JPH043084B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH043084B2 JPH043084B2 JP1218398A JP21839889A JPH043084B2 JP H043084 B2 JPH043084 B2 JP H043084B2 JP 1218398 A JP1218398 A JP 1218398A JP 21839889 A JP21839889 A JP 21839889A JP H043084 B2 JPH043084 B2 JP H043084B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- activator
- ceramic semiconductor
- positive characteristic
- semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C1/00—Details
- H01C1/14—Terminals or tapping points specially adapted for resistors; Arrangements of terminals or tapping points on resistors
- H01C1/1406—Terminals or electrodes formed on resistive elements having positive temperature coefficient
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Description
本発明は正特性磁器半導体の電極の形成方法に
関するものである。 従来オーミツク接触が可能なこの種の電極形成
方法としては、無電解メツキ法により行なわれて
いるが、メツキの付着をよくするために正特性磁
器半導体の表面を研摩後、更に微細な凹凸状にす
るなどの感応化、活性化処理が必要であり、従つ
てこのいわゆる前処理が非常に面倒である。 また、従来においては、メツキ不要な部分の処
理方法としては、不要な部分をマスキングした
り、あるいはメツキ後に不要な部分をエツチング
して取除くようにしており、これまた甚だ面倒な
処理である。 そこで、本発明は上述の点に鑑み、チタン酸バ
リウム系を主成分とする材料よりなる正特性磁器
半導体に対するオーミツク接触が可能な電極の形
成を従来に比べて簡単に行う正特性磁器半導体の
電極の形成方法を提供するものである。 そこで、本発明者の鋭意研究の結果、チタン酸
バリウム系を主成分とする材料よりなる正特性磁
器半導体の表面に、パラジウムの塩化物よりなる
ペースト状の活性化剤を塗布して焼付け、その後
この正特性磁器半導体を無電解メツキ浴に浸漬し
て活性化剤の焼付面上に電極を形成し、その後前
記正特性磁器半導体を前記メツキ浴より取出して
乾燥後、前記電極を焼付けることにより、上述の
諸問題を解決しようとするものである。 本発明によれば、上記のパラジウムの塩化物よ
りなるペースト状の活性化剤を塗布焼付けするこ
とによつて予め金属の薄膜をチタン酸バリウム系
を主成分とする材料よりなる正特性磁器半導体に
形成し、その後メツキすることで上記金属膜を核
としてその表面上に集中的に金属粒子が付着して
電極が形成される。 従つて、本発明はパラジウムの塩化物よりなる
ペースト状の活性化剤の塗布、焼付けにより電極
が形成される下地を予め設けており、前述したよ
うに、チタン酸バリウム系を主成分とする材料よ
りなる正特性磁器半導体の表面に凹凸を形成する
などの前処理を必要とせず、さらには簡単な方法
にて、正特性磁器半導体に必要なオーミツク接触
が可能な電極を形成することができるのである。 また、本発明では、上記活性化剤の塗布、焼付
面上に集中して電極となる金属粒子が付着するの
で、この塗布、焼付面以外の部分はほとんどある
いは全く金属粒子が付着しない。このため、電極
の形成パターンを所望の形状にするには、上記活
性化剤の塗布パターンをそれと同じくするだけで
よく、特別のマスキング処理、エツチングによる
電極削除処理が不要となるのである。更に、メツ
キ時間も短縮される。 以上のように、本発明においては、正特性磁器
半導体に対する電極の形成を従来に比べて簡単に
行なうことができ、従つて工数低減、電極材料の
削減において実用上多大なる有効な効果を奏す
る。 以下本発明を具体的な実施例により詳細に説明
する。 まず、第１図および第２図において、円板状の
正特性磁器半導体１はチタン酸バリウム
（BaTiO3）系の公知材料より成る。この半導体
１の両面にはニツケル（Ni）電極２が形成され、
更にこの電極２の上には銀（Ag）のカバー電極
３が形成されている。 次に、上記各電極の形成方法について説明す
る。まず、半導体の両面を研摩するとともに、そ
の両面を洗浄して乾燥させ、パラジウム（Pd）
の塩化物を含むペースト状の活性化剤（日本カニ
ゼン株式会社製造のK146）を所望パターンにし
て150メツシユ乃至300メツシユにてスクリーン印
刷をする。その後、乾燥して半導体を300℃乃至
750℃の高温度下に配置し、上記活性化剤を焼付
ける。 次に、Ni−Ｐ系の無電解メツキ浴（浴温90℃
〜95℃）に半導体を浸漬し、Ni−メツキを行な
う。その後、メツキ浴より半導体を取出して乾燥
後、200℃乃至450℃の温度下で10分乃至５時間焼
付けてNi電極を得る。その後、このNi電極上に
Agペーストを塗布して450℃乃至800℃にて15分
間焼付け、カバー電極とする。このカバー電極は
Ni電極の保護を目的としている。 上述の本発明方法によつて得たNi電極付半導
体と従来方法によるNi電極をもつた半導体との
比抵抗を確認したところ、ほぼ同等の特性が得ら
れ、品質的問題がないことがわかつた。その結果
を表１に示す。 なお、表１において、「メツシユ」とは活性化
剤のスクリーン印刷メツシユ、「その他」は電源
電圧12Vを印加し、電圧ONを１分間、電圧OFF
を９分間とし、これを１サイクルを1000時間行な
つた耐久後の抵抗変化率であり、試料の半導体は
直径20mm、厚さ3.0mmで約2.4Ωの抵抗をもつ。ま
た、「抵抗変化率」とはキユリー点を境にした最
小抵抗と最大抵抗との比率である。
関するものである。 従来オーミツク接触が可能なこの種の電極形成
方法としては、無電解メツキ法により行なわれて
いるが、メツキの付着をよくするために正特性磁
器半導体の表面を研摩後、更に微細な凹凸状にす
るなどの感応化、活性化処理が必要であり、従つ
てこのいわゆる前処理が非常に面倒である。 また、従来においては、メツキ不要な部分の処
理方法としては、不要な部分をマスキングした
り、あるいはメツキ後に不要な部分をエツチング
して取除くようにしており、これまた甚だ面倒な
処理である。 そこで、本発明は上述の点に鑑み、チタン酸バ
リウム系を主成分とする材料よりなる正特性磁器
半導体に対するオーミツク接触が可能な電極の形
成を従来に比べて簡単に行う正特性磁器半導体の
電極の形成方法を提供するものである。 そこで、本発明者の鋭意研究の結果、チタン酸
バリウム系を主成分とする材料よりなる正特性磁
器半導体の表面に、パラジウムの塩化物よりなる
ペースト状の活性化剤を塗布して焼付け、その後
この正特性磁器半導体を無電解メツキ浴に浸漬し
て活性化剤の焼付面上に電極を形成し、その後前
記正特性磁器半導体を前記メツキ浴より取出して
乾燥後、前記電極を焼付けることにより、上述の
諸問題を解決しようとするものである。 本発明によれば、上記のパラジウムの塩化物よ
りなるペースト状の活性化剤を塗布焼付けするこ
とによつて予め金属の薄膜をチタン酸バリウム系
を主成分とする材料よりなる正特性磁器半導体に
形成し、その後メツキすることで上記金属膜を核
としてその表面上に集中的に金属粒子が付着して
電極が形成される。 従つて、本発明はパラジウムの塩化物よりなる
ペースト状の活性化剤の塗布、焼付けにより電極
が形成される下地を予め設けており、前述したよ
うに、チタン酸バリウム系を主成分とする材料よ
りなる正特性磁器半導体の表面に凹凸を形成する
などの前処理を必要とせず、さらには簡単な方法
にて、正特性磁器半導体に必要なオーミツク接触
が可能な電極を形成することができるのである。 また、本発明では、上記活性化剤の塗布、焼付
面上に集中して電極となる金属粒子が付着するの
で、この塗布、焼付面以外の部分はほとんどある
いは全く金属粒子が付着しない。このため、電極
の形成パターンを所望の形状にするには、上記活
性化剤の塗布パターンをそれと同じくするだけで
よく、特別のマスキング処理、エツチングによる
電極削除処理が不要となるのである。更に、メツ
キ時間も短縮される。 以上のように、本発明においては、正特性磁器
半導体に対する電極の形成を従来に比べて簡単に
行なうことができ、従つて工数低減、電極材料の
削減において実用上多大なる有効な効果を奏す
る。 以下本発明を具体的な実施例により詳細に説明
する。 まず、第１図および第２図において、円板状の
正特性磁器半導体１はチタン酸バリウム
（BaTiO3）系の公知材料より成る。この半導体
１の両面にはニツケル（Ni）電極２が形成され、
更にこの電極２の上には銀（Ag）のカバー電極
３が形成されている。 次に、上記各電極の形成方法について説明す
る。まず、半導体の両面を研摩するとともに、そ
の両面を洗浄して乾燥させ、パラジウム（Pd）
の塩化物を含むペースト状の活性化剤（日本カニ
ゼン株式会社製造のK146）を所望パターンにし
て150メツシユ乃至300メツシユにてスクリーン印
刷をする。その後、乾燥して半導体を300℃乃至
750℃の高温度下に配置し、上記活性化剤を焼付
ける。 次に、Ni−Ｐ系の無電解メツキ浴（浴温90℃
〜95℃）に半導体を浸漬し、Ni−メツキを行な
う。その後、メツキ浴より半導体を取出して乾燥
後、200℃乃至450℃の温度下で10分乃至５時間焼
付けてNi電極を得る。その後、このNi電極上に
Agペーストを塗布して450℃乃至800℃にて15分
間焼付け、カバー電極とする。このカバー電極は
Ni電極の保護を目的としている。 上述の本発明方法によつて得たNi電極付半導
体と従来方法によるNi電極をもつた半導体との
比抵抗を確認したところ、ほぼ同等の特性が得ら
れ、品質的問題がないことがわかつた。その結果
を表１に示す。 なお、表１において、「メツシユ」とは活性化
剤のスクリーン印刷メツシユ、「その他」は電源
電圧12Vを印加し、電圧ONを１分間、電圧OFF
を９分間とし、これを１サイクルを1000時間行な
つた耐久後の抵抗変化率であり、試料の半導体は
直径20mm、厚さ3.0mmで約2.4Ωの抵抗をもつ。ま
た、「抵抗変化率」とはキユリー点を境にした最
小抵抗と最大抵抗との比率である。
【表】
この表１において、活性化剤のスクリーン印刷
メツシユは200メツシユが、その焼付温度は400℃
が、比抵抗、耐久後の変化率の点で特に望まし
い。 なお、本発明は前述の実施例に限定されず、以
下のごとく種々の変形が可能である。 (1) 正特性磁器半導体の形状は円板状に限らず、
角板状、ハニカム状など種々の形状でもよいこ
とは勿論である。 (2) 電極の材料は特にNiに限定されず、他の金
属でも勿論よいが、半導体との接触抵抗の非常
に良好なNiが最適である。 (3) カバー電極の材料もAgの他に種々考えられ
る。 なお、本発明の用途としては、一般の電流遮断
用抵抗器、あるいは加熱機器用発熱体など広範囲
な用途が考えられる。
メツシユは200メツシユが、その焼付温度は400℃
が、比抵抗、耐久後の変化率の点で特に望まし
い。 なお、本発明は前述の実施例に限定されず、以
下のごとく種々の変形が可能である。 (1) 正特性磁器半導体の形状は円板状に限らず、
角板状、ハニカム状など種々の形状でもよいこ
とは勿論である。 (2) 電極の材料は特にNiに限定されず、他の金
属でも勿論よいが、半導体との接触抵抗の非常
に良好なNiが最適である。 (3) カバー電極の材料もAgの他に種々考えられ
る。 なお、本発明の用途としては、一般の電流遮断
用抵抗器、あるいは加熱機器用発熱体など広範囲
な用途が考えられる。
第１図は本発明の説明に供する正特性磁器半導
体を示す斜視図、第２図は第１図のＡ−Ａ断面図
である。 １……正特性磁器半導体、２……Ni電極、３
……Agカバー電極。
体を示す斜視図、第２図は第１図のＡ−Ａ断面図
である。 １……正特性磁器半導体、２……Ni電極、３
……Agカバー電極。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ チタン酸バリウム系を主成分とする材料より
なる正特性磁器半導体の表面に、パラジウムの塩
化物よりなるペースト状の活性化剤を塗布して焼
付け、 その後この正特性磁器半導体を無電解メツキ浴
に浸漬して前記活性化剤の焼付面上に電極を形成
し、 その後前記正特性磁器半導体を前記メツキ浴よ
り取出して乾燥後、前記電極を焼付けることを特
徴とする正特性磁器半導体の電極の形成方法。 ２ 前記電極はニツケルであることを特徴とする
特許請求の範囲第１項記載の正特性磁器半導体の
電極の形成方法。 ３ 前記活性化剤の焼付温度、焼付時間は300℃
乃至600℃で15分、前記メツキ後の電極の焼付温
度、焼付時間は200℃乃至450℃で10分乃至５時間
であることを特徴とする特許請求の範囲第１項乃
至第２項いずれか１記載の正特性磁器半導体の電
極の形成方法。 ４ チタン酸バリウム系を主成分とする材料より
なる正特性磁器半導体の表面に、パラジウムの塩
化物よりなるペースト状の活性化剤を塗布して焼
付け、 その後この正特性磁器半導体を無電解メツキ浴
に浸漬して前記活性化剤の焼付面上に電極を形成
し、 その後前記正特性磁器半導体を前記メツキ浴よ
り取出して乾燥後、前記電極を焼付け、かつこの
電極表面上にカバー電極を形成することを特徴と
する正特性磁器半導体の電極の形成方法。 ５ 前記電極はニツケルであることを特徴とする
特許請求の範囲第４項記載の正特性磁器半導体の
電極の形成方法。 ６ 前記活性化剤の焼付温度、焼付時間は300℃
乃至600℃で15分、前記メツキ後の電極の焼付温
度、焼付時間は200℃乃至450℃で10分乃至５時間
であることを特徴とする特許請求の範囲第４項乃
至第５項いずれか１記載の正特性磁器半導体の電
極の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21839889A JPH0284701A (ja) | 1989-08-24 | 1989-08-24 | 正特性磁器半導体の電極の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21839889A JPH0284701A (ja) | 1989-08-24 | 1989-08-24 | 正特性磁器半導体の電極の形成方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8121195A Division JPH07288203A (ja) | 1995-04-06 | 1995-04-06 | 正特性磁器半導体の電極の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0284701A JPH0284701A (ja) | 1990-03-26 |
| JPH043084B2 true JPH043084B2 (ja) | 1992-01-22 |
Family
ID=16719287
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21839889A Granted JPH0284701A (ja) | 1989-08-24 | 1989-08-24 | 正特性磁器半導体の電極の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0284701A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4554893B2 (ja) * | 2003-05-13 | 2010-09-29 | ニチコン株式会社 | 正特性サーミスタ素子の製造方法 |
| KR100673684B1 (ko) * | 2005-12-07 | 2007-01-24 | 엘에스전선 주식회사 | 전극 구조가 개선된 ｐｔｃ 소자 |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5221712B2 (ja) * | 1972-03-30 | 1977-06-13 | ||
| GB1554108A (en) * | 1975-08-05 | 1979-10-17 | Quest Automation | Electrographic apparatus and method of producing an electrode surface therefor |
| JPS53118759A (en) * | 1977-03-25 | 1978-10-17 | Murata Manufacturing Co | Positive temperature characteristic semiconductive resistance |
| JPS5533165A (en) * | 1978-08-31 | 1980-03-08 | Canon Inc | Method and apparatus for liquid processing |
| JPS6032348B2 (ja) * | 1979-07-09 | 1985-07-27 | 日本電気ホームエレクトロニクス株式会社 | 電子部品の製造方法 |
| JPS56124223A (en) * | 1980-03-05 | 1981-09-29 | Tdk Electronics Co Ltd | Method of forming electrode for electronic part |
| JPS56146219A (en) * | 1980-04-15 | 1981-11-13 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | Method of manufacturing ceramic electronic part |
| JPS56146221A (en) * | 1980-04-16 | 1981-11-13 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | Method of manufacturing ceramic electronic part |
| JPS5710216A (en) * | 1980-06-20 | 1982-01-19 | Murata Manufacturing Co | Method of forming electrode for ceramic capacitor |
| JPS57121212A (en) * | 1981-01-20 | 1982-07-28 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | Method of forming electrode for porcelain capacitor |
| JPS57148301A (en) * | 1981-03-10 | 1982-09-13 | Tdk Electronics Co Ltd | Method of producing positive temperature coefficient thermistor element |
-
1989
- 1989-08-24 JP JP21839889A patent/JPH0284701A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0284701A (ja) | 1990-03-26 |
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