JPH0379865B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0379865B2 JPH0379865B2 JP63168940A JP16894088A JPH0379865B2 JP H0379865 B2 JPH0379865 B2 JP H0379865B2 JP 63168940 A JP63168940 A JP 63168940A JP 16894088 A JP16894088 A JP 16894088A JP H0379865 B2 JPH0379865 B2 JP H0379865B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- package case
- semiconductor device
- recess
- powder glass
- ridge
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders or supports
- H03H9/10—Mounting in enclosures
- H03H9/1007—Mounting in enclosures for bulk acoustic wave [BAW] devices
- H03H9/1014—Mounting in enclosures for bulk acoustic wave [BAW] devices the enclosure being defined by a frame built on a substrate and a cap, the frame having no mechanical contact with the BAW device
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、IC、LSI、光電素子、水晶振動子等
を搭載した半導体装置に関し、特に半導体装置の
パツケージ構造及びパツケージ方法の改良に関す
るものである。
を搭載した半導体装置に関し、特に半導体装置の
パツケージ構造及びパツケージ方法の改良に関す
るものである。
（従来の技術）
従来の半導体装置は、例えば第４図に示すよう
に、セラミクス製の基板１の上にアイランド２及
びインナリード３を載せ、さらにその上にセラミ
ツクス製のリング４を載せ、これらを低融点ガラ
ス５にて接着することにより一体化されている。
に、セラミクス製の基板１の上にアイランド２及
びインナリード３を載せ、さらにその上にセラミ
ツクス製のリング４を載せ、これらを低融点ガラ
ス５にて接着することにより一体化されている。
（発明が解決しようとする課題）
上記のような従来の半導体装置においては、セ
ラミツクス製の基板１やリング４が比較的高価で
あり、これが製品価格の比較的大きウエイトを占
めている。また、これらセラミクス製の部品は切
削、研磨等の加工を経てきているため、粉塵が付
着していることがあり、これが半導体の電気的特
性に悪影響を及ぼすことがあるという問題点があ
る。
ラミツクス製の基板１やリング４が比較的高価で
あり、これが製品価格の比較的大きウエイトを占
めている。また、これらセラミクス製の部品は切
削、研磨等の加工を経てきているため、粉塵が付
着していることがあり、これが半導体の電気的特
性に悪影響を及ぼすことがあるという問題点があ
る。
従つて、本発明は、セラミクス製の部品を用い
ない、信頼性の高い低価格の半導体装置及びその
パツケージ方法を提供することを課題としてい
る。
ない、信頼性の高い低価格の半導体装置及びその
パツケージ方法を提供することを課題としてい
る。
（課題を解決するための手段）
本発明においては、半導体素子Ｃを収容する凹
所１３ａと、この凹所１３ａを囲む稜部１３ｂと
を有するパツケージケース１３を粉末ガラス成型
体で構成し、このパツケージケース１３の稜部１
３ｂを貫通してケース１３の内外に導電性のリー
ド１２を延ばし、このリード１２の一端側１２ａ
は、パツケージケース１３の凹所１３ａの表面か
ら上面を露出させて半導体素子Ｃに接続できるよ
うにし、他端側１２ｂはパツケージケース１３の
外側へ延出させて半導体装置を構成した。
所１３ａと、この凹所１３ａを囲む稜部１３ｂと
を有するパツケージケース１３を粉末ガラス成型
体で構成し、このパツケージケース１３の稜部１
３ｂを貫通してケース１３の内外に導電性のリー
ド１２を延ばし、このリード１２の一端側１２ａ
は、パツケージケース１３の凹所１３ａの表面か
ら上面を露出させて半導体素子Ｃに接続できるよ
うにし、他端側１２ｂはパツケージケース１３の
外側へ延出させて半導体装置を構成した。
（作用）
本発明の半導体装置においては、比較的高価
で、しかも粉塵が付着する可能性の高いセラミク
ス製部品を用いることなく、粉末ガラスの溶融成
型体のみによつてパツケージケース１３を構成
し、これによつてリード１２支持したので、製品
コストが低減され、しかも製品の信頼性は、セラ
ミクス製部品を用いるものと同等あるいはそれ以
上のものとなる。
で、しかも粉塵が付着する可能性の高いセラミク
ス製部品を用いることなく、粉末ガラスの溶融成
型体のみによつてパツケージケース１３を構成
し、これによつてリード１２支持したので、製品
コストが低減され、しかも製品の信頼性は、セラ
ミクス製部品を用いるものと同等あるいはそれ以
上のものとなる。
（実施例）
本発明の実施例を第１図乃至第３図に示す。第
１図は半導体装置の斜視図、第２図は半導体装置
の断面図、第３図は製造過程を示す半導体装置の
断面図である。
１図は半導体装置の斜視図、第２図は半導体装置
の断面図、第３図は製造過程を示す半導体装置の
断面図である。
第１図乃至第３図において、１１は導電性のア
イランド、１２は同じく導電性のリード、１３は
アイランド１１及びリード１２を封止するパツケ
ージケースである。
イランド、１２は同じく導電性のリード、１３は
アイランド１１及びリード１２を封止するパツケ
ージケースである。
パツケージケース１３は、粉末ガラス成型体か
ら成り、ICチツプ、光電素子、水晶振動子等の
半導体素子Ｃを収容するための凹所１３ａを中央
部有すると共に、この凹所を囲む稜部１３ｂを備
えている。
ら成り、ICチツプ、光電素子、水晶振動子等の
半導体素子Ｃを収容するための凹所１３ａを中央
部有すると共に、この凹所を囲む稜部１３ｂを備
えている。
リード１２は、パツケージケース１３の稜部１
３ｂを貫通してケース１３の内外に延びている。
パツケージケース１３の凹所１３ａ内に位置する
インナリード１２ａは、半導体素子Ｃに接続でき
るように、凹所１３ａの表面から上面を露出させ
ている。また、リード１２の他端側のアウタリー
ド１２ｂはパツケージケース１３の外側へ延出し
ている。
３ｂを貫通してケース１３の内外に延びている。
パツケージケース１３の凹所１３ａ内に位置する
インナリード１２ａは、半導体素子Ｃに接続でき
るように、凹所１３ａの表面から上面を露出させ
ている。また、リード１２の他端側のアウタリー
ド１２ｂはパツケージケース１３の外側へ延出し
ている。
第２図に示すように、パツケージケース１３の
凹所１３ａ内において、アイランド１１の上面に
半導体素子Ｃが搭載され、インナリード１２ａと
ワイヤ１４により接続される。
凹所１３ａ内において、アイランド１１の上面に
半導体素子Ｃが搭載され、インナリード１２ａと
ワイヤ１４により接続される。
この半導体装置の製造方法を第３図に示す。第
３図に示すように、型Ａ，Ｂの空隙内にリード１
２及びアイランド１１を挿入した状態で、粉末ガ
ラス集積体１３′を空隙内で成型する。この際、
アイランド１１の上面及びインナリード１２ａの
上面を、型Ａ，Ｂ内に封入した粉末ガラス集積体
１３′の凹所の表面から露出させる。また、リー
ド１２の中間部を粉末ガラス集積体１３′に貫通
させて、他端側のアウタリード１２ｂを粉末ガラ
ス集積体１３′から突出させるように支持する。
そして、成型した粉末ガラス集積体１３′を加熱
溶解させた後、冷却して固化させる。こうする
と、パツケージケース１３によつて、アイランド
１１とリードと１２が一体的に支持され、しかも
アイランド１１の上面及びインナリード１２ａが
パツケージケース１３の凹所１３ａ内で露出す
る。なお、必要に応じ、鉄、コバール等の金属リ
ング１５を粉末ガラス集積体１３′上に載せて同
時に熱処理し、これをパツケージケース１３の稜
部１３ｂの上面に一体的に取付けることができ
る。この場合には、後で金属リング１５の上面に
金属製カバー１６を溶着することができる。ま
た、金属リング１５を用いずに、カバー１６を低
融点ガラスによつて接着することもできる。この
場合、カバー１６は金属製に限らない。
３図に示すように、型Ａ，Ｂの空隙内にリード１
２及びアイランド１１を挿入した状態で、粉末ガ
ラス集積体１３′を空隙内で成型する。この際、
アイランド１１の上面及びインナリード１２ａの
上面を、型Ａ，Ｂ内に封入した粉末ガラス集積体
１３′の凹所の表面から露出させる。また、リー
ド１２の中間部を粉末ガラス集積体１３′に貫通
させて、他端側のアウタリード１２ｂを粉末ガラ
ス集積体１３′から突出させるように支持する。
そして、成型した粉末ガラス集積体１３′を加熱
溶解させた後、冷却して固化させる。こうする
と、パツケージケース１３によつて、アイランド
１１とリードと１２が一体的に支持され、しかも
アイランド１１の上面及びインナリード１２ａが
パツケージケース１３の凹所１３ａ内で露出す
る。なお、必要に応じ、鉄、コバール等の金属リ
ング１５を粉末ガラス集積体１３′上に載せて同
時に熱処理し、これをパツケージケース１３の稜
部１３ｂの上面に一体的に取付けることができ
る。この場合には、後で金属リング１５の上面に
金属製カバー１６を溶着することができる。ま
た、金属リング１５を用いずに、カバー１６を低
融点ガラスによつて接着することもできる。この
場合、カバー１６は金属製に限らない。
（発明の効果）
以上のように、本発明においては、半導体素子
Ｃを収容する凹所１３ａと、この凹所１３ａを囲
む稜部１３ｂとを有するパツケージケース１３を
粉末ガラス成型体で構成し、このパツケージケー
ス１３の稜部１３ｂを貫通してケース１３の内外
に導電性のリード１２を延ばし、このリード１２
の一端側１２ａは、パツケージケース１３の凹所
１３ａの表面から上面を露出させて半導体素子Ｃ
に接続できるようにし、他端側１２ｂはパツケー
ジケース１３の外側へ延出させて半導体装置を構
成したため、セラミクス製の部品を用いず、しか
も製造過程において粉末ガラスを溶融させた上凝
固させるので、粉塵の付着を大幅に減少させ、半
導体装置の品質を向上させることができ、しかも
低価格の半導体装置を提供することができるとい
う効果を奏する。
Ｃを収容する凹所１３ａと、この凹所１３ａを囲
む稜部１３ｂとを有するパツケージケース１３を
粉末ガラス成型体で構成し、このパツケージケー
ス１３の稜部１３ｂを貫通してケース１３の内外
に導電性のリード１２を延ばし、このリード１２
の一端側１２ａは、パツケージケース１３の凹所
１３ａの表面から上面を露出させて半導体素子Ｃ
に接続できるようにし、他端側１２ｂはパツケー
ジケース１３の外側へ延出させて半導体装置を構
成したため、セラミクス製の部品を用いず、しか
も製造過程において粉末ガラスを溶融させた上凝
固させるので、粉塵の付着を大幅に減少させ、半
導体装置の品質を向上させることができ、しかも
低価格の半導体装置を提供することができるとい
う効果を奏する。
第１図乃至第３図は本発明の実施例を示すもの
で、第１図は半導体装置の斜視図、第２図は半導
体装置の断面図、第３図は半導体装置の製造過程
を示す断面図であり、第４図は従来の半導体装置
の断面図である。 １２……リード、１２ａ……インナリード、１
２ｂ……アウタリード、１３……パツケージケー
ス、１３′……粉末ガラス集積体、１３ａ……凹
所、１３ｂ……稜部、１４……ワイヤ、１５……
金属製リング、１６……カバー、Ａ，Ｂ……型、
Ｃ……半導体素子。
で、第１図は半導体装置の斜視図、第２図は半導
体装置の断面図、第３図は半導体装置の製造過程
を示す断面図であり、第４図は従来の半導体装置
の断面図である。 １２……リード、１２ａ……インナリード、１
２ｂ……アウタリード、１３……パツケージケー
ス、１３′……粉末ガラス集積体、１３ａ……凹
所、１３ｂ……稜部、１４……ワイヤ、１５……
金属製リング、１６……カバー、Ａ，Ｂ……型、
Ｃ……半導体素子。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 半導体素子を収容する凹所と、この凹所を囲
む稜部とを有する粉末ガラス成型体から成るパツ
ケージケースと、 このパツケージケースの稜部を貫通してケース
の内外に延びる導電性のリードを具備し、 このリードは、一端側が前記パツケージケース
の凹所内にあつて、半導体素子に接続するために
凹所の表面から上面を露出させていることを特徴
とする半導体装置。 ２ 前記パツケージケースの稜部の上面に、金属
製リングを一体に取付け、その金属製リングの上
に金属製カバーを溶着して半導体素子を封止した
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。 ３ 前記パツケージケースの稜部の上面に、低融
点ガラスの溶融固化体を介在させ、これによつて
カバーを固着したことを特徴とする請求項１に記
載の半導体装置。 ４ 前記リードの一端側の上面を、型内に封入し
た粉末ガラス集積体から露出させると共に、中間
部を前記粉末ガラス集積体に貫通させて、他端側
を前記粉末ガラス集積体から突出させるように支
持しながら、熱処理によつて前記粉末ガラス集積
体を溶融固化し、インナリードを前記パツケージ
ケースに一体的に支持するようにしたことを特徴
とする半導体装置のパツケージ方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63168940A JPH0220045A (ja) | 1988-07-08 | 1988-07-08 | 半導体装置及びそのパッケージ方法 |
| US07/769,770 US5151118A (en) | 1988-07-08 | 1991-10-04 | Method for producing a package-type semiconductor assembly |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63168940A JPH0220045A (ja) | 1988-07-08 | 1988-07-08 | 半導体装置及びそのパッケージ方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0220045A JPH0220045A (ja) | 1990-01-23 |
| JPH0379865B2 true JPH0379865B2 (ja) | 1991-12-20 |
Family
ID=15877363
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63168940A Granted JPH0220045A (ja) | 1988-07-08 | 1988-07-08 | 半導体装置及びそのパッケージ方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0220045A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0427617U (ja) * | 1990-06-27 | 1992-03-05 | ||
| US7365442B2 (en) * | 2003-03-31 | 2008-04-29 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Encapsulation of thin-film electronic devices |
-
1988
- 1988-07-08 JP JP63168940A patent/JPH0220045A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0220045A (ja) | 1990-01-23 |
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