JPH0360452A - 誘電体磁器組成物 - Google Patents
誘電体磁器組成物Info
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- JPH0360452A JPH0360452A JP1192238A JP19223889A JPH0360452A JP H0360452 A JPH0360452 A JP H0360452A JP 1192238 A JP1192238 A JP 1192238A JP 19223889 A JP19223889 A JP 19223889A JP H0360452 A JPH0360452 A JP H0360452A
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- Japan
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- composition
- dielectric constant
- ceramic composition
- present
- dielectric ceramic
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は誘電体磁器組成物に係り、特に低温焼結が可能
で、焼結体中の粒成長を抑えると共に高誘電率かつ低損
失な誘電特性を有し、例えば小型大容量の積層コンデン
サ等の誘電体材料として好適な誘電体磁器組成物に関す
る。
で、焼結体中の粒成長を抑えると共に高誘電率かつ低損
失な誘電特性を有し、例えば小型大容量の積層コンデン
サ等の誘電体材料として好適な誘電体磁器組成物に関す
る。
［従来の技術］
従来、高誘電率磁器組成物としては、チタン酸バリウム
（ＢａＴｉＯａ）を主体とする組成物が−Ｍに使用され
ている。即ち、ＢａＴｉＯ３を基体とし、これにキュリ
ー点を室温付近に移動させるシフター剤と容量温度特性
を改善するデプレッサ剤、さらに焼結促進剤、還元防止
剤などを加えた組成とするのが一般的である。
（ＢａＴｉＯａ）を主体とする組成物が−Ｍに使用され
ている。即ち、ＢａＴｉＯ３を基体とし、これにキュリ
ー点を室温付近に移動させるシフター剤と容量温度特性
を改善するデプレッサ剤、さらに焼結促進剤、還元防止
剤などを加えた組成とするのが一般的である。
シフター剤としては、ＢａＳｎＯ３，ＢａＺｒＯ３，Ｃ
ａＺｒＯ３，ＣａＳｎＯ３ＳｒＴｉＯ３，ＰｂＴｉＯ３
，Ｌａ２Ｏ３゜ＣｅＯ２などが用いられ、デブレッサ剤
としては、ＣａＴｉＯ３，ＭｇＴｉ０ｚ 、Ｂ１２（Ｓ
ｎＯ３）ｓ、Ｂｉ２ （ＴｉＯ３）３ＮｉＳｎＯｓ、Ｍ
ｇＺｒＯ３，Ｍｇ５ｎＯｓなどが用いられている。また
焼結促進剤としては、ＡＪ２２０ａ 、Ｓ ｉｏ２．Ｚ
ｎＯ，ＣｅＯ２゜Ｂ２０３ 、Ｎｂ２０５ 、ＷＯ２な
どが用いられ、還元防止剤としては、ＭｎＯ２，Ｆｅ２
０３゜ＣｕＯなどが用いられている。
ａＺｒＯ３，ＣａＳｎＯ３ＳｒＴｉＯ３，ＰｂＴｉＯ３
，Ｌａ２Ｏ３゜ＣｅＯ２などが用いられ、デブレッサ剤
としては、ＣａＴｉＯ３，ＭｇＴｉ０ｚ 、Ｂ１２（Ｓ
ｎＯ３）ｓ、Ｂｉ２ （ＴｉＯ３）３ＮｉＳｎＯｓ、Ｍ
ｇＺｒＯ３，Ｍｇ５ｎＯｓなどが用いられている。また
焼結促進剤としては、ＡＪ２２０ａ 、Ｓ ｉｏ２．Ｚ
ｎＯ，ＣｅＯ２゜Ｂ２０３ 、Ｎｂ２０５ 、ＷＯ２な
どが用いられ、還元防止剤としては、ＭｎＯ２，Ｆｅ２
０３゜ＣｕＯなどが用いられている。
［発明が解決しようとする課題］
しかしながら、ＢａＴｉＯｓを主体とする組成物は焼結
温度が１３００〜１４００℃の高温であるため、焼成コ
ストが高く、特にこれを積層コンデンサとして利用する
場合には内部電極として、パラジウム、白金などの高価
な貴金属を用いなければならず、積層コンデンサのコス
ト低減の犬き１（問題点になっていた。
温度が１３００〜１４００℃の高温であるため、焼成コ
ストが高く、特にこれを積層コンデンサとして利用する
場合には内部電極として、パラジウム、白金などの高価
な貴金属を用いなければならず、積層コンデンサのコス
ト低減の犬き１（問題点になっていた。
しかも、ＢａＴｆＯａを主体とする組成物の誘電率は最
高でも１．００００種度であるため、小型大容量の積層
コンデンサを得るには暦数を多くしなければ１２らず、
やはり、製造コスト低減の大き１（障害となっていた。
高でも１．００００種度であるため、小型大容量の積層
コンデンサを得るには暦数を多くしなければ１２らず、
やはり、製造コスト低減の大き１（障害となっていた。
このようなことから、内部電極として安価なＡｇを主成
分とする電極を使用することができ、しかも、層数を少
なく抑えて積層コンデンサの製造コストを低減し得る、
低温焼結が可能な高誘電率誘電体材料の出現が要望され
ている。
分とする電極を使用することができ、しかも、層数を少
なく抑えて積層コンデンサの製造コストを低減し得る、
低温焼結が可能な高誘電率誘電体材料の出現が要望され
ている。
追手、主体そのものが低温焼結可能な鉛系複合ペロブス
カイト型化合物を用いた組成物が数多く提案されている
。特に、Ｐ ｂ （Ｆ ｅ ｌ／２ Ｎ ｂ ｌ／２）
０３及びＰ ｂ （Ｆ ｅ２ｙ３Ｗ！／３）０３を含む
組成物は低温焼結が可能でかつ高誘電率を有しており、
この２成分系を中心として様々な組成物が提案されてい
る（例えば、Ｍ、 Ｙｏｎｅｚａｗａ： Ｃｅｒａｍｉ
ｃＢｕｌｌｅｔｉｎ ［ｉ２ （１９８３） １３７５
）。しかし、このようなｐｂやＷを含む組成物を用いた
場合、焼結体中の結晶粒径が大きくなっていまい薄層化
に向かないという欠点がある。一方、結晶粒成長を即え
られるような低温で焼成した場合、優れた電気特性を得
られない等の不都合が生じる。
カイト型化合物を用いた組成物が数多く提案されている
。特に、Ｐ ｂ （Ｆ ｅ ｌ／２ Ｎ ｂ ｌ／２）
０３及びＰ ｂ （Ｆ ｅ２ｙ３Ｗ！／３）０３を含む
組成物は低温焼結が可能でかつ高誘電率を有しており、
この２成分系を中心として様々な組成物が提案されてい
る（例えば、Ｍ、 Ｙｏｎｅｚａｗａ： Ｃｅｒａｍｉ
ｃＢｕｌｌｅｔｉｎ ［ｉ２ （１９８３） １３７５
）。しかし、このようなｐｂやＷを含む組成物を用いた
場合、焼結体中の結晶粒径が大きくなっていまい薄層化
に向かないという欠点がある。一方、結晶粒成長を即え
られるような低温で焼成した場合、優れた電気特性を得
られない等の不都合が生じる。
このため、低温焼結が可能で、かつ焼結体中の粒成長を
抑えながら優れた電気特性を示す高誘電率誘導体材料の
出現が要望されている。
抑えながら優れた電気特性を示す高誘電率誘導体材料の
出現が要望されている。
本発明は上記従来の実情に鑑みてなされたものであって
、低温焼結が可能で、また、焼結体中の粒成長を抑える
ことが可能で、その上、誘電率が高く、しかも誘電損失
（ｔａｎδ）が小さく、小型大容量の積層コンデンサ等
を低コストで製造することを可能とする誘電体磁器組成
物を提供することを目的とする。
、低温焼結が可能で、また、焼結体中の粒成長を抑える
ことが可能で、その上、誘電率が高く、しかも誘電損失
（ｔａｎδ）が小さく、小型大容量の積層コンデンサ等
を低コストで製造することを可能とする誘電体磁器組成
物を提供することを目的とする。
［課題を解決するための手段及び作用Ｊ本発明の誘電体
磁器組成物は、Ｐｂ（ＦｅｔｚｚＮｂ＋７ｚ ）０３
、Ｐｂ （Ｚｎ＋ｚ３Ｎｂ２７３ ）０３及びＰ ｂ
（Ｍ＋／２ Ｗｌ／２ ） ０３ （Ｄ３成分を主成分
として含む組成物において、ｐｂ原子の一部をＣａ、Ｂ
ａ及びＳ「よりなる群から選ばれる少なくとも１種の原
子でＭ換したものであって、−数式（Ｉ） （Ｐ ｂ＋−ａ Ｒａ ） ［（Ｆ ｅｒ／２Ｎ ｂ
ｕｚｚ ） １−ｂ−ｃ（Ｚ ｎ ｌ／３ Ｎ ｂ ２
／３ ） ｂ（Ｍ＋／２ Ｗｌ／２ ） ｃ ］ ０３
・・・（Ｉ） （ＲはＣａ、Ｂａ及びＳｒよりなる群から選ばれる少な
くとも１種、ＭはＺｎ、Ｍｇ及びＮｉよりなる群から選
ばれる少なくとも１種） で表わした場合、 ０．００＜ａｇｏ、１０ ０．００＜ｂ＋ｃ＜０．５０ となる組成よりなる仮焼物で表わされるように、ＰｂＯ
及びＮｂｚＯｓを、それぞれ重量％で０．００＜ＰｂＯ
＜１．５ ０．００＜Ｎｂｚ Ｏｓ ＜１．０ 添加した組成を有することを特徴とする特本発明者らは
、先に１０００℃程度の温度で焼結可能な高誘電率誘導
体磁器組成物として、前記−数式（１）で示される組成
を有する組成物を提案した（特願平１−７４５７３号）
。本発明の誘電体６Ｒ器組成物は、この組成系よりなる
仮焼物に副成分として更にＰｂＯ及びＮｂ２ ｏ、の所
定量を添加含有せしめたものであって、これにより、９
５０℃付近の温度で焼結が可能となり、かつ焼結体中の
粒成長を抑えながら優れた電気特性を示す高誘電率誘導
体ＩＩｆ１器組成物を提供するものである。
磁器組成物は、Ｐｂ（ＦｅｔｚｚＮｂ＋７ｚ ）０３
、Ｐｂ （Ｚｎ＋ｚ３Ｎｂ２７３ ）０３及びＰ ｂ
（Ｍ＋／２ Ｗｌ／２ ） ０３ （Ｄ３成分を主成分
として含む組成物において、ｐｂ原子の一部をＣａ、Ｂ
ａ及びＳ「よりなる群から選ばれる少なくとも１種の原
子でＭ換したものであって、−数式（Ｉ） （Ｐ ｂ＋−ａ Ｒａ ） ［（Ｆ ｅｒ／２Ｎ ｂ
ｕｚｚ ） １−ｂ−ｃ（Ｚ ｎ ｌ／３ Ｎ ｂ ２
／３ ） ｂ（Ｍ＋／２ Ｗｌ／２ ） ｃ ］ ０３
・・・（Ｉ） （ＲはＣａ、Ｂａ及びＳｒよりなる群から選ばれる少な
くとも１種、ＭはＺｎ、Ｍｇ及びＮｉよりなる群から選
ばれる少なくとも１種） で表わした場合、 ０．００＜ａｇｏ、１０ ０．００＜ｂ＋ｃ＜０．５０ となる組成よりなる仮焼物で表わされるように、ＰｂＯ
及びＮｂｚＯｓを、それぞれ重量％で０．００＜ＰｂＯ
＜１．５ ０．００＜Ｎｂｚ Ｏｓ ＜１．０ 添加した組成を有することを特徴とする特本発明者らは
、先に１０００℃程度の温度で焼結可能な高誘電率誘導
体磁器組成物として、前記−数式（１）で示される組成
を有する組成物を提案した（特願平１−７４５７３号）
。本発明の誘電体６Ｒ器組成物は、この組成系よりなる
仮焼物に副成分として更にＰｂＯ及びＮｂ２ ｏ、の所
定量を添加含有せしめたものであって、これにより、９
５０℃付近の温度で焼結が可能となり、かつ焼結体中の
粒成長を抑えながら優れた電気特性を示す高誘電率誘導
体ＩＩｆ１器組成物を提供するものである。
以下、本発明の詳細な説明する。
まず、本発明の誘電体磁器組成物の組成域の限定理由に
ついて説明する。
ついて説明する。
前記（１）式中、ａが０．００であると誘電率の温度変
化が急激になり、ａが０．１０以上であると誘電率のピ
ークが著しく低温側に移行するため誘電率が小さくなる
。このため、ａの値の範囲は０．００＜ａ＜０．１０と
する。
化が急激になり、ａが０．１０以上であると誘電率のピ
ークが著しく低温側に移行するため誘電率が小さくなる
。このため、ａの値の範囲は０．００＜ａ＜０．１０と
する。
また、前記（１）式中、ｂ≧０．５０を満たす領域にお
いては、通常の固相反応ではペロブスカイト構造になら
ないＰ ｂ （Ｚ ｎｌ／３Ｎ ｂ２７ｓ ）０３が主
組成となり、誘電率が低下する。また、Ｃ２０，５０を
満たす領域においては、反強誘電体であるＰｂ （Ｍ＋
／２ Ｗｌ／２ ） ０３ （但し、Ｍは前記の通り
）が主組成となり、誘電率が低下する。更に、ｂ＋ｃ≧
０．５０かつｂｏｏ、５０、ｃ＜０．５を満たす領域に
おいては、前述の二つの要因が共存するため、やはり誘
電率が低下する。このため、ｂ＋ｃ＜０．５０でなけれ
ばならない。また、ｂ＋ｃ＝ｏのときは、ｐｂ（Ｆ ｅ
ｌ／２ Ｎ ｂ ｌ／２ ） ０３のｐｂをＲ（Ｒは
前記の通り）で置換した組成となり、良好な電気特性が
得られない。このため、０．００＜ｂ＋ｃとする。
いては、通常の固相反応ではペロブスカイト構造になら
ないＰ ｂ （Ｚ ｎｌ／３Ｎ ｂ２７ｓ ）０３が主
組成となり、誘電率が低下する。また、Ｃ２０，５０を
満たす領域においては、反強誘電体であるＰｂ （Ｍ＋
／２ Ｗｌ／２ ） ０３ （但し、Ｍは前記の通り
）が主組成となり、誘電率が低下する。更に、ｂ＋ｃ≧
０．５０かつｂｏｏ、５０、ｃ＜０．５を満たす領域に
おいては、前述の二つの要因が共存するため、やはり誘
電率が低下する。このため、ｂ＋ｃ＜０．５０でなけれ
ばならない。また、ｂ＋ｃ＝ｏのときは、ｐｂ（Ｆ ｅ
ｌ／２ Ｎ ｂ ｌ／２ ） ０３のｐｂをＲ（Ｒは
前記の通り）で置換した組成となり、良好な電気特性が
得られない。このため、０．００＜ｂ＋ｃとする。
本発明においては、特に
ｏ、ｏｏ＜ｂ≦０．２０
０．０ｏｚｅ≦０，２０
であることが好ましい。
上記のごとく限定された組成よりなる仮焼物で表わされ
るように、ＮｂｚＯａのみを添加した場合、その添加量
に従って焼結体中の粒成長が著しく抑制されるが、反面
、焼結が悪くなり、誘電率及び絶縁抵抗が低下する。こ
れで表わされるように、ＰｂＯとＮｂ２Ｏ５を同時に添
加した場合には、粒成長が抑制され、かつ低温焼結が可
能となり、誘電率及び絶縁抵抗の低下も起こすことがな
い。このことから、ＰｂＯ及びＮｂ、Ｏ，が同時に添加
されることが必要とされる。しかし、ＰｂＯ及びＮｂｚ
Ｏｓの添加量が多過ぎると、焼結が不安定になったり、
電気特性の劣化、信頼性や強度の低下を招くなど好まし
くない。従って、ＰｂＯ及びＮｂ２Ｏ５の添加量は、前
記−数式（Ｉ）で表わされる組成よりなる仮焼物で表わ
されるように、それぞれ重量％で０．００＜ＰｂＯ＜１
．５ ０．００＜Ｎｔ）ｚ Ｏｓ ＜１．０ とする。
るように、ＮｂｚＯａのみを添加した場合、その添加量
に従って焼結体中の粒成長が著しく抑制されるが、反面
、焼結が悪くなり、誘電率及び絶縁抵抗が低下する。こ
れで表わされるように、ＰｂＯとＮｂ２Ｏ５を同時に添
加した場合には、粒成長が抑制され、かつ低温焼結が可
能となり、誘電率及び絶縁抵抗の低下も起こすことがな
い。このことから、ＰｂＯ及びＮｂ、Ｏ，が同時に添加
されることが必要とされる。しかし、ＰｂＯ及びＮｂｚ
Ｏｓの添加量が多過ぎると、焼結が不安定になったり、
電気特性の劣化、信頼性や強度の低下を招くなど好まし
くない。従って、ＰｂＯ及びＮｂ２Ｏ５の添加量は、前
記−数式（Ｉ）で表わされる組成よりなる仮焼物で表わ
されるように、それぞれ重量％で０．００＜ＰｂＯ＜１
．５ ０．００＜Ｎｔ）ｚ Ｏｓ ＜１．０ とする。
このような本発明の誘電体磁器組成物を製造するには、
例えば、−酸化鉛、炭酸カルシウム、炭酸バリウム、炭
酸ストロンチウム、酸化第二鉄、五酸化ニオブ、酸化亜
鉛、酸化マグネシウム、炭酸ニッケル、三酸化タングス
テン等の粉末を所定の割合となるよう秤量し、湿式ボー
ルミル等を用いて十分に混合する。次にこの混合物を乾
燥した後、必要に応じ、６００〜８００℃の範囲で数時
間程度仮焼する。得られた仮焼物に、所定量のＰｂＯ及
びＮｂｚＯｓを添加し、湿式ボールミル等で粉砕する。
例えば、−酸化鉛、炭酸カルシウム、炭酸バリウム、炭
酸ストロンチウム、酸化第二鉄、五酸化ニオブ、酸化亜
鉛、酸化マグネシウム、炭酸ニッケル、三酸化タングス
テン等の粉末を所定の割合となるよう秤量し、湿式ボー
ルミル等を用いて十分に混合する。次にこの混合物を乾
燥した後、必要に応じ、６００〜８００℃の範囲で数時
間程度仮焼する。得られた仮焼物に、所定量のＰｂＯ及
びＮｂｚＯｓを添加し、湿式ボールミル等で粉砕する。
粉砕により得られた仮焼粉を乾燥後、ポリビニルアルコ
ールなどの適当な有機バインダを加えて、顆粒を作り、
これを所定の形状にプレス成形した後、焼成を行なう。
ールなどの適当な有機バインダを加えて、顆粒を作り、
これを所定の形状にプレス成形した後、焼成を行なう。
この焼成は、７５０〜１０００℃の温度範囲で０．５〜
数時間程度行なう。（勿論、これらの製造条件は最も好
適な数値であって、本発明の磁器組成物は上記以外の条
件もしくは方法によって製造されても良い。） ［実施例］ 以下に本発明を実施例を挙げて更に具体的に説明するが
、本発明はその要旨を超えない限り、以下の実施例に限
定されるものではない。
数時間程度行なう。（勿論、これらの製造条件は最も好
適な数値であって、本発明の磁器組成物は上記以外の条
件もしくは方法によって製造されても良い。） ［実施例］ 以下に本発明を実施例を挙げて更に具体的に説明するが
、本発明はその要旨を超えない限り、以下の実施例に限
定されるものではない。
実施例１
出発原料としてＰｂＯ，ＣａＣＯ３，Ｆｅ２Ｏ３、Ｎｂ
２０ｓ 、ＺｎＯ及びｗａｇを使用し、これらを前記−
数式（Ｉ）において、ａヨｂ＝ｃ＝０．０５．Ｒ＝Ｃａ
、Ｍ＝Ｚｎの配合比となるように秤量し、ボールミル中
で純水と共に約２０時間溝式混合した。次いで混合物を
乾燥後、７００〜７５０℃で２時間保持して仮焼した。
２０ｓ 、ＺｎＯ及びｗａｇを使用し、これらを前記−
数式（Ｉ）において、ａヨｂ＝ｃ＝０．０５．Ｒ＝Ｃａ
、Ｍ＝Ｚｎの配合比となるように秤量し、ボールミル中
で純水と共に約２０時間溝式混合した。次いで混合物を
乾燥後、７００〜７５０℃で２時間保持して仮焼した。
この仮焼物に第１表の配合比になるようにＰｂＯ及びＮ
ｂ２Ｏ，を添加しくただし、Ｎｏ、１〜４ではＮｂ２Ｏ
，のみを添加）、再びボールミル中で純水と共に約２０
時間溝式粉砕した後、乾燥した。
ｂ２Ｏ，を添加しくただし、Ｎｏ、１〜４ではＮｂ２Ｏ
，のみを添加）、再びボールミル中で純水と共に約２０
時間溝式粉砕した後、乾燥した。
得られた粉末にポリビニルアルコール水溶液（有機バイ
ンダ）を加え、底形圧力約２ｔ ｏ ｎ ／ ｃ ｔｎ
’で、直径的１５ｍｍ、厚さ約０． ７ｍｍの円板に加
圧成形した。この成形物を約６００℃で１時間保持して
バインダを除いた後、マグネシア磁器容器に入れて、第
１表に示す温度で３〜１８時間焼成した。
ンダ）を加え、底形圧力約２ｔ ｏ ｎ ／ ｃ ｔｎ
’で、直径的１５ｍｍ、厚さ約０． ７ｍｍの円板に加
圧成形した。この成形物を約６００℃で１時間保持して
バインダを除いた後、マグネシア磁器容器に入れて、第
１表に示す温度で３〜１８時間焼成した。
得られた焼結体の両面に、銀電極を６５０〜７００℃で
焼付けて平行平板コンデンサとし、その電気特性を調べ
た。
焼付けて平行平板コンデンサとし、その電気特性を調べ
た。
結果を第１表に示す。
なお、誘電率及び誘電損失はＹＨＰデジタルＬＣＲメー
タモデル４２７４Ａを用い、測定周波数ｌＫＨ２，測定
電圧１．ＯＶｒｍｓ、温度２５℃にて測定した。また、
絶縁抵抗はＹＨＰアナログＩＲメータ４３２９Ａを使用
し、温度２５℃で印加電圧１００ｖにて、１分後の値を
測定した。また、単板状試料断面を研磨後、適゛当なエ
ッチャントを用いて化学的にエツチングし、その断面を
光学顕微鏡で観察することにより焼結体中の結晶粒の平
均粒径な求めた。
タモデル４２７４Ａを用い、測定周波数ｌＫＨ２，測定
電圧１．ＯＶｒｍｓ、温度２５℃にて測定した。また、
絶縁抵抗はＹＨＰアナログＩＲメータ４３２９Ａを使用
し、温度２５℃で印加電圧１００ｖにて、１分後の値を
測定した。また、単板状試料断面を研磨後、適゛当なエ
ッチャントを用いて化学的にエツチングし、その断面を
光学顕微鏡で観察することにより焼結体中の結晶粒の平
均粒径な求めた。
第１表からも明らかなように、本発明の範囲内の組成物
は、いずれも誘電率が高く、誘電損失が低く、しかも、
容量抵抗積も比較的大きいという優れた電気特性を示し
、その上、焼結温度が低く、焼結体中の結晶粒径が小さ
いという利点も有している。
は、いずれも誘電率が高く、誘電損失が低く、しかも、
容量抵抗積も比較的大きいという優れた電気特性を示し
、その上、焼結温度が低く、焼結体中の結晶粒径が小さ
いという利点も有している。
［発明の効果］
以上詳述した通り、本発明の誘電体磁器組成物は、高誘
電率かつ低損失であり、容量抵抗積も比較的大きい、ま
た、本発明の誘電体磁器組成物は焼結体中の結晶粒径が
小さい。このため、本発明の誘電体磁気組成物を用いる
ことにより、信頼性の高い小型大容量のコンデンサを得
ることができる。
電率かつ低損失であり、容量抵抗積も比較的大きい、ま
た、本発明の誘電体磁器組成物は焼結体中の結晶粒径が
小さい。このため、本発明の誘電体磁気組成物を用いる
ことにより、信頼性の高い小型大容量のコンデンサを得
ることができる。
１ノかも、本発明の誘電体磁器組成物は、焼結温度が低
いため、焼成コストが安価で、積層コンデンサに用いた
場合、内部電極に高価なパラジウムや白金などの貴金属
を使用することなく、比較的安価な銀糸等の金属を使用
することができる。このため、積層コンデンサの製造コ
ストを低下させ、 その価格を大幅に低減することができる。
いため、焼成コストが安価で、積層コンデンサに用いた
場合、内部電極に高価なパラジウムや白金などの貴金属
を使用することなく、比較的安価な銀糸等の金属を使用
することができる。このため、積層コンデンサの製造コ
ストを低下させ、 その価格を大幅に低減することができる。
Claims (1)
- （１）Ｐｂ（Ｆｅ＿１＿／＿２Ｎｂ＿１＿／＿２）Ｏ＿
３，Ｐｂ（Ｚｎ＿１＿／＿３Ｎｂ＿２＿／＿３）Ｏ＿３
及びＰｂ（Ｍ＿１＿／＿２Ｗ＿１＿／＿２）Ｏ＿３を主
成分として含み、下記一般式（ I ） （Ｐｂ＿１＿−＿ａＲ＿ａ）［（Ｆｅ＿１＿／＿２Ｎｂ
＿１＿／＿２）＿１＿−＿ｂ＿−＿ｃ（Ｚｎ＿１＿／＿
３Ｎｂ＿２＿／＿３）＿ｂ（Ｍ＿１＿／＿２Ｗ＿１＿／
＿２）＿ｃ］Ｏ＿３…（ I ） ［式中、ＲはＣａ，Ｂａ及びＳｒよりな る群から選ばれる少なくとも１種 ＭはＺｎ，Ｍｇ及びＮｉよりなる群か ら選ばれる少なくとも１種 ａ，ｂ及びｃは ０．００＜ａ＜０．１０ ０．００＜ｂ＋ｃ＜０．５０ を満たす正数］ で表わされるように、Ｐｂ原子のうちの一部を、Ｃａ，
Ｂａ及びＳｒよりなる群から選ばれる少なくとも１種の
原子で置換した組成よりなる仮焼物に対して、ＰｂＯ及
びＮｂ＿２Ｏ＿５を、それぞれ重量％で ０．００＜ＰｂＯ＜１．５ ０．００＜Ｎｂ＿２Ｏ＿５＜１．０ 添加した組成を有することを特徴とする誘電体磁器組成
物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1192238A JPH0360452A (ja) | 1989-07-25 | 1989-07-25 | 誘電体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1192238A JPH0360452A (ja) | 1989-07-25 | 1989-07-25 | 誘電体磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0360452A true JPH0360452A (ja) | 1991-03-15 |
| JPH0582341B2 JPH0582341B2 (ja) | 1993-11-18 |
Family
ID=16287954
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1192238A Granted JPH0360452A (ja) | 1989-07-25 | 1989-07-25 | 誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0360452A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101646531B1 (ko) | 2016-01-18 | 2016-08-08 | 회명산업 주식회사 | 에폭시 수지용 잠재성 경화제, 그 제조방법, 이를 포함하는 일액형 에폭시 수지 조성물 |
-
1989
- 1989-07-25 JP JP1192238A patent/JPH0360452A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101646531B1 (ko) | 2016-01-18 | 2016-08-08 | 회명산업 주식회사 | 에폭시 수지용 잠재성 경화제, 그 제조방법, 이를 포함하는 일액형 에폭시 수지 조성물 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0582341B2 (ja) | 1993-11-18 |
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