JPH0410604A - 高耐蝕性FeSi多層膜 - Google Patents
高耐蝕性FeSi多層膜Info
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- JPH0410604A JPH0410604A JP11361090A JP11361090A JPH0410604A JP H0410604 A JPH0410604 A JP H0410604A JP 11361090 A JP11361090 A JP 11361090A JP 11361090 A JP11361090 A JP 11361090A JP H0410604 A JPH0410604 A JP H0410604A
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y25/00—Nanomagnetism, e.g. magnetoimpedance, anisotropic magnetoresistance, giant magnetoresistance or tunneling magnetoresistance
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F10/00—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
- H01F10/32—Spin-exchange-coupled multilayers, e.g. nanostructured superlattices
- H01F10/324—Exchange coupling of magnetic film pairs via a very thin non-magnetic spacer, e.g. by exchange with conduction electrons of the spacer
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、高密度記録用の磁気ヘッド等に用いる磁性体
膜に関し、特に、耐蝕性の改善された磁性膜に関するも
のである。
膜に関し、特に、耐蝕性の改善された磁性膜に関するも
のである。
(従来の技術)
従来、磁気記録用ヘッドの磁極材料としては、飽和磁化
、透磁率等、磁気特性が優れていることから、Feを、
母材として、Si、AIを添加したセンダストなどFe
合金膜が用いられている。
、透磁率等、磁気特性が優れていることから、Feを、
母材として、Si、AIを添加したセンダストなどFe
合金膜が用いられている。
また、さらに優れた磁気特性(高飽和磁化など)をもつ
Fe系合金膜の検問も、多くなされている。
Fe系合金膜の検問も、多くなされている。
(発明が解決しようとする課題)
磁気記録の分野では、媒体の保磁力が大きくなっており
、この媒体に、有効に記録を行うためには、現在用いら
れているセンダスト等よりも、さらに高い飽和磁化を有
する磁気ヘッド材料が必要である。FeにSiを、第2
元素として微量添加したFe−Si合金膜では、4nM
s≧16[kG]と十分高い飽和磁化を有し、磁気特性
的には、実用上それほど問題がないと考えられる。しか
し、Fe−8i膜は耐蝕性が低く、例えば第11回日本
応用磁気学会学術講演概要集P341図1に示されるよ
うに、高温高湿の環境に放置した場合、100時間程で
飽和磁化が当初の40%まで劣化してしまう。
、この媒体に、有効に記録を行うためには、現在用いら
れているセンダスト等よりも、さらに高い飽和磁化を有
する磁気ヘッド材料が必要である。FeにSiを、第2
元素として微量添加したFe−Si合金膜では、4nM
s≧16[kG]と十分高い飽和磁化を有し、磁気特性
的には、実用上それほど問題がないと考えられる。しか
し、Fe−8i膜は耐蝕性が低く、例えば第11回日本
応用磁気学会学術講演概要集P341図1に示されるよ
うに、高温高湿の環境に放置した場合、100時間程で
飽和磁化が当初の40%まで劣化してしまう。
磁気ヘッド材料として、高飽和磁化を有するFeSi膜
を実用化するためには、耐蝕性の改善が強く要望される
。本発明は高飽和磁化を有し、かつ耐蝕性に優れた磁性
膜を提供することを目的とする。
を実用化するためには、耐蝕性の改善が強く要望される
。本発明は高飽和磁化を有し、かつ耐蝕性に優れた磁性
膜を提供することを目的とする。
(課題を解決するための手段)
すなわち、高飽和磁化を有するFeSi膜を主磁性層と
し、NiFe、 Ni、あるいは、SiO2膜を中間層
として、FeSi膜一層の厚さを0.05〜0.3μm
、中間層厚を0.05〜0.1μmとしたFeSi多層
膜である。
し、NiFe、 Ni、あるいは、SiO2膜を中間層
として、FeSi膜一層の厚さを0.05〜0.3μm
、中間層厚を0.05〜0.1μmとしたFeSi多層
膜である。
上記の多層構造をとることで、耐蝕性の向上が図られる
。
。
(実施例)
以下、本発明の実施例について説明する。
第1図は、本発明のFeSi多層膜の構造を示す断面図
である。ガラス、セラミクス等の基板11上に主磁性層
FeSi膜12、中間層13とをスパッタ等により交互
に成膜する。
である。ガラス、セラミクス等の基板11上に主磁性層
FeSi膜12、中間層13とをスパッタ等により交互
に成膜する。
第1表にFeSi多層膜の耐蝕性の、中間層として用い
た材料に対する依存性を示す。FeSi膜0.1μm4
層をNiFe、 SiO2. Ni、 Co、 Al2
O3,Al、FeA1. Feを、それぞれ中間層とし
て、0.05μm3層積層した試料にについて60°C
190%RHの雰囲気中に放置し、4nMsの劣化の状
況を調べたものである。この結果、NiFe、 Ni。
た材料に対する依存性を示す。FeSi膜0.1μm4
層をNiFe、 SiO2. Ni、 Co、 Al2
O3,Al、FeA1. Feを、それぞれ中間層とし
て、0.05μm3層積層した試料にについて60°C
190%RHの雰囲気中に放置し、4nMsの劣化の状
況を調べたものである。この結果、NiFe、 Ni。
SiO2を中間層とした場合には、1000時間経過後
も4nMsの劣化があまりみられず、膜の表面にも錆は
みられない。
も4nMsの劣化があまりみられず、膜の表面にも錆は
みられない。
中間層としては、Ni、 SiO2. NiFe膜を用
いることが、FeSi多層膜の耐蝕性向上に有効である
。なお本実施はSi3.5wt%のFeSi膜を用いた
。
いることが、FeSi多層膜の耐蝕性向上に有効である
。なお本実施はSi3.5wt%のFeSi膜を用いた
。
第1表
第1表中の試料1.3.5.6.7.8は本発明に含ま
れない。
れない。
第2表に、基板上にSiO2とFeSiとを順次成膜し
た2層膜とFeSi、 SiO2; FeSiの順で成
膜した3層膜と、1i’eSi膜4層とSi○2膜3層
全3層に積層した多層膜の腐食試験に伴ら4nMsの劣
化の様子を示す。2層膜では、’4nMsは急激に劣化
し、FeSi膜は、全体的に錆に覆われてしまう。これ
に対して、3層膜では4nMsの劣化も少なく、錆も見
られない。多層化による耐蝕性向」二のためには、主磁
性層FeSi膜が、中間層を介して少なくとも2層以上
積層されていることが必要である。なおSiO2以外に
もNi、 NiFeも同様の効果が得られた。
た2層膜とFeSi、 SiO2; FeSiの順で成
膜した3層膜と、1i’eSi膜4層とSi○2膜3層
全3層に積層した多層膜の腐食試験に伴ら4nMsの劣
化の様子を示す。2層膜では、’4nMsは急激に劣化
し、FeSi膜は、全体的に錆に覆われてしまう。これ
に対して、3層膜では4nMsの劣化も少なく、錆も見
られない。多層化による耐蝕性向」二のためには、主磁
性層FeSi膜が、中間層を介して少なくとも2層以上
積層されていることが必要である。なおSiO2以外に
もNi、 NiFeも同様の効果が得られた。
第2表
第2表中1,2は本発明に含まれない。
第3表はSiO2を中間層としたFeSi多層膜におい
て4nMsの経時変化と、FeSi層厚、Si02層厚
の関係を示したものである。
て4nMsの経時変化と、FeSi層厚、Si02層厚
の関係を示したものである。
FeSi層厚については0.05μmより薄い場合、磁
性体膜全体としての、4nMsが小さく、高密度記録用
の磁性材料としては適さなくなる。また、FeSi層厚
が0.4μmでは、多層化による、耐蝕性向上の効果が
みられないことがわかる。これより主磁性層厚は、0.
3μm以下とすることが効果的である。
性体膜全体としての、4nMsが小さく、高密度記録用
の磁性材料としては適さなくなる。また、FeSi層厚
が0.4μmでは、多層化による、耐蝕性向上の効果が
みられないことがわかる。これより主磁性層厚は、0.
3μm以下とすることが効果的である。
中間層SiO2の膜厚については、0.05〜0.11
1mの範囲で4■Ms(1000)/4nMs(0)≧
0.9という良好な耐蝕性を示している。以上より中間
層SiO2は、0.05〜0.1μmとすることが、F
eSi多層膜の耐蝕性向上には望ましい。Ni、 Ni
Feについても同様の結果が得られた。尚、本発明にお
いて、成膜は、イオンビームスパッタ法に依った。各層
の膜厚は、スパッタ時間により管理した。
1mの範囲で4■Ms(1000)/4nMs(0)≧
0.9という良好な耐蝕性を示している。以上より中間
層SiO2は、0.05〜0.1μmとすることが、F
eSi多層膜の耐蝕性向上には望ましい。Ni、 Ni
Feについても同様の結果が得られた。尚、本発明にお
いて、成膜は、イオンビームスパッタ法に依った。各層
の膜厚は、スパッタ時間により管理した。
また、成膜後、応力緩和の目的で、真空中(< I X
10 ’Torr)、回転磁場中(7100e)で3
00°C1hrの熱処理を施した。
10 ’Torr)、回転磁場中(7100e)で3
00°C1hrの熱処理を施した。
第3表
以上、説明したように、高飽和磁化をもつFeSi合金
膜を、主磁性層とし、NiFe、 NiあるいはSiO
2を、中間層として、積層したFeSi多層膜において
FeSi膜一層の厚さを0.05〜0.3μmとし、中
間層厚を0.05−0.1μmとし、主磁性層FeSi
膜を、中間層を介して2層以上積層させることにより、
FeSi多層膜は高耐蝕性を有することになる。従って
、優れた磁気特性をもつFeSi合金膜は耐蝕性の点か
らみても、実用化に適した磁極材料となる。
膜を、主磁性層とし、NiFe、 NiあるいはSiO
2を、中間層として、積層したFeSi多層膜において
FeSi膜一層の厚さを0.05〜0.3μmとし、中
間層厚を0.05−0.1μmとし、主磁性層FeSi
膜を、中間層を介して2層以上積層させることにより、
FeSi多層膜は高耐蝕性を有することになる。従って
、優れた磁気特性をもつFeSi合金膜は耐蝕性の点か
らみても、実用化に適した磁極材料となる。
第1図は、本発明のFeSi多層膜の断面図である。
図中11は基板、12はFeSi層、13は中間層であ
る。
る。
Claims (1)
- FeSiを主磁性層とし、NiFe、NiあるいはSi
O_2を中間層として積層したFeSi多層膜において
、FeSi膜一層の厚さを0.05〜0.3μmとし、
中間層厚を0.05〜0.1μmとしたことを特徴とす
る高耐蝕性FeSi多層膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11361090A JPH0410604A (ja) | 1990-04-27 | 1990-04-27 | 高耐蝕性FeSi多層膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11361090A JPH0410604A (ja) | 1990-04-27 | 1990-04-27 | 高耐蝕性FeSi多層膜 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0410604A true JPH0410604A (ja) | 1992-01-14 |
Family
ID=14616582
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11361090A Pending JPH0410604A (ja) | 1990-04-27 | 1990-04-27 | 高耐蝕性FeSi多層膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0410604A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6319804A (ja) * | 1986-07-14 | 1988-01-27 | Hitachi Ltd | 多層磁性体膜 |
-
1990
- 1990-04-27 JP JP11361090A patent/JPH0410604A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6319804A (ja) * | 1986-07-14 | 1988-01-27 | Hitachi Ltd | 多層磁性体膜 |
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