JPS6210512B2 - - Google Patents

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JPS6210512B2
JPS6210512B2 JP55132253A JP13225380A JPS6210512B2 JP S6210512 B2 JPS6210512 B2 JP S6210512B2 JP 55132253 A JP55132253 A JP 55132253A JP 13225380 A JP13225380 A JP 13225380A JP S6210512 B2 JPS6210512 B2 JP S6210512B2
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JP
Japan
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acid
group
amino
methyl
carboxyl group
Prior art date
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Application number
JP55132253A
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English (en)
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JPS5758689A (en
Inventor
Hiroshi Sadaki
Hirokazu Narita
Hiroyuki Imaizumi
Yoshinori Konishi
Takihiro Inaba
Tatsuo Hirakawa
Hideo Taki
Masaru Tai
Yasuo Watanabe
Isamu Saikawa
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Toyama Chemical Co Ltd
Original Assignee
Toyama Chemical Co Ltd
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Publication date
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Description

【発明の詳細な説明】
本発明は、７−アミノ−３−置換メチルセフエ
ムカルボン酸類又はそのカルボキシル基における
誘導体又はそれらの塩の製造法に関し、詳細に
は、 一般式 〔式中、R1は水素原子を；R2はアミノ基を；Ｘは
置換基を有するかもしくは有しないアシルオキシ
基を；〓Ｙは〓Ｓ又はＳ→Ｏを意味する。〕 で表わされる。セフアロスポラン酸類又はそのカ
ルボキシル基における誘導体又はそれらの塩に、
有機溶媒中、酸又は酸の錯化合物の存在下、環中
の炭素原子が置換されていてもよいトリアゾール
又はテトラゾール又はそれらの塩を反応させ、所
望により次いで保護基の脱離又はカルボキシル基
を保護又は塩とすることからなる、 一般式 〔式中R1、R2およびＹは前記した意味を有し、R3
は環中の炭素原子が置換されていてもよいトリア
ゾリル又はテトラゾリル基を示す。ただし、−
CH2R3は、R3の窒素原子と隣接するエキソメチ
レン基の炭素原子と結合しているものとする。〕 で表わされる７−アミノ−３−置換メチルセフエ
ムカルボン酸類又はそのカルボキシル基における
誘導体又はそれらの塩の製造法に関する。 而して、本発明の目的とするところは、セフア
ロスポラン系化合物を製造する際、中間体として
有用な一般式〔〕で表わされる７−アミノ−３
−置換メチルセフエムカルボン酸類又はそのカル
ボキシル基に於ける誘導体又はそれらの塩を工業
的に容易な操作で好収率かつ高純度で得る方法を
提供せんとするにある。 従来、一般式〔〕で表わされる化合物中、
R3が１−（1H−１・２・３−トリアゾリル）及び
１−（1H−１・２・３・４−テトラゾリル）基で
ある化合物を製造する方法としては、７−ACA
の３位をアジドで置換〔ザ・ジヤーナル・オブ・
アンチバイオテクス、25、No.1.64（1972）〕した
後閉環化する方法〔特公昭50−13275号〕が知ら
れていた。 しかし、この従来方法は反応工程が多く、また
収率も低いことから工業的生産には不向きであ
り、また、一般式〔〕に於いてR3が１−（1H−
１・２・３−トリアゾリル）又は１−（1H−１・
２・３・４−テトラゾリル）基である化合物しか
製造することができない。 このような状況にあつて、本発明者等は、セフ
アロスポラン環の３位のエキソメチレン基の炭素
原子が、R3の任意の窒素原子と結合している一
般式〔〕で表わされる化合物を工業的に容易に
かつ好収率に得る製造法を開発せんとして鋭意研
究した結果、有機溶媒中、酸又は酸の錯化合物の
存在下、一般式〔〕で表わされる化合物又はそ
のカルボキシル基に於ける誘導体又はそれらの塩
と、環中の炭素原子が置換されていてもよいトリ
アゾール又はテトラゾール又はそれらの塩を反応
させ、所望により次いで保護基の脱離又はカルボ
キシル基を保護又は塩とすれば、これらの目的が
達成されることを見出し本発明を完成した。 本発明方法によれば、一般式〔〕において
R3が１−（1H−１・２・３−トリアゾリル）及び
１−（1H−１・２・３・４−テトラゾリル）基の
みならず、２−（2H−１・２・３−トリアゾリ
ル）、１−（1H−１・２・４−トリアゾリル）、４
−（4H−１・２・４−トリアゾリル）及び２−
（2H−１・２・３・４−テトラゾリル）基等の新
規な化合物を得ることもでき、更に、〓Ｙが〓Ｓ
である化合物のみならず、〓Ｙが〓Ｓ→Ｏである
化合物も出発原料として用いることができ、反応
中又は後処理の段階で、〓Ｓ→Ｏを〓Ｓとするこ
ともできる。 以下、本発明を詳細に説明する。 本発明において、Ｘのアシルオキシ基として
は、例えば、アセトキシ、プロピオニルオキシ又
はブチリルオキシ等のアルカノイルオキシ基；ア
クリロイルオキシ等のアルケノイルオキシ基；ベ
ンゾイルオキシ又はナフトイルオキシ等のアロイ
ルオキシ基が挙げられ、これらはハロゲン原子、
ニトロ基、アルキル基、アルコキシ基、アルキル
チオ基、アシルオキシ基、アシルアミノ基、ヒド
ロキシル基、カルボキシル基、スルフアモイル
基、カルバモイル基、カルボアルコキシカルバモ
イル基、アロイルカルバモイル基、カルボアルコ
キシスルフアモイル基、アリール基、カルバモイ
ル基等の一種以上の置換基で置換されていてもよ
い。 また、環中の炭素原子が置換されていてもよい
トリアゾール又はテトラゾールとしては、例え
ば、ハロゲン原子、アルキル基、ヒドロキシル
基、アルアルキル基、アルコキシ基、アルキルチ
オ基、シアノ基、アミノ基、カルボキシル基、ア
ルコキシアルキル基、アミノアルキル基、Ｎ−ア
ルキルアミノアルキル基、ハロアルキル基、アシ
ル基等の一種以上の置換基で環中の炭素原子が置
換されていてもよい１・２・３−トリアゾール、
１・２・４−トリアゾール又は１・２・３・４−
テトラゾールが挙げられる。これら、１・２・３
−トリアゾール、１・２・４−トリアゾールおよ
び１・２・３・４−テトラゾールは以下に示すよ
うに互変異性体が存在し、いずれの異性体でもま
た、混合物の状態でも反応に供することができ
る。 （式中、Ｒは水素原子又は上述した置換基を示
し、２個のＲは同一であつてもよく又異なつてい
てもよい。） 一般式〔〕に於いて、R3で表わされる基と
しては、具体的に上述した置換基で環中の炭素原
子が置換されていてもよい１−（1H−１・２・３
−トリアゾリル）、２−（2H−１・２・３−トリ
アゾリル）、１−（1H−１・２・４−トリアゾリ
ル）、４−（4H−１・２・４−トリアゾリル）、１
−（1H−１・２・３・４−テトラゾリル）又は２
−（2H−１・２・３・４−テトラゾリル）基が挙
げられる。 上述したＸ、環中の炭素原子が置換されていて
もよいトリアゾールおよびテトラゾールの置換基
に於いて、ヒドロキシル基、アミノ基及びカルボ
キシル基は通常用いられる保護基で保護されてい
てもよい。 アミノ基の保護基としては、通常アミノ保護基
として使用し得るすべての基を含み、例えば、ト
リクロロエトキシカルボニル、トリブロモエトキ
シカルボニル、ベンジルオキシカルボニル、ｐ−
トルエンスルホニル、ｐ−ニトロベンジルオキシ
カルボニル、ｏ−ブロモベンジルオキシカルボニ
ル、クロロアセチル、トリフルオロアセチル、ホ
ルミル、tert.−ブトキシカルボニル、ｐ−メト
キシベンジルオキシカルボニル、３・４−ジメト
キシベンジルオキシカルボニル、４−（フエニル
アゾ）ベンジルオキシカルボニル、４−（４−メ
トキシフエニルアゾ）ベンジルオキシカルボニ
ル、ピリジン−１−オキサイド−２−イル−メト
キシカルボニル、２−ピリジルメトキシカルボニ
ル、２−フリルオキシカルボニル、ジフエニルメ
トキシカルボニル、１・１−ジメチルプロポキシ
カルボニル、イソプロポキシカルボニル、１−シ
クロプロピルエトキシカルボニル、フタロイル、
サクシニル、１−アダマンチルオキシカルボニ
ル、８−キノリルオキシカルボニル等の脱離しや
すいアシル基が挙げられ、さらに例えば、トリチ
ル、２−ニトロフエニルチオ、２・４−ジニトロ
フエニルチオ、２−ヒドロキシベンジリデン、２
−ヒドロキシ−５−クロロベンジリデン、２−ヒ
ドロキシ−１−ナフチルメチレン、３−ヒドロキ
シ−４−ピリジルメチレン、１−メトキシカルボ
ニル−２−プロピリデン、１−エトキシカルボニ
ル−２−プロピリデン、３−エトキシカルボニル
−２−ブチリデン、１−アセチル−２−プロピリ
デン、１−ベンゾイル−２−プロピリデン、１−
〔Ｎ−（２−メトキシフエニル）カルバモイル〕−
２−プロピリデン、１−〔Ｎ−（４−メトキシフエ
ニル）カルバモイル〕−２−プロピリデン、２−
エトキシカルボニルシクロヘキシリデン、２−エ
トキシカルボニルシクロペンチリデン、２−アセ
チルシクロヘキシリデン、３・３−ジメチル−５
−オキソシクロヘキシリデン等の脱離しやすい
基、また、ジ−もしくはトリアルキルシリル等の
アミノ基の保護基が挙げられる。また、ヒドロキ
シル基の保護基としては通常ヒドロキシル基の保
護基として使用し得るすべての基を含み、例え
ば、ベンジルオキシカルボニル、４−ニトロベン
ジルオキシカルボニル、４−ブロモベンジルオキ
シカルボニル、４−メトキシベンジルオキシカル
ボニル、３・４−ジメトキシベンジルオキシカル
ボニル、４−（フエニルアゾ）ベンジルオキシカ
ルボニル、４−（４−メトキシフエニルアゾ）ベ
ンジルオキシカルボニル、tert.−ブトキシカル
ボニル、１・１−ジメチルプロポキシカルボニ
ル、イソプロポキシカルボニル、ジフエニルメト
キシカルボニル、２−ピリジルメトキシカルボニ
ル、２・２・２−トリクロロエトキシカルボニ
ル、２・２・２−トリブロモエトキシカルボニ
ル、２−フルフリルオキシカルボニル、１−アダ
マンチルオキシカルボニル、１−シクロプロピル
エトキシカルボニル、３−キノリルオキシカルボ
ニル、トリフルオロアセチル等の脱離しやすいア
シル基の外、ベンジル、トリチル、メトキシメチ
ル、２−ニトロフエニルチオ、２・４−ジニトロ
フエニルチオ等の基が挙げられる。 さらに、カルボキシル基の保護基としては、通
常のカルボキシル基の保護基として使用し得るす
べての基を含み、例えば、そのエステル部分がメ
チル、エチル、プロピル、イソプロピル、tert.
−ブチル、ブチル、ベンジル、ジフエニルメチ
ル、トリフエニルメチル、ｐ−ニトロベンジル、
ｐ−メトキシベンジル、ベンゾイルメチル、アセ
チルメチル、ｐ−ニトロベンゾイルメチル、ｐ−
ブロモベンゾイルメチル、ｐ−メタンスルホニル
ベンゾイルメチル、フタルイミドメチル、トリク
ロロエチル、１・１−ジメチル−２−プロピニ
ル、アセトキシメチル、プロピオニルオキシメチ
ル、ピバロイルオキシメチル、１・１−ジメチル
プロピル、１・１−ジメチル−２−プロペニル、
３−メチル−３−ブテニル、サクシンイミドメチ
ル、１−シクロプロピルエチル、メチルスルフエ
ニルメチル、フエニルスルフエニルメチル、メチ
ルチオメチル、フエニルチオメチル、ジメチルア
ミノメチル、キノリン−１−オキサイド−２−メ
チル、ピリジン−１−オキサイド−２−イル−メ
チル、ビス−（ｐ−メトキシフエニル）メチル等
であるエステル、さらに特開昭46−7073号公報及
びオランダ国公開公報7105259号に記載されてい
る、例えばジメチルクロロシランの如きシリル化
合物で保護されていてもよい。 一般式〔〕及び一般式〔〕の化合物のカル
ボキシル基における誘導体としては、例えば次の
様なものが挙げられる。 (a) エステル類：エステル類としては、反応に悪
影響を与えないすべてのエステルを含み、例え
ば、メチルエステル、エチルエステル、プロピ
ルエステル、イソプロピルエステル、ブチルエ
ステル、tert.−ブチルエステル、メトキシメ
チルエステル、エトキシメチルエステル、フエ
ノキシメチルエステル、メチルチオメチルエス
テル、メチルチオエチルエステル、フエニルチ
オメチルエステル、ジメチルアミノエチルエス
テル、ジエチルアミノエチルエステル、モルホ
リノエチルエステル、ピペリジノエチルエステ
ル、アセチルメチルエステル、フエナシルエス
テル、トルオイルメチルエステル、４−ニトロ
フエナシルエステル、アセトキシメチルエステ
ル、ピバロイルオキシメチルエステル、ベンゾ
イルオキシメチルエステル、１・１−ジアセチ
ルメチルエステル、１−アセチル−１−メトキ
シカルボニルメチルエステル、メタンスルホニ
ルエチルエステル、トルエンスルホニルエチル
エステル、ブロモメチルエステル、ヨードエチ
ルエステル、トリクロロエチルエステル、シア
ノメチルエステル、テノイルメチルエステル、
フタルイミドメチルエステル等の置換又は非置
換のアルキルエステル；シクロヘキシルエステ
ル、シクロヘプチルエステル等のシクロアルキ
ルエステル；プロペニルエステル、アリルエス
テル、３−ブテニルエステル等のアルケニルエ
ステル；プロピニルエステル等のアルキニルエ
ステル；フエニルエステル、トリルエステル、
キシリルエステル、ナフチルエステル、ｐ−ニ
トロフエニルエステル、２・４−ジニトロフエ
ニルエステル、ｐ−メトキシフエニルエステ
ル、トリクロロフエニルエステル、ペンタクロ
ロフエニルエステル、ｐ−メタンスルホニルフ
エニルエステル等の置換又は非置換のアリール
エステル；ベンジルエステル、フエネチルエス
テル、ｐ−クロロベンジルエステル、ｐ−ニト
ロベンジルエステル、ｐ−メトキシベンジルエ
ステル、３・５−ジメトキシベンジルエステ
ル、ジフエニルメチルエステル、ビス−（４−
メトキシフエニル）メチルエステル、３・５−
ジ−tert.−ブチル−４−ヒドロキシベンジル
エステル、トリチルエステル等の置換又は非置
換のアルアルキルエステル；インダニルエステ
ル；フタリジルエステル；その他カルボキシル
基とハロゲン原子、ニトロ基、アルコキシ基等
で置換されたあるいは非置換のチオアルコー
ル、テトラヒドロフラノール、１−シクロプロ
ピルエタノール、１−フエニル−３−メチル−
５−ピラゾロン、３−ヒドロキシピリジン、２
−ヒドロキシピリジン−１−オキシドなどから
形成されるエステル；又はカルボキシル基とメ
トキシアセチレン、エトキシアセチレン、
tert.−ブチルエチニルジメチルアミン、エチ
ルエチニルジエチルアミン、Ｎ−エチル−５−
フエニルイソオキサゾリウム−３−スルホン酸
塩との反応によつて形成されるエステルが挙げ
られる。 (b) カルボキシル基とＮ−ヒドロキシコハク酸イ
ミド、Ｎ−ヒドロキシフタルイミド、ジメチル
ヒドロキシルアミン、ジエチルヒドロキシルア
ミン、１−ヒドロキシピペリジン、オキシム等
の無水物。 (c) アミド類：アミド類としては、酸アミド、Ｎ
−置換酸アミド、Ｎ・Ｎ−ジ置換アミドのすべ
てを含み、例えば、Ｎ−メチル酸アミド、Ｎ−
エチル酸アミド等のＮ−アルキル酸アミド；Ｎ
−フエニル酸アミド等のＮ−アリール酸アミ
ド；Ｎ・Ｎ−ジメチル酸アミド、Ｎ・Ｎ−ジエ
チル酸アミド、Ｎ−エチル−Ｎ−メチル酸アミ
ド等のＮ・Ｎ−ジアルキル酸アミド；イミダゾ
ール、４−置換イミダゾール、トリアゾロピリ
ドン等の酸アミドが挙げられる。 本発明において一般式〔〕及び一般式〔〕
の化合物又はそのカルボキシル基における誘導体
又はそれらの塩のそれらの塩としては、酸性基に
おける塩及び塩基性基における塩の両方を包含す
る。酸性基における塩としては、例えば、ナトリ
ウム、カリウム等のアルカリ金属との塩；カルシ
ウム、マグネシウム等のアルカリ土類金属との
塩；アンモニウム塩；トリエチルアミン、ジエチ
ルアミン、ピリジン、Ｎ−メチルピペリジン、Ｎ
−メチルモルホリン、Ｎ・Ｎ−ジメチルアニリン
等の含窒素有機塩基との塩が挙げられる。また塩
基性基における塩としては、塩酸、硫酸等の鉱酸
との塩；シユウ酸、ギ酸、トリクロロ酢酸、トリ
フルオロ酢酸等の有機酸との塩；メタンスルホン
酸、トルエンスルホン酸、ナフタレンスルホン酸
等のスルホン酸との塩が挙げられる。尚、一般式
〔〕の化合物の塩は予め単離して用いてもよ
く、あるいは系内で調製してもよい。 環中の炭素原子が置換されていてもよいトリア
ゾール及びテトラゾールは必要に応じ塩基性塩又
は酸性塩の形で反応に供してもよい。該塩基性塩
及び酸性塩としては、前述のような塩の形が挙げ
られる。 本発明方法に使用される酸または酸の錯化合物
としては、例えば、プロトン酸、ルイス酸または
ルイス酸の錯化合物が挙げられる。プロトン酸と
しては例えば、硫酸類、スルホン酸類又は超強酸
類（超強酸とは100％硫酸より強い酸を意味し、
前述の硫酸類およびスルホン酸類の一部も含まれ
る）が挙げられ、更に具体的には、硫酸、クロロ
硫酸又はフルオロ硫酸等の硫酸類；メタンスルホ
ン酸又はトリフルオロメタンスルホン酸等のアル
キル（モノ−又はジ−）スルホン酸又はｐ−トル
エンスルホン酸等のアリール（モノ−、ジ−又は
トリ−）スルホン酸等のスルホン酸類；過塩素
酸、マジツク酸（FSO3H−SbF5）、FSO3H−
AsF5、CF3SO3H−SbF5、HF−BF3、H2SO4−
SO3等の超強酸類が挙げられる。また、ルイス酸
としては、例えば、三弗化硼素等が挙げられる。 また、ルイス酸の錯化合物としては、例えば、
三弗化硼素とジエチルエーテル、ジ−ｎ−プロピ
ルエーテル、ジ−ｎ−ブチルエーテル等とのジア
ルキルエーテル錯塩；エチルアミン、ｎ−プロピ
ルアミン、ｎ−ブチルアミン、トリエタノールア
ミン等とのアミン錯塩；ギ酸エチル、酢酸エチル
等とのカルボン酸エステル錯塩；酢酸、プロピオ
ン酸等との脂肪酸錯塩；又はアセトニトリル、プ
ロピオニトリル等とのニトリル錯塩等が挙げられ
る。 次に、本発明方法の実施態様を説明する。 本発明方法は、前述したように、一般式〔〕
で表わされる化合物又はそのカルボキシル基にお
ける誘導体又はそれらの塩と、環中の炭素原子が
置換されていてもよいトリアゾール又はテトラゾ
ール又はそれらの塩を有機溶媒中、酸又は酸の錯
化合物の存在下に、反応させる。 反応に用いられる有機溶媒としては、反応に悪
影響を及ぼさない全ての有機溶媒を挙げることが
でき、例えば、ニトロメタン、ニトロエタン、ニ
トロプロパン等のニトロアルカン類；ギ酸、酢
酸、トリフルオロ酢酸、ジクロロ酢酸、プロピオ
ン酸等の有機カルボン酸類；アセトン、メチルエ
チルケトン、メチルイソブチルケトン等のケトン
類；ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテ
ル、ジオキサン、テトラヒドロフラン、エチレン
グリコールジメチルエーテル、アニソール、ジメ
チルセルソルブ等のエーテル類；ギ酸エチル、炭
酸ジエチル、酢酸メチル、酢酸エチル、クロロ酢
酸エチル、酢酸ブチル等のエステル類；アセトニ
トリル、ブチロニトリル等のニトリル類；又はス
ルホラン等のスルホラン類を挙げることができ、
これらの溶媒を二種以上混合して用いてもよい。
また、これらの有機溶媒とルイス酸とで形成され
る錯化合物を溶媒として使用してもよい。酸又は
酸の錯化合物の使用量は、一般式〔〕で表わさ
れる化合物又はそのカルボキシル基における誘導
体又はそれらの塩に対し、当モル以上であればよ
く、個々の場合に応じ適当増減させることができ
る。特に、２〜10倍モル量の使用が好ましい。酸
の錯化合物を用いる場合には、これ自体を溶媒と
して用いることができ、二種以上の錯化合物を混
合して用いてもよい。 また、環中の炭素原子が置換されていてもよい
トリアゾール又はテトラゾール又はそれらの塩の
使用量は、一般式〔〕で表わされる化合物又は
そのカルボキシル基における誘導体又はそれらの
塩に対し、当モル以上であればよいが、特に1.0
〜5.0倍モル量の使用が好ましい。 反応は、通常０〜80℃の温度にて行なわれ、反
応時間は一般に数分〜数十時間である。本反応の
系内に水分があると原料又は生成物のラクトン化
およびβ−ラクタム環の開裂等好ましくない副反
応を惹起する恐れがあるので、反応系内を無水の
状態に保つことが望ましい。 この要望を満たすために、反応系内に適当な脱
水剤、例えば、五酸化リン、ポリリン酸、五塩化
リン、三塩化リン、オキシ塩化リン等のリン化合
物；Ｎ・Ｏ−ビス（トリメチルシリル）アセトア
ミド、トリメチルシリルアセトアミド、トリメチ
ルクロロシラン、ジメチルジクロロシラン等の有
機シリル化剤；アセチルクロリド、ｐ−トルエン
スルホニルクロリド等の有機酸クロリド；無水酢
酸、無水トリフルオロ酢酸等の酸無水物；無水硫
酸マグネシウム、無水塩化カルシウム、モレキユ
ラーシーブ、カルシウムカーバイト等の無機乾燥
剤等を添加してもよい。 一般式〔〕で表わされる化合物のカルボキシ
ル基における誘導体を原料として使用した場合、
反応後の処理により一般式〔〕で表わされる化
合物が得られることもあるが、所望により、保護
基を常法で脱離させ、一般式〔〕で表わされる
化合物を得ることもできる。環中の炭素原子が置
換されていてもよいトリアゾール又はテトラゾー
ル又はそれらの塩が、ヒドロキシル基、アミノ
基、カルボキシル基等で置換されている場合、本
反応を実施する前に、これらの基を保護し、反応
終了後、常套の脱離反応に付すことにより、所望
の化合物を得ることができる。 また、一般式〔〕で表わされる目的化合物は
所望により、常法に従つてカルボキシル基の保護
または塩とすることができ、相当する化合物を得
ることもできる。 また、本発明方法を実施すれば、一般にR3の
任意の窒素原子とセフアロスポラン環の３位のエ
キソメチレン基の炭素原子とが結合した混合物が
得られる場合もあり、反応条件を必要に応じて変
えることにより、R3の特定の窒素原子とセフア
ロスポリン環の３位のエキソメチレン基の炭素原
子とが結合した化合物を得ることもできる。 このようにして得られる目的化合物は、常法手
段により単離採取することができる。 そして本発明の△３−セフエム化合物は、既知
又は新規なアシル基にて、セフアロスポラン環の
７位をアミド化することにより、グラム陽性菌な
らびにグラム陰性菌に対して、有効な種々の有用
なセフアロスポリン系化合物へと誘導でき、中間
体として有用な化合物である。 次に、本発明を実施例を挙げて具体的に説明す
る。 実施例 １ (1) ７−アミノセフアロスポラン酸（以後、７−
ACAと略記する）2.72ｇをスルホラン13mlに
懸濁させ、これに三弗化硼素・ジエチルエーテ
ル錯塩14.2ｇおよび５−メチルテトラゾール
1.0ｇを加えて、室温で17時間反応させる。反
応終了後、反応液を氷水15ml中に投入し、氷冷
下28％アンモニア水でPH3.5に調整する。析出
晶を取し、水５mlおよびアセトン５mlで順次
洗浄した後、乾燥すれば、７−アミノ−３−
〔２−（５−メチル−2H−１・２・３・４−テ
トラゾリル）メチル〕−△３−セフエム−４−
カルボン酸および７−アミノ−３−〔１−（５−
メチル−1H−１・２・３・４−テトラゾリ
ル）メチル〕−△３−セフエム−４−カルボン
酸の混合物の結晶1.76ｇを得る。 (2) (1)で得られた結晶1.76ｇをメタノール18mlに
懸濁させ、これにｐ−トルエンスルホン酸１水
和物1.13ｇを加えて溶解させた後、ジフエニル
ジアゾメタン4.6ｇを徐々に加え、室温下15分
間反応させる。反応終了後、減圧下に溶媒を留
去する。残留物を酢酸エチル30mlおよび水30ml
から成る混合溶媒に溶解させ、炭酸水素ナトリ
ウムでPH８に調整する。次いで有機層を分取
し、これを無水硫酸マグネシウムで乾燥後、減
圧下に溶媒を留去する。残留物をカラムクロマ
トグラフイー（和光シリカゲルＣ−200；展開
溶媒、ベンゼン：酢酸エチル＝４：１）で精製
すれば、融点157〜160℃（分解）を示す７−ア
ミノ−３−〔２−（５−メチル−2H−１・２・
３・４−テトラゾリル）メチル〕−△３−セフ
エム−４−カルボン酸ベンズヒドリルエステル
0.79ｇおよび融点92℃（分解）を示す７−アミ
ノ−３−〔１−（５−メチル−1H−１・２・
３・４−テトラゾリル）メチル〕−△３−セフ
エム−４−カルボン酸ベンズヒドリルエステル
0.14ｇを得る。 Γ７−アミノ−３−〔２−（５−メチル−2H−
１・２・３・４−テトラゾリル）メチル〕−
△３−セフエム−４−カルボン酸ベンズヒド
リルエステル IR（KBr）cm-1；νＣ＝O1770、1720 NMR（CDCl3）ppm値； 1.75（2H、bs、−NH2）、 2.48（3H、ｓ、−CH3）、 3.20（2H、ｓ、
【式】）、 4.70（1H、ｄ、Ｊ＝５Hz、C6−Ｈ）、 4.87（1H、ｄ、Ｊ＝５Hz、C7−Ｈ）、 5.30、5.72（2H、ABq、Ｊ＝16Hz、
【式】）、 6.92（1H、ｓ、−CH〓）、 7.30（10H、ｓ、
【式】）、 Γ７−アミノ−３−〔１−（５−メチル−1H−
１・２・３・４−テトラゾリル）メチル〕−
△３−セフエム−４−カルボン酸ベンズヒド
リルエステル IR（KBr）cm-1；νＣ＝O1770、1725 NMR（CDCl3）ppm値； 1.80（2H、ｓ、−NH2） 2.15（3H、ｓ、−CH3） 3.30（2H、ｓ、
【式】）、 4.70（1H、ｄ、ｊ＝５Hz、C6−Ｈ）、 4.85（1H、ｄ、Ｊ＝５Hz、C7−Ｈ）、 5.00、5.38（2H、ABq、Ｊ＝16Hz、
【式】）、 6.90（1H、ｓ、−CH〓）、 7.30（10H、ｓ、
【式】）、 (3) ７−アミノ−３−〔２−（５−メチル−2H−
１・２・３・４−テトラゾリル）メチル〕−△
３−セフエム−４−カルボン酸ベンズヒドリル
エステル0.462ｇをアニソール0.5mlおよびトリ
フルオロ酢酸５mlの混合液に溶解させ、室温
下、１時間反応さる。 反応終了後、減圧下に溶媒を留去し、残留物
に水10mlおよび酢酸エチル10mlを加え、氷冷下
28％アンモニア水でPH８に調整する。次いで水
層を分取し、氷冷下2N−塩酸にてPH3.5に調整
する。析出晶を取し、水５mlおよびアセトン
５mlで順次洗浄した後、乾燥すれば、融点178
℃（分解）を示す７−アミノ−３−〔２−（５−
メチル−2H−１・２・３・４−テトラゾリ
ル）メチル〕−△３−セフエム−４−カルボン
酸0.26ｇを得る。 IR（KBr）cm-1；νＣ＝O1790、1610、1530 NMR（CF3COOD）ppm値； 2.70（3H、ｓ、−CH3）、 3.73（2H、ｓ、
【式】）、 5.40（2H、ｓ、C6−Ｈ、C7−Ｈ）、 5.80、6.12（2H、ABq、Ｊ＝16Hz、
【式】） 同様にして７−アミノ−３−〔１−（５−メチ
ル−1H−１・２・３・４−テトラゾリル）メ
チル〕−△３−セフエム−４−カルボン酸ベン
ズヒドリルエステル0.462ｇから融点195℃（分
解）を示す７−アミノ−３−〔１−（５−メチル
−1H−１・２・３・４−テトラゾリル）メチ
ル〕−△３−セフエム−４−カルボン酸0.25ｇ
を得る。 IR（KBr）cm-1；νＣ＝O1795、1615、1530。 NMR（CF3COOD）ppm値； 2.95（3H、ｓ、−CH3）、 3.90（2H、bs、
【式】）、 5.45（2H、ｓ、C6−Ｈ、C7−Ｈ）、 5.57、5.92（2H、ABq、Ｊ＝16Hz、
【式】 ） 実施例 ２ (1) 実施例１の(1)と同様の反応を表−１の条件で
実施し、表−１の結果を得た。 (2) (1)で得られた生成物を、実施例１の(2)と同様
に反応、処理して、表−２の結果を得た。ここ
で得られた化合物の物性は、実施例１の(2)で得
られた化合物のものと一致した。
【表】
【表】 実施例 ３ (1) ７−AC、2.72ｇを三弗化硼素6.78ｇを含む
酢酸エチル30mlに懸濁させ、これに５−メチル
テトラゾール2.52ｇを加え、室温で16時間反応
させる。反応終了後、反応液を氷水30ml中に投
入し、氷冷下28％アンモニア水でPH3.5に調整
する。析出晶を取し、水５mlおよびアセトン
５mlで順次洗浄した後、乾燥すれば、７−アミ
ノ−３−〔２−（５−メチル−2H−１・２・
３・４−テトラゾリル）メチル〕−△３−セフ
エム−４−カルボン酸および７−アミノ−３−
〔１−（５−メチル−1H−１・２・３・４−テ
トラゾリル）メチル〕−△３−セフエム−４−
カルボン酸の混合物の結晶2.34ｇを得る。 (2) (1)で得られた結晶2.34ｇを実施例１の(2)と同
様に反応、処理すれば、７−アミノ−３−〔２
−（５−メチル−2H−１・２・３・４−テトラ
ゾリル）メチル〕−△３−セフエム−４−カル
ボン酸ベンズヒドリルエステル2.0ｇおよび７
−アミノ−３−〔１−（５−メチル−1H−１・
２・３・４−テトラゾリル）メチル〕−△３−
セフエム−４−カルボン酸ベンズヒドリルエス
テル0.13ｇを得る。尚、これらの化合物の物性
は実施例１の(2)で得られた化合物のものと一致
した。 実施例 ４ 実施例３−(1)と同様の反応を表−３に示す条件
で実施、表−３の結果を得た。
【表】 実施例 ５ (1) ７−ACA2.72ｇを酢酸27mlに懸濁させ、こ
れに濃硫酸2.5ｇおよび５−メチルテトラゾー
ル1.0ｇを加え、60℃で４時間反応させる。反
応終了後、減圧下に溶媒を留去し、残留物に水
15mlを加え、氷冷下28％アンモニア水でPH3.5
に調整する。 析出晶を取し、水５mlおよびアセトン５ml
で順次洗浄した後、乾燥すれば、７−アミノ−
３−〔２−（５−メチル−2H−１・２・３・４
−テトラゾリル）メチル〕−△３−セフエム−
４−カルボン酸および７−アミノ−３−〔１−
（５−メチル−1H−１・２・３・４−テトラゾ
リル）メチル〕−△３−セフエム−４−カルボ
ン酸の混合物の結晶0.4ｇを得る。 (2) (1)で得られた結晶0.4ｇを実施例１の(2)と同
様に反応、処理すれば、７−アミノ−３−〔２
−（５−メチル−2H−１・２・３・４−テトラ
ゾリル）メチル〕−△３−セフエム−４−カル
ボン酸ベンズヒドリルエステル0.1ｇおよび７
−アミノ−３−〔１−（５−メチル−1H−１・
２・３・４−テトラゾリル）メチル〕−△３−
セフエム−４−カルボン酸ベンズヒドリルエス
テル0.03ｇを得る。これらの化合物の物性は実
施例１の(2)で得られた化合物のものと一致し
た。 実施例 ６ (1) ７−ACA2.72ｇをトリフルオロ酢酸19mlに
溶解させ、これに、三弗化硼素・ジエチルエー
テル錯塩7.1ｇおよび５−アセチルアミノテト
ラゾール1.4ｇを加えて、室温で７時間反応さ
せる。反応終了後、減圧下に溶媒を留去し、残
留物に水15mlを加え、氷冷下28％アンモニア水
でPH3.5に調整する。 析出晶を取し、水５mlおよびアセトン５ml
で順次洗浄した後乾燥すれば、７−アミノ−３
−〔２−（５−アセチルアミノ−2H−１・２・
３・４−テトラゾリル）メチル〕−△３−セフ
エム−４−カルボン酸の粗結晶1.0ｇを得る。 (2) (1)で得られた粗結晶1.0ｇをメタノール10ml
に懸濁させ、これにｐ−トルエンスルホン酸１
水和物0.56ｇを加え溶解させた後、ジフエニル
ジアゾメタン2.3ｇを徐々に加え、室温下15分
間反応させる。反応終了後、減圧下に溶媒を留
去し、残留物を酢酸エチル20mlおよび水20mlの
混合液に溶解させ、炭酸水素ナトリウムでPH８
に調整する。次いで、有機層を分取し、無水硫
酸マグネシウムで乾燥後、減圧下に溶媒を留去
する。残留物をカラムクロマトグラフイー（和
光シリカゲルＣ−200：展開溶媒、ベンゼン：
酢酸エチル＝４：１）で精製すれば、融点106
〜108℃（分解）を示す７−アミノ−３−〔２−
（５−メチル−2H−１・２・３・４−テトラゾ
リル）メチル〕−△３−セフエム−４−カルボ
ン酸ベンズヒドリルエステル0.35ｇを得る。 IR（KBr）cm-1；νＣ＝O1770、1720、1700 NMR（CDCl3）ppm値 1.95（2H、bs、−NH2）、 2.20（3H、ｓ、−NHCOCH3 ）、 3.20（2H、bs、
【式】）、 4.67（1H、ｄ、Ｊ＝５Hz、C6−Ｈ）、 4.82（1H、ｄ、Ｊ＝５Hz、C7−Ｈ）、 5.32、5.68（2H、ABq、Ｊ＝16Hz、
【式】）、 6.90（1H、ｓ、−CH〓）、 7.25（10H、ｓ、
【式】）、 9.75（1H、bs、〓NH） (3) ７−アミノ−３−〔２−（５−アセチルアミノ
−2H−１・２・３・４−テトラゾリル）メチ
ル〕−△３−セフエム−４−カルボン酸ベンズ
ヒドリルエステル0.505ｇをアニソール0.5mlお
よびトリフルオロ酢酸５mlの混合液に溶解さ
せ、室温下１時間反応させる。反応終了後、減
圧下に溶媒を留去し、残留物に水10mlおよび酢
酸エチル10mlを加え、氷冷下28％アンモニア水
でPH８に調整する。次いで、水層を分取し、氷
冷下、2N−塩酸にてPH3.5に調整する。析出晶
を取し、水５mlおよびアセトン５mlで順次洗
浄した後、乾燥すれば、融点179℃（分解）を
示す７−アミノ−３−〔２−（５−アセチルアミ
ノ−2H−１・２・３・４−テトラゾリル）メ
チル〕−△３−セフエム−４−カルボン酸0.31
ｇを得る。 IR（KBr）cm-1；νＣ＝O1790、1690、1610、
1530 NMR（CF3COOD）ppm値； 2.42（3H、ｓ、−CH3）、 3.70（2H、ｓ、
【式】）、 5.40（2H、ｓ、C6−Ｈ、C7−Ｈ）、 5.94（2H、bs、
【式】） 実施例 ７ (1) ５−アセチルアミノテトラゾールの代りに他
の置換テトラゾール化合物を用いて実施例１の
(1)または実例６の(1)と同様の反応を実施し、表
−４の結果を得た。 (2) 実施例６の(2)と同様にエステル化して、表−
５の化合物を得た。生成物の物性を表−６に示
す。 (3) 実施例６の(3)と同様に脱エステル化して表−
７の化合物を得た。
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】 上記表中、生成物のＤとＥ、ＩとＪ、ＫとＬ、
ＦとＧ、ＣとＭの分離は実施例６の(2)と同様に、
カラムクロマトグラフイー（和光シリカゲルＣ−
200；展開溶媒、ベンゼン：酢酸エチル＝４：
１）処理によつた。
【表】
【表】
【表】 実施例 ８ ７−ACA2.72ｇをトリフルオロ酢酸19mlに溶
解させ、これに三弗化硼素・ジエチルエーテル錯
塩7.1ｇおよび１・２・４−トリアゾール0.75ｇ
を加えて、室温で７時間反応させる。反応終了
後、減圧下に溶媒を留去し、残留物に水15mlを加
え、氷冷下28％アンモニア水でPH3.5に調整す
る。析出晶を取し、水５mlおよびアセトン５ml
で順次洗浄した後、乾燥すれば、融点149℃（分
解）を示す７−アミノ−３−〔１−（1H−１・
２・４−トリアゾリル）メチル〕−△３−セフエ
ム−４−カルボン酸2.5ｇを得る。 IR（KBr）cm-1；νＣ＝O1790、1610、1530 NMR（CF3COOD）ppm値； 4.00（2H、bs、
【式】）、 5.47（4H、bs、C6−Ｈ、C7−Ｈ、
【式】）、 8.70（1H、ｓ、
【式】）、 9.80（1H、ｓ、
【式】）、 実施例 ９ １・２・４−トリアゾールの代わりに他のトリ
アゾール化合物を用いて実施例８と同様に反応さ
せ、表−８の化合物を得た。（原料として７−
ACA2.72ｇを用いた。）
【表】
【表】
【表】 実施例 10 (1) ７−ACA2.72ｇをトリフルオロ酢酸20mlに
溶解させ、これに三弗化硼素・ジエチルエーテ
ル錯塩7.1ｇおよび４−カルボキシ−１・２・
３−トリアゾール1.24ｇを加え、室温で５時間
反応させる。反応終了後、減圧下に溶媒を留去
し、残留物に水15mlを加え氷冷下28％アンモニ
ア水でPH3.5に調整する。 析出晶を取し、水５mlおよびアセトン５ml
で順次洗浄した後乾燥すれば、７−アミノ−３
−〔１−（４−カルボキシ−1H−１・２・３−
トリアゾリル）メチル〕−△３−セフエム−４
−カルボン酸（この生成物の構造は推定構造で
ある。）の粗結晶1.45ｇを得る。 (2) (1)で得られた粗結晶1.45ｇをメタノール15ml
に懸濁させ、これにｐ−トルエンスルホン酸１
水和物0.85ｇを加えて溶解させた後、ジフエニ
ルジアゾメタン3.44ｇを徐々に加え、室温下15
分間反応させる。反応終了後、減圧下に溶媒を
留去し、残留物を酢酸エチル15mlおよび水15ml
の混合溶媒に溶解させ、炭酸水素ナトリウムを
用いてPH８に調整する。次いで、有機層を分取
し、水15mlで２回洗浄した後、無水硫酸マグネ
シウムで乾燥し、減圧下に溶媒を留去して得ら
れた残留物を、カラムクロマトグラフイー（和
光シリカゲルＣ−200；展開溶媒、ベンゼン：
酢酸エチル＝５：１）にて精製すれば、融点96
〜101℃（分解）を示す７−アミノ−３−〔１−
（４−ジフエニルメトキシカルボニル）−1H−
１・２・３−トリアゾリル）メチル〕−△３−
セフエム−４−カルボン酸ベンズヒドリルエス
テル（この生成物の構造は推定構造である。）
0.24ｇを得る。 IR（KBr）cm-1；νＣ＝O1770、1720 NMR（CDCl3）ppm値； 2.33（2H、bs、−NH2）、 2.78、3.21（2H、ABq、Ｊ＝18Hz、
【式】）、 4.71（1H、ｄ、Ｊ＝５Hz、C6−Ｈ）、 4.90（1H、ｄ、Ｊ＝５Hz、C7−Ｈ）、 5.32、5.92（2H、ABq、Ｊ＝16Hz、
【式】）、 6.86（2H、ｓ、−COOCＨ（C6H5）2×２）、 7.20（20H、ｓ、
【式】×４）、 8.11（1H、ｓ、
【式】） 実施例 11 置換−１・２・４−トリアゾール類を実施例１
の(1)および(2)と同様に反応させ、表−９の化合物
を得た。
【表】
【表】
【表】 実施例 12 実施例10の(1)と同様に反応させて表−10の化合
物を得た。 表−10における生成物の物性（IRおよび
NMR）は、実施例８のものと一致した。 表中、※印は原料として、７−アミノ−３−ア
セトキシメチル−△３−セフエム−４−カルボン
酸−１−オキシドを用いた。
【表】 実施例 13 (1) ７−ACAのｐ−ニトロベンジルエステル
4.07ｇをトリフルオロ酢酸30mlに溶解させ、こ
れに三弗化硼素・ジエチルエーテル錯塩7.1ｇ
および１・２・４−トリアゾール0.69ｇを加
え、室温下４時間反応させる。反応終了後、減
圧下に溶媒を留去し、得られた残留物に、水30
mlおよび酢酸エチル30mlを加え、次いで氷冷下
炭酸水素ナトリウムでPH7.0に調整した後、有
機層を分取する。分取した有機層を水洗し、次
いで無水硫酸マグネシウムで乾燥後、減圧下に
溶媒を留去すれば、融点114〜116℃（分解）を
示す７−アミノ−３−〔１−（1H−１・２・４
−トリアゾリル）メチル〕−△３−セフエム−
４−カルボン酸ｐ−ニトロベンジルエステル
0.67ｇを得る。 IR（KBr）cm-1；νＣ＝O1770、1708 NMR（CDCl3）ppm値； 1.99（2H、ｓ、−NH2）、 3.50（2H、ｓ、
【式】）、 4.79（1H、ｄ、Ｊ＝５Hz、C6−Ｈ）、 4.86（1H、ｄ、Ｊ＝５Hz、C7−Ｈ）、 4.95、5.28（2H、ABq、Ｊ＝15Hz、
【式】）、 5.24（2H、ｓ、
【式】）、 7.53、8.15（4H、ABq、Ｊ＝８Hz、
【式】）、 7.86（1H、ｓ、
【式】）、 8.30（1H、ｓ、
【式】） (2) ７−アミノ−３−〔１−（1H−１・２・４−
トリアゾリル）メチル〕−△３−セフエム−４
−カルボン酸 ｐ−ニトロベンジルエステル
4.16ｇをメタノール40mlおよびテトラヒドロフ
ラン20mlの混合溶媒に溶解させ、これに10％パ
ラジウム炭素3.0ｇを加え、室温下水素添加反
応を行なう。反応終了後、反応液を過した
液を減圧下に濃縮する。いで、残留物に酢酸エ
チル30mlおよび水30mlを加え、氷冷下炭酸水素
ナトリウムでPH７に調整し、水層を分取する。
これを、氷冷下、2N−塩酸でPH3.5に調整す
る。析出晶を取し、水５mlおよびアセトン５
mlで順次洗浄した後乾燥すれば、融点149℃
（分解）を示す７−アミノ−３−〔１−（１・
２・４−トリアゾリル）メチル−△３−セフエ
ム−４−カルボン酸2.56ｇを得る。 この化合物の物性（IRおよびNMR）は、実
施例８のものと一致した。 実施例 14 ７−アミノ−３−アセトキシメチル−△３−セ
フエム−４−カルボン酸エチルエステル3.0ｇお
よび１・２・４−トリアゾール0.76ｇを実施例13
の(1)と同様に反応させれば、融点68〜72℃（分
解）を示す７−アミノ−３−〔１−（1H−１・
２・４−トリアゾリル）メチル〕−△３−セフエ
ム−４−カルボン酸エチルエステル1.02ｇを得
る。 IR（KBr）cm-1；δＣ＝Ｏ 1770、1720 NMR（CDCl3）ppm値； 0.89（3H、ｔ、Ｊ＝７Hz、−COOCH2CH3 ）、 2.68（2H、bs、−NH2）、 3.51（2H、ｓ、
【式】）、 4.47（2H、ｑ、Ｊ＝７Hz、−COOCH2 CH3）、 4.82（1H、ｄ、Ｊ＝５Hz、C6−Ｈ）、 4.98（1H、ｄ、Ｊ＝５Hz、C7−Ｈ） 4.98、5.35（2H、ABq、Ｊ＝15Hz、
【式】）、 7.93（1H、ｓ、
【式】）、 8.39（1H、ｓ、
【式】） 実施例 15 ７−アミノ−３−アセトキシメチル−△３−セ
フエム−４−カルボン酸ベンズヒドリルエステル
4.38ｇをトリフルオロ酢酸30mlに溶解させ、これ
に三弗化硼素・ジエチルエーテル錯塩7.1ｇおよ
び１・２・４−トリアゾール0.9ｇを加え室温下
５時間反応させる。反応終了後、減圧下に溶媒を
留去し、得られた残留物に水30mlおよび酢酸エチ
ル30mlを加え、これを、氷冷下炭酸水素ナトリウ
ムでPH７に調整し水層を分取する。これを再び氷
冷下にて2N−塩酸を用いてPH3.5に調整する。析
出晶を取し水５mlおよびアセトン５mlで順次洗
浄した後、乾燥すれば、融点149℃（分解）を示
す７−アミノ−３−〔１−（1H−１・２・４−ト
リアゾリル）メチル〕−△３−セフエム−４−カ
ルボン酸1.12ｇを得る。 この化合物の物性（IRおよびNMR）は実施例
８で得られたものと一致した。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １ 一般式 〔式中、R1は水素原子を；R2はアミノ基を；Ｘは
    置換基を有するかもしくは有しないアシルオキシ
    基を；〓Ｙは〓Ｓ又はＳ→Ｏを意味する。〕 で表わされるセフアロスポラン酸類又はそのカル
    ボキシル基における誘導体又はそれらの塩に、有
    機溶媒中、酸又は酸の錯化合物の存在下、環中の
    炭素原子が置換されていてもよいトリアゾール又
    はテトラゾール又はそれらの塩を反応させ、所望
    により次いで保護基の脱離又はカルボキシル基を
    保護又は塩とすることを特徴とする一般式 〔式中、R1、R2およびＹは前記した意味を有し、
    R3は環中の炭素原子が置換されていてもよいト
    リアゾリル又はテトラゾリル基を示す。 ただし、−CH2R3は、R3の窒素原子と隣接する
    エキソメチレン基の炭素原子と結合しているもの
    とする。〕 で表わされる７−アミノ−３−置換メチルセフエ
    ムカルボン酸類又はそのカルボキシル基における
    誘導体又はそれらの塩の製造法。 ２ 酸又は酸の錯化合物が、プロトン酸、ルイス
    酸又はルイス酸の錯化合物である特許請求の範囲
    第１項記載の７−アミノ−３−置換メチルセフエ
    ムカルボン酸類又はそのカルボキシル基における
    誘導体又はそれらの塩の製造法。 ３ プロトン酸が、硫酸塩、スルホン酸類又は超
    強酸類である特許請求の範囲第２項記載の７−ア
    ミノ−３−置換メチルセフエムカルボン酸類又は
    そのカルボキシル基における誘導体又はそれらの
    塩の製造法。 ４ ルイス酸又はルイス酸の錯化合物が、三弗化
    硼素又はその錯化合物である特許請求の範囲第２
    項記載の７−アミノ−３−置換メチルセフエムカ
    ルボン酸類又はそのカルボキシル基における誘導
    体又はそれらの塩の製造法。 ５ Ｘがアセトキシ基である特許請求の範囲第１
    〜４項いずれかの項記載の７−アミノ−３−置換
    メチルセフエムカルボン酸類又はそのカルボキシ
    ル基における誘導体又はそれらの塩の製造法。 ６ 有機溶媒が、有機カルボン酸類、エーテル
    類、エステル類、ニトリル類、ニトロアルカン類
    又はスルホラン類である特許請求の範囲第１〜５
    項いずれかの項記載の７−アミノ−３−置換メチ
    ルセフエムカルボン酸類又はそのカルボキシル基
    における誘導体又はそれらの塩の製造法。 ７ R3が寒中の炭素原子が置換されていてもよ
    い２−（2H−１・２・３−トリアゾリル）、１−
    （1H−１・２・４−トリアゾリル）、４−（4H−
    １・２・４−トリアゾリル）又は２−（2H−１・
    ２・３・４−テトラゾリル）基である特許請求の
    範囲第１〜６項いずれかの項記載の７−アミノ−
    ３−置換メチルセフエムカルボン酸類又はそのカ
    ルボキシル基における誘導体又はそれらの塩の製
    造法。
JP55132253A 1980-09-25 1980-09-25 Novel preparation of 7-substituted or unsubstituted amino-3-substituted methylcephem carboxylic acids Granted JPS5758689A (en)

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