JPH035746A - 新規記録材料 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、主にレーザー光による書き込み、読み出しに
適した新規デジタル記録材料を提供するものである。
適した新規デジタル記録材料を提供するものである。
(従来の技術)
近年、レーザー関連技術が目覚ましく進歩し、また、情
報のデジタル化が進み、それに必要な様々な新しい光学
記録材料が提案されてきている。
報のデジタル化が進み、それに必要な様々な新しい光学
記録材料が提案されてきている。
代表的なデジタル記録材料としては、光ディスクを挙げ
ることができる。これとは別に、節便に取り扱えるもの
として高密度でいつも持ち運びできる光カード材料が提
案されている。この−例として、特開昭59−5021
39号公報、特開昭58−188346号公報などに記
載されているドレクスラー社で開発された光カードが著
名である。
ることができる。これとは別に、節便に取り扱えるもの
として高密度でいつも持ち運びできる光カード材料が提
案されている。この−例として、特開昭59−5021
39号公報、特開昭58−188346号公報などに記
載されているドレクスラー社で開発された光カードが著
名である。
また、光ディスクと同様な材料を用いて、各社で光カー
ド材料が開発されている。一方、光ディスフよりさらに
コンパクトにかつ大容量の情報を記録し得る材料として
、光テープが提案されている。
ド材料が開発されている。一方、光ディスフよりさらに
コンパクトにかつ大容量の情報を記録し得る材料として
、光テープが提案されている。
このようにいくつかのシステムや材料が提案されてはい
るが、書き込み感度、記録材料の保存安定性、記録密度
、エラー率など記録材料として必要な緒特性はまだまだ
不充分である。
るが、書き込み感度、記録材料の保存安定性、記録密度
、エラー率など記録材料として必要な緒特性はまだまだ
不充分である。
例えば、ドレクスラー社は、湿式銀塩写真感材を特殊な
処理をすることにより表面に反射性膜を形成させ、光カ
ードに使用することを提案しているが、この材料はバイ
ンダーとして親水性のゼラチンを使用しているために、
長期の高温高湿下の保存に弱いなどの問題が指摘されて
いる。また、光テープや光カードは光ディスクより折り
曲げの点などで苛酷な使用条件が想定されるので、いま
までの金属薄膜材料では亀裂が入ることなどがあるため
に、新規な材料が渇望されてきた。
処理をすることにより表面に反射性膜を形成させ、光カ
ードに使用することを提案しているが、この材料はバイ
ンダーとして親水性のゼラチンを使用しているために、
長期の高温高湿下の保存に弱いなどの問題が指摘されて
いる。また、光テープや光カードは光ディスクより折り
曲げの点などで苛酷な使用条件が想定されるので、いま
までの金属薄膜材料では亀裂が入ることなどがあるため
に、新規な材料が渇望されてきた。
(発明が解決しようとする課B)
本発明は高温高湿下で保存安定性に優れ、かつ折り曲げ
等の苛酷な使用条件でも光学記録材料として充分使用す
ることの出来る光学記録材料を提供するものである。
等の苛酷な使用条件でも光学記録材料として充分使用す
ることの出来る光学記録材料を提供するものである。
また、本発明は連続生産が可能な低コストの記録材料を
提供しようとしたものである。
提供しようとしたものである。
即ち、本発明の記録材料は、ロールコータ−による連続
塗布、熱ロールによる連続加熱等の極めて一般的な工業
的生産手段が選択できるので、このことにより記録材料
の低コスト化を図ることができる。
塗布、熱ロールによる連続加熱等の極めて一般的な工業
的生産手段が選択できるので、このことにより記録材料
の低コスト化を図ることができる。
(課題を解決するための手段)
本発明は、加熱することにより有機溶媒可溶性銀化合物
と還元剤が酸化還元反応を起こすことを利用した全く新
しい光学記録材料である。即ち、本発明は有機溶媒可溶
性銀化合物と還元剤の反応において、銀あるいは銀より
貴な金属現像核が触媒核として働き、金属銀の層を成形
せしめたものである。
と還元剤が酸化還元反応を起こすことを利用した全く新
しい光学記録材料である。即ち、本発明は有機溶媒可溶
性銀化合物と還元剤の反応において、銀あるいは銀より
貴な金属現像核が触媒核として働き、金属銀の層を成形
せしめたものである。
このように、本発明者らが、種々検討の結果、内部の有
機溶媒可溶性銀化合物を表面に拡散させ、表面に反射性
の金属薄膜層を形成できることを見出したのは、全く新
規なことである。
機溶媒可溶性銀化合物を表面に拡散させ、表面に反射性
の金属薄膜層を形成できることを見出したのは、全く新
規なことである。
このような本発明の新規な光学記録材料は、以下のよう
に規定することができる。即ち、銀もしくは銀より貴な
金属現像核の存在下で有機溶媒可溶性銀化合物と還元剤
が反応することにより形成される金属銀含有層の反射率
が10〜90%である光学記録材料である。
に規定することができる。即ち、銀もしくは銀より貴な
金属現像核の存在下で有機溶媒可溶性銀化合物と還元剤
が反応することにより形成される金属銀含有層の反射率
が10〜90%である光学記録材料である。
この場合に、この光学記録材料における反射性の金属銀
含有層と銀供給層との各々の層は明確に境界があっても
、また、無くても、光学記録材料として重要なことでは
ない。但し、光学記録材料として記録密度を向上させる
ために、金属銀は少なくとも2〜3μmより蟲かに小さ
な分散物として均一に分散して存在するか、この2〜3
μmのオーダーでは均一な連続膜として取り扱える金属
銀層であることが好ましい。
含有層と銀供給層との各々の層は明確に境界があっても
、また、無くても、光学記録材料として重要なことでは
ない。但し、光学記録材料として記録密度を向上させる
ために、金属銀は少なくとも2〜3μmより蟲かに小さ
な分散物として均一に分散して存在するか、この2〜3
μmのオーダーでは均一な連続膜として取り扱える金属
銀層であることが好ましい。
なお、反射率の値は光学記録材料に対して751の角度
で入射せしめた光に対して正反射角(75°)に反射さ
れた光の強度比で表される。測定波長としては750〜
850nm付近の光が用いられる。
で入射せしめた光に対して正反射角(75°)に反射さ
れた光の強度比で表される。測定波長としては750〜
850nm付近の光が用いられる。
この光学記録材料の金属銀含有層と銀供給層を併せた記
録層自体の厚さは、反射率の差が得られる限り、薄けれ
ば薄いほど記録密度を向上させ、安価にできるという点
で好ましいが、通常は1〜25μm程度に設定される。
録層自体の厚さは、反射率の差が得られる限り、薄けれ
ば薄いほど記録密度を向上させ、安価にできるという点
で好ましいが、通常は1〜25μm程度に設定される。
また、反射率の値は大きければ大きいほど検出システム
の構築が容易であるが、逆に高反射率であればレーザー
光を有効に吸収できな(なるため、実用上は10〜90
%、好ましくは25〜65%程度の反射率になるように
設計される。
の構築が容易であるが、逆に高反射率であればレーザー
光を有効に吸収できな(なるため、実用上は10〜90
%、好ましくは25〜65%程度の反射率になるように
設計される。
本発明の光学記録材料は半導体レーザー、He−Neレ
ーザー等のレーザー光によって金属銀含有層にピットが
形成され、反射率が変化することにより情報が記録され
ることになる。
ーザー等のレーザー光によって金属銀含有層にピットが
形成され、反射率が変化することにより情報が記録され
ることになる。
本発明の光学記録材料は、有機溶媒可溶性銀化合物と還
元剤を均一に溶解せしめ、適当な支持体上に均一に塗布
した後、乾燥して準備される。
元剤を均一に溶解せしめ、適当な支持体上に均一に塗布
した後、乾燥して準備される。
有機溶媒可溶性銀化合物としては、脂肪族カルボン酸銀
塩類や銀金属キレート化合物の中で有機溶媒可溶なもの
が選択される。例えば、好ましい脂肪族カルボン酸根と
しては、フッ素を含有した脂肪族カルボン酸根が用いら
れ、また、銀金属キレート化合物としては、例えば、フ
ッ素を含有したβ−ジケトン類に代表されるフッ素含有
キレート化剤が一般に用いられる。特に好ましい化合物
としては、トリフロロ酢酸銀、シルバーへブタフロロブ
チレート、シルバーパーフロロオクタノエート、シルバ
ートリフロロメタネサルホネート、シルバーフロイルト
リフロロアセトネート、シルバーヘキサフロロアセチル
アセトネート、シルバーへブタフロロブタノイルピバノ
イルメタネート、シルバーピバロイルトリフロロアセト
ネート、シルパートリフロロアセチルアセトネート、シ
ルバーフロイルトリフロロアセトネート等を挙げること
ができる。
塩類や銀金属キレート化合物の中で有機溶媒可溶なもの
が選択される。例えば、好ましい脂肪族カルボン酸根と
しては、フッ素を含有した脂肪族カルボン酸根が用いら
れ、また、銀金属キレート化合物としては、例えば、フ
ッ素を含有したβ−ジケトン類に代表されるフッ素含有
キレート化剤が一般に用いられる。特に好ましい化合物
としては、トリフロロ酢酸銀、シルバーへブタフロロブ
チレート、シルバーパーフロロオクタノエート、シルバ
ートリフロロメタネサルホネート、シルバーフロイルト
リフロロアセトネート、シルバーヘキサフロロアセチル
アセトネート、シルバーへブタフロロブタノイルピバノ
イルメタネート、シルバーピバロイルトリフロロアセト
ネート、シルパートリフロロアセチルアセトネート、シ
ルバーフロイルトリフロロアセトネート等を挙げること
ができる。
有機溶媒可溶性銀化合物は、一般的に用いられるアルコ
ール類、ケトン類、エーテル類、ニトリル類、ハロゲン
系、脂肪族、芳香族などの有機溶剤1M1に対して1m
g以上熔解するものが好ましい。
ール類、ケトン類、エーテル類、ニトリル類、ハロゲン
系、脂肪族、芳香族などの有機溶剤1M1に対して1m
g以上熔解するものが好ましい。
この有機溶媒可溶性銀化合物に対する還元剤としては、
有機溶媒可溶性銀化合物を還元できるものであればどの
ようなものであっても良い。還元剤としては、水酸基の
結合する炭素に隣接する炭素に立体的に嵩高い基が結合
し、水酸基を立体的に阻害している阻害フェノール類で
あり、例えば、2.6−ジーt−ブチル−4−メチルフ
ェノール、2.2″メチレンビス−(4−メチル−6−
t−ブチルフェノール) 、2.2°−メチレンビス−
(4−エチル−6−t−ブチルフェノール”) 、2.
4.4− トリメチルペンチルビス(2−ヒドロキシ−
3,5−ジメチルフェニール)メタン、2.5−ジ−t
−ブチル−4−メトキシフェノール、2−t−ブチル−
6−(3−t−ブチル−2−ヒドロキシ−5−メチルヘ
ンシル)−4−メチルフェニルアクリレート、4.4゛
−ブチリデン−ビス−(3−メチル−6−t−ブチルフ
ェノール)、トリエチレングリコール−ビス(3−(3
−t−ブチル−5−メチル−4−ヒドロキシフェニール
)プロピオネート) 、1.6−ヘキサンシオールービ
スー (3−(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキ
シフェニル)プロピオネートL2.4−ビス−(n−オ
クチルチオ)−6−(4−ヒドロキシ−3,5−ジ−t
−ブチルアニリノL1.3.5− )リアジン、ペンタ
エリスリチル−テトラキス−[3−(3,5−ジ−t−
ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオネート)、
2.2−チオ−ジエチレンビス(3−(3,5−ジ−t
−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオネート〕
、オクタデシル−3−(3,5ジ、t−ブチル、4−ヒ
ドロキシフェニル)プロピオネート、2.2−チオビス
(4−メチル−6−t−ブチルフェノール) 、N、N
’−へキサメチレンビス(3,5−ジー(−ブチル−4
−ヒドロキシ−ヒドロシンナマミド) 、3.5−ジー
1−ブチル−4−ヒドロキシ−ペンジルフォスフオネー
レジエチルエステル、1,3.5− トリメチル−2,
4,6−トリス(3,5−ジ−t−フチルー4−ヒドロ
キシベンジル)ベンゼン、ビス(3,5−ジ−t−ブチ
ル−4−ヒドロキシベンジルホスホン酸エチル)カルシ
ウム、トリス−(3,5−ジー1−ブチル−4−ヒドロ
キシヘンシル)−イソシアヌレート、N、N’−ビス(
3−(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシフヱニ
ル)プロピオニル)ヒドラジン等を挙げることができる
。また、ハイドロキノン、25−ジメチルヒドロキノン
、クロロヒドロキノン、p−アミノフェノール、メチル
ハイドロナフタレン、フェニドン、没食子酸メチル等の
銀塩用還元剤や、P−フェニルデノール、ビスフェノー
ルA 、2.4−ジヒドロキシ安息香酸、ρ−メトキシ
フェノールも使用することがきる。還元剤の量としては
、還元剤の種類などにより変動するが、−ta的には、
有機溶媒可溶性銀化合物1モルに対し約0.01モル〜
約10モル、好ましくは約0.1モル−約3モルである
。
有機溶媒可溶性銀化合物を還元できるものであればどの
ようなものであっても良い。還元剤としては、水酸基の
結合する炭素に隣接する炭素に立体的に嵩高い基が結合
し、水酸基を立体的に阻害している阻害フェノール類で
あり、例えば、2.6−ジーt−ブチル−4−メチルフ
ェノール、2.2″メチレンビス−(4−メチル−6−
t−ブチルフェノール) 、2.2°−メチレンビス−
(4−エチル−6−t−ブチルフェノール”) 、2.
4.4− トリメチルペンチルビス(2−ヒドロキシ−
3,5−ジメチルフェニール)メタン、2.5−ジ−t
−ブチル−4−メトキシフェノール、2−t−ブチル−
6−(3−t−ブチル−2−ヒドロキシ−5−メチルヘ
ンシル)−4−メチルフェニルアクリレート、4.4゛
−ブチリデン−ビス−(3−メチル−6−t−ブチルフ
ェノール)、トリエチレングリコール−ビス(3−(3
−t−ブチル−5−メチル−4−ヒドロキシフェニール
)プロピオネート) 、1.6−ヘキサンシオールービ
スー (3−(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキ
シフェニル)プロピオネートL2.4−ビス−(n−オ
クチルチオ)−6−(4−ヒドロキシ−3,5−ジ−t
−ブチルアニリノL1.3.5− )リアジン、ペンタ
エリスリチル−テトラキス−[3−(3,5−ジ−t−
ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオネート)、
2.2−チオ−ジエチレンビス(3−(3,5−ジ−t
−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオネート〕
、オクタデシル−3−(3,5ジ、t−ブチル、4−ヒ
ドロキシフェニル)プロピオネート、2.2−チオビス
(4−メチル−6−t−ブチルフェノール) 、N、N
’−へキサメチレンビス(3,5−ジー(−ブチル−4
−ヒドロキシ−ヒドロシンナマミド) 、3.5−ジー
1−ブチル−4−ヒドロキシ−ペンジルフォスフオネー
レジエチルエステル、1,3.5− トリメチル−2,
4,6−トリス(3,5−ジ−t−フチルー4−ヒドロ
キシベンジル)ベンゼン、ビス(3,5−ジ−t−ブチ
ル−4−ヒドロキシベンジルホスホン酸エチル)カルシ
ウム、トリス−(3,5−ジー1−ブチル−4−ヒドロ
キシヘンシル)−イソシアヌレート、N、N’−ビス(
3−(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシフヱニ
ル)プロピオニル)ヒドラジン等を挙げることができる
。また、ハイドロキノン、25−ジメチルヒドロキノン
、クロロヒドロキノン、p−アミノフェノール、メチル
ハイドロナフタレン、フェニドン、没食子酸メチル等の
銀塩用還元剤や、P−フェニルデノール、ビスフェノー
ルA 、2.4−ジヒドロキシ安息香酸、ρ−メトキシ
フェノールも使用することがきる。還元剤の量としては
、還元剤の種類などにより変動するが、−ta的には、
有機溶媒可溶性銀化合物1モルに対し約0.01モル〜
約10モル、好ましくは約0.1モル−約3モルである
。
有機溶媒可溶性銀化合物と還元剤とは、予め高分子化合
物と共に溶媒に溶解せしめ、均一な塗布液として用意さ
れる。溶媒としては、メタノール、エタノール、イソプ
ロピルアルコール等のアルコール系溶媒;2−ブタノン
、アセトン等のケトン系溶媒;酢酸エチル等のエステル
系溶媒あるいはトルエン、キシレン、シクロヘキサン等
の芳香族炭化水素系溶媒等の有m ?8媒を挙げること
ができる。
物と共に溶媒に溶解せしめ、均一な塗布液として用意さ
れる。溶媒としては、メタノール、エタノール、イソプ
ロピルアルコール等のアルコール系溶媒;2−ブタノン
、アセトン等のケトン系溶媒;酢酸エチル等のエステル
系溶媒あるいはトルエン、キシレン、シクロヘキサン等
の芳香族炭化水素系溶媒等の有m ?8媒を挙げること
ができる。
ここで、バインダーとしての高分子化合物の選択は、安
定性の良い塗布溶液を作成する上で重要であるのみなら
ず、塗布乾燥、加熱現像後に得られる光学記録材料の保
存安定性に大きく影響を与えるために掻めて重要である
。特に、高湿度の保存条件でより好ましい安定性を与え
るためには、ゼラチン、ポリビニールアルコールなどの
親水性バインダーは避けるべきである。
定性の良い塗布溶液を作成する上で重要であるのみなら
ず、塗布乾燥、加熱現像後に得られる光学記録材料の保
存安定性に大きく影響を与えるために掻めて重要である
。特に、高湿度の保存条件でより好ましい安定性を与え
るためには、ゼラチン、ポリビニールアルコールなどの
親水性バインダーは避けるべきである。
本発明において、好ましいバインダーとしては、ポリメ
チルメタクリレート、ポリビニルホルマール、ポリビニ
ルブチラール、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、セル
ロースアセテート、ポリスチレンなどの疎水性の広範な
有機高分子化合物の中から適宜選択することができる。
チルメタクリレート、ポリビニルホルマール、ポリビニ
ルブチラール、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、セル
ロースアセテート、ポリスチレンなどの疎水性の広範な
有機高分子化合物の中から適宜選択することができる。
この疎水性バインダーは、有機溶媒可溶性銀化合物に対
して、重量比で約10対1〜約1対lOである。
して、重量比で約10対1〜約1対lOである。
本発明の反射性金属光沢層は、次のようにして製造され
る。即ち、予め塗布された有機溶媒可溶性銀化合物や還
元剤などを含む層(光学記録材料組成物N)の上に金属
現像核を形成させ、さらに適当な加熱条件、例えば少な
くとも70°C以上の温度で数秒〜数分間加熱すると、
表面層に反射性の金属銀含有層が出来る。通常には、支
持体の耐熱性や製造上の扱い易さの点で70℃以上20
0 ’C以下の加熱温度で加熱する。この反射性の金属
銀含有層を形成するためには、触媒的に作用する金属現
像核が必須である。
る。即ち、予め塗布された有機溶媒可溶性銀化合物や還
元剤などを含む層(光学記録材料組成物N)の上に金属
現像核を形成させ、さらに適当な加熱条件、例えば少な
くとも70°C以上の温度で数秒〜数分間加熱すると、
表面層に反射性の金属銀含有層が出来る。通常には、支
持体の耐熱性や製造上の扱い易さの点で70℃以上20
0 ’C以下の加熱温度で加熱する。この反射性の金属
銀含有層を形成するためには、触媒的に作用する金属現
像核が必須である。
金属現像核としては、銀または銀より貴な金属種である
。銀より貴な金属種としては、パラジウム、白金、金、
ロジウム、ルテニウム、タリウム、水銀などを挙げるこ
とが出来る。これらの金属核は単独の金属種であっても
良いし、複合系や硫化銀などの硫化物などであってもよ
い。
。銀より貴な金属種としては、パラジウム、白金、金、
ロジウム、ルテニウム、タリウム、水銀などを挙げるこ
とが出来る。これらの金属核は単独の金属種であっても
良いし、複合系や硫化銀などの硫化物などであってもよ
い。
光学記録材料組成物表面上の金属現像核の形成法として
は、適当なバインダーを含有した溶媒中に、この金属現
像核を分散せしめ、光学記録材料組成物表面上に塗布す
る方法、あるいは蒸着などの気相条件で表面に金属触媒
核を形成せしめる方法をとることもできる。また、強い
還元剤を用いて表面をかぶらせたり、水素ガスなどの還
元性ガスに表面を短時間曝したりして、表面にその金属
種自身からなる金属現像核を形成させても良い。
は、適当なバインダーを含有した溶媒中に、この金属現
像核を分散せしめ、光学記録材料組成物表面上に塗布す
る方法、あるいは蒸着などの気相条件で表面に金属触媒
核を形成せしめる方法をとることもできる。また、強い
還元剤を用いて表面をかぶらせたり、水素ガスなどの還
元性ガスに表面を短時間曝したりして、表面にその金属
種自身からなる金属現像核を形成させても良い。
例えば、代表例としてその製造方法を挙げるならば、塩
化第一錫の水溶液と塩化パラジウムの水溶液に順次浸漬
し、パラジウムの金属核を表面層に付与させる無電解メ
ツキで金属核を付与する方法、白金、金、恨、パラジウ
ムなどの金属を表面に真空蒸着する方法を挙げることが
できる。また、表面層に硫化ソーダのごとき硫化銀核を
形成する化合物を配してもよい。また、水素ガス等の還
元性ガスに表面を短時間曝したりして、表面に銀金属現
像核を設けてもよい。
化第一錫の水溶液と塩化パラジウムの水溶液に順次浸漬
し、パラジウムの金属核を表面層に付与させる無電解メ
ツキで金属核を付与する方法、白金、金、恨、パラジウ
ムなどの金属を表面に真空蒸着する方法を挙げることが
できる。また、表面層に硫化ソーダのごとき硫化銀核を
形成する化合物を配してもよい。また、水素ガス等の還
元性ガスに表面を短時間曝したりして、表面に銀金属現
像核を設けてもよい。
このような表面層を有する光学記録材料組成物層を適当
な加熱条件、例えば、少なくとも70°C以上の温度で
数秒〜数分間加熱すると、表面に反射性の金属銀含有層
を形成することができる。適当な加熱条件としては、好
ましくは90〜200°Cで1〜100秒程度である。
な加熱条件、例えば、少なくとも70°C以上の温度で
数秒〜数分間加熱すると、表面に反射性の金属銀含有層
を形成することができる。適当な加熱条件としては、好
ましくは90〜200°Cで1〜100秒程度である。
この加熱条件は、本発明の構成を満たすべく最適の条件
にコントロールレなければならない、特に現像が過多に
なると、反射性の金属銀含有層が不均一になりやすいた
め注意しなければならない。
にコントロールレなければならない、特に現像が過多に
なると、反射性の金属銀含有層が不均一になりやすいた
め注意しなければならない。
本発明の光学記録材料には、種々の添加成分を含有せし
め、目的とする材料の性能を高めることが出来る0例え
ば、金属銀含有層の銀粒子の大きさをコントロールする
化合物を導入することが出来る。例としては、乾式銀塩
感材でいうフタラジノンのごとき調色剤を挙げることが
できる。また、必要に応じて、被り防止剤、増感剤等を
添加することが出来る。
め、目的とする材料の性能を高めることが出来る0例え
ば、金属銀含有層の銀粒子の大きさをコントロールする
化合物を導入することが出来る。例としては、乾式銀塩
感材でいうフタラジノンのごとき調色剤を挙げることが
できる。また、必要に応じて、被り防止剤、増感剤等を
添加することが出来る。
さらに、本発明では、感光性ハロゲン化銀を光学記録材
料組成物中に含有せしめることが可能であり、このよう
な複合化によって、製造時に予めマスクを通してパター
ン露光をすることによってプレフォーマット処理を容易
に行えることも判明した。このような組成の変更は、有
N溶媒可溶性銀化合物の一部にハロゲンイオン源を作用
させ、をRi8媒可溶性銀化合物の一部を予め感光性ハ
ロゲン化銀に変えておく方法や、別途作成しておいたハ
ロゲン化銀微結晶を光学記録材料組成物中に分散せしめ
る方法がある。
料組成物中に含有せしめることが可能であり、このよう
な複合化によって、製造時に予めマスクを通してパター
ン露光をすることによってプレフォーマット処理を容易
に行えることも判明した。このような組成の変更は、有
N溶媒可溶性銀化合物の一部にハロゲンイオン源を作用
させ、をRi8媒可溶性銀化合物の一部を予め感光性ハ
ロゲン化銀に変えておく方法や、別途作成しておいたハ
ロゲン化銀微結晶を光学記録材料組成物中に分散せしめ
る方法がある。
本発明の光学記録材料は、記録層を保護する目的で透明
な保護層が設けられる。この保護層は、ポリカーボネー
ト、ポリスチレン、ポリメチルメタクリレート、ポリ塩
化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリエチレンテレフタ
レートなどの透明性のよい有機高分子化合物から選択さ
れる。
な保護層が設けられる。この保護層は、ポリカーボネー
ト、ポリスチレン、ポリメチルメタクリレート、ポリ塩
化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリエチレンテレフタ
レートなどの透明性のよい有機高分子化合物から選択さ
れる。
また、光学記録材料層の裏面には光学記録層が塗布され
るヘースフィルムのみからなっていても、またさらに裏
面に曲げ等に対する補強層が存在していてもよい。また
、透明な保護層の表面は傷等がつきにくいように表面処
理をするのが普通である。
るヘースフィルムのみからなっていても、またさらに裏
面に曲げ等に対する補強層が存在していてもよい。また
、透明な保護層の表面は傷等がつきにくいように表面処
理をするのが普通である。
本発明の光学記録材料の形状は、カード状が一般的であ
るが、円盤状であってもテープ状であっても一向に差し
支えない。
るが、円盤状であってもテープ状であっても一向に差し
支えない。
本発明の光学記録材料は、適当なパワーを有する種々の
レーザー光源で記録することが出来るが、その代表的な
ものは、He−Ne レーザー、半導体レーザーである
。例えば、]、OmW程度の半導体レーザーを用いて、
2〜3μmのビーム径で数10cm/sec程度のスピ
ードで書き込むことが出来る。
レーザー光源で記録することが出来るが、その代表的な
ものは、He−Ne レーザー、半導体レーザーである
。例えば、]、OmW程度の半導体レーザーを用いて、
2〜3μmのビーム径で数10cm/sec程度のスピ
ードで書き込むことが出来る。
本発明の光学記録材料は、いわゆる追記型の記録材料と
して用いることが出来、ユーザーが必要に応じて書き込
むことが出来、−度書き込んだものは消すことが出来な
いので証拠などが必要な用途にも用いることができる。
して用いることが出来、ユーザーが必要に応じて書き込
むことが出来、−度書き込んだものは消すことが出来な
いので証拠などが必要な用途にも用いることができる。
また、予め情報を書き込んでおいて、読み取り専用のR
OMカードとしても使用可能である。
OMカードとしても使用可能である。
以下に、本発明をより詳細に説明するために、その実施
例を記載するが、これは本発明を限定するものではない
。
例を記載するが、これは本発明を限定するものではない
。
実施例1
下記の成分からなる溶液を作成した。
トリフロロ酢酸銀 20g22−メ
チレンビス(4−エチル−6−t−ブチルフェノール)
9g2−ブタノン
200gトルエン
60gポリカーボネート
20gこの溶液は、約1時間攪拌することによって均
一化された後、平均孔径1.5μmのフィルターを通し
た。
チレンビス(4−エチル−6−t−ブチルフェノール)
9g2−ブタノン
200gトルエン
60gポリカーボネート
20gこの溶液は、約1時間攪拌することによって均
一化された後、平均孔径1.5μmのフィルターを通し
た。
この溶液は、小型アプリケーターによって乾燥後、6μ
mになるようにスリットを選択し、100μmの厚みの
ポリエステルフィルム上に均一に塗布し、温度22°C
,iMi!度50%RHの条件で乾燥した(得られたサ
ンプルをサンプルN091とする。)。
mになるようにスリットを選択し、100μmの厚みの
ポリエステルフィルム上に均一に塗布し、温度22°C
,iMi!度50%RHの条件で乾燥した(得られたサ
ンプルをサンプルN091とする。)。
次に、サンプルNo、1のシートは、日本セーリング社
製の無電界メンキ用の触媒核形成法を用いて、表面に金
属現像核、即ちパラジウム核を形成した。次の水溶液に
順次、各々10秒間浸漬した後、水洗、風乾した(サン
プルN012)。
製の無電界メンキ用の触媒核形成法を用いて、表面に金
属現像核、即ちパラジウム核を形成した。次の水溶液に
順次、各々10秒間浸漬した後、水洗、風乾した(サン
プルN012)。
(水ン容ン皮l)
アクチベータネオガント834 40−(日本セー
リング社製の商品名) 痕留水 956d水酸化ナト
リウム g (水溶液2) リデューサ−ネオガントWA 5m1((日
本セーリング社製の商品名) 硼酸 5g蒸留水
95〇−得られた夫々のサンプ
ルを150°Cで60秒間加熱した。
リング社製の商品名) 痕留水 956d水酸化ナト
リウム g (水溶液2) リデューサ−ネオガントWA 5m1((日
本セーリング社製の商品名) 硼酸 5g蒸留水
95〇−得られた夫々のサンプ
ルを150°Cで60秒間加熱した。
サンプルNO61は赤茶色化したのに対して、サンプル
NO62は表面層に根が析出して光沢層を有した。反射
率はN001は8.5%であるのに対して、NO62は
50.5%であった。
NO62は表面層に根が析出して光沢層を有した。反射
率はN001は8.5%であるのに対して、NO62は
50.5%であった。
次に、サンプルNO32に830nmの発光波長を有す
る半導体レーザー光(ビーム径3μm、発光パワー10
mW)を用いて、書き込みテストを行った。走査スピー
ドを40co+/秒としてパルス発振させたところ、約
3μmのピットが形成された。
る半導体レーザー光(ビーム径3μm、発光パワー10
mW)を用いて、書き込みテストを行った。走査スピー
ドを40co+/秒としてパルス発振させたところ、約
3μmのピットが形成された。
実施例2
下記の成分からなる溶液を作成した。
トリフロロ酢酸銀 20g26−シ
ーt−フチルー4−メチルフェノールg 2−ブタノン 200gトルエン
60gポリビニルブチラー
ル 18gその後、実施例1と全く同様に
光学記録材料を作成した。加熱条件は140°C130
秒で行ったところ、反射率は42%であった。
ーt−フチルー4−メチルフェノールg 2−ブタノン 200gトルエン
60gポリビニルブチラー
ル 18gその後、実施例1と全く同様に
光学記録材料を作成した。加熱条件は140°C130
秒で行ったところ、反射率は42%であった。
実施例3
実施例2と同様な組成で光学記録材料を作成した。但し
、金属現像核は実施例2とは異なる方法で行った。支持
体に溶液を塗布乾燥させた後、還元性の水素ガスを表面
に接触させることにより、表面のトリフロロ酢酸銀を還
元させ、表面に銀の現像核を形成させる方法を用いた。
、金属現像核は実施例2とは異なる方法で行った。支持
体に溶液を塗布乾燥させた後、還元性の水素ガスを表面
に接触させることにより、表面のトリフロロ酢酸銀を還
元させ、表面に銀の現像核を形成させる方法を用いた。
加熱条件は150℃、80秒で行い、得られた材料の反
射率は50%であった。
射率は50%であった。
実施例4
下記の成分からなる?8 ?aを作成した。
CJ’vCOOAg 20
gポリビニルブチラール 18g2−t
−ブチル−8−(3−t−ブチル−2−ヒドロキシ−5
メチルベンジル)−4−メチルフェニルアクリレート
8 gイソプロピルアルコール 18
5gシクロヘキサン 55g臭化
ナトリウム 0.3gヨウ化コバル
ト 0.3gこの溶液は、約2時間攪
拌することによって均一化された後、平均孔径1.5μ
mのフィルターを通した。
gポリビニルブチラール 18g2−t
−ブチル−8−(3−t−ブチル−2−ヒドロキシ−5
メチルベンジル)−4−メチルフェニルアクリレート
8 gイソプロピルアルコール 18
5gシクロヘキサン 55g臭化
ナトリウム 0.3gヨウ化コバル
ト 0.3gこの溶液は、約2時間攪
拌することによって均一化された後、平均孔径1.5μ
mのフィルターを通した。
その後、実施例1と同様条件で塗布、乾燥した。
但し、乾燥後の膜厚は111℃mになるように塗布し、
赤色安全光の下で乾燥した。この感材を実施例1と同様
な方法で材料の表面にパラジウムを吸着させた。その後
、150°Cで10秒間ブロックヒーターで加熱すると
、表面に銀が析出し、金属光沢層が形成された。反射率
は35%であった。
赤色安全光の下で乾燥した。この感材を実施例1と同様
な方法で材料の表面にパラジウムを吸着させた。その後
、150°Cで10秒間ブロックヒーターで加熱すると
、表面に銀が析出し、金属光沢層が形成された。反射率
は35%であった。
また、この材料とフォトマスクを密着させ、フォトマス
ク側から水銀ランプで露光した後、150°Cで25秒
間ブロックヒーターで加熱すると、未露光部の表面に銀
が析出して、銀反射性表面を形成した。露光部の反射率
は9.7%であり、未露光部の反射率は38%であった
。
ク側から水銀ランプで露光した後、150°Cで25秒
間ブロックヒーターで加熱すると、未露光部の表面に銀
が析出して、銀反射性表面を形成した。露光部の反射率
は9.7%であり、未露光部の反射率は38%であった
。
実施例5
下記の成分からなる溶液を作成した。
シルバートリフミロアセチルアセトネート0g
ポリビニルブチラール 18g2−t−ブ
チル−8−(3−t−ブチル−2−ヒドロキシ−5メチ
ルベンジル)−4−メチルフェニルアクリレート8g メチルエチルケトン 185gトルエン
55gこの溶液は、約2時間
攪拌することにより均一化された後、平均孔径1.5μ
mのフィルターを通した。この溶液を小型ブレードコー
ターを用いて塗布した。乾燥条件は50°Cで10分乾
燥させ、その後、22℃、50%RHの条件で保管した
。
チル−8−(3−t−ブチル−2−ヒドロキシ−5メチ
ルベンジル)−4−メチルフェニルアクリレート8g メチルエチルケトン 185gトルエン
55gこの溶液は、約2時間
攪拌することにより均一化された後、平均孔径1.5μ
mのフィルターを通した。この溶液を小型ブレードコー
ターを用いて塗布した。乾燥条件は50°Cで10分乾
燥させ、その後、22℃、50%RHの条件で保管した
。
塗布乾燥は安全光の下で行った。その後パラジウムを真
空蒸着を行い、材料の表面にパラジウム核を形成した。
空蒸着を行い、材料の表面にパラジウム核を形成した。
そして、ロールヒーターを用いて140′C110秒で
加熱した。反射率は42%であった。このサンプルに6
33nmの発光波長を存するHe−Neレーザー光(ビ
ーム径3μm。
加熱した。反射率は42%であった。このサンプルに6
33nmの発光波長を存するHe−Neレーザー光(ビ
ーム径3μm。
発光出力3mW)を用いて、レーザー記録を行った。露
光部には3μmのピットが形成された。
光部には3μmのピットが形成された。
実施例1〜5により本発明が有効であることが判る。
(発明の効果)
本発明によりレーザー記録の出来るフレキシブルでかつ
安定性のよいデジタル記録材料を従供することが出来る
。
安定性のよいデジタル記録材料を従供することが出来る
。
(ほか1名)
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 (1)銀もしくは銀より貴な金属現像核の存在下で有機
溶媒可溶性銀化合物と還元剤が反応することにより形成
される金属銀含有層の反射率が10〜90%である光学
記録材料。(2)請求項(1)記載の光学記録材料にお
いて、感光性ハロゲン化銀微結晶を含有せしめたパター
ン露光によるプレフォーマット可能な光学記録材料。 (3)該有機溶媒可溶性銀化合物と該還元剤と銀もしく
は銀より貴な金属を含む金属現像核とを少なくとも70
℃以上の温度に加熱することにより請求項(1)及び(
2)記載の光学記録材料を製造する製造方法。 (4)請求項(1)及び(2)記載の光学記録材料に、
パルス発振させたレーザー光を照射することによって反
射率変化を生じさせ、情報を記録する記録方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1139252A JPH035746A (ja) | 1989-06-02 | 1989-06-02 | 新規記録材料 |
| CA000610789A CA1336312C (en) | 1988-09-12 | 1989-09-08 | Optical recording materials method for preparing the same and optical cards having the same |
| EP89116876A EP0361204B1 (en) | 1988-09-12 | 1989-09-12 | Optical recording materials, method for preparing the same and optical cards having the same |
| DE68919621T DE68919621T2 (de) | 1988-09-12 | 1989-09-12 | Optische Aufzeichnungsmaterialien, Methode zu ihrer Herstellung und optische Karten mit diesen Materialien. |
| US08/188,743 US5578415A (en) | 1988-09-12 | 1994-01-31 | Optical recording materials, method for preparing the same and optical cards having the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1139252A JPH035746A (ja) | 1989-06-02 | 1989-06-02 | 新規記録材料 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH035746A true JPH035746A (ja) | 1991-01-11 |
Family
ID=15240983
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1139252A Pending JPH035746A (ja) | 1988-09-12 | 1989-06-02 | 新規記録材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH035746A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS592892A (ja) * | 1982-06-30 | 1984-01-09 | Asahi Chem Ind Co Ltd | 乾式感レーザー記録材料及びその記録方法 |
| JPH01229693A (ja) * | 1988-03-11 | 1989-09-13 | Canon Inc | 光記録媒体、光記録方法および光記録装置 |
| JPH0238091A (ja) * | 1988-07-28 | 1990-02-07 | Canon Inc | 光記録媒体の製造方法および光記録媒体積層用フィルム |
-
1989
- 1989-06-02 JP JP1139252A patent/JPH035746A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS592892A (ja) * | 1982-06-30 | 1984-01-09 | Asahi Chem Ind Co Ltd | 乾式感レーザー記録材料及びその記録方法 |
| JPH01229693A (ja) * | 1988-03-11 | 1989-09-13 | Canon Inc | 光記録媒体、光記録方法および光記録装置 |
| JPH0238091A (ja) * | 1988-07-28 | 1990-02-07 | Canon Inc | 光記録媒体の製造方法および光記録媒体積層用フィルム |
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