JPH04137559A - マスタスライスｌｓｉにおける可変抵抗装置 - Google Patents

マスタスライスｌｓｉにおける可変抵抗装置

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Publication number
JPH04137559A
JPH04137559A JP2262556A JP26255690A JPH04137559A JP H04137559 A JPH04137559 A JP H04137559A JP 2262556 A JP2262556 A JP 2262556A JP 26255690 A JP26255690 A JP 26255690A JP H04137559 A JPH04137559 A JP H04137559A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
master slice
variable resistance
resistance
selection circuit
terminals
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2262556A
Other languages
English (en)
Inventor
Michio Komota
古茂田　道夫
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP2262556A priority Critical patent/JPH04137559A/ja
Publication of JPH04137559A publication Critical patent/JPH04137559A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、マスタスライスＬＳ　Ｉｌこおけるチップ
完成後をこ、内部の抵抗値を変更できるようにしγこ可
変抵抗装置に関するものである。
〔従来の技術〕
異なるＬＳＩチップ間のクロックスキューを調整する方
法として、ＬＳＩチップ完成後Ｇこ、クロックラインの
抵抗値を調整する方法がある。
第２図は従来のクロックスキューの調整を行う可変抵抗
装置の回路図である０図において、　　（ｌａ）。
（ｌｂ）はＬＳＩチップの外部を二股けられγこクロッ
クスキュー調整用の可変抵抗、　　（２ａ）、（２ｂ）
はＬＳＩチップである。
次をこ動作Ｖこついて説明する。可変抵抗（Ｉａ）、　
（ｌｂ）の抵抗値を変えて、ＬＳＩチップ（２ａ）、　
（２ｂ）間のクロックスキューの管理を行なう。
〔発明が解決しようとする課題〕
従来の可変抵抗装置は以上のように構成されているので
、プリント基板上に、可変抵抗素子を設ける必要があり
、プリント基板上の素子数が増し。
実装密度が下がるという問題点かあつγこ。また、ＬＳ
Ｉチップ内の任意の部分の抵抗値を調整することができ
ないという問題点かあつｒこ。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、可変抵抗素子と、その抵抗値を選択できる回
路を有するマスタスライスＬＳＩにおける可変抵抗装置
を提供することを目的とする０ 〔課題を解決するための手段〕 この発明（こ係る可変抵抗装置は、マスタスライスＬＳ
Ｉの内部領域にしきつめられｆこトランジスタのゲート
を接続して形成しγこ抵抗素子と、その両端および途中
から２不以上の端子を取り出し。
少なくともｌ箇所以上の端子間の短絡、開放を制御する
回路とを有するものである。
〔作用〕
この発明における可変抵抗装置は、マスタスライスＬＳ
Ｉの内部領域（こしきつめられｆこトランジスタのゲー
トを利用して抵抗素子を形成する。その抵抗素子の両端
および途中から取り出しＴこ２本以上の端子間の少なく
とも１箇所以上の端子間を短絡又は開放することによっ
て、異なる抵抗値を得る。
〔実施例〕 以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図において、　　（３ａｌ、　（３ｂ）、　（３ｃＬ　
（３ｄ）はマスタスライスＬＳＩの内部領域をこあるト
ランジスタのポリシリコンゲートを利用し１こ抵抗素子
、　　（４ａ）。
（４ｂ）　、　（４ｃ’）はそれぞれ抵抗素子（３ａ）
、　（３ｂｌ、　（３ｃ）、　（３ｄ）より取り出しＴ
こ端子、（５）は端子（４ａ）、　（４ｂ）、　（４ｃ
）間の短絡、開放を選択する機能を有する選択回路であ
る１、 次をこ動作Ｇこついて説明する。選択回路（５）を開放
シＴコ場合２ポリ／リコンゲートの抵抗素子（３＆ｌ　
。
（３ｂｌ、　（３ｃ１．　ｆ３ｄ）を直列接続し１こ抵
抗値が得られる。
選択回路（５）を短絡した場合、抵抗素子（、（ａ）、
　（３ｂ）を直列接続し１こ抵抗値が得られ１選択回路
（５）の状態をこより、２種類の抵抗ＩＩを得ることが
できる。
なお、上記実施例では選択回路１５）を１箇所に用いｆ
こものを示したが、選択回路（５）を２ａ所以上に用い
てもよく、抵抗素子（３ａ）〜（，３ｄ）より取り出す
端子（４ａ）〜（４ｃ）の位置との組み合わせにより１
種々の抵抗値を持つＴこ可変抵抗素子を形成することが
できる。
〔発明の効果〕
以上のようにこの発明によれば、マスタスライスＬＳＩ
の内部領域にしきつめられＴこトランジスタのゲートを
利用して、可変抵抗素子を構成しＴこので、プリント基
板の実装密度を上げることができ、ま１こ、マスクスラ
イスＬＳＩ内の回路の任意の位置の抵抗値を、状況に応
じ１こ逐時変更できるという効果がある。さらに、この
発明における可変抵抗装置は、配線工程のみで実現でき
るので。
マスタスライスＬＳＩにおいて容易に実現できる。
【図面の簡単な説明】
第１図はこの発明の一実施例によるマスタスライスＬＳ
ＩＩこおける可変抵抗装置の回路図、第２図は従来の可
変抵抗装置の回路図である。 図において、　　（３ａ）〜（３ｄ）は抵抗素子、（４
ａｌ　〜（４ｃ）は端子、（５）は選択回路である。 なお２図中、同一符号は同一　または相当部分を示す。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 　マスタスライスＬＳＩの内部領域にしきつめられたト
    ランジスタのゲートを、接続して形成した抵抗素子と、
    その両端および途中から２本以上の端子を取り出し、少
    なくとも１箇所以上の端子間の短絡、開放を制御できる
    回路を備えたマスタスライスＬＳＩにおける可変抵抗装
    置。
JP2262556A 1990-09-27 1990-09-27 マスタスライスｌｓｉにおける可変抵抗装置 Pending JPH04137559A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9880203B2 (en) 2014-03-17 2018-01-30 Fuji Electric Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device

Cited By (1)

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US9880203B2 (en) 2014-03-17 2018-01-30 Fuji Electric Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device

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