JPH036095A - インダクター及びインダクターを含む複合部品並びにそれらの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 主業上袋困Ｕｌ■ 本発明は、一般に回路基板等に設置されるものであって
、誘電性を有する磁性体材料を層状になしたものの両側
に電極膜がパターン形成され、この外側がシールドされ
ているインダクター及び、バンドパスフィルタ、デュプ
レクサ等のインダクターを含む複合部品、並びにそれら
の製造方法に関する。

従沫四υ支逝 上記のうち例えばバンドパスフィルタとして、第１７図
（正面図）、第１８図（底面図）、第１９図（背面図）
に示すように構成されたものがある。これは、焼成して
得た誘電体からなる基板２２０の表面２２０ａ及び裏面
２２０ｂに夫々左右対称な２つのコの字体の導電パター
ン２２１，２２２．２２３，２２４を形成し、表面２２
０ａの導電パターン２２１，２２２にアース用端子２２
５．２２５を、また裏面２２０ｂの導電パターン２２３
．２２４に外部取り出し用リード端子２２６．２２６を
半田付けしたのち、リード端子２２５及びアース用端子
２２６の突出部分を除いてこれを絶縁用の樹脂浴中に浸
漬して樹脂膜（図示せず）を形成し、この外側を例えば
磁性体からなるシールドケース（図示せず）で囲んでシ
ールドを施している。

このシールドは、近くに金属等の導体が存在すると周波
数特性にずれが生じるのを防止するためである。

また、インダクターやインダクターを含む他の複合部品
においても同様にしてシールドが施されている。

しよ゛と　る しかしながら、上述のようなシールド構造にあっては、
磁性体からなるシールドケースの？１ｉｆｆ率μが周波
数特性に依存して変化するため、高周波領域においては
透磁率μの劣化が起こり、十分なシールド効果が得られ
なかった。

また、上述のようにして製造した場合には、基板の焼成
、導電パターンの形成、端子の半田付け、樹脂中への浸
漬およびシールドケースによる被覆等、種々の製造工程
が必要であった。そこで、少ない工程で製造すべく、近
年ではシールド用の電極層を内部に組み込んだ一体的構
造に形成して焼成することにより、製造することが望ま
れているが、現実的には焼成の際にシールド電極層内部
のバンドパスフィルタ本体やインダクター本体等にＱの
劣化が生じ、実施できないという問題があった。

本発明はかかる事情に鑑みてなされたものであり、使用
環境の周波数特性に影響されずにシールドが可能である
と共にシールド内部のインダクター等にＱの劣化が生じ
ることがない構成としたインダクター及びインダクター
を含む複合部品並びにそれらの製造方法を提供すること
を目的とする。

テ　　　”′するためのＪユ 本発明に係るインダクターは、磁性体層を挟んでその両
側に形成されているコイルパターン電極を前記磁性体層
に穿設した貫通孔を通じて電気的に接続した構成のイン
ダクター本体と、このインダクター本体を挟んで両側に
設けてある磁性体又は絶縁体からなる一対のシート層と
、インダクター本体及び前記一対のシート層を挾んで両
側に設けてある一対のシールド電極層と、インダクター
本体、一対のシート層及び一対のシールド電極層を挟ん
で両側に設けてある磁性体又は絶縁体からなる一対の保
護層とを備え、前記シールド電極層が回路基板等に設け
たアースと非接続状態となるように構成する。

また、インダクターを含む複合部品は、磁性体層を挟ん
で両側にコイルパターンを含む電極を形成してなる複合
部品本体を挟んでその両側に、インダクターの場合と同
様にシート層、シールド電極層、保護層とを備えた構造
とする。

このような構造とするのに好適なものとしてバンドパス
フィルタがある。

また、上述の構造のインダクターについては、磁性体層
を挟んでその両側に形成されているコイルパターン電極
を前記磁性体層に穿設した貫通孔を通じて電気的に接続
した構成のインダクター本体を形成する工程と、磁性体
又は絶縁体からなる保護層、シールド電極層、磁性体又
は絶縁体からなるシート層２前記インダクター本体、磁
性体又は絶縁体からなるシート層、シールド層および、
磁性体若しくは絶縁体からなる保護層をこの順に積層し
てなる積層体を形成する工程と、前記積層体を焼成する
工程とを行うと製造できる。

更に、インダクターを含む複合部品については、磁性体
層を挟んで両側にコイルパターンを含む電極を形成して
なる複合部品本体を作製する工程と、磁性体又は絶縁体
からなる保護層、シールド電極層、磁性体又は絶縁体か
らなるシート層、前記複合部品本体、磁性体又は絶縁体
からなるシート層。

シールド層および、磁性体若しくは絶縁体から、なる保
護層をこの順に積層してなる積層体を形成する工程と、
前記積層体を焼成する工程とを行うと製造できる。

作二−−−月− 本発明のインダクターにあっては、インダクター本体と
シールド電極層との間に、磁性体又は絶縁体からなるシ
ート層が介在しているので、このシート層を厚くするこ
とにより焼成にて生じるインダクター本体のＱの劣化を
防止できる。また、上記シート層は主として電界成分を
遮断し、一方アースされていないシールド電極層は主と
して磁界成分を遮断し、これに加えてシールド電極層の
外側に保護層を設けているため、シールド電極層の透磁
率が変化せず、使用環境の周波数に依存しない。また、
このことはインダクターを含む複合部品やバンドパスフ
ィルタにおいても同様である。

更に、本発明方法によりインダクター　インダクターを
含む複合部品およびバンドパスフィルタを製造する場合
にあっては、各層を積層状態に重ねたのち一体焼成を行
えば製造でき、製造が容易である。

実−」Ｌ−桝 第１図は本発明に係るインダクターを示す外観斜視図、
第２図は第１図の■−■線による断面図である。このイ
ンダクターは、図示の如く複数の層を積層して直方体形
状となっており、最下層の２と最上層の８は、磁性体又
は絶縁体からなる厚さが２０〜５０μｍのシート状をし
た保護層である。その内側の３と７は、例えば銅又は銀
等からなるシールド電極層、４と６は磁性体又は絶縁体
からなる厚さ１〜１．５ｍ＋ａのシート層であり、中央
部の５は例えばスピネル系フェライト等の誘電率が高い
磁性体からなる厚さが２０〜５０μｍであるシート状の
磁性体層５１，５２，５３，５４゜５５．５６を６枚重
ね、これらの間に導電材からなる電極膜がパターン形成
されたインダクター本体である。また、図中１１は入力
端子、１２は出力端子である。なお、保護層２，８及び
シート層４．６に用いる磁性体としては、誘電率の大き
さに拘わらず、どのようなものを用いてもよい。

上記インダクター本体５は、第３図に示すように、上か
ら５つの磁性体層５１．・・・、５５の下面に順次Ｃ形
の電極膜パターン５１ａ、・・・、５５ａが向きを逆に
して交互に形成されている。この電極膜パターン５１ａ
等は、最上の磁性体層５１に形成しである電極膜パター
ン５１ａの一端側（図中左側）に設けた入力端子片Ａと
は左右方向に順次位置を変えて磁性体層５２．・・・、
５５に貫通させて設けたパイヤホール５２ｂ、・・・、
５５ｂに導電材（図示せず）を充填して上下の電極膜パ
ターン５１ａ等の端部が接続され、前記入力端子片Ａか
ら磁性体層５５に設けた出力端子片Ｂまでが一体的に繋
がった螺線状のコイルとなされである。

なお、５７は充填した導電材と、接続すべき下側の電極
膜パターンとを確実に接続するための接合用電極である
。また、前記入力端子片Ａおよび出力端子Ｂとは磁性体
層５１等の端面に露出させてあり、インダクターの左右
端部に形成した入力端子１１及び出力端子１２と接続さ
れている。なお、前記電極膜パターン５１ａ等はＣ形に
形成しているが、これに限らすコの字形等に形成しても
よい。

次に、かかる構造のインダクターの製造方法について説
明する。先ず、６つの磁性体層５１．・・・５６を用意
し、これらに所定の電極膜パターン５１ａ等を形成する
と共に、パイ中ホール５２ｂ等接合用電極５７．入力端
子片Ａおよび出力端子片Ｂを形成し、パイ中水−ル５２
ｂ等内に導電材を充填して６つの磁性体層５１等を重ね
る。

このようにして作製されたインダクター本体５を挟んで
両側に、第２図に示したように、シート層４，６と、シ
ールド電極層３，７と、保護層２８を順次積層する。そ
の後、インダクター側面に露出するように予め形成しで
ある入力端子片Ａおよび出力端子片Ｂの存在する側面部
分に夫々入力端子１１と出力端子１２を形成する。これ
により、入力端子１１は入力端子片Ａと、また、出力端
子１２は出力端子片Ｂと夫々接続される。

そして、この状態のものを所定温度に保持した焼成炉内
に装入して焼成する。すると、上記構造のインダクター
が製造される。なお、この実施例ではアース端子を設け
ていないが、仮にアース端子を設けたとしてもシールド
電極膜３，７とは非接続となしておく。また、上記シー
ルド電極層３７については、第４図に示すように、これ
を挟んで上下にある保護層２等の大きさよりも若干小さ
く形成すると共に、中央部に多数個（この例では４個）
の貫通孔３ｂ（又は７ｂ）を形成し、上下層の密着性を
向上させるようにしておくのが好ましい。この貫通孔は
孔の断面を小さくなし、シールドに支障が生じないよう
にする。

このようにして製造されたインダクターにおいては、各
層を積層して積層体を形成し、これを焼成して形成する
ので、異種の製造技術の数を少なくでき、これによりイ
ンダクターを容易に製造することが可能となり、また人
・出力端子が外部に露出させて設けられているので、回
路基板等に表面実装をすることができる。また、インダ
クター本体５とシールド電極層３，７との間に磁性体又
は絶縁体からなるシート層４．６が設けられているので
、一体的構造に形成したのち焼成を行ってもインダクタ
ー本体５のＱが劣化することを防止できる。また、上記
シート層４．６は主として電界成分を遮断し、一方、上
述のごとくにアースされていないシールド電極膜３．７
は主として磁界成分を遮断し、これに加えてシールド電
極層３゜７の外側に保１１２．８が形成されているため
、金属等の導体がインダクターに近づいてもシールド電
極膜３．７の透磁率が変化せず、周波数特性にずれが生
じることがない。

次いで、本発明をバンドパスフィルタに適用した場合に
ついて説明する。第５図は本発明に係るバンドパスフィ
ルタを示す外観斜視図、第６図は第５図の■−■線によ
る断面図（正面図）、第７図は第６図の■−■線による
断面図（平面図）である。このバンドパスフィルタは、
第６図に示す如く複数の層を積層した直方体形状をなし
、最下層側から順に、磁性体又は絶縁体からなり、厚さ
が２０〜５０μｍであるシート状の保護層２１、例えば
銅又は銀等からなるシールド電極層２２、磁性体又は絶
縁体からなる厚さ１〜１．　５ｍｍのシート層２３、銅
等の導電材料からなる裏電極膜２４．３４、例えばスピ
ネル系フェライト等の誘電率が高い磁性体からなり、厚
さが２０〜５０μｍであるシート状の磁性体層２５、銅
等の導電材料からなる表電極膜２６，３６、磁性体又は
絶縁体からなる厚さ１〜１．５ｍｍのシート層２７、シ
ールド電極層２８及び、磁性体又は絶縁体からなり、厚
さが２０〜５０μｍであるシート状の保護Ｎ２９が設け
られている。上記保護層２１．２９及びシート層２３．
２７に用いる磁性体としては、誘電率の大きさに拘わら
ず、どのようなものを用いてもよい。

第７図の左側に位置する上記表電極膜２６（実線）と裏
電極膜２４（破線）とは２つのコンデンサ電極パターン
６１ａ、６２ａ、４１ａ、４２ａを１つのコイルパター
ン６３ａ、４３ａで接続したもので、平面視コの字パタ
ーン形状をしている。

前記コンデンサ電極パターン６１ａと４１ａ、及び６２
ａと４２ａは夫々磁性体層２５の表裏両面において対向
しており、磁性体層２５の誘電率、厚さ、コンデンサ電
極の対向面積によって決まる容ｆｆｋのコンデンサＣ１
，Ｃ２を形成している。

方、コイルパターン６３ａ、４３ａは、夫々磁性体層２
５の表裏各面において２つのコンデンサ電極パターン６
１ａと６２ａ、４１ａと４２ａを接続する状態で形成さ
れている。各コイルパターン６３ａ、４３ａは高周波的
にはコイルを形成するのでそのインダクタンスをＬｌ、
Ｌ２とすると、表電極膜２６．裏電極膜２４及びその間
の磁性体層２５は第８図に示すように第１のコンデンサ
Ｃ１の両側にコイルＬｌ、Ｌ２を直列接続したＬＣ回路
に第２のコンデンサＣ２を並列接続した等価回路であら
れされる共振器Ｑ１を構成する。なお、この等価回路は
第１７図に示す従来品の場合も同様である。

また、前記裏電極膜２４及び表電極膜２６は共にバンド
パスフィルタの一側面に達する舌片２４ａ、２６ａを有
し、この舌片２４ａ、　　２’ｉ３ａの露出した部分は
これよりも下の側面部分とこれに続く底面部分に夫々Ｌ
字状に形成した銀等の導電材料からなる入力用の端子電
極膜３２．アース用の端子電極膜３０（第５図参照）と
電気的に接続されている。この端子電極膜３２．３０は
夫々相互にかつ他の層に対しても電気的に絶縁されて形
成しである。

一方、第７図の右側に位置する上記表電極膜３６（実線
）と裏電極膜３４（破線）とは２つのコンデンサ電極パ
ターン６１ｂ、６２ｂ、４１ｂ４２ｂを１つのコイルパ
ターン６３ｂ、４３ｂで接続したもので、前記表電極膜
２６と裏電極膜２４の場合とは左右対称な平面視コの字
パターン形状をしている。前記コンデンサ電極パターン
６１ｂと４１ｂ、及び６２ｂと４２ｂは夫々磁性体層２
５０表裏両面において対向しており、磁性体層２５の誘
電率、厚さ、コンデンサ電極の対向面積によって決まる
容量のコンデンサＣ３，Ｃ４を形成している。一方、コ
イルパターン６３ｂ、４３ｂは、夫々磁性体層２５の表
裏各面において２つのコンデンサ電極パターン６１ｂと
６２ｂ、４１ｂと４２ｂを接続する状態で形成されてい
る。各コイルパターン６３ｂ、４３ｂは高周波的にはコ
イルを形成するのでそのインダクタンスをＬ３Ｌ４とす
ると、表電極膜３６．裏電極膜３４及びその間の磁性体
層２５は上記左側同様に第８図に示すように第１のコン
デンサＣ３の両側にコイルＬ３．Ｌ４を直列接続したＬ
Ｃ回路に第２のコンデンサＣ４を並列接続した等価回路
であられされる共振器Ｑ２を構成する。

また、前記裏電極膜３４及び表電極膜３６は共にバンド
パスフィルタの一側面に達する舌片３４ａ、３６ａを有
し、この舌片３４ａ、３６ａの露出した部分はこれより
も下の側面部分とこれに続く底面部分に夫々Ｌ字状に形
成した銀等の導電材料からなる出力用の端子電極膜３３
．アース用の端子電極膜３１（第５図参照）と電気的に
接続されている。この端子電極膜３３．３１は夫々相互
にかつ他の層に対しても電気的に絶縁されて形成しであ
る。

そして、上述の等価回路を持つ共振器Ｑ１．　Ｑ２が、
第７図に示しているように２つのコイルパターン６３ａ
、６３ｂを間隔ｄに接近させた状態であるので、２つの
コイルパターン６３ａ、６３ｂが磁気結合を生じ、第９
図に示す如き等価回路をもつバンドパスフィルタを構成
する。図中、Ｍは２つのコイルパターン６３ａ、６３ｂ
間の磁気的結合度をあられす相互インダクタンス、Ｌ３
０Ｌ３１はアース用の端子電極膜３０．３１のもつイン
ダクタンスである。尚、上記２つの共振器Ｑ１、Ｑ２は
磁性体層２５を用いている関係上、ルｎ気的結合だけで
な（容量的結合も行われている。

図中、Ｃ３はその結合容量を模式的に示している。

このような構造からなるバンドパスフィルタ本体の外側
に設けたシールド電極膜２２．２８は、前述のインダク
ターの場合と同様にアースしない状態とする。

かかる構造のバンドパスフィルタの製造方法につき次に
説明する。まず、保護層２１、シート層２３．２７、磁
性体層２５を用意し、保護層２１の表面に例えば銅等の
導電材料からなるペーストをスクリーン印刷又は塗布す
ることにより、一部を保護層２１の端面に露出するよう
にシールド電極層２２を形成し、またシート層２３の表
面に同様の方法で上記舌片２４．ａ、３４ａを有し、左
右対称に形成した２つのコの字パターンの裏面電極膜２
４．３４を形成し、また磁性体層２５の表面に同様の方
法で上記舌片２６ａ、３６ａを有し、左右対称に形成し
た２つのコの字パターンの表面電極膜２６．３６を形成
し、さらにシート層２７の表面に同様にして、一部をシ
ート層２７の端面に露出させてシールド電極層２８を形
成し、これらを保護層２９とともに重ね合わせたのち圧
着して積層体を形成し、この積層体における前記舌片２
４ａ、３４ａ、２６ａ、３６ａの露出部分とこれよりも
下の側面及びこれに続く底面に、例えば銅あるいは銀等
の導電材料からなるペーストを印刷して端子電極膜３０
，３１，３２．３３を形成すると共に、シールド電極層
２２．２８の一部が露出した側面部分に銅あるいは銀等
の導電材からなるアース端子膜４３を形成したのち、こ
れをたとえば１０００　’Ｃで２時間焼成する。

このようにして製造されたバンドパスフィルタにおいて
は、各層を積層してなる積層体を形成し、これを焼成し
て形成するので、異種の製造技術の数を少なくでき、こ
れによりバンドパスフィルタを容易に製造することが可
能となり、また人・出力端子が外部に露出させて設けら
れているので、回路基板等に表面実装をすることができ
る。また、バンドパスフィルタ本体とシールド電極層２
２２８との間に磁性体又は絶縁体からなるシート層２３
．２７が設けられているので、一体的構造に形成したの
ち焼成を行ってもバンドパスフィルタ本体のＱが劣化す
ることを防止できる。また、バンドパスフィルタ本体の
外側のシート層２３．２７は主として電界成分を遮断し
、更に外側にあるシールド電極層２２．２８は主として
磁界成分を遮断し、これに加えてシールド電極層２２．
２８の外側に保護層２１．２９が形成されているため、
金属等の導体がバンドパスフィルタに近づいてもシール
ド電極層２２．２８の透磁率が変化せず、周波数特性に
ずれが生じることがない。

なお、シールド電極２２，２８、裏面電極膜２４．３４
表面電極膜２６．３６の形成される位置は上述したもの
に限定されることはなく、たとえばシールド電極２２を
保護層２１の表面ではなく、シート層２３の裏面に形成
するようにしてもよい。

このようにして製造したバンドパスフィルタにあっては
、端子電極膜３０，３１．．３２．３３が外部に露出さ
せて膜状に形成しであるので、これらを回路基板に合わ
せてバンドパスフィルタを置くだけで、容易に表面実装
が行えることとなる。

なお、圧着についｔは本発明の必須要件ではない。更に
、表電極膜２６，３６、表電極膜２４゜３４及びシール
ド電極層２２．２８を除く上記５つの各層夫々について
は、１枚のシート材で構成させても成いは同一材質から
なる２枚以上のシート材を重ねて構成させてもよい。

前記バンドパスフィルタ本体の上下位置、つまり外部か
らの磁界や外部に存在する導体から影響を受けやすい方
向位置には夫々シート層２７．２３を介してシールド電
極層２８．２２が配されている。このためバンドパスフ
ィルタ本体はこのシ−ルド電極層２８．２２により有効
にシールドされており、また、シート層２７２３の両方
又はいずれか一方の厚みを変えることにより、つまり１
枚のシート材の厚みを変えるか或いはシート層２７．２
３を構成する複数のシート材の枚数を増減することによ
り、バンドパスフィルタの周波数特性を調整することが
可能である。例えばシート［２７側の厚みを変えて周波
数特性の調整を行なう場合につき以下に説明する。

先ず、中心周波数が所望の値より高い場合には、シート
層２７を厚くする。これによりバンドパスフィルタ本体
がシールド電Ｉｉ層２８から離隔するので中心周波数が
低下する。これによって第１１図（周波数特性曲線）に
示す如く曲線１から曲線３に周波数特性の調整を行なう
ことができる。

逆に、中心周波数が所望の値より低い場合には、シート
層２７を薄くする。これにより上記の場合とは反対に、
シールド電極層がバンドパスフィルタ本体に接近するた
め、曲線１が曲線２の状態に変わり中心周波数が高くな
る。

また、上述のシート層２７及び２３は夫々厚さを均一に
することが可能であり、このためシールド電極層２８．
２２と、表・裏電極膜２６，３６．２４．３４とを平行
にでき、間隔も例えば１ｍｍ以上で一定にすることがで
きる。これにより、シールドを施したバンドパスフィル
タの電気的特性の劣化を抑制できる。

なお、上記実施例では表電極膜２６．３６、裏電極膜２
４．３４及びシールド電極層２２．２８を印刷又は塗布
により形成しているが、本発明はこれに限らず、表電極
膜２６，３６、裏電極膜２４．３４及びシールド電極層
２２．２８用に導電材料からなるシート材を夫々用意し
、９つのシート材を重ね合わせるようにしても、或いは
表電極膜２６，３６、裏電極膜２４．３４及びシールド
電極層２２．２８の１つ以上に導電材料からなるシート
材を用意し、印刷又は塗布を行なうことと併用して各シ
ート材を重ね合わせるようにしてもよい。

また、保護層２１．２９、シート層２３．２７、磁性体
層２５をそれぞれ、１枚のシート材によって構成するか
、それとも複数のシート材を積層することによって構成
するかは任意であり、適宜選択することができる。

第１１図は本発明に係るデュプレクサを示す外観斜視図
であり、第１２図は第１１図におけるＸｎ−Ｘｎ線によ
る断面図である（第６図と同一部分には同一符号を付し
ている。）。このデュプレクサは、積層する層の数、材
質等は上述のバンドパスフィルタと同様であるが、第１
２図に示すように積層体中央部の磁性体層２５を挟んで
両側に形成した表電極膜８０ａ、裏電極膜８０ｂの形状
が異ならせである。表電極膜８０’ａ、裏電極膜８０ｂ
は夫々、第１３図の実線と破線にて示すようになってお
り、第１４図の等価回路で表されるデュプレクサ本体を
構成する形状となっている。即ち、低入力端子片Ｃから
順に説明すると、端子片Ｃに繋がる上側の表電極膜８０
ａと、磁性体層２５の右側に設けた貫通孔２５ａに充填
した導電材２５ｂにて下側の裏電極１１！Ｊ８０ｂとが
接続され、上下又は斜めに対向してなる部分が、コンデ
ンサＣ１ｌとコイルＬｌｌとが並列となった回路を構成
する。そして、この回路より先は、表電極膜８０ａと裏
電極膜８０ｂとが対向してなるコンデンサＣ１２を経て
共通出力端子片Ｅに繋がる。共通出力端子片Ｅの高入力
端子片り側は、上側の表電極膜８０ａと、磁性体層２５
の中央部に設けた貫通孔２５ｃに充填した導電材２５ｄ
にて下側の裏電極膜８０ｂとが接続されてなるコイルＬ
１２に繋がっている。このＬ１２を構成する下側の裏電
極膜８０ｂの先は、途中で２つに分岐しており、一方が
磁性体層２５の左側に設けた貫通孔２５ｅに充填した導
電材２５ｆを介して上側の表電極膜８０ａに接続され、
高入力端子片りに繋がっている。他方の先は、下側の裏
電極膜８０ｂのみからなるコイルＬ１４と、この先で上
側の表電極膜８０ａと対向してなるコンデンサＣ１３を
経て高入力端子片りに繋がっている。

かかる構造のデュプレクサ本体の前記低入力端子片Ｃ２
高入力端子片り及び共通出力端子片Ｅは、磁性体層２５
の端面に露出させてあり、低入力端子片Ｃ１高入力端子
片りについては第１１図に示すデュプレクサの前面とこ
れに繋がる底面とにわたってＬ字状に形成した低入力端
子８１．高入力端子８２に接続され、共通出力端子片Ｅ
は、デュプレクサの背面とこれに繋がる底面とにわたっ
てＬ字状に形成した共通出力端子８３に接続されている
。なお、上述のデュプレクサ本体の外側に設けたシール
ド電極層２２．２８については、前同様にアースしない
状態とする。

よって、このデュプレクサにおいても、同様の作用があ
る。

なお、上述したインダクターの場合、中央部に位置する
磁性体層の両側にシールド電極層を形成し、これにより
内部をシールドしているが、本発明はこれに限らず、第
１５図に示すようにこのシールド電極層３．７の他に更
に、入力端子１１゜出力端子１２が形成されていないイ
ンダクター側面（２面）にもシールド電極膜３′　（破
線にて示す）を形成するようにしてもよい。このように
すると、よりシールドが確実なものにすることができる
利点がある。このことは、上述したバンドパスフィルタ
等のインダクターを含む複合部品について通用しても同
じ効果が得られる。

また、上述のインダクターの処で第４図を用いて説明し
たように、シールド電極層には多数の貫通孔を設けてい
るが、本発明はこれに代えて、第１６図（ａ）、　　（
ｂ）に示すように１つのシールド電極層３（７）を２分
割または４分割等し、これらを離隔して上下層、例えば
保護層２等にて挟むようにしてもよい。このことは、バ
ンドパスフィルタ　デュプレクサ等にも適用するのが好
ましい。

更に、本発明による場合には、インダクター及びインダ
クターを含む複合部品において次のような利点がある。

上述のインダクターを例に挙げて説明すると、保護層２
，８やシート層４．６に対し、高周波領域まで使用帯域
が十分に伸びるように透磁率μが小さい磁性体を用いた
としても、シールド電極膜３，７が存在するため、シー
ルド効果を確保した状態で使用帯域を高」波側に伸ばす
ことができる。　　　　　　　　　　　　　　　　　４
゜発Ｊ［慕九采 以上詳述した如く本発明による場合には、各層を積層し
て積層体を形成し、これを焼成して形成するので、異種
の製造技術の数を少なくでき、これによりインダクター
、インダクターを含む複合部品を容易に製造することが
可能となり、また、インダクター本体、複合部品本体を
挟んで両側に設けた磁性体又は絶縁体からなるシート層
が主として電界成分を遮断し、更に外側にアースせずに
設けたシールド電極層が主として磁界成分を遮断し、こ
れに加えてシールド電極層の外側に保護層を設けてある
ため、金属等の導体が近づいてもシールド電極層の透磁
率が変化せず、周波数特性にずれが生じることがない。

更に、インダクター本体、複合部品本体とシールド電極
層との間にシート層が設けられているので、本体部分の
Ｑの劣化を防止でき、また、このシート層の厚さを変え
ることにより周波数特性の調整をすることが可能となる
等、優れた効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に係るインダクターを示す外観斜視図、
第２図は第１図のｆｆ−［［線による断面図、第３図は
本発明に係るインダクター内部のインダクター本体部分
を示す分解斜視図、第４図は本発明に用いるのに好適な
シールド電極膜を示す斜視図、第５図は本発明に係るバ
ンドパスフィルタを示す外観斜視図、第６図は第５図の
Ｖｌ−Ｖｌ線による断面図、第７図は第６図の■−■線
による断面図（正面図）、第８図はそのバンドパスフィ
ルタの共振器部分に関する等価回路図、第９図はそのバ
ンドパスフィルタ本体に関する等価回路図、第１０図は
そのバンドパスフィルタの周波数特性曲線を示すグラフ
、第１１図は本発明に係るデュプレクサを示す外観斜視
図、第１２図はその縦断面図、第１３図はそのデュプレ
クサ本体部分の回路を示す平面図、第１４図はそのデュ
プレクサ本体の等価回路図、第１５図は本発明を適用し
た他のインダクター例を示す外観斜視図、第１６図は本
発明に用いるのに好適な他のシールド電極膜を示す斜視
図、第１７図は従来品を示す正面図、第１８図はその底
面図、第１９図はその背面図である。 ２．８．２１．２９・・・保護層、３，７．２２２８・
・・シールド電極層、４，６，２３．２７・・・シト層
、２４．．３４．８０ｂ・・・裏電極膜、２５５１．５
２，５３，５４，５５．５６・・・磁性体層、５１ａ、
　　５２ａ　　　５３ａ、　　５４ａ、　　５５ａ、　
　５６ａ・・・導電パターン、２６．３６．８０ａ・・
・表電極膜。

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. （１）　回路基板等に設置されるインダクターにおいて
   、磁性体層を挟んでその両側に形成されているコイルパ
   ターン電極を前記磁性体層に穿設した貫通孔を通じて電
   気的に接続した構成のインダクター本体と、 このインダクター本体を挟んで両側に設けてある磁性体
   又は絶縁体からなる一対のシート層と、インダクター本
   体及び前記一対のシート層を挟んで両側に設けてある一
   対のシールド電極層と、インダクター本体，一対のシー
   ト層及び一対のシールド電極層を挟んで両側に設けてあ
   る磁性体又は絶縁体からなる一対の保護層と を具備し、シールド電極層が前記回路基板等に設けたア
   ースと非接続状態となるよう構成してあることを特徴と
   するインダクター。
2. （２）　回路基板等に設置される、インダクターを含む
   複合部品において、 磁性体層を挟んで両側にコイルパターンを含む電極を形
   成してなる複合部品本体と、 この複合部品本体を挟んで両側に設けてある磁性体又は
   絶縁体からなる一対のシート層と、複合部品本体及び前
   記一対のシート層を挟んで両側に設けてある一対のシー
   ルド電極層と、複合部品本体，一対のシート層及び一対
   のシールド電極層を挟んで両側に設けてある磁性体又は
   絶縁体からなる一対の保護層と、 を具備し、シールド電極層が前記回路基板等に設けたア
   ースと非接続状態となるよう構成してあることを特徴と
   するインダクターを含む複合部品。
3. （３）　前記複合部品本体がバンドパスフィルタ本体で
   あることを特徴とする請求項２記載のインダクターを含
   む複合部品。
4. （４）　インダクターを製造する方法において、磁性体
   層を挟んでその両側に形成されているコイルパターン電
   極を前記磁性体層に穿設した貫通孔を通じて電気的に接
   続した構成のインダクター本体を形成する工程と、 磁性体又は絶縁体からなる保護層，シールド電極層，磁
   性体又は絶縁体からなるシート層，前記インダクター本
   体，磁性体又は絶縁体からなるシート層，シールド層お
   よび、磁性体若しくは絶縁体からなる保護層をこの順に
   積層してなる積層体を形成する工程と、 前記積層体を焼成する工程と を含むことを特徴とするインダクターの製造方法。
5. （５）　インダクターを含む複合部品を製造する方法に
   おいて、 磁性体層を挟んで両側にコイルパターンを含む電極膜を
   形成してなる複合部品本体を作製する工程と、 磁性体又は絶縁体からなる保護層，シールド電極層，磁
   性体又は絶縁体からなるシート層，前記複合部品本体，
   磁性体又は絶縁体からなるシート層，シールド層および
   、磁性体若しくは絶縁体からなる保護層をこの順に積層
   してなる積層体を形成する工程と、 前記積層体を焼成する工程と を含むことを特徴とするインダクターを含む複合部品の
   製造方法。