JPH027475B2 - - Google Patents
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- JPH027475B2 JPH027475B2 JP57078856A JP7885682A JPH027475B2 JP H027475 B2 JPH027475 B2 JP H027475B2 JP 57078856 A JP57078856 A JP 57078856A JP 7885682 A JP7885682 A JP 7885682A JP H027475 B2 JPH027475 B2 JP H027475B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plating
- nickel
- transparent conductive
- conductive film
- etching
- Prior art date
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- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は液晶パネル、エレクトロクロミツクパ
ネル等表示パネル（以下液晶パネルを主体に述べ
る。）の製造方法に関するものであり特に金属配
線された液晶パネルに関するものである。
ネル等表示パネル（以下液晶パネルを主体に述べ
る。）の製造方法に関するものであり特に金属配
線された液晶パネルに関するものである。
液晶パネルには透明導電膜が用いられているが
パターンの微細化にともない抵抗が問題になり必
要とする画素以外は金属配線で抵抗の大きいとこ
ろを補つていこうとする動向がある。特に多重マ
トリクスパネルではパターンピツチ10μ程度が必
要とされるため画素以外は金属配線の必要性が生
ずる。通常このような電極構造は、ガラス上に透
明導電膜を全面形成する工程→これをパターニン
グする工程（画素部とリード部を残して）→全面
にCr―Auを真空蒸着する工程→画素部とリード
部以下のCr―Auをエツチング除去する工程によ
つて得るか、又は全面に透明導電膜を全面に形成
する工程→全面にCr―Auを形成する工程→リー
ド部のCr―Au部を残してCr―Auをエツチングす
る工程→リード部及び画素部を残して透明導電膜
をエツチングする工程によつて得ていた。いずれ
の方法も透明導電膜と金属リード部（Cr―Au）
のパターンあわせが非常に困難、透明導電膜、
Cr，Auとそれぞれ独立してエツチングするエツ
チング液の必要性（アンダーエツチングの問題）、
Cr，Au被覆工程が真空法によるため高価である
等々の欠点を有していた。
パターンの微細化にともない抵抗が問題になり必
要とする画素以外は金属配線で抵抗の大きいとこ
ろを補つていこうとする動向がある。特に多重マ
トリクスパネルではパターンピツチ10μ程度が必
要とされるため画素以外は金属配線の必要性が生
ずる。通常このような電極構造は、ガラス上に透
明導電膜を全面形成する工程→これをパターニン
グする工程（画素部とリード部を残して）→全面
にCr―Auを真空蒸着する工程→画素部とリード
部以下のCr―Auをエツチング除去する工程によ
つて得るか、又は全面に透明導電膜を全面に形成
する工程→全面にCr―Auを形成する工程→リー
ド部のCr―Au部を残してCr―Auをエツチングす
る工程→リード部及び画素部を残して透明導電膜
をエツチングする工程によつて得ていた。いずれ
の方法も透明導電膜と金属リード部（Cr―Au）
のパターンあわせが非常に困難、透明導電膜、
Cr，Auとそれぞれ独立してエツチングするエツ
チング液の必要性（アンダーエツチングの問題）、
Cr，Au被覆工程が真空法によるため高価である
等々の欠点を有していた。
本発明の目的は真空法では不可能な透明導電膜
上のみにメツキする技術を使つて歩留りの良い金
属配線液晶パネルを得ることにある。
上のみにメツキする技術を使つて歩留りの良い金
属配線液晶パネルを得ることにある。
本発明によれば前記方法のようなパターン位置
合せ（透明導電膜と金属リード部）の問題がほと
んどなく（大きなパターンである画素部の合わせ
だけであり多少ずれても実用上問題とならない）、
安価に金属リード付き液晶パネルが得られる。
合せ（透明導電膜と金属リード部）の問題がほと
んどなく（大きなパターンである画素部の合わせ
だけであり多少ずれても実用上問題とならない）、
安価に金属リード付き液晶パネルが得られる。
本発明に用いられる透明な絶縁基板としてソー
ダガラス、石英ガラス、ホウケイ酸ガラス等の無
機カラス、ポリエステル、エポキシ、酢酸セルロ
ース等のプラスチツクフイルムが考えられる。液
晶のモードによつては片側基板は不透明でも良
く、セラミツク上に本発明の電極構造を構成して
も良い、いかにしても信号電極が本発明の電極構
造を有す。用いられる透明導電膜としては酸化ス
ズ系（酸化スズ又は酸化スズにアンチモン、ホウ
素、フツ素等をドーピングしたもの）でも良いし
酸化インジウム系（酸化インジウム又は酸化スズ
をドープしたもの等）でも良い。これらはCVD
法、真空蒸着法、スパツタ法、イオンプレイテイ
ング法、印刷焼成法、浸漬焼付け法、スプレー
法、パイロゾルCVD法等により得られる。
ダガラス、石英ガラス、ホウケイ酸ガラス等の無
機カラス、ポリエステル、エポキシ、酢酸セルロ
ース等のプラスチツクフイルムが考えられる。液
晶のモードによつては片側基板は不透明でも良
く、セラミツク上に本発明の電極構造を構成して
も良い、いかにしても信号電極が本発明の電極構
造を有す。用いられる透明導電膜としては酸化ス
ズ系（酸化スズ又は酸化スズにアンチモン、ホウ
素、フツ素等をドーピングしたもの）でも良いし
酸化インジウム系（酸化インジウム又は酸化スズ
をドープしたもの等）でも良い。これらはCVD
法、真空蒸着法、スパツタ法、イオンプレイテイ
ング法、印刷焼成法、浸漬焼付け法、スプレー
法、パイロゾルCVD法等により得られる。
これらの透明導電膜は所定のフオト工程を経て
HCl、HCl.Zn、Cr2+／Cr3+レドツクス系等を用
いてエツチングパターニングされる。次に透明電
極上にのみニツケルメツキ又はニツケル合金メツ
キする方法としては、通常のSnCl2→PdCl2→
NiPメツキ工程のPdCl2工程後に触媒毒である
Pb、Sbを含んだ溶液に浸漬する。又は一液タイ
プの時はニツケル又はその合金メツキ前に前記触
媒毒に浸漬することにより選択的なメツキが得ら
れる。ニツケルメツキ又はニツケル合金メツキの
膜厚は500Å〜10000Åが適当であり密着性からし
て1000Å〜6000Åが適当である。
HCl、HCl.Zn、Cr2+／Cr3+レドツクス系等を用
いてエツチングパターニングされる。次に透明電
極上にのみニツケルメツキ又はニツケル合金メツ
キする方法としては、通常のSnCl2→PdCl2→
NiPメツキ工程のPdCl2工程後に触媒毒である
Pb、Sbを含んだ溶液に浸漬する。又は一液タイ
プの時はニツケル又はその合金メツキ前に前記触
媒毒に浸漬することにより選択的なメツキが得ら
れる。ニツケルメツキ又はニツケル合金メツキの
膜厚は500Å〜10000Åが適当であり密着性からし
て1000Å〜6000Åが適当である。
ニツケルメツキ又はニツケル合金メツキとして
はNi、Ni―Ｐ、Ni―Ｂ、Ni―Co―Ｐ、Ni―Cr
―Ｐ、Ni―Fe―Ｐ、Ni―Co―Cr―Ｐ等であり主
としてニツケル基リン合金、ニツケル基ホウ素合
金が用いられる。透明導電膜上への密着性からし
てNi―Ｐ、Ni―Ｂ合金が特に優れる。Ｐ、Ｂの
含有量は1wt％〜20wt％が好ましい。これらを無
電解メツキした後密着性を向上させ、耐摩耗性を
向上させるため常温に１週間以上放置するか50℃
〜500℃で熱処理を行なつても良い。
はNi、Ni―Ｐ、Ni―Ｂ、Ni―Co―Ｐ、Ni―Cr
―Ｐ、Ni―Fe―Ｐ、Ni―Co―Cr―Ｐ等であり主
としてニツケル基リン合金、ニツケル基ホウ素合
金が用いられる。透明導電膜上への密着性からし
てNi―Ｐ、Ni―Ｂ合金が特に優れる。Ｐ、Ｂの
含有量は1wt％〜20wt％が好ましい。これらを無
電解メツキした後密着性を向上させ、耐摩耗性を
向上させるため常温に１週間以上放置するか50℃
〜500℃で熱処理を行なつても良い。
前記ニツケル又はニツケル合金被膜を形成後熱
処理する場合は、下層との密着性等が向上するも
ののその表面に導通性がやや劣る酸化ニツケルが
形成されるが、この酸化ニツケルを除去するため
塩化第二鉄の浴中に浸漬させるようにしてもよ
い。又、前記ニツケル又はニツケル合金被覆のエ
ツチングは例えばエツチング部をレジスト後次の
エツチング液（常温）に30秒程度（被膜厚に応じ
て変動）浸漬して行なう。
処理する場合は、下層との密着性等が向上するも
ののその表面に導通性がやや劣る酸化ニツケルが
形成されるが、この酸化ニツケルを除去するため
塩化第二鉄の浴中に浸漬させるようにしてもよ
い。又、前記ニツケル又はニツケル合金被覆のエ
ツチングは例えばエツチング部をレジスト後次の
エツチング液（常温）に30秒程度（被膜厚に応じ
て変動）浸漬して行なう。
エツチング液（容量比）
リン酸 35％
硝 酸 35％
酢 酸 5％
硫 酸 5％
以下実施例により本発明を詳細に説明する。
実施例 １
第１図のように上パネル基板の走査電極（鎖
線）に対し下パネル基板に四重マトリクスパネル
用に信号電極である透明導電膜（５％の酸化スズ
をドープした酸化インジウム）をエツチング形成
した。リード部１のピツチは10μ、画素部２のサ
イズは70μである。次に無電解メツキプロセスと
して１液性の増感剤である日立化成社製HS101B
で５分間処理し、触媒毒を含んだ日立化成社製
HS201で10分間処理し、水洗後、カニゼン社製
S68D無電解ニツケルリンメツキ液を用いて60℃
で３分間処理し、透明導電膜上のみに（第２図針
線部）ニツケルリンメツキを4000Å施した。次に
フオト工程を経て画素上のニツケルリンメツキを
第３図のように前述の方法によりエツチング除去
した。Ａ―Ｂ間の抵抗測定をしたところ第１図で
は10KΩ、第３図では500Ωであつた。第１図で走
査電極と組み合わせ16行×80桁（５×７ドツト）
１／32dutyで四重マトリクスの液晶パネルを作成し たところ端子から遠い所はON状態でもハーフト
ーンになり表示むらが生じた。しかし同様のパネ
ルを第３図の構成で作成したところ表示むらを生
じなかつた。又前述の従来方法で作成したパネル
は電極の切れ、シヨート、ズレ等の不良が90％で
あつたが、本実施例によつて得たものは30％の不
良（全て10μのリード部１の透明導電膜のエツチ
ング切れ）のみであつた。本実施例によつて得ら
れたニツケルリンメツキ被膜はさらに密着性を向
上させ又耐摩耗性を向上させるためにパターン形
成前又はパターン形成後に80℃〜500℃の熱処理
を施しても良い。
線）に対し下パネル基板に四重マトリクスパネル
用に信号電極である透明導電膜（５％の酸化スズ
をドープした酸化インジウム）をエツチング形成
した。リード部１のピツチは10μ、画素部２のサ
イズは70μである。次に無電解メツキプロセスと
して１液性の増感剤である日立化成社製HS101B
で５分間処理し、触媒毒を含んだ日立化成社製
HS201で10分間処理し、水洗後、カニゼン社製
S68D無電解ニツケルリンメツキ液を用いて60℃
で３分間処理し、透明導電膜上のみに（第２図針
線部）ニツケルリンメツキを4000Å施した。次に
フオト工程を経て画素上のニツケルリンメツキを
第３図のように前述の方法によりエツチング除去
した。Ａ―Ｂ間の抵抗測定をしたところ第１図で
は10KΩ、第３図では500Ωであつた。第１図で走
査電極と組み合わせ16行×80桁（５×７ドツト）
１／32dutyで四重マトリクスの液晶パネルを作成し たところ端子から遠い所はON状態でもハーフト
ーンになり表示むらが生じた。しかし同様のパネ
ルを第３図の構成で作成したところ表示むらを生
じなかつた。又前述の従来方法で作成したパネル
は電極の切れ、シヨート、ズレ等の不良が90％で
あつたが、本実施例によつて得たものは30％の不
良（全て10μのリード部１の透明導電膜のエツチ
ング切れ）のみであつた。本実施例によつて得ら
れたニツケルリンメツキ被膜はさらに密着性を向
上させ又耐摩耗性を向上させるためにパターン形
成前又はパターン形成後に80℃〜500℃の熱処理
を施しても良い。
実施例 ２
実施例１において無電解ニツケルリンメツキで
あるカニゼン社製S′68Dの代わりに無電解ニツケ
ルボロンメツキである上村工業社製ベルニツケル
を用い3500Åメツキした。結果は実施例１と同様
であつた。
あるカニゼン社製S′68Dの代わりに無電解ニツケ
ルボロンメツキである上村工業社製ベルニツケル
を用い3500Åメツキした。結果は実施例１と同様
であつた。
実施例 ３
実施例１において無電解ニツケルリンメツキを
1500Å（カニゼン社製S68D）施し、さらにニツ
ケルボロンメツキ（上村工業社製ベルニツケル）
を2000Å施し積層構造にした。これは透明導電膜
への密着性がニツケルリンメツキ被覆の方がニツ
ケルボロンメツキ被膜より優れているためであ
り、又前者は後者に比し表面硬度が劣るためそれ
ぞれの特徴を生かした使い方である。表面硬度は
液晶を配向させる綿布等によるラビング処理工程
に重要な役割をもつている。このようにして作成
した液晶パネルは実施例１と同様の結果であつ
た。
1500Å（カニゼン社製S68D）施し、さらにニツ
ケルボロンメツキ（上村工業社製ベルニツケル）
を2000Å施し積層構造にした。これは透明導電膜
への密着性がニツケルリンメツキ被覆の方がニツ
ケルボロンメツキ被膜より優れているためであ
り、又前者は後者に比し表面硬度が劣るためそれ
ぞれの特徴を生かした使い方である。表面硬度は
液晶を配向させる綿布等によるラビング処理工程
に重要な役割をもつている。このようにして作成
した液晶パネルは実施例１と同様の結果であつ
た。
実施例 ４
実施例１で酸化インジウム透明導電膜の代わり
にCVD法で作成した酸化スズ（酸化アンチモン
を5wt％ドープしたもの）透明導電膜（膜厚500
Å）を用いた。透明導電膜のエツチングは6N塩
酸酸性のCr2+／Cr3+レドツクス系を用いて行なつ
た。Ａ―Ｂ間の抵抗は100KΩであつた。実施例
１と同様に無電解ニツケルリンメツキを施し、同
様のパネルを作成した。第３図のＡ―Ｂ間の抵抗
は750Ωであつた。四重マトリクスパネルの特性
は同様であり効果大であつた。
にCVD法で作成した酸化スズ（酸化アンチモン
を5wt％ドープしたもの）透明導電膜（膜厚500
Å）を用いた。透明導電膜のエツチングは6N塩
酸酸性のCr2+／Cr3+レドツクス系を用いて行なつ
た。Ａ―Ｂ間の抵抗は100KΩであつた。実施例
１と同様に無電解ニツケルリンメツキを施し、同
様のパネルを作成した。第３図のＡ―Ｂ間の抵抗
は750Ωであつた。四重マトリクスパネルの特性
は同様であり効果大であつた。
以上述べたように本発明によれば、透明電極の
リード部のみに均一な膜厚の金属膜を容易な工程
で安価に製造できるとともに、大量生産に適した
製造方法が実現できる。
リード部のみに均一な膜厚の金属膜を容易な工程
で安価に製造できるとともに、大量生産に適した
製造方法が実現できる。
特に、透明電極上に、ニツケル合金メツキ被膜
を無電解メツキ法により形成したので、透明電極
の全面にわたり均一な膜厚の被膜が得られる。さ
らに、微細化されたリード部パターンに対しても
同様に均一な被膜が形成される。したがつて、画
素部上に形成された前記被膜のエツチングの際に
も、部分的に被膜が残るということがなく、均一
にエツチングされる。さらに、無電解メツキ被膜
として、ニツケル合金メツキ被膜を用いたので、
透明導電膜との密着性に優れている。
を無電解メツキ法により形成したので、透明電極
の全面にわたり均一な膜厚の被膜が得られる。さ
らに、微細化されたリード部パターンに対しても
同様に均一な被膜が形成される。したがつて、画
素部上に形成された前記被膜のエツチングの際に
も、部分的に被膜が残るということがなく、均一
にエツチングされる。さらに、無電解メツキ被膜
として、ニツケル合金メツキ被膜を用いたので、
透明導電膜との密着性に優れている。
本発明により得られたパネルは、ａ―Ｎパネ
ル、液晶テレビ、時計、電卓等の表示パネルとし
て応用可能である。
ル、液晶テレビ、時計、電卓等の表示パネルとし
て応用可能である。
第１図…一般の四重マトリクスパネルの透明導
電膜構造図、第２図…本発明により透明導電膜上
にのみニツケルリンメツキを施した電極構造図、
第３図…本発明により画素部のニツケルリンメツ
キをエツチング除去した信号電極構造図。
電膜構造図、第２図…本発明により透明導電膜上
にのみニツケルリンメツキを施した電極構造図、
第３図…本発明により画素部のニツケルリンメツ
キをエツチング除去した信号電極構造図。
Claims (1)
- １ 絶縁基板の一方の全面上に形成された透明導
電膜をパターニングして、複数の画素部およびリ
ード部からなる透明電極を形成する工程と、該透
明電極上にのみ選択的に無電解ニツケル合金メツ
キ被膜を形成する工程と、前記画素部上に形成さ
れた前記無電解ニツケル合金メツキ被膜をエツチ
ングして除去する工程とを具備することを特徴と
する表示パネルの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7885682A JPS58194083A (ja) | 1982-05-10 | 1982-05-10 | 表示パネルの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7885682A JPS58194083A (ja) | 1982-05-10 | 1982-05-10 | 表示パネルの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58194083A JPS58194083A (ja) | 1983-11-11 |
| JPH027475B2 true JPH027475B2 (ja) | 1990-02-19 |
Family
ID=13673464
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7885682A Granted JPS58194083A (ja) | 1982-05-10 | 1982-05-10 | 表示パネルの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58194083A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001047790A (ja) | 1999-08-17 | 2001-02-20 | Kyowa Electric & Chem Co Ltd | 電卓付きメモ用具 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS556346A (en) * | 1978-06-27 | 1980-01-17 | Sharp Kk | Electrode pattern and method of forming same |
| JPS6019608B2 (ja) * | 1978-10-03 | 1985-05-17 | シャープ株式会社 | 電極パタ−ン形成方法 |
| JPS5938068Y2 (ja) * | 1980-03-27 | 1984-10-22 | 株式会社日立製作所 | 基板上のパタ−ン構造 |
| JPS5752021A (en) * | 1980-09-12 | 1982-03-27 | Citizen Watch Co Ltd | Manufacture of liquid crystal display cell |
-
1982
- 1982-05-10 JP JP7885682A patent/JPS58194083A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58194083A (ja) | 1983-11-11 |
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