JPH04133455A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH04133455A JPH04133455A JP2255621A JP25562190A JPH04133455A JP H04133455 A JPH04133455 A JP H04133455A JP 2255621 A JP2255621 A JP 2255621A JP 25562190 A JP25562190 A JP 25562190A JP H04133455 A JPH04133455 A JP H04133455A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead
- semiconductor device
- tip
- solder
- plated
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置に関し、特にその外部リードの構造
に関する。
に関する。
従来、この種の半導体装置は、装置をプリント基板等に
接続するのを容易にする為に、外部り−ドに半田付性の
良い半田、均等のめっきが施されている。この外部リー
ドは、第４図に示すように、外部リード２の周囲はとん
どをめっきされてめっき部１ｂを形成している。しかし
、この外部リード２の先端部は、めっきがされていない
。この図に示すように 〔発明が解決しようとする課題〕 上述した従来の半導体装置は、装置本体５をプリント板
等に接続する手段としてプリント板側に半田ペースト等
の接着剤を塗布し、これを赤外線式高温槽又は高温の蒸
気を利用した装置内を通し、この半田ペースト及び外部
リードに施されためっきを溶融し接続を行うのが一般的
である。しかし、外部リードの先端にはめっきがされて
いないので、溶融後の外部リード２とプリント板３との
接合状態は、第５図に示すように、リード２の先端部に
半田の盛り上りは出来ない半田部４ａとなっている。こ
のためリード２とプリント板３との接着強度は劣化し、
半導体装置を搭載した基板としては信頼性の劣るものと
なっていた。また、リードの先端部に半田がないことに
より先端方向力が加わった場合は簡単に接続部がはかれ
るという欠点がある。さらに、部品搭載後にこの半導体
装置と基板との接続状況を確認する時に先端部に半田が
盛り上がりがないと、リードと基板との密着部の接続確
認が目視による外観検査ては不可能であり、このためリ
ードの接着強度を力学的に確認することになり、そのた
めの工数の増加によりコストが大幅に増加するという欠
点がある。
接続するのを容易にする為に、外部り−ドに半田付性の
良い半田、均等のめっきが施されている。この外部リー
ドは、第４図に示すように、外部リード２の周囲はとん
どをめっきされてめっき部１ｂを形成している。しかし
、この外部リード２の先端部は、めっきがされていない
。この図に示すように 〔発明が解決しようとする課題〕 上述した従来の半導体装置は、装置本体５をプリント板
等に接続する手段としてプリント板側に半田ペースト等
の接着剤を塗布し、これを赤外線式高温槽又は高温の蒸
気を利用した装置内を通し、この半田ペースト及び外部
リードに施されためっきを溶融し接続を行うのが一般的
である。しかし、外部リードの先端にはめっきがされて
いないので、溶融後の外部リード２とプリント板３との
接合状態は、第５図に示すように、リード２の先端部に
半田の盛り上りは出来ない半田部４ａとなっている。こ
のためリード２とプリント板３との接着強度は劣化し、
半導体装置を搭載した基板としては信頼性の劣るものと
なっていた。また、リードの先端部に半田がないことに
より先端方向力が加わった場合は簡単に接続部がはかれ
るという欠点がある。さらに、部品搭載後にこの半導体
装置と基板との接続状況を確認する時に先端部に半田が
盛り上がりがないと、リードと基板との密着部の接続確
認が目視による外観検査ては不可能であり、このためリ
ードの接着強度を力学的に確認することになり、そのた
めの工数の増加によりコストが大幅に増加するという欠
点がある。
なお。従来技術の中でＤＩＰ型半導体装置のように半田
デイツプによりリード先端に半田特性のよい膜をつけて
いるものもあるが、これはＭ厚の管理が難しく表面実装
型のようにリード間隔の狭いものには不向きである。
デイツプによりリード先端に半田特性のよい膜をつけて
いるものもあるが、これはＭ厚の管理が難しく表面実装
型のようにリード間隔の狭いものには不向きである。
本発明の目的は、これらの欠点を除き、外部リードの先
端部に半田付性の良い半田、金等のめっきを施すことに
より、良好な接続が可能で、信頼性の高い半導体装置を
提供することにある。
端部に半田付性の良い半田、金等のめっきを施すことに
より、良好な接続が可能で、信頼性の高い半導体装置を
提供することにある。
本発明の半導体装置の構成は、表面実装型半導体素子の
各外部リードの先端部に半田付性の良好な材質のめっき
膜が形成されていることを特徴とする。
各外部リードの先端部に半田付性の良好な材質のめっき
膜が形成されていることを特徴とする。
本発明において、外部リードの先端部のめつき膜が、こ
の外部リードの外周部のめつき膜よりも厚く形成された
ものとすることができる。
の外部リードの外周部のめつき膜よりも厚く形成された
ものとすることができる。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図（ａ）、（ｂ）は本発明の一実施例の部分側面図
および部分断面図である。本実施例は、半導体装置本体
５の外部リード２の先端部を覆って均一な厚さでつけめ
つき部１を形成したものである。この場合は、第３図に
示すように、外部リード２のプリント板３との接合部が
盛り上った半田部４ａを形成できる。
および部分断面図である。本実施例は、半導体装置本体
５の外部リード２の先端部を覆って均一な厚さでつけめ
つき部１を形成したものである。この場合は、第３図に
示すように、外部リード２のプリント板３との接合部が
盛り上った半田部４ａを形成できる。
第２図は本発明の第２の実施例を示す部分断面図である
６本実施例は、外部リード２の先端部にも半田付性の良
いめっきをつけるが、さらにこの外部リード２の先端部
に他のリードに比べ３倍以上の厚さのめっきをつけめっ
き部１ｂとしたものである。
６本実施例は、外部リード２の先端部にも半田付性の良
いめっきをつけるが、さらにこの外部リード２の先端部
に他のリードに比べ３倍以上の厚さのめっきをつけめっ
き部１ｂとしたものである。
この場合も、第３図のように、盛上ったはんだ部４ａと
することができる。
することができる。
以上説明したように本発明は、外部リードの先端部に半
田付性の良いめっきを施すことにより、外部リードと基
板との接着強度が弱いという問題もなくなり、先端部に
、半田の盛り上がりか出来るため、強度が大幅に増加し
、信頼性が向上できる。また、外部リードとしては基板
に対し全面が接着するため、どの方向からの応力に対し
ても強い接合力をもつ。さらに外観検査も容易にできる
ため、工数低減ができ大幅なコストダウンが可能となる
。
田付性の良いめっきを施すことにより、外部リードと基
板との接着強度が弱いという問題もなくなり、先端部に
、半田の盛り上がりか出来るため、強度が大幅に増加し
、信頼性が向上できる。また、外部リードとしては基板
に対し全面が接着するため、どの方向からの応力に対し
ても強い接合力をもつ。さらに外観検査も容易にできる
ため、工数低減ができ大幅なコストダウンが可能となる
。
の部分断面図、第４図は従来技術の半導体装置の部分断
面図、第５図は第４図の半導体装置を実装した時の部分
断面図である。
面図、第５図は第４図の半導体装置を実装した時の部分
断面図である。
１．１ａ、ｌｂ・・・めっき部、２・・外部リード、３
・・プリント板、４．４ａ、４ｂ・・・接合半田部、５
・本体。
・・プリント板、４．４ａ、４ｂ・・・接合半田部、５
・本体。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、表面実装型半導体素子の各外部リードの先端部に半
田付性の良好な材質のめっき膜が形成されていることを
特徴とする半導体装置。 ２、外部リードの先端部のめっき膜が、この外部リード
の外周部のめっき膜よりも厚く形成された請求項１記載
の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2255621A JPH04133455A (ja) | 1990-09-26 | 1990-09-26 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2255621A JPH04133455A (ja) | 1990-09-26 | 1990-09-26 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04133455A true JPH04133455A (ja) | 1992-05-07 |
Family
ID=17281296
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2255621A Pending JPH04133455A (ja) | 1990-09-26 | 1990-09-26 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04133455A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6093576A (en) * | 1995-08-29 | 2000-07-25 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor sensor and manufacturing method thereof |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63304654A (ja) * | 1987-06-03 | 1988-12-12 | Hitachi Cable Ltd | リ−ドフレ−ム |
| JPH0215662A (ja) * | 1988-07-01 | 1990-01-19 | Fujitsu Ltd | 集積回路のリードメッキ方法 |
| JPH0233959A (ja) * | 1988-07-22 | 1990-02-05 | Nec Kyushu Ltd | 半導体装置用リードフレーム |
-
1990
- 1990-09-26 JP JP2255621A patent/JPH04133455A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63304654A (ja) * | 1987-06-03 | 1988-12-12 | Hitachi Cable Ltd | リ−ドフレ−ム |
| JPH0215662A (ja) * | 1988-07-01 | 1990-01-19 | Fujitsu Ltd | 集積回路のリードメッキ方法 |
| JPH0233959A (ja) * | 1988-07-22 | 1990-02-05 | Nec Kyushu Ltd | 半導体装置用リードフレーム |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6093576A (en) * | 1995-08-29 | 2000-07-25 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor sensor and manufacturing method thereof |
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