JPH04117452U - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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Publication number
JPH04117452U
JPH04117452U JP1991021707U JP2170791U JPH04117452U JP H04117452 U JPH04117452 U JP H04117452U JP 1991021707 U JP1991021707 U JP 1991021707U JP 2170791 U JP2170791 U JP 2170791U JP H04117452 U JPH04117452 U JP H04117452U
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JP
Japan
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shell
metal
stem
metal shell
splash
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Pending
Application number
JP1991021707U
Other languages
English (en)
Inventor
征夫 伊藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
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Publication of JPH04117452U publication Critical patent/JPH04117452U/ja
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Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K5/00—Casings, cabinets or drawers for electric apparatus
    • H05K5/06—Hermetically-sealed casings
    • H05K5/066—Hermetically-sealed casings sealed by fusion of the joining parts without bringing material; sealed by brazing

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  • Die Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】電気溶接時に発生するスプラッシュによる悪影
響を防止するように改良された半導体装置に関する。 【構成】半導体チップ１０をマウントした金属ステム１
１と金属シェル１４の開端とを密接し、電気溶接するこ
とによって構成される外囲器１００の内部に第２のシェ
ル２０を設けスプラッシュの侵入を防ぐ。

Description

【考案の詳細な説明】
［考案の目的］
【０００１】
【産業上の利用分野】
本考案は半導体装置に係り、特に外囲器がいずれも金属のステムとシェルを電 気溶接して構成される半導体装置の改良構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、例えば集積回路装置、トランジスタ、整流素子などの半導体装置の外囲 器は金属のステムと金属のシェルを電気溶接して構成される。図３に示す半導体 装置は、半導体チップ１０をマウントした金属製ステム１１と、この金属製ステ ム１１と電気的に絶縁されたガラス製ステム１２と、これを貫通するアウターリ ード１３及びこれらを覆うように円筒型に形成された金属製シェル１４よりなる 。金属製シェル１４と金属製ステム１１は電気溶接で封止され外囲器１００を形 成している。また、前記アウターリード１３と半導体チップ１０はボンディング ワイヤ１５によって接続されている。
【０００３】
【考案が解決しようとする課題】
上に述べた構造の半導体装置では、シェルとステムを電気溶接する際、シェル またはステムの金属が数μｍから数百μｍの径の粒子となって周囲に飛散する， いわゆる「スプラッシュ」が生じる。このスプラッシュ（微細粒子）は導電性を 有するため、これが半導体チップのマウントされている部分に飛び込むと半導体 チップのボンディングパッド間または金属製ステムとアウターリード間を不所望 に接続し、電気的短絡が生じてしまう。
【０００４】 スプラッシュを低減させるためには電気溶接の際の通電電流条件の最適化を図 ることが有効であるが、スプラッシュを完全に無くすことは難しい。また、この スプラッシュは金属シェルの内部を移動するので、装置の製造時に電気特性試験 で良品と判定されてもユーザが使用するときに不良品に変わることがある。製造 後スプラッシュの入ったものを１００パーセント検出することは極めて困難であ ることからスプラッシュを完全に除去することが望まれていた。
【０００５】 本考案は上記問題点に鑑みてなされたもので、電気溶接時に発生するスプラッ シュによる悪影響を防止するように改良された半導体装置を提供することを目的 とする。 ［考案の構成］
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため本考案は半導体チップをマウントした金属のステムと 金属のシェルの開端とを密接し電気溶接して構成された外囲器と、前記外囲器内 部に設けられ、前記金属ステムの外周に沿って形成された溝に嵌合された第２の シェルと、前記金属のシェルと前記第２のシェルとの間に設けられたバネとを具 備したことを特徴とする。
【０００７】
【作用】
金属シェルの内部に第２のシェルを設けたことにより、スプラッシュは半導体 チップがマウントされたステム上のマウント部へ侵入せず不所望の電気的短絡及 び電気特性の低下が防止される。
【０００８】
【実施例】
以下、本考案に係る一実施例の半導体装置につき、図１，図２を参照して説明 する。なお図３と同一部分には同一符号を付し詳しい説明は省略する。
【０００９】 図１で図３と異なる点はシェル１４の内部に第２のシェル２０を設けた点であ る。第２のシェル２０はシェル１４を金属製ステム１１に電気溶接する前に金属 製ステム１１上に形成された溝２１に嵌め込むようにして設置される。
【００１０】 シェル２０の頭部には図２に示す金属バネ２２が載置される。この金属バネ ２２の上からシェル１４を被せシェル２０に対して下向きの力を与える。シェル １４と金属製ステム１１は電気溶接されて全体が封止される。この時電気溶接し た箇所からスプラッシュが生じるが半導体チップ１０がマウントされている部分 は第２のシェル２０で覆われているのでスプラッシュがこの中に侵入することは ない。また、シェル２０とシェル１４との間には金属バネ２２が設けられている ことから、シェル２０に下向きの力が働き、シェル２０とステム１１とが密着さ れてスプラッシュが容易にシェル２０内部に侵入することを防いでいる。
【００１１】
【考案の効果】
上記したように、本考案によれば、金属シェルの内部に第２のシェルを設けた ことにより、金属製シェルと金属製ステムとを電気溶接する際に生じるスプラッ シュが半導体チップのマウント部に侵入するのを防止できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】考案の実施例の構成を示す図である。
【図２】考案の実施例に用いられる金属バネを示す図で
ある。
【図３】従来の半導体装置の構成を示す図である。
【符号の説明】
１０ 半導体チップ １１ 金属製ステム １２ ガラス製ステム １３ アウターリード １４ 金属製シェル １５ ボンディングワイヤ ２０ 第２のシェル ２１ 溝 １００ 外囲器

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項１】半導体チップをマウントした金属のステム
    と金属のシェルの開端とを密接し電気溶接して構成され
    た外囲器と、前記外囲器内部に設けられ、前記金属ステ
    ムの外周に沿って形成された溝に嵌合された第２のシェ
    ルと、前記金属のシェルと前記第２のシェルとの間に設
    けられたバネとを具備したことを特徴とする半導体装
    置。
JP1991021707U 1991-04-05 1991-04-05 半導体装置 Pending JPH04117452U (ja)

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