JPH0357912B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0357912B2 JPH0357912B2 JP57206873A JP20687382A JPH0357912B2 JP H0357912 B2 JPH0357912 B2 JP H0357912B2 JP 57206873 A JP57206873 A JP 57206873A JP 20687382 A JP20687382 A JP 20687382A JP H0357912 B2 JPH0357912 B2 JP H0357912B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- substituted
- methyl
- salts
- amino
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/55—Design of synthesis routes, e.g. reducing the use of auxiliary or protecting groups
Landscapes
- Cephalosporin Compounds (AREA)
Description
本発明は、一般式[]
「式中、R1は、水素原子またはカルボキシル保
護基を;R2は、水素原子またはアシルオキシ基
で置換されていてもよいアルキル、シクロアルキ
ル、アルアルキルもしくはジアルキルアミノ基
を;R3は、水素原子またはアルコキシ基を;R4
は、アミノ基を;Zは、SまたはS→O
を;および環中の点線は、2〜3または3〜4位
間が二重結合であることを、それぞれ意味する。」 で表わされる新規なセフアロスポラン酸類および
それらの製造法に関する。 すなわち、本発明は、一般式[]で表わされ
る7−アミノ−3−{[1−(4−置換または非置
換)−2,3−ジオキソ−1,2,3,4−テト
ラヒドロピラジニル)]メチル}−セフエム−4−
カルボン酸類およびそれらの塩類ならびにそれら
の製造法に関する。 而して、本発明の目的とするところは、抗菌剤
として有用な種々の新規なセフアロスポリン系抗
生物質を製造する際の中間体として有用な新規な
化合物を提供することにある。 本発明の他の目的は、新規なセフアロスポラン
酸類を製造する方法を提供することにある。 本発明のセフアロスポラン酸類は、セフエム環
の3位エキソメチレン基に式
護基を;R2は、水素原子またはアシルオキシ基
で置換されていてもよいアルキル、シクロアルキ
ル、アルアルキルもしくはジアルキルアミノ基
を;R3は、水素原子またはアルコキシ基を;R4
は、アミノ基を;Zは、SまたはS→O
を;および環中の点線は、2〜3または3〜4位
間が二重結合であることを、それぞれ意味する。」 で表わされる新規なセフアロスポラン酸類および
それらの製造法に関する。 すなわち、本発明は、一般式[]で表わされ
る7−アミノ−3−{[1−(4−置換または非置
換)−2,3−ジオキソ−1,2,3,4−テト
ラヒドロピラジニル)]メチル}−セフエム−4−
カルボン酸類およびそれらの塩類ならびにそれら
の製造法に関する。 而して、本発明の目的とするところは、抗菌剤
として有用な種々の新規なセフアロスポリン系抗
生物質を製造する際の中間体として有用な新規な
化合物を提供することにある。 本発明の他の目的は、新規なセフアロスポラン
酸類を製造する方法を提供することにある。 本発明のセフアロスポラン酸類は、セフエム環
の3位エキソメチレン基に式
【式】
(式中、R2は、前記したと同様の意味を有する。)
で表わされる2,3−ジオキソ−1,2,3,4
−テトラヒドロピラジニル基が結合しているとこ
ろにその特徴を有する新規な化合物である。 以下、さらに本発明を詳細に説明する。 本明細書において、特にことわらない限り、ア
ルキルとは、直鎖または分枝鎖状C1〜14アルキ
ル、たとえば、メチル、エチル、n−プロピル、
iso−プロピル、n−ブチル、iso−ブチル、sec
−ブチル、tert−ブチル、ペンチル、ヘキシル、
ヘプチル、オクチル、ドデシルまたはラウリルな
どを;アルコキシとは、上で定義したアルキル基
を有する−O−アルキルを;低級アルキルとは、
直鎖または分枝鎖状C1〜5アルキル、たとえば、
メチル、エチル、n−プロピル、iso−プロピル、
n−ブチル、iso−ブチル、sec−ブチル、tert−
ブチルまたはペンチルなどを;低級アルコキシと
は、上で定義した低級アルキル基を有する−O−
低級アルキルを;アニルとは、C1〜12アシル、た
とえば、アセチル、プロピオニル、ブチリル、ベ
ンゾイル、ナフトイル、ペンタンカルボニル、シ
クロヘキサンカルボニル、フロイルまたはテノイ
ルなどを;アシルオキシとは、上で定義したアシ
ル基を有する−O−アシルを;アルキルチオと
は、上で定義したアルキル基を有する−S−アル
キルを;アルケニルとは、C2〜10アルケニル、た
とえば、ビニル、アリル、iso−プロペニル、2
−ペンテニルまたはブテニルなどを;アルキニル
とは、C2〜10アルキニル、たとえば、エチニルま
たは2−プロピニルなどを;シクロアルキルと
は、C3〜7シクロアルキル、たとえば、シクロプ
ロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロ
ヘキシルまたはシクロヘプチルなどを;シクロア
ルケニルとは、C5〜7シクロアルケニル、たとえ
ば、シクロペンテニルまたはシクロヘキセニルな
どを;アリールとは、フエニル、ナフチルまたは
インダニルを;アルアルキルとは、ベンジル、フ
エネチル、4−メチルベンジルまたはナフチルメ
チルを;複素環式基とは、酸素、窒素および硫黄
から選択された少なくとも1個の複素原子を含む
複素環式基、たとえば、フリル、チエニル、ピロ
リル、ピラゾリル、イミダゾリル、チアゾリル、
イソチアゾリル、オキサゾリル、イソオキサゾリ
ル、チアジアゾリル、オキサジアゾリル、チアト
リアゾリル、オキサトリアゾリル、トリアゾリ
ル、テトラゾリル、ピリジル、4−(5−メチル
−2−ピロリニル)、4−(2−ピロリニル)、N
−メチルピペリジニル、キノリル、フエナジニ
ル、1,3−ベンゾジオキソラニル、ベンゾフリ
ル、ベンゾチエニル、ベンゾオキサゾリル、ベン
ゾチアゾリルまたはクマリニルなどを;およびハ
ロゲン原子とは、フツ素、塩素、臭素またはヨウ
素原子を、それぞれ意味する。 本明細書中の各一般式におけるR1は、水素原
子またはカルボキシル保護基であり、カルボキシ
ル保護基としては、従来ペニシリンおよびセフア
ロスポリン系化合物の分野で通常使用されている
保護基が挙げられる。これらのカルボキシル保護
基としては、接触還元、化学的還元またはその他
の緩和な条件下で処理すれば脱離する性質を有す
るエステル形成基;生体内において容易に脱離す
るエステル形成基;水もしくはアルコールで処理
すれば容易に脱離する性質を有する有機シリル
基、有機リン基もしくは有機スズ基など;および
その他の種々の公知エステル形成基が挙げられ
る。 この種のカルボキシル保護基のうち好適なカル
ボキシル保護基としては、具体的に、つぎのもの
が挙げられる。 (イ) アルキル基。 (ロ) 置換基の少なくとも1つがハロゲン、ニト
ロ、アシル、アルコキシ、オキソ、シアノ、シ
クロアルキル、アリール、アルキルチオ、アル
キルスルフイニル、アルキルスルホニル、アル
コキシカルボニル、5−アルキル−2−オキソ
−1,3−ジオキソール−4−イル、1−イン
ダニル、2−インダニル、フリル、ピリジル、
4−イミダゾリル、フタルイミド、スクシンイ
ミド、アゼチジノ、アジリジノ、ピロリジノ、
ピペリジノ、モルホリノ、チオモルホリノ、N
−低級アルキルピペラジノ、ピロリル、ピラゾ
リル、チアゾリル、イソチアゾリル、オキサゾ
リル、イソオキサゾリル、チアジアゾリル、オ
キサジアゾリル、チアトリアゾリル、オキサト
リアゾリル、トリアゾリル、テトラゾリル、キ
ノリル、フエナジニル、ベンゾフリル、ベンゾ
チエニル、ベンゾオキサゾリル、ベンゾチアゾ
リル、クマリニル、2,5−ジメチルピロリジ
ノ、1,4,5,6−テトラヒドロピリミジニ
ル、4−メチルピペリジノ、2,6−ジメチル
ピペリジノ、4−(5−メチル−2−ピロリニ
ル)、4−(2−ピロリニル)、N−メチルピペ
リジニル、1,3−ベンゾジオキソラニル、ア
ルキルアミノ、ジアルキルアミノ、アシルオキ
シ、アシルチオ、アシルアミノ、ジアルキルア
ミノカルボニル、アルコキシカルボニルアミ
ノ、アルケニルオキシ、アリールオキシ、アル
アルキルオキシ、シクロアルキルオキシ、シク
ロアルケニルオキシ、複素環アルキルオキシ、
アルコキシカルボニルオキシ、アルケニルオキ
シカルボニルオキシ、アリールオキシカルボニ
ルオキシ、アルアルキルオキシカルボニルオキ
シ、複素環アルキルオキシカルボニルオキシ、
アルケニルオキシカルボニル、アリールオキシ
カルボニル、アルアルキルオキシカルボニル、
シクロアルキルオキシカルボニル、シクロアル
ケニルオキシカルボニル、複素環アルキルオキ
シカルボニル、アルキルアニリノまたはハロゲ
ン、低級アルキルもしくは低級アルコキシで置
換されたアルキルアニリノである置換低級アル
キル基。 (ハ) シクロアルキル基;低級アルキル置換シクロ
アルキルまたは(2,2−ジ低級アルキル−
1,3−ジオキソール−4−イル)メチル基。 (ニ) アルケニル基。 (ホ) アルキニル基。 (ヘ) フエニル基または置換基が少なくとも1つの
前記(ロ)で例示した置換基より任意に選ばれた置
換基である置換フエニル、または式 「式中、−Y1−は、−CH=CH−O−,−CH=
CH−S−,−CH2CH2S−,−CH=N−CH=
N−,−CH=CH−CH=CH−,−CO−CH=
CH−CO−または−CO−CO−CH=CH−であ
る。」 で表わされる基もしくはその置換誘導体[置換
基は前記(ロ)で例示したものより任意に選ばれ
る]、または式 「式中、−Y2−は、−(CH2)3−または−(CH2)4
−のような低級アルキレン基である。」 で表わされる基もしくはその置換誘導体[置換
基は前記(ロ)で例示したものより任意に選ばれ
る]のようなアリール基。 (ト) ベンジルまたは置換基が少なくとも1つの前
記(ロ)で例示した置換基より任意に選ばれた置換
基である置換ベンジルのようなアルアルキル
基。 (チ) 複素環式基または置換基が少なくとも1つの
前記(ロ)で例示した置換基より任意に選ばれた置
換基である置換された複素環式基。 (リ) 脂環インダニルまたはフタリジルおよび置換
基がメチルもしくはハロゲンであるそれらの置
換誘導体、脂環テトラヒドロナフチルおよび置
換基がメチルもしくはハロゲンであるその置換
誘導体またはトリチル、コレステリルもしくは
ビシクロ[4.4.0]デシルなど。 (ヌ) 脂環フタリジリデン低級アルキル基または置
換基がハロゲンもしくは低級アルキル基である
それらの置換誘導体。 さらには、4位カルボキシル基とN−ヒドロキ
シコハク酸イミド、N−ヒドロキシフタルイミ
ド、ジメチルヒドロキシアミン、ジエチルヒドロ
キシアミン、1−ヒドロキシピペリジン、オキシ
ムなどとの無水物もカルボキシル保護基として挙
げることができる。 上で例示したカルボキシル保護基は、代表例で
あり、またつぎの文献に記載されているカルボキ
シル保護基を任意に選択することもできる。 米国特許3499909号、3573296号および3641018
号;西独特許公開公報2301014号、2253287号およ
び2337105号。 それらの中で好ましいカルボキシル保護基とし
ては、たとえば、5−低級アルキル−2−オキソ
−1,3−ジオキソール−4−イル−低級アルキ
ル基、アシルオキシアルキル基、アシルチオアル
キル基、フタリジル基、インダニル基、フエニル
基、置換基を有するかもしくは有しないフタリジ
リデン低級アルキル基またはつぎの式で表わされ
る基のように生体内で容易に脱離する基が挙げら
れる。
で表わされる2,3−ジオキソ−1,2,3,4
−テトラヒドロピラジニル基が結合しているとこ
ろにその特徴を有する新規な化合物である。 以下、さらに本発明を詳細に説明する。 本明細書において、特にことわらない限り、ア
ルキルとは、直鎖または分枝鎖状C1〜14アルキ
ル、たとえば、メチル、エチル、n−プロピル、
iso−プロピル、n−ブチル、iso−ブチル、sec
−ブチル、tert−ブチル、ペンチル、ヘキシル、
ヘプチル、オクチル、ドデシルまたはラウリルな
どを;アルコキシとは、上で定義したアルキル基
を有する−O−アルキルを;低級アルキルとは、
直鎖または分枝鎖状C1〜5アルキル、たとえば、
メチル、エチル、n−プロピル、iso−プロピル、
n−ブチル、iso−ブチル、sec−ブチル、tert−
ブチルまたはペンチルなどを;低級アルコキシと
は、上で定義した低級アルキル基を有する−O−
低級アルキルを;アニルとは、C1〜12アシル、た
とえば、アセチル、プロピオニル、ブチリル、ベ
ンゾイル、ナフトイル、ペンタンカルボニル、シ
クロヘキサンカルボニル、フロイルまたはテノイ
ルなどを;アシルオキシとは、上で定義したアシ
ル基を有する−O−アシルを;アルキルチオと
は、上で定義したアルキル基を有する−S−アル
キルを;アルケニルとは、C2〜10アルケニル、た
とえば、ビニル、アリル、iso−プロペニル、2
−ペンテニルまたはブテニルなどを;アルキニル
とは、C2〜10アルキニル、たとえば、エチニルま
たは2−プロピニルなどを;シクロアルキルと
は、C3〜7シクロアルキル、たとえば、シクロプ
ロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロ
ヘキシルまたはシクロヘプチルなどを;シクロア
ルケニルとは、C5〜7シクロアルケニル、たとえ
ば、シクロペンテニルまたはシクロヘキセニルな
どを;アリールとは、フエニル、ナフチルまたは
インダニルを;アルアルキルとは、ベンジル、フ
エネチル、4−メチルベンジルまたはナフチルメ
チルを;複素環式基とは、酸素、窒素および硫黄
から選択された少なくとも1個の複素原子を含む
複素環式基、たとえば、フリル、チエニル、ピロ
リル、ピラゾリル、イミダゾリル、チアゾリル、
イソチアゾリル、オキサゾリル、イソオキサゾリ
ル、チアジアゾリル、オキサジアゾリル、チアト
リアゾリル、オキサトリアゾリル、トリアゾリ
ル、テトラゾリル、ピリジル、4−(5−メチル
−2−ピロリニル)、4−(2−ピロリニル)、N
−メチルピペリジニル、キノリル、フエナジニ
ル、1,3−ベンゾジオキソラニル、ベンゾフリ
ル、ベンゾチエニル、ベンゾオキサゾリル、ベン
ゾチアゾリルまたはクマリニルなどを;およびハ
ロゲン原子とは、フツ素、塩素、臭素またはヨウ
素原子を、それぞれ意味する。 本明細書中の各一般式におけるR1は、水素原
子またはカルボキシル保護基であり、カルボキシ
ル保護基としては、従来ペニシリンおよびセフア
ロスポリン系化合物の分野で通常使用されている
保護基が挙げられる。これらのカルボキシル保護
基としては、接触還元、化学的還元またはその他
の緩和な条件下で処理すれば脱離する性質を有す
るエステル形成基;生体内において容易に脱離す
るエステル形成基;水もしくはアルコールで処理
すれば容易に脱離する性質を有する有機シリル
基、有機リン基もしくは有機スズ基など;および
その他の種々の公知エステル形成基が挙げられ
る。 この種のカルボキシル保護基のうち好適なカル
ボキシル保護基としては、具体的に、つぎのもの
が挙げられる。 (イ) アルキル基。 (ロ) 置換基の少なくとも1つがハロゲン、ニト
ロ、アシル、アルコキシ、オキソ、シアノ、シ
クロアルキル、アリール、アルキルチオ、アル
キルスルフイニル、アルキルスルホニル、アル
コキシカルボニル、5−アルキル−2−オキソ
−1,3−ジオキソール−4−イル、1−イン
ダニル、2−インダニル、フリル、ピリジル、
4−イミダゾリル、フタルイミド、スクシンイ
ミド、アゼチジノ、アジリジノ、ピロリジノ、
ピペリジノ、モルホリノ、チオモルホリノ、N
−低級アルキルピペラジノ、ピロリル、ピラゾ
リル、チアゾリル、イソチアゾリル、オキサゾ
リル、イソオキサゾリル、チアジアゾリル、オ
キサジアゾリル、チアトリアゾリル、オキサト
リアゾリル、トリアゾリル、テトラゾリル、キ
ノリル、フエナジニル、ベンゾフリル、ベンゾ
チエニル、ベンゾオキサゾリル、ベンゾチアゾ
リル、クマリニル、2,5−ジメチルピロリジ
ノ、1,4,5,6−テトラヒドロピリミジニ
ル、4−メチルピペリジノ、2,6−ジメチル
ピペリジノ、4−(5−メチル−2−ピロリニ
ル)、4−(2−ピロリニル)、N−メチルピペ
リジニル、1,3−ベンゾジオキソラニル、ア
ルキルアミノ、ジアルキルアミノ、アシルオキ
シ、アシルチオ、アシルアミノ、ジアルキルア
ミノカルボニル、アルコキシカルボニルアミ
ノ、アルケニルオキシ、アリールオキシ、アル
アルキルオキシ、シクロアルキルオキシ、シク
ロアルケニルオキシ、複素環アルキルオキシ、
アルコキシカルボニルオキシ、アルケニルオキ
シカルボニルオキシ、アリールオキシカルボニ
ルオキシ、アルアルキルオキシカルボニルオキ
シ、複素環アルキルオキシカルボニルオキシ、
アルケニルオキシカルボニル、アリールオキシ
カルボニル、アルアルキルオキシカルボニル、
シクロアルキルオキシカルボニル、シクロアル
ケニルオキシカルボニル、複素環アルキルオキ
シカルボニル、アルキルアニリノまたはハロゲ
ン、低級アルキルもしくは低級アルコキシで置
換されたアルキルアニリノである置換低級アル
キル基。 (ハ) シクロアルキル基;低級アルキル置換シクロ
アルキルまたは(2,2−ジ低級アルキル−
1,3−ジオキソール−4−イル)メチル基。 (ニ) アルケニル基。 (ホ) アルキニル基。 (ヘ) フエニル基または置換基が少なくとも1つの
前記(ロ)で例示した置換基より任意に選ばれた置
換基である置換フエニル、または式 「式中、−Y1−は、−CH=CH−O−,−CH=
CH−S−,−CH2CH2S−,−CH=N−CH=
N−,−CH=CH−CH=CH−,−CO−CH=
CH−CO−または−CO−CO−CH=CH−であ
る。」 で表わされる基もしくはその置換誘導体[置換
基は前記(ロ)で例示したものより任意に選ばれ
る]、または式 「式中、−Y2−は、−(CH2)3−または−(CH2)4
−のような低級アルキレン基である。」 で表わされる基もしくはその置換誘導体[置換
基は前記(ロ)で例示したものより任意に選ばれ
る]のようなアリール基。 (ト) ベンジルまたは置換基が少なくとも1つの前
記(ロ)で例示した置換基より任意に選ばれた置換
基である置換ベンジルのようなアルアルキル
基。 (チ) 複素環式基または置換基が少なくとも1つの
前記(ロ)で例示した置換基より任意に選ばれた置
換基である置換された複素環式基。 (リ) 脂環インダニルまたはフタリジルおよび置換
基がメチルもしくはハロゲンであるそれらの置
換誘導体、脂環テトラヒドロナフチルおよび置
換基がメチルもしくはハロゲンであるその置換
誘導体またはトリチル、コレステリルもしくは
ビシクロ[4.4.0]デシルなど。 (ヌ) 脂環フタリジリデン低級アルキル基または置
換基がハロゲンもしくは低級アルキル基である
それらの置換誘導体。 さらには、4位カルボキシル基とN−ヒドロキ
シコハク酸イミド、N−ヒドロキシフタルイミ
ド、ジメチルヒドロキシアミン、ジエチルヒドロ
キシアミン、1−ヒドロキシピペリジン、オキシ
ムなどとの無水物もカルボキシル保護基として挙
げることができる。 上で例示したカルボキシル保護基は、代表例で
あり、またつぎの文献に記載されているカルボキ
シル保護基を任意に選択することもできる。 米国特許3499909号、3573296号および3641018
号;西独特許公開公報2301014号、2253287号およ
び2337105号。 それらの中で好ましいカルボキシル保護基とし
ては、たとえば、5−低級アルキル−2−オキソ
−1,3−ジオキソール−4−イル−低級アルキ
ル基、アシルオキシアルキル基、アシルチオアル
キル基、フタリジル基、インダニル基、フエニル
基、置換基を有するかもしくは有しないフタリジ
リデン低級アルキル基またはつぎの式で表わされ
る基のように生体内で容易に脱離する基が挙げら
れる。
【式】
【式】
「式中、R5は、公知の置換基を有するかもしく
は有しない直鎖もしくは分枝鎖アルキル、アルケ
ニル、アリール、アルアルキル、脂環式または複
素環式基を;R6は、水素原子または公知の置換
基を有するかもしくは有しない直鎖もしくは分枝
鎖アルキル、アルケニル、アリール、アルアルキ
ル、脂環式または複素環式基を;R7は、水素原
子、ハロゲン原子または公知の置換基を有するか
もしくは有しないアルキル、シクロアルキル、ア
リールまたは複素環式基または式−(CH2)oCO
OR6(式中、R6は、前記したと同様の意味を有
し、nは0,1または2を、それぞれ示す。)で
表わされる基を;およびmは、0,1または2
を、それぞれ意味する。」 さらに、具体的には、たとえば、5−メチル−
2−オキソ−1,3−ジオキソール−4−イル−
メチル、5−エチル−2−オキソ−1,3−ジオ
キソール−4−イル−メチルおよび5−プロピル
−2−オキソ−1,3−ジオキソール−4−イル
−メチル基などの5−低級アルキル−2−オキソ
−1,3−ジオキソール−4−イル−メチル基;
アセトキシメチル、ピバロイルオキシメチル、プ
ロピオニルオキシメチル、ブチリルオキシメチ
ル、イソブチルオキシメチル、バレリルオキシメ
チル、1−アセトキシエチル、1−アセトキシ−
n−プロピル、1−ピバロイルオキシエチルおよ
び1−ピバロイルオキシ−n−プロピル基などの
アシルオキシアルキル基;アセチルチオメチル、
ピバロイルチオメチル、ベンゾイルチオメチル、
p−クロロベンゾイルチオメチル、1−アセチル
チオエチル、1−ピバロイルチオエチル、1−ベ
ンゾイルチオエチルおよび1−(p−クロロベン
ゾイルチオ)エチル基などのアシルチオアルキル
基;メトキシメチル、エトキシメチル、プロポキ
シメチル、イソプロポキシメチルおよびn−ブチ
ルオキシメチル基などのアルコキシメチル基;メ
トキシカルボニルオキシメチル、エトキシカルボ
ニルオキシメチル、プロポキシカルボニルオキシ
メチル、イソプロポキシカルボニルオキシメチ
ル、n−ブチルオキシカルボニルオキシメチル、
tert−ブチルオキシカルボニルオキシメチル、1
−メトキシカルボニルオキシエチル、1−エトキ
シカルボニルオキシエチル、1−プロポキシカル
ボニルオキシエチル、1−イソプロポキシカルボ
ニルオキシエチルおよび1−ブチルオキシカルボ
ニルオキシエチル基などのアルコキシカルボニル
オキシアルキル基;メトキシカルボニルメチルお
よびエトキシカルボニルメチル基などのアルコキ
シカルボニルメチル基;フタリジル基;インダニ
ル基;フエニル基;並びに2−(フタリジリデン)
エチル、2−(5−フルオロフタリジリデン)エ
チル、2−(6−クロロフタリジリデン)エチル
および2−(6−メトキシフタリジリデン)エチ
ル基などのフタリジリデンアルキル基などが挙げ
られる。 また、一般式[]の化合物の塩類としては、
ペニシリンおよびセフアロスポリンの分野で通常
知られている塩基性基または酸性基における塩類
を挙げることができる。塩基性基における塩類と
しては、たとえば、塩酸、硝酸もしくは硫酸など
の鉱酸との塩;シユウ酸、コハク酸、ギ酸、トリ
クロロ酢酸もしくはトリフルオロ酢酸などの有機
カルボン酸との塩;またはメタンスルホン酸、エ
タンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸、トルエン
−2−スルホン酸、トルエン−4−スルホン酸、
メシチレンスルホン酸(2,4,6−トリメチル
ベンゼンスルホン酸)、ナフタレン−1−スルホ
ン酸、ナフタレン−2−スルホン酸、フエニルメ
タンスルホン酸、ベンゼン−1,3−ジスルホン
酸、トルエン−3,5−ジスルホン酸、ナフタレ
ン−1,5−ジスルホン酸、ナフタレン−2,6
−ジスルホン酸、ナフタレン−2,7−ジスルホ
ン酸、ベンゼン−1,3,5−トリスルホン酸、
ベンゼン−1,2,4−トリスルホン酸もしくは
ナフタレン−1,3,5−トリスルホン酸などの
スルホン酸との塩が、また酸性基における塩類と
しては、たとえば、ナトリウムもしくはカリウム
などのアルカリ金属との塩;カルシウムもしくは
マグネシウムなどのアルカリ土類金属との塩;ア
ンモニウム塩;プロカイン、ジベンジルアミン、
N−ベンジル−β−フエネチルアミン、1−エフ
エナミン、N,N−ジベンジルエチレンジアミ
ン、トリエチルアミン、トリメチルアミン、トリ
ブチルアミン、ピリジン、N,N−ジメチルアニ
リン、N−メチルピペリジン、N−メチルモルホ
リン、ジエチルアミンもしくはジシクロヘキシル
アミンなどの含窒素有機塩基との塩が挙げられ
る。 また、一般式[]において、
は有しない直鎖もしくは分枝鎖アルキル、アルケ
ニル、アリール、アルアルキル、脂環式または複
素環式基を;R6は、水素原子または公知の置換
基を有するかもしくは有しない直鎖もしくは分枝
鎖アルキル、アルケニル、アリール、アルアルキ
ル、脂環式または複素環式基を;R7は、水素原
子、ハロゲン原子または公知の置換基を有するか
もしくは有しないアルキル、シクロアルキル、ア
リールまたは複素環式基または式−(CH2)oCO
OR6(式中、R6は、前記したと同様の意味を有
し、nは0,1または2を、それぞれ示す。)で
表わされる基を;およびmは、0,1または2
を、それぞれ意味する。」 さらに、具体的には、たとえば、5−メチル−
2−オキソ−1,3−ジオキソール−4−イル−
メチル、5−エチル−2−オキソ−1,3−ジオ
キソール−4−イル−メチルおよび5−プロピル
−2−オキソ−1,3−ジオキソール−4−イル
−メチル基などの5−低級アルキル−2−オキソ
−1,3−ジオキソール−4−イル−メチル基;
アセトキシメチル、ピバロイルオキシメチル、プ
ロピオニルオキシメチル、ブチリルオキシメチ
ル、イソブチルオキシメチル、バレリルオキシメ
チル、1−アセトキシエチル、1−アセトキシ−
n−プロピル、1−ピバロイルオキシエチルおよ
び1−ピバロイルオキシ−n−プロピル基などの
アシルオキシアルキル基;アセチルチオメチル、
ピバロイルチオメチル、ベンゾイルチオメチル、
p−クロロベンゾイルチオメチル、1−アセチル
チオエチル、1−ピバロイルチオエチル、1−ベ
ンゾイルチオエチルおよび1−(p−クロロベン
ゾイルチオ)エチル基などのアシルチオアルキル
基;メトキシメチル、エトキシメチル、プロポキ
シメチル、イソプロポキシメチルおよびn−ブチ
ルオキシメチル基などのアルコキシメチル基;メ
トキシカルボニルオキシメチル、エトキシカルボ
ニルオキシメチル、プロポキシカルボニルオキシ
メチル、イソプロポキシカルボニルオキシメチ
ル、n−ブチルオキシカルボニルオキシメチル、
tert−ブチルオキシカルボニルオキシメチル、1
−メトキシカルボニルオキシエチル、1−エトキ
シカルボニルオキシエチル、1−プロポキシカル
ボニルオキシエチル、1−イソプロポキシカルボ
ニルオキシエチルおよび1−ブチルオキシカルボ
ニルオキシエチル基などのアルコキシカルボニル
オキシアルキル基;メトキシカルボニルメチルお
よびエトキシカルボニルメチル基などのアルコキ
シカルボニルメチル基;フタリジル基;インダニ
ル基;フエニル基;並びに2−(フタリジリデン)
エチル、2−(5−フルオロフタリジリデン)エ
チル、2−(6−クロロフタリジリデン)エチル
および2−(6−メトキシフタリジリデン)エチ
ル基などのフタリジリデンアルキル基などが挙げ
られる。 また、一般式[]の化合物の塩類としては、
ペニシリンおよびセフアロスポリンの分野で通常
知られている塩基性基または酸性基における塩類
を挙げることができる。塩基性基における塩類と
しては、たとえば、塩酸、硝酸もしくは硫酸など
の鉱酸との塩;シユウ酸、コハク酸、ギ酸、トリ
クロロ酢酸もしくはトリフルオロ酢酸などの有機
カルボン酸との塩;またはメタンスルホン酸、エ
タンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸、トルエン
−2−スルホン酸、トルエン−4−スルホン酸、
メシチレンスルホン酸(2,4,6−トリメチル
ベンゼンスルホン酸)、ナフタレン−1−スルホ
ン酸、ナフタレン−2−スルホン酸、フエニルメ
タンスルホン酸、ベンゼン−1,3−ジスルホン
酸、トルエン−3,5−ジスルホン酸、ナフタレ
ン−1,5−ジスルホン酸、ナフタレン−2,6
−ジスルホン酸、ナフタレン−2,7−ジスルホ
ン酸、ベンゼン−1,3,5−トリスルホン酸、
ベンゼン−1,2,4−トリスルホン酸もしくは
ナフタレン−1,3,5−トリスルホン酸などの
スルホン酸との塩が、また酸性基における塩類と
しては、たとえば、ナトリウムもしくはカリウム
などのアルカリ金属との塩;カルシウムもしくは
マグネシウムなどのアルカリ土類金属との塩;ア
ンモニウム塩;プロカイン、ジベンジルアミン、
N−ベンジル−β−フエネチルアミン、1−エフ
エナミン、N,N−ジベンジルエチレンジアミ
ン、トリエチルアミン、トリメチルアミン、トリ
ブチルアミン、ピリジン、N,N−ジメチルアニ
リン、N−メチルピペリジン、N−メチルモルホ
リン、ジエチルアミンもしくはジシクロヘキシル
アミンなどの含窒素有機塩基との塩が挙げられ
る。 また、一般式[]において、
【式】で表わされる基のR2
が、水素原子の場合は、つぎの平衡式:
で示すように互変異性体が存在するが、それらの
互変異性体も包含される。 つぎに、本発明方法について説明する。 本発明方法は、つぎのとおりである。 「式中、R1、R2、R3、R4、Zおよび環中の点
線は、前記したと同様の意味を有し;Xは、置換
基を有していてもよいアシルオキシまたはカルバ
モイルオキシ基を示す。」 すなわち、本発明方法は、一般式[]のセフ
アロスポラン酸類またはそれらの塩類に、酸また
は酸の錯化合物の存在下、一般式[]の1−置
換または非置換−2,3−ジオキソ−1,2,
3,4−テトラヒドロピラジンまたはその塩を反
応させ、所望によりついでエステル形成基の脱離
またはカルボキシル基をエステル化もしくは塩に
誘導することにより、一般式[]の7−アミノ
−3−{[1−(4−置換または非置換−2,3−
ジオキソ−1,2,3,4−テトラヒドロピラジ
ニル)]メチル}−セフエム−4−カルボン酸類ま
たはそれらの塩類を、高収率かつ高純度に製造す
ることができる。 以下、さらに本発明方法を詳細に説明する。 一般式[]におけるXのアシルオキシおよび
カルバモイルオキシ基としては、たとえば、アセ
トキシ、プロピオニルオキシおよびブチリルオキ
シなどのアルカノイルオキシ基;アクリロイルオ
キシのようなアルケノイルオキシ基;ベンゾイル
オキシおよびナフトイルオキシなどのアロイルオ
キシ基;並びにカルバモイルオキシ基が挙げら
れ、これらは、ハロゲン原子、ニトロ基、アルキ
ル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アシルオ
キシ基、アシルアミノ基、ヒドロキシル基、アミ
ノ基、カルボキシル基、スルフアモイル基、カル
バモイル基、アルコキシカルボニルカルバモイル
基、アロイルカルバモイル基、アルコキシカルボ
ニルスルフアモイル基、アリール基およびカルバ
モイルオキシ基などの一種または二種以上の置換
基で置換されていてもよい。 上述したXの置換基において、ヒドロキシル
基、アミノ基およびカルボキシル基などは、通常
用いられる保護基で保護されていてもよい。 ここにおいてヒドロキシル基の保護基として
は、通常ヒドロキシル保護基として使用し得るす
べての基を含み、たとえば、ベンジルオキシカル
ボニル、4−ニトロベンジルオキシカルボニル、
4−ブロモベンジルオキシカルボニル、4−メト
キシベンジルオキシカルボニル、3,4−ジメト
キシベンジルオキシカルボニル、4−(フエニル
アゾ)ベンジルオキシカルボニル、4−(4−メ
トキシフエニルアゾ)ベンジルオキシカルボニ
ル、tert−ブトキシカルボニル、1,1−ジメチ
ルプロポキシカルボニル、イソプロポキシカルボ
ニル、ジフエニルメトキシカルボニル、2,2,
2−トリクロロエトキシカルボニル、2,2,2
−トリブロモエトキシカルボニル、2−フルフリ
ルオキシカルボニル、1−アダマンチルオキシカ
ルボニル、1−シクロプロピルエトキシカルボニ
ル、8−キノリルオキカルボニル、ホルミル、ア
セチル、クロロアセチル、ベンゾイルもしくはト
リフルオロアセチルなどの脱離しやすいアシル
基;メタンスルホニルもしくはエタンスルホニル
などのアルキルスルホニル基;フエニルスルホニ
ルもしくはトルエンスルホニルなどのアリールス
ルホニル基;またはベンジル、トリチル、メトキ
シメチル、テトラヒドロピラニル、テトラヒドロ
フラニル、2−ニトロフエニルチオもしくは2,
4−ジニトロフエニルチオ基などが挙げられる。 また、アミノ基の保護基としては、通常アミノ
保護基として使用し得るすべての基を含み、たと
えば、トリクロロエトキシカルボニル、トリブロ
モエトキシカルボニル、ベンジルオキシカルボニ
ル、p−トルエンスルホニル、p−ニトロベンジ
ルオキシカルボニル、o−ブロモベンジルオキシ
カルボニル、o−ニトロフエニルスルフイニル、
(モノー、ジー、トリー)クロロアセチル、トリ
フルオロアセチル、ホルミル、tert−アミルオキ
シカルボニル、tert−ブトキシカルボニル、p−
メトキシベンジルオキシカルボニル、3,4−ジ
メトキシベンジルオキシカルボニル、4−(フエ
ニルアゾ)ベンジルオキシカルボニル、4−(4
−メトキシフエニルアゾ)ベンジルオキシカルボ
ニル、ピリジン−1−オキサイド−2−イル−メ
トキシカルボニル、2−フルフリルオキシカルボ
ニル、ジフエニルメトキシカルボニル、1,1−
ジメチルプロポキシカルボニル、イソプロポキシ
カルボニル、1−シクロプロピルエトキシカルボ
ニル、フタロイル、スクシニル、1−アダマンチ
ルオキシカルボニルもしくは8−キノリルオキシ
カルボニルなどの脱離しやすいアシル基;トリチ
ル、2−ニトロフエニルチオ、2,4−ジニトロ
フエニルチオ、2−ヒドロキシベンジリデン、2
−ヒドロキシ−5−クロロベンジリデン、2−ヒ
ドロキシ−1−ナフチルメチレン、3−ヒドロキ
シ−4−ピリジルメチレン、1−メトキシカルボ
ニル−2−プロピリデン、1−エトキシカルボニ
ル−2−プロピリデン、3−エトキシカルボニル
−2−ブチリデン、1−アセチル−2−プロピリ
デン、1−ベンゾイル−2−プロピリデン、1−
[N−(2−メトキシフエニル)カルバモイル]−
2−プロピリデン、1−[N−(4−メトキシフエ
ニル)カルバモイル]−2−プロピリデン、2−
エトキシカルボニルシクロヘキシリデン、2−エ
トキシカルボニルシクロペンチリデン、2−アセ
チルシクロヘキシリデンもしくは3,3−ジメチ
ル−5−オキソシクロヘキシリデンなどの脱離し
やすい基;またはジーもしくはトリーアルキルシ
リルなどのシリル基などが挙げられる。 さらに、カルボキシル基の保護基としては、通
常カルボキシル保護基として使用し得るすべての
基を含み、たとえば、メチル、エチル、n−プロ
ピル、iso−プロピル、tert−ブチル、n−ブチ
ル、ベンジル、ジフエニルメチル、トリチル、p
−ニトロベンジル、p−メトキシベンジル、ベン
ゾイルメチル、アセチルメチル、p−ニトロベン
ゾイルメチル、p−ブロモベンゾイルメチル、p
−メタンスルホニルベンゾイルメチル、フタルイ
ミドメチル、2,2,2−トリクロロエチル、
1,1−ジメチル−2−プロペニル、1,1−ジ
メチルプロピル、アセトキシメチル、プロピオニ
ルオキシメチル、ピバロイルオキシメチル、3−
メチル−3−ブテニル、スクシンイミドメチル、
1−シクロプロピルエチル、メチルスルフイニル
メチル、フエニルチオメチル、ジメチルアミノメ
チル、キノリン−1−オキサイド−2−イル−メ
チル、ピリジン−1−オキサイド−2−イル−メ
チルもしくはビス(p−メトキシフエニル)メチ
ルなどの基で保護されている場合、または四塩化
チタンのような非金属化合物で保護されている場
合、さらに、特開昭46−7073およびオランダ国公
開公報7105259号に記載されている、たとえば、
ジメチルクロロシランのようなシリル化合物で保
護されている場合などが挙げられる。 また、一般式[]の化合物の塩類および一般
式[]の化合物の塩としては、一般式[]の
化合物の塩類について説明したと同様の塩類が挙
げられる。 まず、原料化合物である一般式[]の1−置
換または非置換−2,3−ジオキソ−1,2,
3,4−テトラヒドロピラジンまたはその塩は、
ジヤーナル・オブ・ザ・ケミカル・ソサイエテ
イ・パーキンI(Journal of the Chemical
Society PerkinI)、第1888〜1890頁(1975年)に
記載の方法によつて得ることができる。 この原料には、互変異性体が存在することもあ
るが、この反応にはいずれの異性体でも、また混
合物の状態でも反応に供することができる。 さらに、1−置換−2,3−ジオキソ−1,
2,3,4−テトラヒドロピラジンにおいて、1
位の置換基に塩基性基または酸性基を有する場合
は、必要に応じ、それぞれの形で反応に供しても
よく、その場合の塩基性基における塩および酸性
基における塩としては、一般式[]のセフアロ
スポリンの塩類について説明したと同様の塩基性
基および酸性基における塩類が挙げられる。 なお、一般式[]の化合物の塩類は、予め単
離して用いてもよく、あるいは系内で調製しても
よい。 この反応において使用される酸または酸の錯化
合物としては、たとえば、プロトン酸、ルイス酸
またはルイス酸の錯化合物が挙げられる。 プロトン酸としては、たとえば、硫酸類、スル
ホン酸類および超強酸類(超強酸とは、100%硫
酸より強い酸を意味し、前述の硫酸類およびスル
ホン酸類の一部も含まれる。)が挙げられ、さら
に、具体的には、硫酸、クロロ硫酸およびフルオ
ロ硫酸などの硫酸類;メタンスルホン酸およびト
リフルオロメタンスルホン酸などのアルキル(モ
ノーまたはジー)スルホン酸およびp−トルエン
スルホン酸などのアリール(モノー、ジーまたは
トリー)スルホン酸などのスルホン酸類;並びに
過塩素酸、マジツク酸(FSO3H−SbF5)、
FSO3H−AsF5、CF3SO3H−SbF5、HF−BF3お
よびH2SO4−SO3などの超強酸が挙げられる。 また、ルイス酸としては、たとえば、三弗化硼
素などが挙げられる。 さらに、ルイス酸の錯化合物としては、たとえ
ば、三弗化硼素とジエチルエーテル、ジ−n−プ
ロピルエールもしくはジ−n−ブチルエーテルな
どとのジアルキルエーテル錯塩;エチルアミン、
n−プロピルアミン、n−ブチルアミンもしくは
トリエタノールアミンなどとのアミン錯塩;ギ酸
エチルもしくは酢酸エチルなどとのカルボン酸エ
ステル錯塩;酢酸もしくはプロピオン酸などとの
脂肪酸錯塩;またはアセトニトリルもしくはプロ
ピオニトリルなどとのニトリル錯塩などが挙げら
れる。 また、この反応においては有機溶媒を用いるの
が好ましく、ここで用いられる有機溶媒として
は、反応に不活性なすべての有機溶媒を挙げるこ
とができ、たとえば、ニトロメタン、ニトロエタ
ンおよびニトロプロパンなどのニトロアルカン
類;ギ酸、酢酸、トリフルオロ酢酸、ジクロロ酢
酸およびプロピオン酸などの有機カルボン酸類;
アセトン、メチルエチルケトンおよびメチルイソ
ブチルケトンなどのケトン類;ジエチルエーテ
ル、ジイソプロピルエーテル、ジオキサン、テト
ラヒドロフラン、エチレングリコールジメチルエ
ーテル、アニソールおよびジメチルセロソルブな
どのエーテル類;ギ酸エチル、炭酸ジエチル、酢
酸メチル、酢酸エチル、クロロ酢酸エチルおよび
酢酸ブチルなどのエステル類;アセトニトリルお
よびブチロニトリルなどのニトリル類;並びにス
ルホランのようなスルホラン類などが挙げられ、
これらの溶媒を二種以上混合して用いてもよい。 また、これらの有機溶媒とルイス酸とで形成さ
れる錯化合物を溶媒として使用することもでき
る。 酸または酸の錯化合物の使用量は、一般式
[]の化合物またはそれらの塩類に対し、等モ
ル以上であればよく、好ましくは2〜10倍モルで
あり、使用される原料および溶媒などに応じ適宜
増減すればよい。 酸の錯化合物を用いる場合には、それ自体を溶
媒として用いることができ、二種以上の錯化合物
を混合して用いてもよい。 また、この反応の原料化合物である一般式
[]の1−置換または非置換−2,3−ジオキ
ソ−1,2,3,4−テトラヒドロピラジンまた
はその塩の使用量は、一般式[]の化合物また
はそれらの塩類に対し、等モル以上であればよ
く、好ましくは、1.0〜5.5.0倍モル量である。 反応温度および反応時間は、使用される原料お
よび溶媒などに応じ適宜変更すればよく、通常、
0〜80℃で、数分〜数十時間である。 この反応の系内に水分があると原料または生成
物のラクトン化およびβ−ラクタム環の開裂など
の好ましくない副反応を惹起することがあるの
で、反応系内を無水の状態に保つことが望まし
い。この条件を満たすために、反応系内に適当な
脱水剤、たとえば、五酸化リン、ポリリン酸、五
塩化リン、三塩化リンもしくはオキシ塩化リンな
どのリン化合物;N,O−ビス(トリメチルシリ
ル)アセトアミド、トリメチルシリルアセトアミ
ド、トリメチルクロロシランもしくはジメチルジ
クロロシランなどの有機シリル化剤;アセチルク
ロリドもしくはp−トルエンスルホニルクロリド
などの有機酸クロリド;無水酢酸もしくは無水ト
リフルオロ酢酸などの酸無水物;または無水硫酸
などの酸無水物;または無水硫酸マグネシム、無
水塩化カルシウム、モノキユラーシーブもしくは
カルシウムカーバイドなどの無機乾燥剤などを添
加してもよい。 本発明方法によれば、△3−セフエム化合物も
△2−セフエム化合物も好ましい結果を得ること
ができ、一般式[]のセフアロスポラン酸類ま
たはその塩類として△2−セフエム化合物を用い
ても、反応後得られた△2−セフエム化合物を常
法により、一般式[]の△3−セフエム化合物
に変換することができる。 また、ZがSである化合物のみならず、
ZがS→Oである化合物も原料化合物として用
いることができ、その場合、常法により反応中ま
たは後処理の段階でS→OをSに変換するこ
とができる。 また、R1がカルボキシル保護基である一般式
[]の化合物を原料として使用した場合、反応
後の処理により、R1が水素原子である、対応す
る一般式[]の化合物が得られることもある
が、所望により保護基を常法で脱離させ、R1が
水素原子である一般式[]の化合物を得ること
もできる。 このようにして得られた本発明の一般式[]
の化合物は、その7位に、アシル基、たとえば、
2−(2−アミノチアゾール−4−イル)アセチ
ル、2−(2−アミノチアゾール−4−イル)−2
−(シン)−メトキシイミノアセチル、2−(2−
アミノチアゾール−4−イル)−2−(シン)−ヒ
ドロキシイミノアセチル、2−(2−アミノチア
ゾール−4−イル)−2−(シン)−カルボキシメ
トキシイミノアセチルまたは2−(2−アミノチ
アゾール−4−イル)−2−(シン)−(2−カルボ
キシプロプ−2−オキソイミノ)アセチルなどを
導入することにより、種々の有用なセフアロスポ
リン系化合物へと誘導できる。 つぎに、本発明を実施例および参考例を挙げて
説明するが、本発明は、これらに限定されるもの
ではない。 実施例 1 三弗化硼素2.71gを含む酢酸エチル溶液10ml
に、7−アミノセフアロスポラン酸(以下、7−
ACAと略記する。)2.72gおよび4−エチル−
2,3−ジオキソ−1,2,3,4−テトラヒド
ロピラジン1.54gを加え、室温で16時間反応させ
る。反応終了後、反応混合物を氷冷下、メタノー
ル50mlに導入し、ついで、ピリジン3.16gを滴下
する。析出晶を取し、メタノール30mlで十分洗
浄し、乾燥すれば、融点191〜195℃(分割)を示
す7−アミノ−3−{[1−(4−エチル−2,3
−ジオキソ−1,2,3,4−テトラヒドロピラ
ジニル)]メチル}−△3−セフエム−4−カルボ
ン酸3.10g(収率88.1%)を得る。 IR(KBr)cm-1;νC=O1795、1670、1620 NMR (CF3COOD)δ値; 1.44(3H、t、J=7Hz、NCH2CH3)、 3.69(2H、bs、C2−H)、 4.08(2H、q、J=7Hz、NCH2CH3)、 5.14、5.51(2H、ABq、J=15Hz、
互変異性体も包含される。 つぎに、本発明方法について説明する。 本発明方法は、つぎのとおりである。 「式中、R1、R2、R3、R4、Zおよび環中の点
線は、前記したと同様の意味を有し;Xは、置換
基を有していてもよいアシルオキシまたはカルバ
モイルオキシ基を示す。」 すなわち、本発明方法は、一般式[]のセフ
アロスポラン酸類またはそれらの塩類に、酸また
は酸の錯化合物の存在下、一般式[]の1−置
換または非置換−2,3−ジオキソ−1,2,
3,4−テトラヒドロピラジンまたはその塩を反
応させ、所望によりついでエステル形成基の脱離
またはカルボキシル基をエステル化もしくは塩に
誘導することにより、一般式[]の7−アミノ
−3−{[1−(4−置換または非置換−2,3−
ジオキソ−1,2,3,4−テトラヒドロピラジ
ニル)]メチル}−セフエム−4−カルボン酸類ま
たはそれらの塩類を、高収率かつ高純度に製造す
ることができる。 以下、さらに本発明方法を詳細に説明する。 一般式[]におけるXのアシルオキシおよび
カルバモイルオキシ基としては、たとえば、アセ
トキシ、プロピオニルオキシおよびブチリルオキ
シなどのアルカノイルオキシ基;アクリロイルオ
キシのようなアルケノイルオキシ基;ベンゾイル
オキシおよびナフトイルオキシなどのアロイルオ
キシ基;並びにカルバモイルオキシ基が挙げら
れ、これらは、ハロゲン原子、ニトロ基、アルキ
ル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アシルオ
キシ基、アシルアミノ基、ヒドロキシル基、アミ
ノ基、カルボキシル基、スルフアモイル基、カル
バモイル基、アルコキシカルボニルカルバモイル
基、アロイルカルバモイル基、アルコキシカルボ
ニルスルフアモイル基、アリール基およびカルバ
モイルオキシ基などの一種または二種以上の置換
基で置換されていてもよい。 上述したXの置換基において、ヒドロキシル
基、アミノ基およびカルボキシル基などは、通常
用いられる保護基で保護されていてもよい。 ここにおいてヒドロキシル基の保護基として
は、通常ヒドロキシル保護基として使用し得るす
べての基を含み、たとえば、ベンジルオキシカル
ボニル、4−ニトロベンジルオキシカルボニル、
4−ブロモベンジルオキシカルボニル、4−メト
キシベンジルオキシカルボニル、3,4−ジメト
キシベンジルオキシカルボニル、4−(フエニル
アゾ)ベンジルオキシカルボニル、4−(4−メ
トキシフエニルアゾ)ベンジルオキシカルボニ
ル、tert−ブトキシカルボニル、1,1−ジメチ
ルプロポキシカルボニル、イソプロポキシカルボ
ニル、ジフエニルメトキシカルボニル、2,2,
2−トリクロロエトキシカルボニル、2,2,2
−トリブロモエトキシカルボニル、2−フルフリ
ルオキシカルボニル、1−アダマンチルオキシカ
ルボニル、1−シクロプロピルエトキシカルボニ
ル、8−キノリルオキカルボニル、ホルミル、ア
セチル、クロロアセチル、ベンゾイルもしくはト
リフルオロアセチルなどの脱離しやすいアシル
基;メタンスルホニルもしくはエタンスルホニル
などのアルキルスルホニル基;フエニルスルホニ
ルもしくはトルエンスルホニルなどのアリールス
ルホニル基;またはベンジル、トリチル、メトキ
シメチル、テトラヒドロピラニル、テトラヒドロ
フラニル、2−ニトロフエニルチオもしくは2,
4−ジニトロフエニルチオ基などが挙げられる。 また、アミノ基の保護基としては、通常アミノ
保護基として使用し得るすべての基を含み、たと
えば、トリクロロエトキシカルボニル、トリブロ
モエトキシカルボニル、ベンジルオキシカルボニ
ル、p−トルエンスルホニル、p−ニトロベンジ
ルオキシカルボニル、o−ブロモベンジルオキシ
カルボニル、o−ニトロフエニルスルフイニル、
(モノー、ジー、トリー)クロロアセチル、トリ
フルオロアセチル、ホルミル、tert−アミルオキ
シカルボニル、tert−ブトキシカルボニル、p−
メトキシベンジルオキシカルボニル、3,4−ジ
メトキシベンジルオキシカルボニル、4−(フエ
ニルアゾ)ベンジルオキシカルボニル、4−(4
−メトキシフエニルアゾ)ベンジルオキシカルボ
ニル、ピリジン−1−オキサイド−2−イル−メ
トキシカルボニル、2−フルフリルオキシカルボ
ニル、ジフエニルメトキシカルボニル、1,1−
ジメチルプロポキシカルボニル、イソプロポキシ
カルボニル、1−シクロプロピルエトキシカルボ
ニル、フタロイル、スクシニル、1−アダマンチ
ルオキシカルボニルもしくは8−キノリルオキシ
カルボニルなどの脱離しやすいアシル基;トリチ
ル、2−ニトロフエニルチオ、2,4−ジニトロ
フエニルチオ、2−ヒドロキシベンジリデン、2
−ヒドロキシ−5−クロロベンジリデン、2−ヒ
ドロキシ−1−ナフチルメチレン、3−ヒドロキ
シ−4−ピリジルメチレン、1−メトキシカルボ
ニル−2−プロピリデン、1−エトキシカルボニ
ル−2−プロピリデン、3−エトキシカルボニル
−2−ブチリデン、1−アセチル−2−プロピリ
デン、1−ベンゾイル−2−プロピリデン、1−
[N−(2−メトキシフエニル)カルバモイル]−
2−プロピリデン、1−[N−(4−メトキシフエ
ニル)カルバモイル]−2−プロピリデン、2−
エトキシカルボニルシクロヘキシリデン、2−エ
トキシカルボニルシクロペンチリデン、2−アセ
チルシクロヘキシリデンもしくは3,3−ジメチ
ル−5−オキソシクロヘキシリデンなどの脱離し
やすい基;またはジーもしくはトリーアルキルシ
リルなどのシリル基などが挙げられる。 さらに、カルボキシル基の保護基としては、通
常カルボキシル保護基として使用し得るすべての
基を含み、たとえば、メチル、エチル、n−プロ
ピル、iso−プロピル、tert−ブチル、n−ブチ
ル、ベンジル、ジフエニルメチル、トリチル、p
−ニトロベンジル、p−メトキシベンジル、ベン
ゾイルメチル、アセチルメチル、p−ニトロベン
ゾイルメチル、p−ブロモベンゾイルメチル、p
−メタンスルホニルベンゾイルメチル、フタルイ
ミドメチル、2,2,2−トリクロロエチル、
1,1−ジメチル−2−プロペニル、1,1−ジ
メチルプロピル、アセトキシメチル、プロピオニ
ルオキシメチル、ピバロイルオキシメチル、3−
メチル−3−ブテニル、スクシンイミドメチル、
1−シクロプロピルエチル、メチルスルフイニル
メチル、フエニルチオメチル、ジメチルアミノメ
チル、キノリン−1−オキサイド−2−イル−メ
チル、ピリジン−1−オキサイド−2−イル−メ
チルもしくはビス(p−メトキシフエニル)メチ
ルなどの基で保護されている場合、または四塩化
チタンのような非金属化合物で保護されている場
合、さらに、特開昭46−7073およびオランダ国公
開公報7105259号に記載されている、たとえば、
ジメチルクロロシランのようなシリル化合物で保
護されている場合などが挙げられる。 また、一般式[]の化合物の塩類および一般
式[]の化合物の塩としては、一般式[]の
化合物の塩類について説明したと同様の塩類が挙
げられる。 まず、原料化合物である一般式[]の1−置
換または非置換−2,3−ジオキソ−1,2,
3,4−テトラヒドロピラジンまたはその塩は、
ジヤーナル・オブ・ザ・ケミカル・ソサイエテ
イ・パーキンI(Journal of the Chemical
Society PerkinI)、第1888〜1890頁(1975年)に
記載の方法によつて得ることができる。 この原料には、互変異性体が存在することもあ
るが、この反応にはいずれの異性体でも、また混
合物の状態でも反応に供することができる。 さらに、1−置換−2,3−ジオキソ−1,
2,3,4−テトラヒドロピラジンにおいて、1
位の置換基に塩基性基または酸性基を有する場合
は、必要に応じ、それぞれの形で反応に供しても
よく、その場合の塩基性基における塩および酸性
基における塩としては、一般式[]のセフアロ
スポリンの塩類について説明したと同様の塩基性
基および酸性基における塩類が挙げられる。 なお、一般式[]の化合物の塩類は、予め単
離して用いてもよく、あるいは系内で調製しても
よい。 この反応において使用される酸または酸の錯化
合物としては、たとえば、プロトン酸、ルイス酸
またはルイス酸の錯化合物が挙げられる。 プロトン酸としては、たとえば、硫酸類、スル
ホン酸類および超強酸類(超強酸とは、100%硫
酸より強い酸を意味し、前述の硫酸類およびスル
ホン酸類の一部も含まれる。)が挙げられ、さら
に、具体的には、硫酸、クロロ硫酸およびフルオ
ロ硫酸などの硫酸類;メタンスルホン酸およびト
リフルオロメタンスルホン酸などのアルキル(モ
ノーまたはジー)スルホン酸およびp−トルエン
スルホン酸などのアリール(モノー、ジーまたは
トリー)スルホン酸などのスルホン酸類;並びに
過塩素酸、マジツク酸(FSO3H−SbF5)、
FSO3H−AsF5、CF3SO3H−SbF5、HF−BF3お
よびH2SO4−SO3などの超強酸が挙げられる。 また、ルイス酸としては、たとえば、三弗化硼
素などが挙げられる。 さらに、ルイス酸の錯化合物としては、たとえ
ば、三弗化硼素とジエチルエーテル、ジ−n−プ
ロピルエールもしくはジ−n−ブチルエーテルな
どとのジアルキルエーテル錯塩;エチルアミン、
n−プロピルアミン、n−ブチルアミンもしくは
トリエタノールアミンなどとのアミン錯塩;ギ酸
エチルもしくは酢酸エチルなどとのカルボン酸エ
ステル錯塩;酢酸もしくはプロピオン酸などとの
脂肪酸錯塩;またはアセトニトリルもしくはプロ
ピオニトリルなどとのニトリル錯塩などが挙げら
れる。 また、この反応においては有機溶媒を用いるの
が好ましく、ここで用いられる有機溶媒として
は、反応に不活性なすべての有機溶媒を挙げるこ
とができ、たとえば、ニトロメタン、ニトロエタ
ンおよびニトロプロパンなどのニトロアルカン
類;ギ酸、酢酸、トリフルオロ酢酸、ジクロロ酢
酸およびプロピオン酸などの有機カルボン酸類;
アセトン、メチルエチルケトンおよびメチルイソ
ブチルケトンなどのケトン類;ジエチルエーテ
ル、ジイソプロピルエーテル、ジオキサン、テト
ラヒドロフラン、エチレングリコールジメチルエ
ーテル、アニソールおよびジメチルセロソルブな
どのエーテル類;ギ酸エチル、炭酸ジエチル、酢
酸メチル、酢酸エチル、クロロ酢酸エチルおよび
酢酸ブチルなどのエステル類;アセトニトリルお
よびブチロニトリルなどのニトリル類;並びにス
ルホランのようなスルホラン類などが挙げられ、
これらの溶媒を二種以上混合して用いてもよい。 また、これらの有機溶媒とルイス酸とで形成さ
れる錯化合物を溶媒として使用することもでき
る。 酸または酸の錯化合物の使用量は、一般式
[]の化合物またはそれらの塩類に対し、等モ
ル以上であればよく、好ましくは2〜10倍モルで
あり、使用される原料および溶媒などに応じ適宜
増減すればよい。 酸の錯化合物を用いる場合には、それ自体を溶
媒として用いることができ、二種以上の錯化合物
を混合して用いてもよい。 また、この反応の原料化合物である一般式
[]の1−置換または非置換−2,3−ジオキ
ソ−1,2,3,4−テトラヒドロピラジンまた
はその塩の使用量は、一般式[]の化合物また
はそれらの塩類に対し、等モル以上であればよ
く、好ましくは、1.0〜5.5.0倍モル量である。 反応温度および反応時間は、使用される原料お
よび溶媒などに応じ適宜変更すればよく、通常、
0〜80℃で、数分〜数十時間である。 この反応の系内に水分があると原料または生成
物のラクトン化およびβ−ラクタム環の開裂など
の好ましくない副反応を惹起することがあるの
で、反応系内を無水の状態に保つことが望まし
い。この条件を満たすために、反応系内に適当な
脱水剤、たとえば、五酸化リン、ポリリン酸、五
塩化リン、三塩化リンもしくはオキシ塩化リンな
どのリン化合物;N,O−ビス(トリメチルシリ
ル)アセトアミド、トリメチルシリルアセトアミ
ド、トリメチルクロロシランもしくはジメチルジ
クロロシランなどの有機シリル化剤;アセチルク
ロリドもしくはp−トルエンスルホニルクロリド
などの有機酸クロリド;無水酢酸もしくは無水ト
リフルオロ酢酸などの酸無水物;または無水硫酸
などの酸無水物;または無水硫酸マグネシム、無
水塩化カルシウム、モノキユラーシーブもしくは
カルシウムカーバイドなどの無機乾燥剤などを添
加してもよい。 本発明方法によれば、△3−セフエム化合物も
△2−セフエム化合物も好ましい結果を得ること
ができ、一般式[]のセフアロスポラン酸類ま
たはその塩類として△2−セフエム化合物を用い
ても、反応後得られた△2−セフエム化合物を常
法により、一般式[]の△3−セフエム化合物
に変換することができる。 また、ZがSである化合物のみならず、
ZがS→Oである化合物も原料化合物として用
いることができ、その場合、常法により反応中ま
たは後処理の段階でS→OをSに変換するこ
とができる。 また、R1がカルボキシル保護基である一般式
[]の化合物を原料として使用した場合、反応
後の処理により、R1が水素原子である、対応す
る一般式[]の化合物が得られることもある
が、所望により保護基を常法で脱離させ、R1が
水素原子である一般式[]の化合物を得ること
もできる。 このようにして得られた本発明の一般式[]
の化合物は、その7位に、アシル基、たとえば、
2−(2−アミノチアゾール−4−イル)アセチ
ル、2−(2−アミノチアゾール−4−イル)−2
−(シン)−メトキシイミノアセチル、2−(2−
アミノチアゾール−4−イル)−2−(シン)−ヒ
ドロキシイミノアセチル、2−(2−アミノチア
ゾール−4−イル)−2−(シン)−カルボキシメ
トキシイミノアセチルまたは2−(2−アミノチ
アゾール−4−イル)−2−(シン)−(2−カルボ
キシプロプ−2−オキソイミノ)アセチルなどを
導入することにより、種々の有用なセフアロスポ
リン系化合物へと誘導できる。 つぎに、本発明を実施例および参考例を挙げて
説明するが、本発明は、これらに限定されるもの
ではない。 実施例 1 三弗化硼素2.71gを含む酢酸エチル溶液10ml
に、7−アミノセフアロスポラン酸(以下、7−
ACAと略記する。)2.72gおよび4−エチル−
2,3−ジオキソ−1,2,3,4−テトラヒド
ロピラジン1.54gを加え、室温で16時間反応させ
る。反応終了後、反応混合物を氷冷下、メタノー
ル50mlに導入し、ついで、ピリジン3.16gを滴下
する。析出晶を取し、メタノール30mlで十分洗
浄し、乾燥すれば、融点191〜195℃(分割)を示
す7−アミノ−3−{[1−(4−エチル−2,3
−ジオキソ−1,2,3,4−テトラヒドロピラ
ジニル)]メチル}−△3−セフエム−4−カルボ
ン酸3.10g(収率88.1%)を得る。 IR(KBr)cm-1;νC=O1795、1670、1620 NMR (CF3COOD)δ値; 1.44(3H、t、J=7Hz、NCH2CH3)、 3.69(2H、bs、C2−H)、 4.08(2H、q、J=7Hz、NCH2CH3)、 5.14、5.51(2H、ABq、J=15Hz、
【式】)、
5.48(2H、s、C6−H、C7−H)、
6.74、7.00(2H、ABq、J=6Hz、
【式】)
実施例 2
三弗化硼素2.72gを含む酢酸エチル溶液10ml
に、7−ACA2.72gおよび4−n−ペンチル−
2,3−ジオキソ−1,2,3,4−テトラヒド
ロピラジン2.0gを加え、室温で16時間反応させ
る。反応終了後、反応混合物を氷水15mlに導入
し、氷冷下、28%アンモニア水でPH3.5に調整す
る。析出晶を取し、水5mlおよびアセトン5ml
で順次洗浄し、乾燥すれば、融点196〜199℃(分
解)を示す7−アミノ−3−{[1−(4−n−ペ
ンチル−2,3−ジオキソ−1,2,3,4−テ
トラヒドロピラジニル)]メチル−△3−セフエム
−4−カルボン酸3.22g(収率81.7%)を得る。 IR(KBr)cm-1;νC=O1800、1678、1630 NMR(d6−DMSO+CF3COOD)δ値; 0.91(3H、t、J=7Hz、N(CH2)4CH3)、 1.10〜1.95(6H、m、NCH2(CH2)3CH3)、 3.63(2H、bs、C2−H)、 3.77(2H、t、J=7Hz、NCH2
(CH2)3CH3)、 4.34、4.82(2H、ABq、J=15Hz、
に、7−ACA2.72gおよび4−n−ペンチル−
2,3−ジオキソ−1,2,3,4−テトラヒド
ロピラジン2.0gを加え、室温で16時間反応させ
る。反応終了後、反応混合物を氷水15mlに導入
し、氷冷下、28%アンモニア水でPH3.5に調整す
る。析出晶を取し、水5mlおよびアセトン5ml
で順次洗浄し、乾燥すれば、融点196〜199℃(分
解)を示す7−アミノ−3−{[1−(4−n−ペ
ンチル−2,3−ジオキソ−1,2,3,4−テ
トラヒドロピラジニル)]メチル−△3−セフエム
−4−カルボン酸3.22g(収率81.7%)を得る。 IR(KBr)cm-1;νC=O1800、1678、1630 NMR(d6−DMSO+CF3COOD)δ値; 0.91(3H、t、J=7Hz、N(CH2)4CH3)、 1.10〜1.95(6H、m、NCH2(CH2)3CH3)、 3.63(2H、bs、C2−H)、 3.77(2H、t、J=7Hz、NCH2
(CH2)3CH3)、 4.34、4.82(2H、ABq、J=15Hz、
【式】
5.32(2H、bs、C6−H、C7−H)
6.76(2H、bs、
【式】)
同様にして、表−1の化合物を得た。
なお、表−1中のR2は、つぎの式の置換基を
示す。
示す。
【表】
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 一般式 「式中、R1は、水素原子またはカルボキシル保
護基を;R2は、水素原子またはアシルオキシ基
で置換されていてもよいアルキル、シクロアルキ
ル、アルアルキルもしくはジアルキルアミノ基
を;R3は、水素原子またはアルコキシ基を;R4
は、アミノ基を;Zは、SまたはS→O
を;および環中の点線は、2〜3または3〜4位
間が二重結合であることを、それぞれ意味する。」 で表わされる7−アミノ−3−{[1−(4−置換
または非置換−2,3−ジオキソ−1,2,3,
4−テトラヒドロピラジニル)]メチル}−セフエ
ム−4−カルボン酸類およびその塩類。 2 点線で表わされる二重結合が、3〜4位間に
あるΔ3−セフエム化合物である特許請求の範囲
第1項記載の7−アミノ−3−{[1−(4−置換
または非置換−2,3−ジオキソ−1,2,3,
4−テトラヒドロピラジニル)]メチル}−セフエ
ム−4−カルボン酸類およびそれらの塩類。 3 Zが、Sである特許請求の範囲第1また
は2項記載の7−アミノ−3−{[1−(4−置換
または非置換−2,3−ジオキソ−1,2,3,
4−テトラヒドロピラジニル)]メチル}−セフエ
ム−4−カルボン酸類およびそれらの塩類。 4 R3が、水素原子である特許請求の範囲第1
〜3項いずれかの項記載の7−アミノ−3−{[1
−(4−置換または非置換−2,3−ジオキソ−
1,2,3,4−テトラヒドロピラジニル)]メ
チル}−セフエム−4−カルボン酸類およびそれ
らの塩類。 5 R2が、水素原子である特許請求の範囲第1
〜4項いずれかの項記載の7−アミノ−3−{[1
−(4−置換または非置換−2,3−ジオキソ−
1,2,3,4−テトラヒドロピラジニル)]メ
チル}−セフエム−4−カルボン酸類およびそれ
らの塩類。 6 R2が、アシルオキシ基で置換されていても
よいアルキル基である特許請求の範囲第1〜4項
いずれかの項記載の7−アミノ−3−{[1−(4
−置換または非置換−2,3−ジオキソ−1,
2,3,4−テトラヒドロピラジニル)]メチル}
−セフエム−4−カルボン酸類およびそれらの塩
類。 7 R2が、シクロアルキル基である特許請求の
範囲第1〜4項いずれかの項記載の7−アミノ−
3−{[1−(4−置換または非置換−2,3−ジ
オキソ−1,2,3,4−テトラヒドロピラジニ
ル)]メチル}−セフエム−4−カルボン酸類およ
びそれらの塩類。 8 R2が、アルアルキル基である特許請求の範
囲第1〜4項いずれかの項記載の7−アミノ−3
−{[1−(4−置換または非置換−2,3−ジオ
キソ−1,2,3,4−テトラヒドロピラジニ
ル)]メチル}−セフエム−4−カルボン酸類およ
びそれらの塩類。 9 R2が、ジアルキルアミノ基である特許請求
の範囲第1〜4項いずれかの項記載の7−アミノ
−3−{[1−(4−置換または非置換−2,3−
ジオキソ−1,2,3,4−テトラヒドロピラジ
ニル)]メチル}−セフエム−4−カルボン酸類お
よびそれらの塩類。 10 一般式 「式中、R1は、水素原子またはカルボキシル保
護基を;R3は、水素原子またはアルコキシ基
を;R4は、アミノ基を;Xは、置換基を有して
いてもよいアシルオキシまたはカルバモイルオキ
シ基を;Zは、SまたはS→Oを;および
環中の点線は、2〜3または3〜4位置が二重結
合であることを、それぞれ意味する。」 で表わされるセフアロスポラン酸類またはそれら
の塩類に、酸または酸の錯化合物の存在下、 一般式 「式中、R2は、水素原子またはアシルオキシ基
で置換されていてもよいアルキル、シクロアルキ
ル、アルアルキルもしくはジアルキルアミノ基を
示す。」 で表わされる1−置換または非置換−2,3−ジ
オキソ−1,2,3,4−テトラヒドロピラジン
またはその塩を反応させ、所望によりついでエス
テル形成基の脱離またはカルボキシル基をエステ
ルまたは塩とすることを特徴とする、 一般式 「式中、R1、R2、R3、R4、Zおよび環中の点
線は、前記したと同様の意味を有する。」 で表わされる7−アミノ−3−{[1−(4−置換
または非置換−2,3−ジオキソ−1,2,3,
4−テトラヒドロピラジニル)]メチル}−セフエ
ム−4−カルボン酸類またはそれらの塩類の製造
法。 11 点線で表わされる二重結合が、3〜4位間
にあるΔ3−セフエム化合物である特許請求の範
囲第10項記載の7−アミノ−3−{[1−(4−
置換または非置換−2,3−ジオキソ−1,2,
3,4−テトラヒドロピラジニル)]メチル}−セ
フエム−4−カルボン酸類またはそれらの塩類の
製造法。 12 Zが、Sである特許請求の範囲第10
または11項記載の7−アミノ−3−{[1−(4
−置換または非置換−2,3−ジオキソ−1,
2,3,4−テトラヒドロピラジニル)]メチル}
−セフエム−4−カルボン酸類またはそれらの塩
類の製造法。 13 酸または酸の錯化合物が、ルイス酸または
ルイス酸の錯化合物である特許請求の範囲第10
〜12項いずれかの項記載の7−アミノ−3−
{[1−(4−置換または非置換−2,3−ジオキ
ソ−1,2,3,4−テトラヒドロピラジニル)]
メチル}−セフエム−4−カルボン酸類またはそ
れらの塩類の製造法。 14 ルイス酸またはルイス酸の錯化合物が、三
弗化硼素または三弗化硼素の錯化合物である特許
請求の範囲第13項の7−アミノ−3−{[1−
(4−置換または非置換−2,3−ジオキソ−1,
2,3,4−テトラヒドロピラジニル)]メチル}
−セフエム−4−カルボン酸類またはそれらの塩
類の製造法。 15 Xが、アセトキシ基である特許請求の範囲
第10〜14項いずれかの項記載の7−アミノ−
3−{[1−(4−置換または非置換−2,3−ジ
オキソ−1,2,3,4−テトラヒドロピラジニ
ル)]メチル}−セフエム−4−カルボン酸類また
はそれらの塩類の製造法。 16 反応を有機溶媒中で行うことを特徴とする
特許請求の範囲第10〜15項いずれかの項記載
の7−アミノ−3−{[1−(4−置換または非置
換−2,3−ジオキソ−1,2,3,4−テトラ
ヒドロピラジニル)]メチル}−セフエム−4−カ
ルボン酸類またはそれらの塩類の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57206873A JPS5998089A (ja) | 1982-11-27 | 1982-11-27 | 新規な7―アミノ―3―{〔1―(4―置換または非置換―2,3―ジオキソ―1,2,3,4―テトラヒドロピラジニル)〕メチル}―セフェム―4―カルボン酸類およびそれらの塩類ならびにそれらの製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57206873A JPS5998089A (ja) | 1982-11-27 | 1982-11-27 | 新規な7―アミノ―3―{〔1―(4―置換または非置換―2,3―ジオキソ―1,2,3,4―テトラヒドロピラジニル)〕メチル}―セフェム―4―カルボン酸類およびそれらの塩類ならびにそれらの製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5998089A JPS5998089A (ja) | 1984-06-06 |
| JPH0357912B2 true JPH0357912B2 (ja) | 1991-09-03 |
Family
ID=16530450
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57206873A Granted JPS5998089A (ja) | 1982-11-27 | 1982-11-27 | 新規な7―アミノ―3―{〔1―(4―置換または非置換―2,3―ジオキソ―1,2,3,4―テトラヒドロピラジニル)〕メチル}―セフェム―4―カルボン酸類およびそれらの塩類ならびにそれらの製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5998089A (ja) |
-
1982
- 1982-11-27 JP JP57206873A patent/JPS5998089A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5998089A (ja) | 1984-06-06 |
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