JPH0362983A - 半導体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ装置Info
- Publication number
- JPH0362983A JPH0362983A JP19850289A JP19850289A JPH0362983A JP H0362983 A JPH0362983 A JP H0362983A JP 19850289 A JP19850289 A JP 19850289A JP 19850289 A JP19850289 A JP 19850289A JP H0362983 A JPH0362983 A JP H0362983A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- monitor
- stem
- chip
- heat sink
- semiconductor laser
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体レーザダイオードのパッケージの形
状に関するものである。
状に関するものである。
〔従来の技術ｊ
第３図および第４図は従来のモニタＰＤを付ける台（以
下モニタＰＤマウント部という）として凸部形状をなす
ステムを持つ半導体レーザ装置を示す図で、第３図は上
面図、第４図は第３図に示すＢ−Ｂにおける断面図、第
５図及び第６図は従来のモニタＰＤマウント部として凹
部形状をなすステムを持つ半導体レーザ装置を示す図で
、＠５図は上面図、第６図は第５図に示すＣ−Ｃ４ζお
ける断面図である。図において、（１）はレーザチップ
、（２）はサブマウント、（３）はヒートシンクブロッ
ク、（４）はモニタＰＤチップ、（７Ｊ 、 （Ｑ）は
ステム、（８）は凸部形状を持つモニタＰＤマウント部
、ＣＩＧは凹部形状を持つモニタＰＤマウント部である
。
下モニタＰＤマウント部という）として凸部形状をなす
ステムを持つ半導体レーザ装置を示す図で、第３図は上
面図、第４図は第３図に示すＢ−Ｂにおける断面図、第
５図及び第６図は従来のモニタＰＤマウント部として凹
部形状をなすステムを持つ半導体レーザ装置を示す図で
、＠５図は上面図、第６図は第５図に示すＣ−Ｃ４ζお
ける断面図である。図において、（１）はレーザチップ
、（２）はサブマウント、（３）はヒートシンクブロッ
ク、（４）はモニタＰＤチップ、（７Ｊ 、 （Ｑ）は
ステム、（８）は凸部形状を持つモニタＰＤマウント部
、ＣＩＧは凹部形状を持つモニタＰＤマウント部である
。
次に動作について説明する。
ステム（７）又は、ステム（９）にモニタＰＤチップ（
４）をハンダ付けする。モニタＰＤ受光直は、ステム（
７３、（９Ｊの中心にくるようにする。
４）をハンダ付けする。モニタＰＤ受光直は、ステム（
７３、（９Ｊの中心にくるようにする。
次に、レーザテップ（１）、サブマウント（２］及びヒ
ートシンクブロック（３）をハンダ付けしたブロックを
レーザチップ（１）がモニタＰＤチップ（４）の受光面
上にくるようにハンダ付けする。第４図に示す凸部形状
のモニタＰＤマウント部（８）を持つものでは、レーザ
チップ（１）とモニタＰＤチップ（４）の間隔が小すく
、第６図に示す凹部形状のモニタＦＤマウント部σＱを
持つものでは、大きくなる。
ートシンクブロック（３）をハンダ付けしたブロックを
レーザチップ（１）がモニタＰＤチップ（４）の受光面
上にくるようにハンダ付けする。第４図に示す凸部形状
のモニタＰＤマウント部（８）を持つものでは、レーザ
チップ（１）とモニタＰＤチップ（４）の間隔が小すく
、第６図に示す凹部形状のモニタＦＤマウント部σＱを
持つものでは、大きくなる。
従来の半導体レーザ装置は以上のように構成されている
ので、凸部形状のモニタＰＤマウント部を持つステムで
は、組立後レーザテップとモニタＰＤチップが近いので
１ｍが大きくなる。又、凹部形状のモニタＰＤマウント
部を持つステムでは、ステムとヒートシンクブロックを
組立てるとき、ヒートシンクブロックの位置決めができ
ないという問題点があった。
ので、凸部形状のモニタＰＤマウント部を持つステムで
は、組立後レーザテップとモニタＰＤチップが近いので
１ｍが大きくなる。又、凹部形状のモニタＰＤマウント
部を持つステムでは、ステムとヒートシンクブロックを
組立てるとき、ヒートシンクブロックの位置決めができ
ないという問題点があった。
この発明は、上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、組立後の１ｍの低減、組立の際のヒートシ
ンクブロックの位置決め可能を目的とする。
れたもので、組立後の１ｍの低減、組立の際のヒートシ
ンクブロックの位置決め可能を目的とする。
この発明に係る、モニタＰＤマウント部をもつステムの
構造は、モニタＰＤマウント部の形状に、凸凹を併用し
た形を施したものである。
構造は、モニタＰＤマウント部の形状に、凸凹を併用し
た形を施したものである。
モニタＰＤマウント部を凸凹併用型にすることで、組立
後のＩｍ低減、組立時のヒートシンクブロックの位置決
め可能を実現できる。
後のＩｍ低減、組立時のヒートシンクブロックの位置決
め可能を実現できる。
〔実施例」
以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第１図は半導体レーザ装置の上置図、第２図は第１図に
示すＡ−Ａにおける断簡図である。図において（１）〜
（４）は第３図の従来例に示したものと同等であるので
説明を省略する。（６）は凸凹併用型のモニタＰＤマウ
ント部、（５）は凸凹併用型のモニタＦＤマウント部（
６７を持つステムである。
示すＡ−Ａにおける断簡図である。図において（１）〜
（４）は第３図の従来例に示したものと同等であるので
説明を省略する。（６）は凸凹併用型のモニタＰＤマウ
ント部、（５）は凸凹併用型のモニタＦＤマウント部（
６７を持つステムである。
次に動作について説明する。
凸凹併用型のステム（旬のモニタＦＤマウント部（６）
にモニタＰｉ）チップ（４）をハンダ付けする。モニタ
ＦＤチップ（４）Ｉよ、ステム（５）の中心にくるよう
にする。
にモニタＰｉ）チップ（４）をハンダ付けする。モニタ
ＦＤチップ（４）Ｉよ、ステム（５）の中心にくるよう
にする。
次に、レーザチップ（ｌ〉、サブマウント（２）及びヒ
ートシンクブロック（３）をハンダ付けしたブロックを
ステム（５）にハンダ付けする。このとき、モニタＰＤ
マウント部（６）の凸部を目安にして、モニタＰＤチッ
プ（４）の受光筒上にレーザテップ（１）がくるように
する。
ートシンクブロック（３）をハンダ付けしたブロックを
ステム（５）にハンダ付けする。このとき、モニタＰＤ
マウント部（６）の凸部を目安にして、モニタＰＤチッ
プ（４）の受光筒上にレーザテップ（１）がくるように
する。
そして、また、組立後は、第３図の従来例に示す凸部形
状のモニタＰＤマウント部（８）をもつステム（７）の
ときよりもレーザテップ（１）とモニタＰＤチップ（４
）の間隔が大きくなる。
状のモニタＰＤマウント部（８）をもつステム（７）の
ときよりもレーザテップ（１）とモニタＰＤチップ（４
）の間隔が大きくなる。
〔発明の効果」
以上のように、この発明によれば、ステム上向に凸凹併
用型のモニタＰＤマウント部を形成することで、組立後
のモニタＰＤの１ｍ低減や、組立時のヒートシンクブロ
ックの位置決めが可能となる効果がある。
用型のモニタＰＤマウント部を形成することで、組立後
のモニタＰＤの１ｍ低減や、組立時のヒートシンクブロ
ックの位置決めが可能となる効果がある。
第１図はこの発明の一実施例による半導体レーザ装置の
上面図、第２図は第１図に示すｌ’ｔ・Ａにおける断面
図、第３図は従来の凸部形状をなすステムを持つ半導体
レーザ装置の上面図、第４図は第３図に示すＢ−Ｂにお
ける断痛図、＠５図は従来の凹部形状をなすステムを持
つ半導体レーザ装置の上面図、第６図は第５図に示すＣ
−Ｃにおける断面図である。図において（１）はレーザ
チップ、（２）はサブマウント、（３）はヒートシンク
ブロック、（４ＪはモニタＰＤチップ、（５〕はステム
、（６）はモニタＰＤマウント部である。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。
上面図、第２図は第１図に示すｌ’ｔ・Ａにおける断面
図、第３図は従来の凸部形状をなすステムを持つ半導体
レーザ装置の上面図、第４図は第３図に示すＢ−Ｂにお
ける断痛図、＠５図は従来の凹部形状をなすステムを持
つ半導体レーザ装置の上面図、第６図は第５図に示すＣ
−Ｃにおける断面図である。図において（１）はレーザ
チップ、（２）はサブマウント、（３）はヒートシンク
ブロック、（４ＪはモニタＰＤチップ、（５〕はステム
、（６）はモニタＰＤマウント部である。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。
Claims (1)
- 上面に、ＰＤを付ける台を形成しているステムを用い
たことを特徴とする半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19850289A JPH0362983A (ja) | 1989-07-31 | 1989-07-31 | 半導体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19850289A JPH0362983A (ja) | 1989-07-31 | 1989-07-31 | 半導体レーザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0362983A true JPH0362983A (ja) | 1991-03-19 |
Family
ID=16392201
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19850289A Pending JPH0362983A (ja) | 1989-07-31 | 1989-07-31 | 半導体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0362983A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5519720A (en) * | 1993-03-04 | 1996-05-21 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor light emitting device |
| JP2009021432A (ja) * | 2007-07-12 | 2009-01-29 | Nichia Corp | 半導体レーザ装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6039880A (ja) * | 1983-08-12 | 1985-03-01 | Hitachi Ltd | 発光装置 |
| JPS63102387A (ja) * | 1986-10-20 | 1988-05-07 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 半導体レ−ザ−装置用パツケ−ジ |
-
1989
- 1989-07-31 JP JP19850289A patent/JPH0362983A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6039880A (ja) * | 1983-08-12 | 1985-03-01 | Hitachi Ltd | 発光装置 |
| JPS63102387A (ja) * | 1986-10-20 | 1988-05-07 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 半導体レ−ザ−装置用パツケ−ジ |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5519720A (en) * | 1993-03-04 | 1996-05-21 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor light emitting device |
| JP2009021432A (ja) * | 2007-07-12 | 2009-01-29 | Nichia Corp | 半導体レーザ装置 |
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