JPH0793980A - データ記録再生装置 - Google Patents
データ記録再生装置Info
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- JPH0793980A JPH0793980A JP23773693A JP23773693A JPH0793980A JP H0793980 A JPH0793980 A JP H0793980A JP 23773693 A JP23773693 A JP 23773693A JP 23773693 A JP23773693 A JP 23773693A JP H0793980 A JPH0793980 A JP H0793980A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 データの書き換えの際に、書き換え能率のよ
いデータ記録再生装置の提供を目的としている。 【構成】 書き換え可能な不揮発性の半導体メモリを備
えたデータ記録再生装置において、前記メモリを、ＮＡ
ＮＤ型フラッシュメモリ２とＮＯＲ型フラッシュメモリ
１とで構成し、ファイルデータはＮＡＮＤ型フラッシュ
メモリ２で、該ファイルデータに付随する属性データ及
び前記ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ２の内容を管理する
ファイル管理データ等をＮＯＲ型フラッシュメモリ１で
記録するようにした。
いデータ記録再生装置の提供を目的としている。 【構成】 書き換え可能な不揮発性の半導体メモリを備
えたデータ記録再生装置において、前記メモリを、ＮＡ
ＮＤ型フラッシュメモリ２とＮＯＲ型フラッシュメモリ
１とで構成し、ファイルデータはＮＡＮＤ型フラッシュ
メモリ２で、該ファイルデータに付随する属性データ及
び前記ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ２の内容を管理する
ファイル管理データ等をＮＯＲ型フラッシュメモリ１で
記録するようにした。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、書き換え可能な不揮発
性の半導体メモリとして、ＮＡＮＤ型とＮＯＲ型の２種
類のフラッシュメモリを用いたデータ記録再生装置に関
する。
性の半導体メモリとして、ＮＡＮＤ型とＮＯＲ型の２種
類のフラッシュメモリを用いたデータ記録再生装置に関
する。
【０００２】
【従来の技術】従来から、データの記録再生をおこなう
ために、データを記録しておくものとして種々の半導体
メモリが知られている。半導体メモリのうち、電源を切
ってもデータが消えないデータ不揮発性のメモリとして
ＲＯＭ（Read Only Memory )，ＰＲＯＭ（Programmable
ＲＯＭ）等がある。ＰＲＯＭは、使用者側でデータを
書き換えることができるもので、その消去方法の相違に
よって、ＵＶＥＰＲＯＭ（ＵＶ Erasable ＰＲＯＭ）、
ＥＥＰＲＯＭ（Electrical Erasable ＰＲＯＭ）等に分
類することができる。
ために、データを記録しておくものとして種々の半導体
メモリが知られている。半導体メモリのうち、電源を切
ってもデータが消えないデータ不揮発性のメモリとして
ＲＯＭ（Read Only Memory )，ＰＲＯＭ（Programmable
ＲＯＭ）等がある。ＰＲＯＭは、使用者側でデータを
書き換えることができるもので、その消去方法の相違に
よって、ＵＶＥＰＲＯＭ（ＵＶ Erasable ＰＲＯＭ）、
ＥＥＰＲＯＭ（Electrical Erasable ＰＲＯＭ）等に分
類することができる。
【０００３】ＥＥＰＲＯＭには、その書き換え方式の違
いにより、１バイト毎に書き換えが可能な従来型のＥＥ
ＰＲＯＭと、一度に全バイト又は選択されたブロックを
電気的に消去して、消去した部分に電気的に書き込みを
おこなうフラッシュＥＥＰＲＯＭ（以下、フラッシュメ
モリという。）とがある。
いにより、１バイト毎に書き換えが可能な従来型のＥＥ
ＰＲＯＭと、一度に全バイト又は選択されたブロックを
電気的に消去して、消去した部分に電気的に書き込みを
おこなうフラッシュＥＥＰＲＯＭ（以下、フラッシュメ
モリという。）とがある。
【０００４】フラッシュメモリにも、そのメモリセル構
成の違いでＮＯＲ型フラッシュメモリとＮＡＮＤ型フラ
ッシュメモリ等があり、ＮＯＲ型は高速ランダムアクセ
スが可能なため、マイクロプロセッサの周辺メモリとし
てプログラムや固定データ等の格納用に適しているが、
扱うデータがシリアルなハードディスクやフロッピィデ
ィスク等の磁気ディスクや音声の録音再生用の磁気テー
プの置き換え用としては適当ではない。
成の違いでＮＯＲ型フラッシュメモリとＮＡＮＤ型フラ
ッシュメモリ等があり、ＮＯＲ型は高速ランダムアクセ
スが可能なため、マイクロプロセッサの周辺メモリとし
てプログラムや固定データ等の格納用に適しているが、
扱うデータがシリアルなハードディスクやフロッピィデ
ィスク等の磁気ディスクや音声の録音再生用の磁気テー
プの置き換え用としては適当ではない。
【０００５】これに対し、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ
は、あるまとまった単位のデータの動作で考えると、書
き込み、消去、読み出し速度が早いことと、大容量化に
適していることから、音声装置に使用されている磁気テ
ープの置き換えやハードディスクやフロッピィディスク
の置き換えが考慮されている。
は、あるまとまった単位のデータの動作で考えると、書
き込み、消去、読み出し速度が早いことと、大容量化に
適していることから、音声装置に使用されている磁気テ
ープの置き換えやハードディスクやフロッピィディスク
の置き換えが考慮されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、一般に、メ
モリへ記録するデータは、ファイルのファイルデータ
と、このファイルデータの容量やファイル名等の属性デ
ータ、それにこれらのデータがメモリのどこに入ってい
るのか、あるいはメモリの空き容量はどのくらいか等を
示すためのファイル管理データとからなっている。
モリへ記録するデータは、ファイルのファイルデータ
と、このファイルデータの容量やファイル名等の属性デ
ータ、それにこれらのデータがメモリのどこに入ってい
るのか、あるいはメモリの空き容量はどのくらいか等を
示すためのファイル管理データとからなっている。
【０００７】ところが、メモリとしてＮＡＮＤ型フラッ
シュメモリのみを用い、上述したファイルデータ，属性
データ，ファイル管理データ等をメモリにまとめて記録
させておく場合を考えると、ファイルデータはある程度
の容量があるものとして、一まとめにしてブロック単位
で記録しておけば消去・書込みが容易であるが、ファイ
ル管理データはファイルを消去したり書込んだりする度
に書き換える必要が生じる。
シュメモリのみを用い、上述したファイルデータ，属性
データ，ファイル管理データ等をメモリにまとめて記録
させておく場合を考えると、ファイルデータはある程度
の容量があるものとして、一まとめにしてブロック単位
で記録しておけば消去・書込みが容易であるが、ファイ
ル管理データはファイルを消去したり書込んだりする度
に書き換える必要が生じる。
【０００８】このファイル管理データはあまり容量を必
要としないため、ブロック単位でデータを扱うのは無駄
であり、また書き換え作業は、例えば図３に示すよう
に、あるブロックの１ページ目にＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄのデー
タがすでに入っていたとする。そこへ新たにＥ，Ｄのデ
ータを入力しようとする場合、基本的にはこのページを
含むブロックの全内容を一旦消去してから再度Ａ，Ｂ，
Ｃ，ＤとともにＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅ，Ｆの順番で入力し
なければならない。このため、Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄのデータ
を一度どこかに退避させなければならないので、作業時
間を浪費することになる。また、新たにデータを入力す
る場合のみならず、例えばデータＡを書き換える場合に
も同様な作業が必要となる。
要としないため、ブロック単位でデータを扱うのは無駄
であり、また書き換え作業は、例えば図３に示すよう
に、あるブロックの１ページ目にＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄのデー
タがすでに入っていたとする。そこへ新たにＥ，Ｄのデ
ータを入力しようとする場合、基本的にはこのページを
含むブロックの全内容を一旦消去してから再度Ａ，Ｂ，
Ｃ，ＤとともにＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅ，Ｆの順番で入力し
なければならない。このため、Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄのデータ
を一度どこかに退避させなければならないので、作業時
間を浪費することになる。また、新たにデータを入力す
る場合のみならず、例えばデータＡを書き換える場合に
も同様な作業が必要となる。
【０００９】本発明は、データの書き換えの際に、書き
換え能率のよいデータ記録再生装置の提供を目的として
いる。
換え能率のよいデータ記録再生装置の提供を目的として
いる。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、書き換え可能
な不揮発性の半導体メモリを備えたデータ記録再生装置
において、前記メモリを、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ
とＮＯＲ型フラッシュメモリとで構成し、ファイルデー
タはＮＡＮＤ型フラッシュメモリで、該ファイルデータ
に付随する属性データ及び前記ＮＡＮＤ型フラッシュメ
モリの内容を管理するファイル管理データ等をＮＯＲ型
フラッシュメモリで記録するようにしたことを特徴とし
ている。
な不揮発性の半導体メモリを備えたデータ記録再生装置
において、前記メモリを、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ
とＮＯＲ型フラッシュメモリとで構成し、ファイルデー
タはＮＡＮＤ型フラッシュメモリで、該ファイルデータ
に付随する属性データ及び前記ＮＡＮＤ型フラッシュメ
モリの内容を管理するファイル管理データ等をＮＯＲ型
フラッシュメモリで記録するようにしたことを特徴とし
ている。
【００１１】
【作用】上述のように構成されているので、音声のよう
なシリアルデータはシリアルアクセスに最適なＮＡＮＤ
型フラッシュメモリに記録され、他の該ファイルデータ
に付随する属性データ及び前記ＮＡＮＤ型フラッシュメ
モリの内容を管理するファイル管理データ等は、ランダ
ムアクセスに適しているＮＯＲ型フラッシュメモリに記
録される。ファイルの書き換えに際しては、ファイルデ
ータはＮＡＮＤ型フラッシュメモリに記録されているの
で、ブロック毎に一括で消去して書き換えができる。ま
た、その他の該ファイルデータに付随する属性データ及
び前記ＮＡＮＤ型フラッシュメモリの内容を管理するフ
ァイル管理データ等は、ＮＯＲ型フラッシュメモリに記
録されているので、バイト毎にランダムに書き換えるこ
とができ、書き換える必要のないデータまで取り扱う必
要がない。
なシリアルデータはシリアルアクセスに最適なＮＡＮＤ
型フラッシュメモリに記録され、他の該ファイルデータ
に付随する属性データ及び前記ＮＡＮＤ型フラッシュメ
モリの内容を管理するファイル管理データ等は、ランダ
ムアクセスに適しているＮＯＲ型フラッシュメモリに記
録される。ファイルの書き換えに際しては、ファイルデ
ータはＮＡＮＤ型フラッシュメモリに記録されているの
で、ブロック毎に一括で消去して書き換えができる。ま
た、その他の該ファイルデータに付随する属性データ及
び前記ＮＡＮＤ型フラッシュメモリの内容を管理するフ
ァイル管理データ等は、ＮＯＲ型フラッシュメモリに記
録されているので、バイト毎にランダムに書き換えるこ
とができ、書き換える必要のないデータまで取り扱う必
要がない。
【００１２】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づき説明す
る。図１は、本発明に係るデータ記録再生装置の一例を
概念的に示した図である。図に示すように、ファイル
は、その内容そのものであるファイルデータ（例：音楽
等）と、ファイルネームやファイルの容量その他ＤＡＴ
Ｅ情報等の属性データとから成り立っている。
る。図１は、本発明に係るデータ記録再生装置の一例を
概念的に示した図である。図に示すように、ファイル
は、その内容そのものであるファイルデータ（例：音楽
等）と、ファイルネームやファイルの容量その他ＤＡＴ
Ｅ情報等の属性データとから成り立っている。
【００１３】また、このファイルを記録するための本実
施例に係るデータ記録再生装置は、図に示すように、メ
モリとしてフラッシュメモリ１とフラッシュメモリ２と
を有している。フラッシュメモリ２はＮＡＮＤ型で構成
されており、記録するデータの分担部分はファイルのフ
ァイルデータである。フラッシュメモリ１はＮＯＲ型で
構成されており、記録するデータの分担部分としては、
先ずファイルの属性データと、それにファイルデータが
ＮＡＮＤ型フラッシュメモリのどこのアドレス入ったか
が分かるように、ファイルデータのスタートアドレスと
エンドアドレスというアドレス・リンク情報、その他Ｎ
ＡＮＤ型フラッシュメモリの空き容量等である。
施例に係るデータ記録再生装置は、図に示すように、メ
モリとしてフラッシュメモリ１とフラッシュメモリ２と
を有している。フラッシュメモリ２はＮＡＮＤ型で構成
されており、記録するデータの分担部分はファイルのフ
ァイルデータである。フラッシュメモリ１はＮＯＲ型で
構成されており、記録するデータの分担部分としては、
先ずファイルの属性データと、それにファイルデータが
ＮＡＮＤ型フラッシュメモリのどこのアドレス入ったか
が分かるように、ファイルデータのスタートアドレスと
エンドアドレスというアドレス・リンク情報、その他Ｎ
ＡＮＤ型フラッシュメモリの空き容量等である。
【００１４】このように構成されているので、データの
書込みのとき、メモリには上記分担によりデータが記録
される。ファイルの書き換えに際しては、ファイルデー
タはフラッシュメモリ２に、その他の属性データやアド
レス・リンク情報はフラッシュメモリ１に記録されてい
るので、ファイルデータはブロック毎に一括で消去して
書き換えができ、属性データ等はバイト毎にランダムに
書き換えることができるので、書き換える必要のないデ
ータまで取り扱う必要が生じない。
書込みのとき、メモリには上記分担によりデータが記録
される。ファイルの書き換えに際しては、ファイルデー
タはフラッシュメモリ２に、その他の属性データやアド
レス・リンク情報はフラッシュメモリ１に記録されてい
るので、ファイルデータはブロック毎に一括で消去して
書き換えができ、属性データ等はバイト毎にランダムに
書き換えることができるので、書き換える必要のないデ
ータまで取り扱う必要が生じない。
【００１５】次に、本発明のデータ記録再生装置の実施
例としての具体的な回路を図２に示す。図において、フ
ラッシュメモリ１にはＮＯＲ型の２８Ｆ０１０（インテ
ル製）が用いられており、フラッシュメモリ２にはＮＡ
ＮＤ型のＴＣ５８１６（東芝製）が用いられている。な
お、ＣＰＵ３は一般に使用されているものである。
例としての具体的な回路を図２に示す。図において、フ
ラッシュメモリ１にはＮＯＲ型の２８Ｆ０１０（インテ
ル製）が用いられており、フラッシュメモリ２にはＮＡ
ＮＤ型のＴＣ５８１６（東芝製）が用いられている。な
お、ＣＰＵ３は一般に使用されているものである。
【００１６】この回路の書込み動作を説明する。スター
ト信号の後、書込み信号がＣＰＵ３に入力すると、ＣＰ
Ｕ３はデータバスからの信号がファイルのファイルデー
タかあるいは属性データかを判断する。通常、属性デー
タが最初に入力することになるのであるが、属性データ
の場合にはADDR端子からフラッシュメモリ１のアドレス
を指定して、データバスからの信号を書き込む。
ト信号の後、書込み信号がＣＰＵ３に入力すると、ＣＰ
Ｕ３はデータバスからの信号がファイルのファイルデー
タかあるいは属性データかを判断する。通常、属性デー
タが最初に入力することになるのであるが、属性データ
の場合にはADDR端子からフラッシュメモリ１のアドレス
を指定して、データバスからの信号を書き込む。
【００１７】データバスの信号がファイルデータに変わ
ると、ＣＰＵ３はADDR端子からフラッシュメモリ２のＩ
／Ｏ端子を介してアドレスを指定するとともに、データ
バスからのファイルデータを書き込む。ファイルデータ
の書込みが終わると、続いて、ＣＰＵ３はフラッシュメ
モリ１のアドレスを指定し、そのアドレスにフラッシュ
メモリ２に記録されたファイルデータのスタートアドレ
スとエンドアドレスとからなるアドレス・リンク情報を
書込み記録する。
ると、ＣＰＵ３はADDR端子からフラッシュメモリ２のＩ
／Ｏ端子を介してアドレスを指定するとともに、データ
バスからのファイルデータを書き込む。ファイルデータ
の書込みが終わると、続いて、ＣＰＵ３はフラッシュメ
モリ１のアドレスを指定し、そのアドレスにフラッシュ
メモリ２に記録されたファイルデータのスタートアドレ
スとエンドアドレスとからなるアドレス・リンク情報を
書込み記録する。
【００１８】なお、その際に、フラッシュメモリ２は、
ＮＡＮＤ型であるので、データの入力はシリアルで、か
つ一旦レジスタを介し、レジスタがデータで一杯になっ
たときにメモリ本体に書き込まれる。これに対し、フラ
ッシュメモリ１はＮＯＲ型であるので、レジスタはな
く、直にメモリ本体にバイト単位で書き込まれていく。
ＮＡＮＤ型であるので、データの入力はシリアルで、か
つ一旦レジスタを介し、レジスタがデータで一杯になっ
たときにメモリ本体に書き込まれる。これに対し、フラ
ッシュメモリ１はＮＯＲ型であるので、レジスタはな
く、直にメモリ本体にバイト単位で書き込まれていく。
【００１９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によると、
ファイルデータをＮＡＮＤ型フラッシュメモリに、属性
データとファイル管理データをＮＯＲ型フラッシュメモ
リのそれぞれ書込み記録するようにしたので、属性デー
タやファイル管理データへのアクセスがし易くなり、フ
ァイル書き換え時に不必要なデータまで取り扱う必要が
ないため、作業時間を短縮することができる。
ファイルデータをＮＡＮＤ型フラッシュメモリに、属性
データとファイル管理データをＮＯＲ型フラッシュメモ
リのそれぞれ書込み記録するようにしたので、属性デー
タやファイル管理データへのアクセスがし易くなり、フ
ァイル書き換え時に不必要なデータまで取り扱う必要が
ないため、作業時間を短縮することができる。
【図１】本発明に係るデータ記録再生装置の一例を概念
的に示した図である。
的に示した図である。
【図２】図１に示すデータ記録再生装置の具体的な回路
図である。
図である。
【図３】ＮＡＮＤ型フラッシュメモリの問題点を説明す
る模式図である。
る模式図である。
１ ＮＯＲ型フラッシュメモリ ２ ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ ３ ＣＰＵ
Claims (1)
- 【請求項１】 書き換え可能な不揮発性の半導体メモリ
を備えたデータ記録再生装置において、 前記メモリを、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリとＮＯＲ型
フラッシュメモリとで構成し、ファイルデータはＮＡＮ
Ｄ型フラッシュメモリで、該ファイルデータに付随する
属性データ及び前記ＮＡＮＤ型フラッシュメモリの内容
を管理するファイル管理データ等をＮＯＲ型フラッシュ
メモリで記録するようにしたことを特徴とするデータ記
録再生装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23773693A JPH0793980A (ja) | 1993-09-24 | 1993-09-24 | データ記録再生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23773693A JPH0793980A (ja) | 1993-09-24 | 1993-09-24 | データ記録再生装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0793980A true JPH0793980A (ja) | 1995-04-07 |
Family
ID=17019717
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23773693A Pending JPH0793980A (ja) | 1993-09-24 | 1993-09-24 | データ記録再生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0793980A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100844406B1 (ko) * | 2007-03-12 | 2008-07-08 | 한국과학기술원 | Ｎｏｒ 플래시 메모리와 ｎａｎｄ 플래시 메모리를 이용한하이브리드 파일 시스템 및 데이터 연산 방법 |
| JP2009526333A (ja) * | 2006-02-10 | 2009-07-16 | クゥアルコム・インコーポレイテッド | 外部記憶デバイスから安全にブートする方法および装置 |
| US8683213B2 (en) | 2007-10-26 | 2014-03-25 | Qualcomm Incorporated | Progressive boot for a wireless device |
| JP2024179065A (ja) * | 2023-06-14 | 2024-12-26 | ウィンボンド エレクトロニクス コーポレーション | 半導体装置および半導体装置の動作方法 |
| JP7728927B1 (ja) * | 2024-07-02 | 2025-08-25 | ウィンボンド エレクトロニクス コーポレーション | 半導体装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04263386A (ja) * | 1991-02-18 | 1992-09-18 | Fuji Photo Film Co Ltd | Ｉｃメモリカード |
-
1993
- 1993-09-24 JP JP23773693A patent/JPH0793980A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04263386A (ja) * | 1991-02-18 | 1992-09-18 | Fuji Photo Film Co Ltd | Ｉｃメモリカード |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009526333A (ja) * | 2006-02-10 | 2009-07-16 | クゥアルコム・インコーポレイテッド | 外部記憶デバイスから安全にブートする方法および装置 |
| US8291226B2 (en) | 2006-02-10 | 2012-10-16 | Qualcomm Incorporated | Method and apparatus for securely booting from an external storage device |
| KR100844406B1 (ko) * | 2007-03-12 | 2008-07-08 | 한국과학기술원 | Ｎｏｒ 플래시 메모리와 ｎａｎｄ 플래시 메모리를 이용한하이브리드 파일 시스템 및 데이터 연산 방법 |
| US8683213B2 (en) | 2007-10-26 | 2014-03-25 | Qualcomm Incorporated | Progressive boot for a wireless device |
| JP2024179065A (ja) * | 2023-06-14 | 2024-12-26 | ウィンボンド エレクトロニクス コーポレーション | 半導体装置および半導体装置の動作方法 |
| US12645405B2 (en) | 2023-06-14 | 2026-06-02 | Winbond Electronics Corp. | Semiconductor device and operating method thereof |
| JP7728927B1 (ja) * | 2024-07-02 | 2025-08-25 | ウィンボンド エレクトロニクス コーポレーション | 半導体装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19960521 |