JPH04157699A - 一括消去型e↑2promの予備書込み方法 - Google Patents
一括消去型e↑2promの予備書込み方法Info
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- JPH04157699A JPH04157699A JP2281357A JP28135790A JPH04157699A JP H04157699 A JPH04157699 A JP H04157699A JP 2281357 A JP2281357 A JP 2281357A JP 28135790 A JP28135790 A JP 28135790A JP H04157699 A JPH04157699 A JP H04157699A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔目次〕
概要
産業上の利用分野
従来の技術(第4図、第5図)
発明が解決しようとする課題
課題を解決するための手段(第1図) “作用
実施例(第2図、第3図)
発明の効果
[概要〕
一括消去型E2PROMの書込み方法に関し、フラッシ
ュE2PROMの消去前に行う予備書込みを、分散させ
て処理することにより、待ち時間を短縮することを目的
とし、 電気的にデータの書込みと一括消去が可能な一括消去型
E2PROM (フラッシュE2PROM)の一括消去
前に行う予備書込み方法において、一括消去型E2PR
OMに対し、メモリアクセスのない時間帯に一定時間を
おいて、パトロールを行い、このパトロールにより、消
去すべきメモリ領域を、消去以前に見つけ、消去すべき
メモリ領域が見つかった場合には、該メモリ領域の末書
込み部分に予備書込みを行うことにより、消去すべき前
記メモリ領域の全ビットを書込み状態にするように構成
する。
ュE2PROMの消去前に行う予備書込みを、分散させ
て処理することにより、待ち時間を短縮することを目的
とし、 電気的にデータの書込みと一括消去が可能な一括消去型
E2PROM (フラッシュE2PROM)の一括消去
前に行う予備書込み方法において、一括消去型E2PR
OMに対し、メモリアクセスのない時間帯に一定時間を
おいて、パトロールを行い、このパトロールにより、消
去すべきメモリ領域を、消去以前に見つけ、消去すべき
メモリ領域が見つかった場合には、該メモリ領域の末書
込み部分に予備書込みを行うことにより、消去すべき前
記メモリ領域の全ビットを書込み状態にするように構成
する。
本発明は御粘消去型E2PROMの書込み方法に関し、
更に詳しくいえば、一括消去型E2P ROM、即ち、
電気的に書込み、電気的に一括して消去する書換え可能
なFROM (以下、これを「フランシュE2PROM
Jと称する)に用いられ、特に、−括消去の前に行う予
備書込み処理を改善した御粘消去型E2PROMの書込
み方法に関する。
更に詳しくいえば、一括消去型E2P ROM、即ち、
電気的に書込み、電気的に一括して消去する書換え可能
なFROM (以下、これを「フランシュE2PROM
Jと称する)に用いられ、特に、−括消去の前に行う予
備書込み処理を改善した御粘消去型E2PROMの書込
み方法に関する。
第4図及び第5図は、従来例を示した図であり、第4図
はファイル管理の説明図、第5図は書込み処理フローチ
ャートである。
はファイル管理の説明図、第5図は書込み処理フローチ
ャートである。
図中、1はメモリカード(ICカード)、2はフラッシ
ュE2PROM素子、3はファイル管理領域を示す。
ュE2PROM素子、3はファイル管理領域を示す。
近年、E2PROMの一種として、フラッシュE2PR
CMの開発が活発に行われている。このようなフラッシ
ュE2PROMは、今後、E”PROM、EPROM、
SRAM等の置き換え素子として有望視されている。
CMの開発が活発に行われている。このようなフラッシ
ュE2PROMは、今後、E”PROM、EPROM、
SRAM等の置き換え素子として有望視されている。
しかし、フラッシュE2PROMは、そのセルの構造上
、オーパイレース(過消去)という状態を生シる。オー
パイレースとは、書込済のセルと、末書込のセルとを一
度に消去した場合、末書込のセルが消去しすぎの状態と
なってしまい、次の書込み時に、データの書込みができ
なくなることをいう。
、オーパイレース(過消去)という状態を生シる。オー
パイレースとは、書込済のセルと、末書込のセルとを一
度に消去した場合、末書込のセルが消去しすぎの状態と
なってしまい、次の書込み時に、データの書込みができ
なくなることをいう。
このようなオーパイレースを防止するため、通常のファ
イル消去時には、実際に消去せず、ヘッダ、あるいはデ
ィスクリブタと呼ばれるファイル管理情報に、消去済を
あられすフラグを立てるだけにしている。
イル消去時には、実際に消去せず、ヘッダ、あるいはデ
ィスクリブタと呼ばれるファイル管理情報に、消去済を
あられすフラグを立てるだけにしている。
そして、ファイル格納エリアが無くなった時点でファイ
ル整理を行うが、フラッシュE2PROMでは、書込ん
だ情報の消去に先立ち、予備書込みをすることが義務づ
けられている。
ル整理を行うが、フラッシュE2PROMでは、書込ん
だ情報の消去に先立ち、予備書込みをすることが義務づ
けられている。
従って、上記のファイル整理を行う段階で、先ず、消去
すべきメモリエリアを全ビット書込み状態としなければ
ならない。
すべきメモリエリアを全ビット書込み状態としなければ
ならない。
以下、従来の書込み処理を第4図及び第5図に基づいて
詳−細に説明する。なお、第5図の各処理番号は、カッ
コ内に示す。
詳−細に説明する。なお、第5図の各処理番号は、カッ
コ内に示す。
例えば、フランシュE2PROMを用いたメモリカード
におけるファイル管理は、第4図のようにしていた。
におけるファイル管理は、第4図のようにしていた。
この例では、メモリカード1を8個のフラッシュE2P
ROM (メモリ素子)2を用いて構成している。そし
て、これら8個のフラッシュE”P ROM2の内の一
部に、ファイル管理を行うためのメモリ領域として、フ
ァイル管理領域3を設けておく。
ROM (メモリ素子)2を用いて構成している。そし
て、これら8個のフラッシュE”P ROM2の内の一
部に、ファイル管理を行うためのメモリ領域として、フ
ァイル管理領域3を設けておく。
このファイル管理領域3は、ヘッダ、あるいはディスク
プリンタと呼ばれているファイル管理情報(フラグ等)
の格納領域として使用されるものである。
プリンタと呼ばれているファイル管理情報(フラグ等)
の格納領域として使用されるものである。
メモリカーF’ 1へ書込んだデータは、通常の場合フ
ァイル単位(ファイル#1〜ファイル#4)で管理して
おり、これら各ファイルの管理情報(ファイルの位置、
データの書込み状態、フラグ等)は、ファイル管理領域
3にまとめて格納している。
ァイル単位(ファイル#1〜ファイル#4)で管理して
おり、これら各ファイルの管理情報(ファイルの位置、
データの書込み状態、フラグ等)は、ファイル管理領域
3にまとめて格納している。
また、メモリカード1の消去は、フランシュEtPRO
M単位(チップ単位)で行うことが可能であり、消去後
は、ファイルの整理を行う。
M単位(チップ単位)で行うことが可能であり、消去後
は、ファイルの整理を行う。
この消去処理の前に行う予備書込み処理は、次のように
して行う。
して行う。
先ず、メモリカードシステムにおいて、外部から処理の
指示があった場合(SL)、その処理がデータの「読出
し」であれば(S2)、データの読出し処理を実行しく
S3)、r書込み処理」であれば(S2)、データの書
込み処理を行う(S4)。
指示があった場合(SL)、その処理がデータの「読出
し」であれば(S2)、データの読出し処理を実行しく
S3)、r書込み処理」であれば(S2)、データの書
込み処理を行う(S4)。
しかし、処理の内容が「削除」であれば(S2)、実際
に削除処理を行わずに、ファイル管理領域3内のヘッダ
、あるいはディスクリブタの削除フラグをオン「例えば
1」にする(S5)。
に削除処理を行わずに、ファイル管理領域3内のヘッダ
、あるいはディスクリブタの削除フラグをオン「例えば
1」にする(S5)。
その後、ファイル整理の指示があるまで上記の処理を繰
り返して行い、ファイル整理の指示があると(S6)、
ファイル管理領域3内の削除フラグを見て、オンとなっ
ているフラグがあった場合、そのファイルに対して予備
書込みを行う(S7)。
り返して行い、ファイル整理の指示があると(S6)、
ファイル管理領域3内の削除フラグを見て、オンとなっ
ているフラグがあった場合、そのファイルに対して予備
書込みを行う(S7)。
この予備書込みは、該当するファイル内の全ビットにつ
いて、何も書込まれていないビットを全て書込み状態に
するものである。
いて、何も書込まれていないビットを全て書込み状態に
するものである。
この予備書込みが、消去すべき全エリアについて終了す
ると、データの消去処理(メモリチップ単位で消去可能
)を行い(S8)、その後、再書込み等のファイル整理
を行う(S9)。
ると、データの消去処理(メモリチップ単位で消去可能
)を行い(S8)、その後、再書込み等のファイル整理
を行う(S9)。
上記のような従来のものにおいては次のような欠点があ
った。
った。
[1) オーパイレース防止のための予備書込み処理
は、消去すべきメモリ領域の全ビットを対象として、末
書込みのピントに対して書込みを行うものであり、従来
、この書込み処理は一括して行っている。
は、消去すべきメモリ領域の全ビットを対象として、末
書込みのピントに対して書込みを行うものであり、従来
、この書込み処理は一括して行っている。
このため、予備書込みの処理時間が長くなる(通常は1
メガビツト当たり2秒程度)。
メガビツト当たり2秒程度)。
(2)予備書込みによる待ち時間が長くなり、マンマシ
ーンインターフェイスが悪い。
ーンインターフェイスが悪い。
本発明は、このような従来の欠点を解消し、フラッシュ
E2PROMの消去前に行う予備書込みを、分散して処
理することにより、待ち時間を短縮することを目的とす
る。
E2PROMの消去前に行う予備書込みを、分散して処
理することにより、待ち時間を短縮することを目的とす
る。
第1図は本発明の原理図であり、図中、1oはCPU、
11はパトロールタイマ、12は御粘消去型E”PR,
OM(フラ・ノシュE”PROM)、13はパトロール
処理部、14は予備書込み処理部を示す。
11はパトロールタイマ、12は御粘消去型E”PR,
OM(フラ・ノシュE”PROM)、13はパトロール
処理部、14は予備書込み処理部を示す。
本発明は上記の目的を達成するため、電気的に、データ
の書込みと一括消去が可能な御粘消去型E2PROM
(フラッシュE2PROM)12の一括消去前に行う予
備書込み方法において、前記一括消去型E2PROMI
2に対し、メモリアクセスのない時間帯に一定時間をお
いて、パトロール処理部13によるパトロールを行い、
このパトロールにより、消去すべきメモリ領域を、消去
以前に見つけ、 消去すべきメモリ領域が見つかった場合には、予備書込
み処理部14により、該メモリ領域の末書込み部分に予
備書込みを行うことにより、消去すべき前記メモリ領域
の全ビットが書込み状態となるように構成したものであ
る。
の書込みと一括消去が可能な御粘消去型E2PROM
(フラッシュE2PROM)12の一括消去前に行う予
備書込み方法において、前記一括消去型E2PROMI
2に対し、メモリアクセスのない時間帯に一定時間をお
いて、パトロール処理部13によるパトロールを行い、
このパトロールにより、消去すべきメモリ領域を、消去
以前に見つけ、 消去すべきメモリ領域が見つかった場合には、予備書込
み処理部14により、該メモリ領域の末書込み部分に予
備書込みを行うことにより、消去すべき前記メモリ領域
の全ビットが書込み状態となるように構成したものであ
る。
〔作用]
本発明は上記のように構成したので、次のような作用が
ある。
ある。
パトロールタイマ11からは、一定時間おきにCPUl
0に対して割込み要求<IRQ)を出す。
0に対して割込み要求<IRQ)を出す。
この割込み要求が受付けられると(メモリアクセス等の
ない時間帯)、パトロール処理部13が起動され、一括
消去型E2PROMI 2をパトロールする。
ない時間帯)、パトロール処理部13が起動され、一括
消去型E2PROMI 2をパトロールする。
このパトロールで、消去以前に消去すべきメモリ領域が
見つかると、直ちに予備書込み処理部14を起動して予
備書込み処理を行う。
見つかると、直ちに予備書込み処理部14を起動して予
備書込み処理を行う。
この予備書込み処理は、消去すべきメモリ領域内の末書
込みビットに対して行われ、この処理が終了すると、消
去すべきメモリ領域内の全ビットが書込み状態となる。
込みビットに対して行われ、この処理が終了すると、消
去すべきメモリ領域内の全ビットが書込み状態となる。
このように、一定時間をおいて行うパトロールにより、
予備書込み処理を分散させて行えば、従来のように、消
去直前に一括して予備書込みをしなくて済む。
予備書込み処理を分散させて行えば、従来のように、消
去直前に一括して予備書込みをしなくて済む。
従って、従来のような予備書込み時の待ち時間が短縮で
きる。
きる。
以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
第2図及び第3図は本発明の1実施例を示した図であり
、第2図は、フラッシュE”F ROMカードシステム
の概略構成図、第3図Aは、実施例の処理フローチャー
ト(1)、第3図Bは、実施例の処理フローチャート(
2)である。
、第2図は、フラッシュE”F ROMカードシステム
の概略構成図、第3図Aは、実施例の処理フローチャー
ト(1)、第3図Bは、実施例の処理フローチャート(
2)である。
図中、第1図と同符号は同一のものを示す。また、15
はプログラム格納部、16はフラッシュE2PROMカ
ードを示す。
はプログラム格納部、16はフラッシュE2PROMカ
ードを示す。
本実施例は、フラッシュE2PROMROMカードシス
テムした例である。フラッシュE”F ROMカードシ
ステムには、フラッシュE”F R0Mカード16、C
PUl0、パトロールタイマ11、パトロール処理部1
3、予備書込み処理部14、プログラム格納部15等を
設ける。
テムした例である。フラッシュE”F ROMカードシ
ステムには、フラッシュE”F R0Mカード16、C
PUl0、パトロールタイマ11、パトロール処理部1
3、予備書込み処理部14、プログラム格納部15等を
設ける。
パトロールタイマ11は、一定時間毎に、CPU10に
対して割込み要求(IRQ)を出すタイマである。
対して割込み要求(IRQ)を出すタイマである。
パトロール処理部13は、前記の割込み要求がCPUI
Oで受は付けられた(許可された)時起動され、フラ
ッシュE2PROMl 6内をパトロールすることによ
り、消去すべきファイルを見つけるものである。即ち、
パトロールにより、ファイル管理領域3 (第4図参照
)内のフラグを調べて、消去すべきファイルを見つける
。
Oで受は付けられた(許可された)時起動され、フラ
ッシュE2PROMl 6内をパトロールすることによ
り、消去すべきファイルを見つけるものである。即ち、
パトロールにより、ファイル管理領域3 (第4図参照
)内のフラグを調べて、消去すべきファイルを見つける
。
予備書込み処理部14は、パトロール処理部13による
パトロールで、消去すべきファイルが見つかった場合に
起動され、消去すべきファイルに予備書込み(末書込み
ビットを書込み状態にする)処理を行うものである。
パトロールで、消去すべきファイルが見つかった場合に
起動され、消去すべきファイルに予備書込み(末書込み
ビットを書込み状態にする)処理を行うものである。
フラッシュB2PROMl6は、例えば第4図に示した
ような構成となっていて、その一部にファイル管理領域
を設けである。
ような構成となっていて、その一部にファイル管理領域
を設けである。
プログラム格納部15は、カードシステム内で使用する
各種プログラムを格納しておくものである。
各種プログラムを格納しておくものである。
次に、上記構成のフラッシュE2PROMカードシステ
ムにおけるフラッシュE2PROMの予備書込み方法を
、第3図に基づいて説明する。なお、図の各処理番号は
、カッコ内に示す。
ムにおけるフラッシュE2PROMの予備書込み方法を
、第3図に基づいて説明する。なお、図の各処理番号は
、カッコ内に示す。
フラッシュE2PROMカードシステムにおけるファイ
ル処理は、第3図Aのように行っている。
ル処理は、第3図Aのように行っている。
先ず、CPUl0では、外部から処理の指示があった場
合(Sll)、処理の内容を判断しく522)、データ
の「読出し」であれば、フラ・ノシュE”PROMカー
ド16からデータを読出しく523)、データの「書込
み」であれば、フラッシュE2PROM16ヘデータを
書込む(S14)。
合(Sll)、処理の内容を判断しく522)、データ
の「読出し」であれば、フラ・ノシュE”PROMカー
ド16からデータを読出しく523)、データの「書込
み」であれば、フラッシュE2PROM16ヘデータを
書込む(S14)。
また、「削除」の指示であった場合には、フラ・ノシュ
E”PROM16内のファイル管理領域にあるヘッダ、
あるいはディスクリブタの該当するファイルに対する削
除フラグをオン(削除すべき状aにする)にする(S1
5)。このような処理を繰り返して行い、ファイル整理
を行う場合には<316)、−括消去を行い(S17)
、その後、再書込み等のファイル整理を行う(31B)
。
E”PROM16内のファイル管理領域にあるヘッダ、
あるいはディスクリブタの該当するファイルに対する削
除フラグをオン(削除すべき状aにする)にする(S1
5)。このような処理を繰り返して行い、ファイル整理
を行う場合には<316)、−括消去を行い(S17)
、その後、再書込み等のファイル整理を行う(31B)
。
このファイル整理としては、消去しない領域のデータを
一ケ所に集めるために再書込みをしたり、消去済の空き
領域をまとめたりする処理を行うものである。
一ケ所に集めるために再書込みをしたり、消去済の空き
領域をまとめたりする処理を行うものである。
ところで、上記のファイル処理とは別に、本発明では、
第3図Bに示したようなパトロール処理を常に行ってお
り、上記の消去処理は、このパトロールにより予備書込
み処理を行ったファイルに対して行われる。
第3図Bに示したようなパトロール処理を常に行ってお
り、上記の消去処理は、このパトロールにより予備書込
み処理を行ったファイルに対して行われる。
パトロール処理は、パトロールタイマ11から一定時間
おきに出される割込み要求がCPUl0で受は付けられ
た場合(許可された場合)、パトロール処理部13を起
動して行う。
おきに出される割込み要求がCPUl0で受は付けられ
た場合(許可された場合)、パトロール処理部13を起
動して行う。
パトロール処理部13が起動されると(S21)、フラ
ッシュE”PROMカード16に対するパトロールを行
い、該カード内の一部に設けられているファイル管理領
域内のヘッダ、あるいはディスクリブタの削除フラグを
調べることにより、削除すべきファイルを見つける。
ッシュE”PROMカード16に対するパトロールを行
い、該カード内の一部に設けられているファイル管理領
域内のヘッダ、あるいはディスクリブタの削除フラグを
調べることにより、削除すべきファイルを見つける。
この時、消去すべきファイルがなげれば何もしないが、
消去すべきファイルが見つかった場合には、予備書込み
を行う、この予備書込み処理は、従来と同様に、末書込
みの全ビットを書込み状態にするものである(S22)
。
消去すべきファイルが見つかった場合には、予備書込み
を行う、この予備書込み処理は、従来と同様に、末書込
みの全ビットを書込み状態にするものである(S22)
。
この処理を、パトロール処理終了まで行って(パトロー
ル処理終了は、予め決めておく)終了する(323)。
ル処理終了は、予め決めておく)終了する(323)。
なお、パトロールによる予備書込み等の処理情報は、フ
ァイル管理情報として格納しておけば、その後の消去処
理等に用いることができる。
ァイル管理情報として格納しておけば、その後の消去処
理等に用いることができる。
以上実施例について説明したが、本発明は次のようにし
ても実施可能である。
ても実施可能である。
(1) フラッシュ22PROMカード(ICカード
)だけに限らず、各種のフラッシュE2PROM装置に
使用可能である。
)だけに限らず、各種のフラッシュE2PROM装置に
使用可能である。
(2)パトロールの時間間隔等は、フラッシュE2PR
OMの使用状態等により、任意に設定してよい。
OMの使用状態等により、任意に設定してよい。
以上説明したように、本発明によれば次のような効果が
ある。
ある。
+1+ 予備書込み処理を、空き時間等を利用したパ
トロールにより、分散させて行うため、待ち時間が短縮
できる。
トロールにより、分散させて行うため、待ち時間が短縮
できる。
(2)待ち時間の短縮により、マンマシンインターフェ
イスの向上ができる。
イスの向上ができる。
(3) フラッシュE2PROM装置のスループント
の向上が可能となる。
の向上が可能となる。
第1図は本発明の原理図、
第2図及び第3図は本発明の1実施例を示した図であり
、 第2図はフラッシュ22PROMカードシステムの概略
構成図、 第3図Aは、処理フローチャート(1)、また、第4図
及び第5図は従来例を示した図であり、 第4図はファイル管理の説明図、 第5図は書込み処理フローチャートである。 10・・−CPU 11−パトロールタイマ 12−一括消去型E2PROM (フラッシュE2PROM) 13−パトロール処理部 14−・予備書込み処理部 特許出願人 富士通株式会社 復代理人弁理士 今 村 辰 夫 フラッジ:LE”PFZOMカートシステムの槙田各j
tj#舅tel 第2図 ()下1ル(理のフロー−9−w−ト)第3図A 曳施イク)の郊チ里フロー斗イード(2)(へ〇トロー
ル刈刊い 第3図B
、 第2図はフラッシュ22PROMカードシステムの概略
構成図、 第3図Aは、処理フローチャート(1)、また、第4図
及び第5図は従来例を示した図であり、 第4図はファイル管理の説明図、 第5図は書込み処理フローチャートである。 10・・−CPU 11−パトロールタイマ 12−一括消去型E2PROM (フラッシュE2PROM) 13−パトロール処理部 14−・予備書込み処理部 特許出願人 富士通株式会社 復代理人弁理士 今 村 辰 夫 フラッジ:LE”PFZOMカートシステムの槙田各j
tj#舅tel 第2図 ()下1ル(理のフロー−9−w−ト)第3図A 曳施イク)の郊チ里フロー斗イード(2)(へ〇トロー
ル刈刊い 第3図B
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 電気的にデータの書込みと一括消去が可能な一括消去型
E^2PROM(フラッシュE^2PROM)(12)
の一括消去前に行う予備書込み方法において、 前記一括消去型E^2PROM(12)に対し、メモリ
アクセスのない時間帯に一定時間をおいて、パトロール
を行い、 このパトロールにより、消去すべきメモリ領域を、消去
以前に見つけ、 消去すべきメモリ領域が見つかった場合には、該メモリ
領域の末書込み部分に予備書込みを行うことにより、 消去すべき前記メモリ領域の全ビットが書込み状態とな
るようにしたことを特徴とした一括消去型E^2PRO
Mの予備書込み方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28135790A JP2614357B2 (ja) | 1990-10-19 | 1990-10-19 | 一括消去型e▲上2▼promの予備書込み方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28135790A JP2614357B2 (ja) | 1990-10-19 | 1990-10-19 | 一括消去型e▲上2▼promの予備書込み方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04157699A true JPH04157699A (ja) | 1992-05-29 |
| JP2614357B2 JP2614357B2 (ja) | 1997-05-28 |
Family
ID=17637987
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28135790A Expired - Lifetime JP2614357B2 (ja) | 1990-10-19 | 1990-10-19 | 一括消去型e▲上2▼promの予備書込み方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2614357B2 (ja) |
Cited By (7)
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|---|---|---|---|---|
| JPH04206095A (ja) * | 1990-11-30 | 1992-07-28 | Mitsubishi Electric Corp | 不揮発性半導体記憶装置の消去方法 |
| JPH06139140A (ja) * | 1990-12-31 | 1994-05-20 | Intel Corp | 不揮発性半導体メモリのファイル構造 |
| JPH0997205A (ja) * | 1995-09-28 | 1997-04-08 | Canon Inc | フラッシュrom管理方法及び装置及びコンピュータ制御装置 |
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| US8140741B2 (en) | 2010-01-29 | 2012-03-20 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor storage device and control method thereof |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017168155A (ja) | 2016-03-14 | 2017-09-21 | 東芝メモリ株式会社 | 半導体記憶装置 |
-
1990
- 1990-10-19 JP JP28135790A patent/JP2614357B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| US8275935B2 (en) | 2010-01-29 | 2012-09-25 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor storage device and control method thereof |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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