｒ）、（Ｓ）の少くとも１つであり、Ｃ＾＊は（Ｒ
   ）又は（Ｓ）配置の不斉炭素原子を表わす。） ２、Ｒ１が炭素原子数１〜２０のアルキル基、アルコキ
   シル基、アルコキシカルボニル基又はアルカノイルオキ
   シ基であり、▲数式、化学式、表等があります▼ ▲数式、化学式、表等があります▼がそれぞれ独立的に
   、▲数式、化学式、表等があります▼ ▲数式、化学式、表等があります▼又は ▲数式、化学式、表等があります▼を表わし、Ｘ＾２、
   Ｘ＾３は各々独立的にＦ、ＣＮ又はＨを表わしかつ少な
   くとも１方はＦ又はＣＮであり、Ｚ＿１、Ｚ＿２はそれ
   ぞれ独立に、ＣＯＯ、ＯＣＯ、ＣＨ＿２Ｏ、ＯＣＨ＿２
   又は単結合を表わす請求項１記載の光学活性化合物。 ３、Ｒ＾１が炭素原子数１〜２０の直鎖状アルキル基、
   直鎖状アルコキシル基又は分岐状光学活性アルコキシル
   基であり、 ▲数式、化学式、表等があります▼及び▲数式、化学式
   、表等があります▼がともに ▲数式、化学式、表等があります▼であり、Ｚ＾１及び
   Ｚ＾２は各々独立的に、単結合、−ＣＯＯ−又は−ＯＣ
   Ｏ−であり、Ｒ＾２は炭素原子数１〜１５の直鎖状アル
   キル基、分岐状光学活性アルキル基又は、分岐状光学活
   性アルコキシアルキル基である請求項２記載の光学活性
   化合物。 ４、ｍが０である請求項３記載の光学活性化合物。 ５、Ｚ＾１が−ＣＯＯ−である請求項４記載の光学活性
   化合物。 ６、Ｒ＾１が炭素原子数１〜２０の直鎖状アルコキシル
   基であり、Ｒ＾２が炭素原子数１〜１５の直鎖状アルキ
   ル基である請求項５記載の光学活性化合物。 ７、Ｒ＾１がｎ−Ｃ＿１＿０Ｈ＿２＿１Ｏ−であり、Ｃ
   ＾＊が（Ｒ）配置の不斉炭素原子であり、Ｒ＾２がｎ−
   Ｃ＿４Ｈ＿９−である請求項６記載の光学活性化合物。 ８、Ｒ＾１が炭素原子数１〜２０の直鎖状アルコキシル
   基であり、Ｒ＾２が炭素原子数１〜１５の分岐状光学活
   性アルキル基である請求項５記載の光学活性化合物。 ９、Ｒ＾１がｎ−Ｃ＿１＿０Ｈ＿２＿０Ｏ−であり、Ｃ
   ＾＊が（Ｒ）配置の不斉炭素原子であり、Ｒ＾２が ▲数式、化学式、表等があります▼である請求項８記載
   の光学活 性化合物。 １０、Ｒ＾１がｎ−Ｃ＿１＿０Ｈ＿２＿１Ｏ−であり、
   Ｃ＾＊が（Ｓ）配置の不斉炭素原子であり、Ｒ＾２が ▲数式、化学式、表等があります▼である請求項８記載
   の光学活 性化合物。 １１、Ｒ＾２が一般式（II） ▲数式、化学式、表等があります▼（II） （式中、ｌ及びｍは各々独立的に０〜５の整数を表わし
   、Ｒ＾３は炭素原子数１〜１０のアルキル基を表わし、
   Ｃ＾＊＾＊は（Ｒ）又は（Ｓ）配置の不斉炭素原子を表
   わす。） で表わされる光学活性基である請求項５記載の光学活性
   化合物。 １２、Ｒ＾１がｎ−Ｃ＿１＿０Ｈ＿２＿１Ｏ−であり、
   Ｃ＾＊が（Ｒ）配置の不斉炭素原子であり、Ｒ＾２が ▲数式、化学式、表等があります▼である請求項１１記
   載の 光学活性化合物。 １３、Ｒ＾１がｎ−Ｃ＿１＿０Ｈ＿２＿１Ｏ−であり、
   Ｃ＾＊が（Ｓ）配置の不斉炭素原子であり、Ｒ＾２が ▲数式、化学式、表等があります▼である請求項１１記
   載の 光学活性化合物。 １４、Ｚ＾１がＯＣＯである請求項４記載の光学活性化
   合物。 １５、Ｒ＾１が炭素原子数１〜２０の直鎖状アルコキシ
   ル基であり、Ｒ＾２が炭素原子数１〜１５の直鎖状アル
   キル基である請求項１４記載の光学活性化合物。 １６、Ｒ＾１がｎ−Ｃ＿８Ｈ＿１＿７Ｏ−であり、Ｃ＾
   ＊が（Ｓ）配置の不斉炭素原子であり、Ｒ＾２がｎ−Ｃ
   ＿５Ｈ＿１＿１−である請求項１５記載の光学活性化合
   物。 １７、ｍが１である請求項３記載の光学活性化合物。 １８、Ｚ＾１及びＺ＾２が共に単結合である請求項１７
   記載の光学活性化合物。 １９、Ｒ＾１が炭素原子数１〜２０の直鎖状アルキル基
   であり、Ｒ＾２が炭素原子数１〜１５の分岐状光学活性
   アルキル基である請求項１８記載の光学活性化合物。 ２０、Ｒ＾１がｎ−Ｃ＿５Ｈ＿１＿１−であり、Ｃ＾＊
   が（Ｓ）配置の不斉炭素原子であり、Ｒ＾２が ▲数式、化学式、表等があります▼である請求項１９記
   載の光学 活性化合物。 ２１、Ｚ＾１が単結合であり、Ｚ＾２が−ＣＯＯ−であ
   る請求項１７記載の光学活性化合物。 ２２、Ｒ＾１が炭素原子数１〜２０の直鎖状アルキル基
   であり、Ｒ＾２が炭素原子数１〜１５の直鎖状アルキル
   基である請求項２１記載の光学活性化合物。 ２３、Ｒ＾１がｎ−Ｃ＿８Ｈ＿１＿７−であり、Ｃ＾＊
   が（Ｒ）配置の不斉炭素原子であり、Ｒ＾２がｎ−Ｃ＿
   ４Ｈ＿９−である請求項２２記載の光学活性化合物。 ２４、Ｒ＾１が炭素原子数１〜２０の分岐状光学活性ア
   ルコキシル基であり、Ｒ＾２が炭素原子数１〜１５の直
   鎖状アルキル基である請求項２１記載の光学活性化合物
   。 ２５、Ｒ＾１が ▲数式、化学式、表等があります▼であり、Ｃ＾＊が（
   Ｒ）配置の不 斉炭素原子であり、Ｒ＾２がｎ−Ｃ＿４Ｈ＿９である請
   求項２４記載の光学活性化合物。 ２６、Ｒ＾１が ▲数式、化学式、表等があります▼であり、Ｃ＾＊が（
   Ｒ）配 置の不斉炭素原子であり、Ｒ＾２がｎ−Ｃ＿４Ｈ＿９で
   ある請求項２４記載の光学活性化合物。 ２７、Ｒ＾１が炭素原子数１〜２０の直鎖状アルキル基
   であり、Ｒ＾２が炭素原子数１〜１５の分岐状光学活性
   アルキル基である請求項２１記載の光学活性化合物。 ２８、Ｒ＾１がｎ−Ｃ＿８Ｈ＿１＿７−であり、Ｃ＾＊
   が（Ｒ）配置の不斉炭素原子であり、Ｒ＾２が ▲数式、化学式、表等があります▼である請求項２７記
   載の光学 活性化合物。 ２９、Ｒ＾１が炭素原子数１〜２０の分岐状光学活性ア
   ルコキシル基であり、Ｒ＾２が炭素原子数１〜１５の分
   岐状光学活性アルキル基である請求項２１記載の光学活
   性化合物。 ３０、Ｒ＾１が ▲数式、化学式、表等があります▼であり、Ｃ＾＊が（
   Ｓ）配置の 光学活性基であり、Ｒ＾２が ▲数式、化学式、表等があります▼である請求項２９記
   載の光学活性 化合物。 ３１、Ｒ＾１が ▲数式、化学式、表等があります▼であり、Ｃ＾＊が（
   Ｓ）配置の 光学活性基であり、Ｒ＾２が ▲数式、化学式、表等があります▼である請求項２９記
   載の光学活性 化合物。 ３２、Ｒ＾２が請求項１１記載の一般式（II）で表わさ
   れる光学活性基である請求項２９記載の光学活性化合物
   。 ３３、Ｒ＾１が ▲数式、化学式、表等があります▼であり、Ｃ＾＊が（
   Ｓ）配置の 光学活性基であり、Ｒ＾２が ▲数式、化学式、表等があります▼である請求項３２記 載の光学活性化合物。 ３４、Ｒ＾１が炭素原子数１〜２０の分岐状光学活性ア
   ルコキシル基であり、Ｒ＾２が ▲数式、化学式、表等があります▼である請求項２１記
   載 の光学活性化合物。 ３５、Ｒ＾１が ▲数式、化学式、表等があります▼であり、Ｃ＾＊が（
   Ｒ）配置の 光学活性基であり、Ｒ＾２が ▲数式、化学式、表等があります▼である請求項３４記
   載 の光学活性化合物。 ３６、Ｒ＾１が ▲数式、化学式、表等があります▼であり、Ｃ＾＊が（
   Ｓ）配置の 光学活性基であり、Ｒ＾２が ▲数式、化学式、表等があります▼である請求項３４記
   載の 光学活性化合物。 ３７、Ｒ＾１が炭素原子数１〜２０の直鎖状アルコキシ
   ル基であり、Ｒ＾２が炭素原子数１〜１５の直鎖状アル
   キル基である請求項２１記載の光学活性化合物。 ３８、Ｒ＾１がｎ−Ｃ＿８Ｈ＿１＿７Ｏ−であり、Ｃ＾
   ＊が（Ｒ）配置の不斉炭素原子であり、Ｒ＾２がｎ−Ｃ
   ＿５Ｈ＿１＿１−である請求項３７記載の光学活性化合
   物。 ３９、Ｒ＾１がｎ−Ｃ＿８Ｈ＿１＿７Ｏ−であり、Ｃ＾
   ＊が（Ｒ）配置の不斉炭素原子であり、Ｒ＾２がｎ−Ｃ
   ＿４Ｈ＿９−である請求項３７記載の光学活性化合物。 ４０、Ｒ＾１が炭素原子数１〜２０の直鎖状アルコキシ
   ル基であり、Ｒ＾２が炭素原子数１〜１５の分岐状光学
   活性アルキル基である請求項２１記載の光学活性化合物
   。 ４１、Ｒ＾１がｎ−Ｃ＿８Ｈ＿１＿７Ｏ−であり、Ｃ＾
   ＊が（Ｒ）配置の不斉炭素原子であり、Ｒ＾２が ▲数式、化学式、表等があります▼である請求項４０記
   載の光学活性 化合物。 ４２、請求項１乃至４１のいずれかに記載の光学活性化
   合物を含有する液晶組成物。 ４３、キラルスメクチック相を示す請求項４２記載の液
   晶組成物。 ４４、請求項４２記載の液晶組成物を用いた強誘電性液
   晶表示素子。 ４５、下記一般式（III） ▲数式、化学式、表等があります▼（III） （式中、▲数式、化学式、表等があります▼ ｍは請求項２記載のものと同じものを表わす。）で表わ
   される化合物をルイス酸及び光学活性ジオールの存在下
   にトリメチルシリルシアニドと反応させて、下記一般式
   （IV） ▲数式、化学式、表等があります▼（IV） （式中、▲数式、化学式、表等があります▼ ｍは上記一般式（III）と同じものを表わし、Ｃ＾＊は
   （Ｓ）又は（Ｒ）配置の不斉炭素原子を表わす。）で示
   される光学活性シアンヒドリン誘導体とし、これに、一
   般式（Ｖ）で示されるＲ＾２ＣＯＯＨ（式中、Ｒ＾２は
   請求項１記載のものと同じものを表わす。）で表わされ
   るカルボン酸と反応させることを特徴とする請求項２記
   載の光学活性化合物の製造方法。