JPH0363290A - ９―（β―Ｄ―エリスロ―オキセタノシル）系化合物の製造法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はオキセタノシン誘導体の製造法に関するもので
ある。

〔従来の技術〕

オキセタノシン自体はジャーナル・オブ・アンチバイオ
ティック、ｘ、　（ＪｏｎｒｎａＩ　ｏｆ　Ａｎｔｉｂ
ｉｏｔｉｃｓ　）３９巻、ｌ１号、１６２３−２５（１
９８６）およびＥＰ　　Ａ２　０１８２３１２等により
公知である。

また誘導体も同ジャーナル４０巻、１２号、１７８８−
９０（１９８７）に報告がなされている。

いずれの化合物も抗ウィルス活性を有し、抗ウィルス剤
として期待されている。

〔発明が解決しようとする課題〕

オキセタノシン（ＯＸＴ−Ａ）は９−（２−デオキシ−
２−ヒドロキシメチル−β−Ｄ−エリスローオキセタノ
シル）アデニンの構造を有している。

オキセタノシンのアデニン塩基残基を他のプリン塩基残
基にしたオキセタノシン類０ＸＴ−Ｈ。

２−　ａｍｉｎｏ　０ＸＴ−Ａ　、　０ＸＴ−Ｇなどに
おいても同じ立体配置を有している。

これら、オキセタノシン類における２′位のヒドロキシ
メチル基をヒドロキシ基に化学変換した場合、下記式で
示されるようにその立体配置はβ−Ｄ−スレオーオキセ
タノシル型（スレオ型）であった。

（式中、Ｂはプリン塩基を示す。） これらのスレオ型のオキセタノシン類モ抗ウィルス活性
を有するがこの２′位のヒドロキシ基ヲ反転させ０ＸＴ
−Ａと同じ立体配置であるβ−Ｄ−エリスローオキセタ
ノシル型（エリスロ型）に変換した化合物も抗ウィルス
活性が期待されている。

〔課題を解決するための手段〕

そこで発明者らは種々の研究の結果、一般式（式中、Ｐ
ｌは保護基、Ｒ＋は置換又は非置換の低級アルキルスル
ホニル基、置換又は非置換の了り−ルスルホニル基、Ｂ
はプリン塩基残基な示す。）で表わされるオキセタノシ
ン誘導体にカルボン酸塩を反応させ、一般式 （エリスロ型）　　　　　　（スレオ型）（式中、Ｐ＋
、　　Ｂは前記と同じ意味を表わす。

Ｒは有機カルボニル基を示す。） で表わされる化合物とし、次いで保護基及びルを除去す
ることによりエリスロ型の立体配置を有する一般式 で示されるオキセタノシン誘導体又はその塩が得られる
ことを見い出し本発明を完成した。

本発明における置換又は非置換の低級アルキルスルホニ
ル基としては、通常置換又は非置換の炭素数１〜４のア
ルキルスルホニル基例えばメタンスルホニル基、トリフ
ルオロメタンスルホニル基などがあげられる。

また置換又は非置換のアリールスルホニル基としては、
例えばトルエンスルホニル基、２，４゜６−トリイソプ
ロピルペンセンスルホニル基などの低級アルキル置換ベ
ンゼンスルホニルがあげられる。

またプリン塩基の残基としては、下記式のプリン骨格の
９位においてオキセタン環に結合しているプリン誘導体
の残基で、例えばアデニン残基、グアニン残基、キサン
チン残基、ヒボキサンチン残基、２．６−ジアミノプリ
ン残基などをあげることができる。

また本発明で使用するカルボン酸塩としてはアリール又
は低級アルキルカルボン酸の金属塩例えばアルカリ金属
塩、アルカリ土類金属塩およびアンモニウ、ム塩などが
あげられる。

また上記のアリール又は低級アルキルカルボン酸として
は例えば安息香酸、酢酸などがあげられる。

本発明において、ＰＩ又はプリン塩基の官能基の保護基
としては、一般にヒドロキシ基又はアミノ基の保護に使
用されるアルコキシカルボニル型保護基、アシル型保護
基、シリル型保護基等が使用でき、具体的には、（１）
はホルミルまたは、（２）置換基を有してもよい低級ア
ルキル低級アルコキシカルボニル基〔置換基としてはハ
ロゲンＷ子、　低級アルキル、ベンゾイル、フェニル（
低級アルキル又は低級アルコキシなどで置換されていて
もよい。）など〕例えばアセチル、クロロアセチル、ト
リクロロアセチル、メトキシアセチル、ピバロイル、フ
ェノキシアセチル、トリチルオキシアセチルなど、また
はベンゾイル々どのアンル基、（３）置換基を有しても
良い低級アルキル基例えばｔ−ブチル基などの非置換低
級アルキル−トリチルまたはモノメトキシトリチルまた
はジメトキシトリチル、トリメトキシトリチル々どの低
級アルコキシトリチルなどの置換又は非置換トリチル基
などの置換低級アルキル、（４）各種置換基を有するシ
リル基、例工ばトリメチルシリル、ｔ−ブチルジメチル
シリルまたはｔ−ブチルジフェニルシリル基などが挙げ
られる。

次に本発明の反応について説明する。

（１）　　カルボニル化 一般式（■）の化合物にカルボン酸塩を反応させる工程
は、ジメチルホルムアミドなどの不活性溶媒中で、通常
加熱下例えば約３０°Ｃ〜溶媒の沸点（約１５０℃程度
）で、約１０分〜ｉ日程度反応させる。

反応生成物の単離はクロマトグラフィーによって行うこ
とができる。

（２）保護基及びＲ２の除去 保護基の除去は保護基の種類に応じて、公知の方法で行
うことができ、例えばカルポニ解等の常法を適宜選択し
て行うことができる。

この場合、Ｒ２も同時にはずれるので好ましい。

またアルコキシカルボニル型保護基は接触還元などの方
法によってもはずすことができる。

本発明で原料として使用する一般式（ＩｒＩ）の化合物
は次のようにして製造することができる。

、ｔ　キセタ／　シ：／　Ａ　（０ｘｅｔａｎｏｃｉｎ
Ａ　：　０ＸＴ−Ａ　）、オキセタノシンＨ（ＯＸＴ−
Ｈ）、オキセタノシンＸ（ＯＸＴ−Ｘ）、オキセタノシ
ンＧ　（ＯＸＴ−Ｇ）および２〜アミノオキセタノシｙ
　Ａ　（２−ａｍｉｎｏ　−０ＸＴ−Ａ　）　［：ジャ
ーナル・オブ・アンチバイオティラス（Ｊｏｕｒｎａｌ
　ｏｆ　Ａｎｔｉｂｉｏｔｉｃｓ　）　４０巻３１２号
、１７８８−９０（１９８７））を化学的手法を用いて
オキセタン環上の２′−位の−ＣＨ２０Ｈを、下記の方
法で一〇Ｈに変換することにより得ることができる。

次に一般式（Ｉ）においてＢがアデニン残基（４）であ
る場合の代表的な化合物の製法につき簡単に説明する。

なお下記式において、 （式中Ｐ２は保護基を示す。） で示される基を示す。

■ 上記反応において、■のＮ−保護０ＸＴ−Ａの代りに、
０ＸＴ−Ｈ，０ＸＴ−Ｘまたは塩基部のアミノ基を保護
した０ＸＴ−Ｇ、　２−　ａｍｉｎｏ　−０ＸＴ　−Ａ
を用いて同様に処理することによりそれぞれ対応する一
般式（ＩＩＩ）の化合物を得ることができる。

以下、上記工程図に従って各工程を説明する。

第１工程：Ｎ（６）−保護オキセタノシン■の３′−Ｃ
Ｈ２０Ｈの水酸基を何らかの保護基で選択的に保護する
。

化合物■の保護基（式中Ｐｌ又はｐｚ　）としてはホル
ミルまたは置換基を有してもよい低級アルキルカルボニ
ル（置換基としてはハロゲン原子、低級アルコキシ、ベ
ンゾイルなど）例えばアセチル、クロロアセチル、トリ
クロロアセチル、メトキシアセチル、ピバロイル、フェ
ノキシアセチル、トリチルオキシアセチルなど、または
ベンゾイルなどのアシル基、置換基を有しても良い低級
アルキル基例えばｔ−ブチル基などの非置換低級アルキ
ル−トリチルまたはモノメトキシトリチルまたはジメト
キシトリチル、トリメトキシトリチルなどの低級アルコ
キシトリチルなどの置換又は非置換トリチル基などの置
換低級アルキルが挙げられる。

さらには、各種置換基を有するシリル基、例えばトリメ
チルシリル、ｔ−ブチルジメチルシリルまたはｔ−ブチ
ルジフェニルシリル基などが挙げられる。

上記の保護基を導入するには、公知の方法により行なう
ことができるが、後に保護基を脱離する際に効率より脱
離できる様な保護基を選択する、のが好ましい。化合物
■とそれとともに生成する化合物■はカラムクロマトグ
ラフィーにより分離することができる。

第２工程二木工程は化合物■の２−　ＣＨ２０Ｈの水酸
基をスルホニル化する工程である。スルホニル化剤とし
ては、例えばメタンスルホニルクロリド、トリクロロメ
タンスルホニルクロライＭ、ｐ−）ルエンスルフォニル
クロリトアルイハ２，４．６−）！Ｊイソプロピルベン
ゼンスルフォニルクロリド等のアルキルまたはアリルス
ルフォニルハロゲニドを用いることができる。

第３工程：化合物■を塩基で処理することによりオレフ
ィンを生成する工程である。塩基としてはｔ−ブトキシ
カリ等のアルカリ金属低級アルコラードが好ましい。

第４工程：化合物■のオレフィンを過マンガン酸カリウ
ム、過ヨウ素酸ナトリウムにより酸化（Ｌｅｍｉｅｕｘ
−ｖｏｎ　ｌ’（ｕｄｌｏｆｆ酸化）しケトン体を得た
後、金属水素化物により還元することにより２級水酸基
を生成する。金属水素化物としては例えば水素化ホウ素
ナトリウム、水素化トリメトキシホウ素ナトリウム、シ
アン化水素化ホウ素ナトリウム、水素化トリエトキシア
ルミニウムリチウムあるいは水素化アルミニウムリチウ
ムなどを用いることができる。

次に実施例により本発明を説明する。

実施例１゜ （ｄ） Ｂｚ：ベンゾイル基 Ｔｆ：）！Ｊフロロメタンスルホニル基Ｐｈ：フェニル （＋）　　化合物（ｂ）の製造 化合物（ａ）　（６０ｑ、０．０９９　ｍｍｏｌ）を無
水ジメチルホルムアミド（７ｍｌ　）に溶解し、安息香
酸ナトリウム（４３■、０．３０　ｍｍｏｌ）を加え、
１００℃で２時間撹拌する。反応液を濾過し、炉液を室
温にて減圧下濃縮乾固する。残渣をシリカゲルカラムク
ロマトグラフィー（クロロホルム：メタノール＝４０　
：　１　（ｖ、／ｖ））で分離精製し粗化合物（ｂ）　
（４５■、７９％、）を得る。

化合物（ｂ）　：　ＦＤ−ＭＳ　ｍｌｚ　：　５５９　
（Ｍ＋）　、　５４４　（Ｍ”＋Ｈ−ＣＨ３）　、　５
３０　（Ｍ　＋Ｈ−ＣＨ３−ＣＨ３゜ＮＭＲ（４００Ｍ
Ｈｚ　、　ＣＤＣｋ、　ＴＭＳ　）　ｐｐｍ　；９．１
１（ＩＨ，ｂｒｓ、ＮＨ）、８．８６（ＩＨ，ｓ。

８−Ｈ）　、　８．７７　（ＩＨ，Ｓ　、　２−Ｈ）　
、　８．１２〜７．１５　（１０Ｈ，ｃｏｍｐｌｅｘ）
　、　６．８０　（ＩＨ。

ｄ　、　Ｊ＝５．１３Ｈｚ、１’−Ｈ）、６．０７（Ｉ
Ｈ。

ｄｄ、Ｊ＝５．１３，５１３．２’−Ｈ）、４．８２（
ＩＨ１ｍ１３’−Ｈ）？４．１６（２Ｈ，ｍ。

−リボ−０Ｈ） （２）化合物（ｄ）の製造 化合物（ｂ）　（４５ｒｒｃ、０．０７８　ｍｍｏｌ）
をテトラヒドロフラン（２＋＋＋／）に溶解し、ＩＭ−
テトラブチルアンモニウムフロリド／テトラヒドロ７ラ
ン（０，２ａ　ｒａｔｌｏ、　２３　ｍｍｏｌ　）を加
え、室温で１時間撹拌する。反応液を室温にて濃縮乾固
する。

残渣をメタノール（１ｔｎｌ　）に溶解し、濃アンモニ
ア水（１ｍｌ　）を加え、６ｏ０で１時間半撹拌する。

なお反応時間３０分毎にメタノール（１＋＋＋Ａ’）及
び濃アンモニア水（１ｍＪ）を加える。反応後濃縮し、
水（５０＋＋＋／）に溶解し、　Ｉ）Ｈ２，８９（０，
ＩＮ塩酸）とする。水層なりロロホルム（１５ｍＪｘ３
）で洗浄した後、ｐＨ７，３３（０，Ｉ　Ｎ水酸化ナト
リウム）とし、塩化ナトリウム（０，５ｇ）を加える。

ＭＣＩｏＧＥＬ　ＣＨＰ−２０（１３ｎｌｔ　）に吸着
し、１％塩化ナトリウム水溶液（３Ｑｍｌり、水（５Ｑ
ｒＩＬｌ）、８０％含水メタノール（５０ｍｌ）の順に
溶出する。シリカゲルＴＬＣ（展開溶媒；クロロホルム
−メタノール（４：１）］テＲｆＯ１３３付近の７・ツ
クジョンを集め、減圧下溶媒を留去する。残渣を８０％
含水メタノールに溶解し、同溶媒で平衡化した５ｅｐｈ
ａｄｅｘｏＬＨ−２０（１００ｍＡりカラムクロマトグ
ラフィーにより精製する。前記シリカゲルＴＬＣにてＲ
ｆｏ、３３付近のフラクションを集め、減圧下溶媒を留
去する。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（
３５ｒｎｌ、クロロホルム：メタノール＝７：ｌ）によ
り分離精製し、化合物（ｄ）　（５，６■、３０％）を
得る。

化合’ｔＭｄ）　：　ＦＤ−ＭＳ　ｍｌｚ　：　２３８
　（Ｍ＋１　）”ＵＶλ）（２０ｎｍ：２５７ ａｘ ＮＭＲ（２００ＭＨｚ　＝　Ｔ）ｘ　Ｏ）　ｐｐｍ　ｐ
　８．３３　（Ｉ　Ｈ。

ｓ、８−Ｈ）、８．０８（ＩＨ，ｓ、２−Ｈ）、　６．
３３（ＩＨ，ｄ　、　Ｊ＝５．２Ｈ２、１’−Ｈ）　、
　５．１９　（ＩＨ。

ｍ、　２’−Ｈ）　ｓ　４．６２−４．７６　（ＩＨ，
ｍ、　３’−Ｈ）　。

３．９１（ＩＨ，ｄｄ、Ｊ＝１３．８４，２．６１Ｈｚ
。

■ 参考例１゜ １−１（化合物■および■の合成） Ｎ（６）−ベンゾイル−９−（２−デオキシ−２−ヒド
ロキシメチル−β−り一エリスロオキセタニル）アデニ
ン（化合物■）（Ｐ２＝ＣＯＣ６Ｈ！５）１２３ｆｆ＠
の無水ジメチルホルムアミド（１ｍ／）溶液中に、イミ
ダゾール７０■さらにｔｅｒｔ−７’チルジメチルシリ
ルクロリド６０■の無水ジメチルホルムアミド（２ｍ／
）溶液を加え、室温で２時間撹拌する。減圧下、溶媒を
留去し、残渣に水（２０ｍｌ）を加え、クロロホルムで
抽出する。クロロホルム抽出液を飽和食塩水で洗浄し無
水硫酸マグネシウムで乾燥する。

硫酸マグネシウムを済去し、減圧下溶媒を留去して淡黄
色シロップを得る。このものをシリカゲル２０ｇのカラ
ムに付し、クロロホルム／　ムーメタノール（２０：　
１　）で溶出する。シリカゲル２０ｇＣｉ開溶媒；クロ
ロホルム−メタノール（１０：ｌ））でＲｆ　０．４６
付近のフラクション集め、減圧下溶媒を留去し、化合物
■（Ｐ２＝ＣＯＣｇＨｓ、　Ｐ１＝＋Ｓｉ　）　４９．
６■（３０，６％）を得る。

又、Ｒｆｏ、６０付近のフラクションを集め、減圧下溶
媒を留去し、化合物■（Ｐ２＝ＣＯＣｓＨｓ、　Ｐｔ　
＝化合物■：ＭＳｍ／ｚ：　　４７０（Ｍ＋Ｈ）　　、
ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤｃｔ３．ＴＭＳ）ｐｐｍ　
：　９．２３（ＩＨ，ｓ。

ＮＨ）、８．７８（ＩＨ，ｓ、８−Ｈ）、８．６８（Ｉ
Ｈ，ｓ、２−Ｈ）。

８．０３（２Ｈ，ｄ、Ｊ＝７．５Ｈｚ、Ｐｈ）、８．５
０〜Ｂ、６３．（３Ｈ。

ｍ、Ｐｈ）、　６．６０（ＩＨ，ｄ、Ｊ＝５．６Ｈｚ、
　１’−Ｈ）、　４．７３（ＩＨ，ｍ、３’　−Ｈ）、
３．９３〜４．７０（３Ｈ，ｍ＋ＯＨ＋ＮＨ）、　８．
７９（ＩＨ，ｓ、＄−Ｈ）、８．３４（ＩＨ，Ｓ、２−
Ｈ）。

８．３５　（２Ｈ，ｄ　、　Ｊ−７，５Ｈｚ、　Ｐｈ　
）　、　７．４８〜７．６３　（３Ｈ。

ｍ、Ｐｈ）　、　６．５０（ＩＨ，ｄ、　Ｊ＝５．７Ｈ
ｚ、　ｌ’−Ｈ）　、　５．５０（Ｌ　Ｈ、ｂｒｏａｄ
　ｓ　、　ＯＨ）　、　４．０４　（２Ｈｒ　ｍ　＋　
３’　Ｃ）４２０Ｈ）１３．６７〜３．８７　（３Ｈ，
ｍ、　２’　Ｈ，２’　ＣＨ２０Ｈ）　、　０．９１（
９Ｈ，ｓ　、−３ｉ＋）。０．１０　（６Ｈ，ｓ　、−
船＋）ｌ １−２（化合物■の合成） 水冷撹拌下、化合物■（Ｐｚ　＝Ｃ０ＣｉＨｓ　、　Ｐ
ｔ＝十苧１）６１．７■の無水ピリジン（３ｍｌ　）溶
液中にメタンスルホニルクロリド（１３，２μ沼）を加
え、室温で２時間撹拌する。

反応液を、減圧下溶媒を留去し、残渣に水（１０ｍｌ）
を加ｅ、クロロホルム（１０ｍＡりで２回抽出する。ク
ロロホルム抽出液を飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸ナト
リウムで乾燥する。

硫酸ナトリウムを炉去し、減圧下溶媒を留去し無色のシ
ロップを得る。このものをシリカゲルカラムクロマトグ
ラフィー（２０ｍＡ！、クロロホ／ｌ／　ム−メタノー
ル５０：ｌ）により分離スル。

シリカゲルＴＬＣＣ展開溶媒；クロロホルム−メタノー
ル（２０：１）］でＲｆ０．５０付近のフラクションを
集め、減圧下溶媒を留去し化合物■の無色粉末ｓ１．ａ
ｌｌＩｖ（ｓｓ、ｓ％）を得る。

化合物ｐ　：ＮＭＲ（６０ＭＨｚ、ＣＤＣｔｘ、ＴＭＳ
）　ｐｐｍ：９．３１（ＩＨ，ｓ、ＮＨ）、８．６５（
ＩＨ，ｓ、８−Ｈ）、８．５３（ＩＨ，ｓ　、　２−Ｈ
）　、　７．７６〜８．１０　（２Ｈ，ｍ、　Ｐｈ　）
　。

７．３０〜７．６１　（３Ｈ，ｍ、　Ｐｈ）　、　６．
５３　（ＩＨ，ｄ　、　Ｊ＝６．ＯＨｚ、　１’−Ｈ）
　Ｉ　４．３８〜４．８３　（３Ｈ１ｍｌ　３’−Ｈ，
２’−ＣＨ２）１（６Ｈ，Ｓ　、−＋ｉ＋） １−３（化合物■の合成） 水冷撹拌下、化合物■（Ｐ２＝ＣＯＣ＠Ｈ１ｌ、　Ｐ＋
→０４８４ｍｇの無水テトラヒドロフラン溶ｉ（１０ｍ
ｌ　）にカリウムｔｅｒｔ−ブトキシド３３０ｍｇの無
水テトラヒドロフラン溶液（ｔｏｍｌ）を加え、室温で
２時間撹拌する。水冷下、反応液に酢酸Ｑ、　４　ｎｔ
ｌを加え、減圧下溶媒を留去し、残渣に水（５０ｍ／り
を加え、りｏｏホルム（５ｏｍｚ）で２回抽出する。ク
ロロホルム抽出液を飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸ナト
リウムで乾燥する。

硫酸ナトリウムを炉去し、減圧下溶媒を留去し淡黄色の
シロップを得る。このものをシリカゲルカラムクロマト
グラフィー（ｓｏｍｚ、クロロホルム−メタノール５０
：ｌ）により分離する。

シリカゲルＴＬＣＣ展開溶媒；クロロホルム−メタノー
ル（２０：１））でＲｆ　Ｏ，７９付近のフラクション
を集め、減圧下溶媒を留去し化合物■の無色粉末３０９
．４■（７７，６％）を得る。

化合物Ｄ　：　ＭＳ　ｍ／　ｚ　：　４５０　（Ｍ　Ｈ
）　　ｚ　　ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤＣ４，ＴＭＳ
）ｐｐｍ：　９．２７（１Ｈ，ｓ、ＮＨ）。

８．１２（ＩＨ，ｓ、８−Ｈ）、８．６８（ＬＨ，ｓ、
２−Ｈ）。

８．２２（２Ｈ，ｄ　、　Ｊ＝８．０Ｈｚ、Ｐｈ　）　
、　７．４８〜７．６３　（３Ｈ。

ｍ、　Ｐｈ）　、　７．１５　（ＩＨ，ｓ　、　ｌ’−
１−１）　、　５．２５〜５．３６　（３Ｈ。

ｍ、　２’−ＣＨ２＝、　３’　Ｈ）　、　３．９６〜
４．１０　（２Ｈ，ｍ、　３’−１−４（化合物■の合
成） 水冷撹拌下、窒素気流中で化合物■（Ｐ２＝ＣＯＣ６）
Ｉ５　、Ｒ”””＋卓ｉ　）　４００　ｒｒｚのアセト
ン（４＋＋＋０溶液に過ヨウ素酸ナトリウム５８０ｍｇ
のアセトン（３，５ｍＪ）−水（３，５ｍ／）の溶液、
過マンガン酸カリウム８４■の水（４ｍｌ　）溶液を加
え、室温で２時間撹拌する。

水冷下、亜硫酸ナトリウム溶液を加えて過剰の過マンガ
ン酸カリウムを分解する。反応液にアセトン（３０ｍ／
）を加え、沈澱物をこし別げた液を減圧下に濃縮してア
セトンを留去する。残った水溶液に水（５Ｑｍ／）を加
えクロロホルム（５Ｑｍ／りで３回抽出する。

クロロホルム抽出液は飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸ナ
トリウムで乾燥する。硫酸ナトリウムを済去し、減圧下
溶媒を留去し、薄茶色のシロップ３６０■（化合物■）
を得る。氷冷下このもの３６０ｍｇのメタノール溶液（
２０ｍ／）に水素化ホウ素ナトリウム２８■を加え、室
温で３０分間撹拌する。反応液に酢酸０．０５　ｍｌを
加えた後減圧乾固する。残渣に水（３０ｍＡりを加え、
クロロホルム（３０＋＋＋４りで３回抽出する。

クロロホルム抽出液を飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸ナ
トリウムで乾燥する。硫酸ナトリウムを戸去し減圧下溶
媒を留去する。

残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（５０ｍｌ
、クロロホルム−メタノール２０：１）により分離する
。シリカゲルＴＬＣ（展開溶媒：クロロホルム−メタノ
ール（２０：１））でＲｆＯ１５３付近のフラクション
を集め、減圧下溶媒を留去し化合物■の無色粉末２３６
■（６５，６％）を得る。

化合物■：　ＮＭＲ（４００ＭＩ（ｚ　、　ＣＤＣ１ｘ
、　ＴＭＳ　）　ｐｐｍ：９．１２（ＩＨ，ｓ、ＮＨ）
、８．７６（ＩＨ，ｓ、８−Ｈ）、８．５６（ＩＨ，ｓ
　　、　　２−Ｈ）、　　８．３０　　（２Ｈ，ｄ　　
、Ｊ＝８．１Ｈｚ、Ｐｈ）。

７．４８〜７．６７（３Ｈ，ｍ、Ｐｈ）、６．７２（Ｌ
Ｈ，ｄ、Ｊ＝４．８）（ｚ、　１’−Ｈ）　＋　５．１
３〜５．２７　（２Ｈ，ｍ、　２’−Ｈ，２’−０Ｈ）
。

４．９８（ＩＨ，ｍ、３’−Ｈ）、４．１７〜４．３０
（２Ｈ，ｍ、３’−１−５（化合物（ａ）の合成） 化合物■（Ｐ２＝ＣＯＣ６Ｈ５，ＰＩ　＝　＋ｉ＋）　
（１７３■、０、３８　ｍｍｏｌ　）を無水塩化メチレ
ｙ（５ｍｌ）に溶解し、水冷下、ジメチルアミノピリジ
ン（４６■、Ｑ、３３　ｍｍｏｌ　）、トリエチルアミ
ン（１０５，９μ４０．７６　ｍｍｏｌ　）及びトリフ
ルオロメタンスルホニルクロリド（６０，７μｍｇ、Ｑ
、　５７　ｍｍｏｌ　）を加え、クロロホルム（ｓｍ／
）で３回抽出する。クロロホルム抽出液は無水硫酸ナト
リウムで乾燥した後、減圧下溶媒を留去し、残渣をシリ
カゲルカラムクロマトグラフィー（クロロホルム：メタ
ノール２００　：　１　（ｖ／ｖ）　）で分離精製し、
化合物（ａ）　（９７■、４２％）を得る。

ＮＭＲ（２００ＭＨｚ、　ＣＤＣ１ａ　ＴＭＳ　）ｐｐ
ｍ　：　９．１９（ＩＨ。

ｓ、−ＮＨ）＃８．８２（ＩＨＩ　５１８−Ｈ）１８．
５９（ＩＨ，Ｓ。

２−Ｈ）　、　７．４９〜８．０７　（５Ｈ，ｍ−、Ｂ
ｚ）、　７．１３　（ＩＨ，ｄ。

Ｊ＝４．８．１’−Ｈ）、　６．００（ＩＨ，ｍ、　２
’−Ｈ）、５．１３（ＩＨ。

ｍ、　３’−Ｈ）　、　４．０５〜４．２８　（２Ｈ，
ｍ、　−Ｃ）ｈＯＨ）　。

０．９５　（９Ｈ，ｓ　、−卓ｉ＋）。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼（III） （式中、Ｐ＿１は保護基、Ｒ＿１は置換又は非置換の低
   級アルキルスルホニル基、置換又は非置換のアリールス
   ルホニル基、Ｂは官能基が保護されたプリン塩基残基を
   示す。）で表わされるオキセタノシン誘導体にカルボン
   酸塩を反応させ、一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼（II） （式中、Ｐ＿１、Ｂは前記と同じ意味を表わす。 Ｒ＿２は有機カルボニル基を示す。） で表わされる化合物とし、次いで保護基及びＲ＿２を除
   去することを特徴とする一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） で示されるオキセタノシン誘導体又はその塩の製造法