JPH0372657A - 表面平坦化成膜法 - Google Patents
表面平坦化成膜法Info
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- JPH0372657A JPH0372657A JP20865389A JP20865389A JPH0372657A JP H0372657 A JPH0372657 A JP H0372657A JP 20865389 A JP20865389 A JP 20865389A JP 20865389 A JP20865389 A JP 20865389A JP H0372657 A JPH0372657 A JP H0372657A
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体装置の多層配線構造などに利用される
表面平坦化成膜法に関し、特に、ＳＯＧ（ｓｐｉｎ−ｏ
ｎ−ｇｌａｓｓ ）膜の塗布法による平坦化技術に関す
る。
表面平坦化成膜法に関し、特に、ＳＯＧ（ｓｐｉｎ−ｏ
ｎ−ｇｌａｓｓ ）膜の塗布法による平坦化技術に関す
る。
多層配線構造の半導体装置の製造プロセスにおいては、
下地の段差部を緩和させるために表面平坦化処理が施さ
れる。この平坦化、平滑化技術としては、ＳＯＧ膜によ
る塗布法が一般的に知られている。
下地の段差部を緩和させるために表面平坦化処理が施さ
れる。この平坦化、平滑化技術としては、ＳＯＧ膜によ
る塗布法が一般的に知られている。
このＳＯＧ膜による塗布法は、第２図（ａ）に示す如く
の絶縁膜ｌ上に形成されたアルミニウム合金の配線２を
シリコン酸化膜３で全面被覆したウェハの表面を平坦化
するために、例えばシラノールを溶媒に溶したものを塗
布しこれを焼成（キュア〉してＳ８０□化したＳＯＧ膜
４とする。その塗布工程はウェハをスピンナで回転しな
がら塗布する。塗布後にＳｉ Ｏ，化させるためには高
温で焼威することが必要である。第一層目のＳＯＧ膜４
の成膜によっても、平坦化処理が不充分な場合、上記と
同様の手順により、第２図（ｂ）に示す如く、下層ＳＯ
Ｇ膜４の上に上層ＳＯＧ膜５を塗布してからこれを焼威
する２度塗り工程が追加される。
の絶縁膜ｌ上に形成されたアルミニウム合金の配線２を
シリコン酸化膜３で全面被覆したウェハの表面を平坦化
するために、例えばシラノールを溶媒に溶したものを塗
布しこれを焼成（キュア〉してＳ８０□化したＳＯＧ膜
４とする。その塗布工程はウェハをスピンナで回転しな
がら塗布する。塗布後にＳｉ Ｏ，化させるためには高
温で焼威することが必要である。第一層目のＳＯＧ膜４
の成膜によっても、平坦化処理が不充分な場合、上記と
同様の手順により、第２図（ｂ）に示す如く、下層ＳＯ
Ｇ膜４の上に上層ＳＯＧ膜５を塗布してからこれを焼威
する２度塗り工程が追加される。
しかしながら、上記のＳＯＧ膜の２度塗りによる平坦化
成膜法にあっては、次の問題点がある。
成膜法にあっては、次の問題点がある。
即ち、２度塗りの場合、１度目の塗布後に焼威してから
、続いて２度目の塗布後に同様に焼威するが、１度目の
焼成が不充分の場合、２度目の焼成工程において、第２
図（ｂ）に示す如く、下層のＳＯＱ膜４から脱ガス、な
どが発生して、下層ＳＯＧ膜４と上層ＳＯＧ膜５との間
に気泡６やクラックなどが現われる。
、続いて２度目の塗布後に同様に焼威するが、１度目の
焼成が不充分の場合、２度目の焼成工程において、第２
図（ｂ）に示す如く、下層のＳＯＱ膜４から脱ガス、な
どが発生して、下層ＳＯＧ膜４と上層ＳＯＧ膜５との間
に気泡６やクラックなどが現われる。
そこで、本発明は上記問題点を解決するものであり、そ
の課題は、上層５ＯＧｌｌｉの焼成工程において下層Ｓ
ＯＣ膜からの脱ガスなどの発生をなくすことにより、気
泡、クラッタなどの発生を防止し、高品質の平坦化を可
能とする表面平坦化成膜法を提供することにある。
の課題は、上層５ＯＧｌｌｉの焼成工程において下層Ｓ
ＯＣ膜からの脱ガスなどの発生をなくすことにより、気
泡、クラッタなどの発生を防止し、高品質の平坦化を可
能とする表面平坦化成膜法を提供することにある。
上記課題を解決するために、本発明の講じた手段は、上
層のＳＯＣ膜の塗布後の焼成温度を下層のＳＯＣ膜の塗
布後の焼成温度よりも低くしたものである。
層のＳＯＣ膜の塗布後の焼成温度を下層のＳＯＣ膜の塗
布後の焼成温度よりも低くしたものである。
このように上層ＳＯＣ膜の塗布後の焼成温度を下層のそ
れよりも低く維持することにより、上層の焼成工程にお
いては下層ＳＯＣ膜からの水分。
れよりも低く維持することにより、上層の焼成工程にお
いては下層ＳＯＣ膜からの水分。
溶媒などの脱ガスの発生が起こりにくくなるため、気泡
やクランクの発生を防止することができる。
やクランクの発生を防止することができる。
次に、本発明の実施例を添付図面に基づいて説明する。
第１図は本発明の一実施例を説明するための多層配線構
造を示す断面図である。
造を示す断面図である。
第１図（ａ）に示す如く、絶縁膜１上のアル逅ニウム合
金の配線２を被覆したシリコン酸化膜のの段差部を平坦
化するために、回転塗布法により、まず第１層目のＳＯ
Ｃ（スピンオングラス）膜４を厚さ１０００人程度塗布
し、これをその段差部に埋め込み、しかる後、例えば２
００℃、３分のプリベータと４５０℃、３０分の焼成（
キュア）を施す。このプリベークはウェハの取扱いを容
易とするものである。焼成温度は塗布材質、溶媒などに
より異なるが、いずれの場合も最適化する必要がある。
金の配線２を被覆したシリコン酸化膜のの段差部を平坦
化するために、回転塗布法により、まず第１層目のＳＯ
Ｃ（スピンオングラス）膜４を厚さ１０００人程度塗布
し、これをその段差部に埋め込み、しかる後、例えば２
００℃、３分のプリベータと４５０℃、３０分の焼成（
キュア）を施す。このプリベークはウェハの取扱いを容
易とするものである。焼成温度は塗布材質、溶媒などに
より異なるが、いずれの場合も最適化する必要がある。
次に、第１図（ｂ）に示す如く、第２層目のＳＯＧ膜５
を厚さ１０００人程度塗布しこれを比較的浅くなった段
差部に埋め込む。この後、塗布されたＳＯＣ膜を例えば
２００°Ｃ，３分でプリベークし、次に４３０℃、３０
分の焼成（キュア）を施す。
を厚さ１０００人程度塗布しこれを比較的浅くなった段
差部に埋め込む。この後、塗布されたＳＯＣ膜を例えば
２００°Ｃ，３分でプリベークし、次に４３０℃、３０
分の焼成（キュア）を施す。
この第２層目のＳＯＧ膜５に対する焼成温度は４３０°
Ｃで、第１層目のＳＯＧ膜４に対する焼成温度４５０℃
よりも低い温度とされる。このため、第２層目のＳＯＣ
膜の焼成工程では、第１層目のＳＯＧ膜４も加熱される
が、第１層目の焼成温度４５０℃以上には加熱されない
ため、第１層目のＳＯＧ膜４の焼成が不充分で、水分、
溶媒などの残留があっても、その膜内からの脱ガスの発
生は起こらない。したがって、第１層目のＳＯＧ膜４と
第２層目のＳＯＧ膜５との間には気泡やクラックの発生
がなく、平坦化多層成膜自体の品質が向上する。
Ｃで、第１層目のＳＯＧ膜４に対する焼成温度４５０℃
よりも低い温度とされる。このため、第２層目のＳＯＣ
膜の焼成工程では、第１層目のＳＯＧ膜４も加熱される
が、第１層目の焼成温度４５０℃以上には加熱されない
ため、第１層目のＳＯＧ膜４の焼成が不充分で、水分、
溶媒などの残留があっても、その膜内からの脱ガスの発
生は起こらない。したがって、第１層目のＳＯＧ膜４と
第２層目のＳＯＧ膜５との間には気泡やクラックの発生
がなく、平坦化多層成膜自体の品質が向上する。
なお、上記実施例は２度塗りの場合を説明したが、これ
に限らず３層以上の多層の平坦化成膜にも適用できるこ
とは云う迄もない。
に限らず３層以上の多層の平坦化成膜にも適用できるこ
とは云う迄もない。
以上説明したように、本発明はＳＯＣ膜による表面平坦
化の多層成膜法において、上層のＳＯＣ膜の塗布後の焼
成温度をその下層のＳＯＣ膜の塗布後の焼成温度より低
く維持することに特徴を有するものであるから、次の効
果を奏する。
化の多層成膜法において、上層のＳＯＣ膜の塗布後の焼
成温度をその下層のＳＯＣ膜の塗布後の焼成温度より低
く維持することに特徴を有するものであるから、次の効
果を奏する。
即ち、上層のＳＯＣ膜の焼成工程では、もはやそのＳＯ
Ｃ膜から脱ガスが蒸発して５ＯＧＩＩＩが起こらず、阻
止されるので、気泡残留やクラッタなどの発生を防止で
き、高品質の多層成膜が得られる。
Ｃ膜から脱ガスが蒸発して５ＯＧＩＩＩが起こらず、阻
止されるので、気泡残留やクラッタなどの発生を防止で
き、高品質の多層成膜が得られる。
第１図（ａ）、（ｂ）は本発明の一実施例を夫々説明す
るための多層配線構造を示す断面図である。 第２ （ａ）、（ｂ）は従来のＳＯＣ膜による表面平坦
化成膜法を夫々説明するための多層配線構造を示す断面
図である。 〔符号の説明〕 ｌ・・・絶縁膜 ２・・・アルくニウム合金の配線 ３・・・シリコン酸化膜 ４・・・第１層目のＳＯＣ膜 ５・・・第２層目のＳＯＧ膜 ６・・・気泡。
るための多層配線構造を示す断面図である。 第２ （ａ）、（ｂ）は従来のＳＯＣ膜による表面平坦
化成膜法を夫々説明するための多層配線構造を示す断面
図である。 〔符号の説明〕 ｌ・・・絶縁膜 ２・・・アルくニウム合金の配線 ３・・・シリコン酸化膜 ４・・・第１層目のＳＯＣ膜 ５・・・第２層目のＳＯＧ膜 ６・・・気泡。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 段差部をもつ基板の表面を２層以上のＳＯＧ膜で平坦化
する成膜法において、 上層のＳＯＧ膜の塗布後の焼成温度がその下層のＳＯＧ
膜の塗布後の焼成温度よりも低いことを特徴とする表面
平坦化成膜法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20865389A JPH0372657A (ja) | 1989-08-11 | 1989-08-11 | 表面平坦化成膜法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20865389A JPH0372657A (ja) | 1989-08-11 | 1989-08-11 | 表面平坦化成膜法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0372657A true JPH0372657A (ja) | 1991-03-27 |
Family
ID=16559815
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20865389A Pending JPH0372657A (ja) | 1989-08-11 | 1989-08-11 | 表面平坦化成膜法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0372657A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009066983A3 (en) * | 2007-11-21 | 2009-07-16 | Mimos Berhad | Method of curing defects in spin-on-glass |
| JP2015126020A (ja) * | 2013-12-25 | 2015-07-06 | 東京エレクトロン株式会社 | 絶縁領域の形成方法 |
-
1989
- 1989-08-11 JP JP20865389A patent/JPH0372657A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009066983A3 (en) * | 2007-11-21 | 2009-07-16 | Mimos Berhad | Method of curing defects in spin-on-glass |
| JP2015126020A (ja) * | 2013-12-25 | 2015-07-06 | 東京エレクトロン株式会社 | 絶縁領域の形成方法 |
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