JPH04159732A - 電界効果トランジスタ - Google Patents
電界効果トランジスタInfo
- Publication number
- JPH04159732A JPH04159732A JP28653390A JP28653390A JPH04159732A JP H04159732 A JPH04159732 A JP H04159732A JP 28653390 A JP28653390 A JP 28653390A JP 28653390 A JP28653390 A JP 28653390A JP H04159732 A JPH04159732 A JP H04159732A
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- JP
- Japan
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- effect transistor
- field effect
- low impedance
- matching
- impedance line
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- Pending
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- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この箔明は高周波で動作する電界効果トランジスタに関
するものである○ 〔従来の技術〕 Ｗ！；４図は従来の電界効果トランジスタの平面図、第
５図は第４図のｖ −ｖ 沢における断面図、第６図ｒ
ｉ第４図の電界効果トランジスタを装着した内部整合増
幅器の平面図である。図において、（１）はＧａＡｅ等
の半絶縁性基板、（２）はゲート電極、（３）はドレイ
ン電極、（４）はソース電極、（５）はソース接地およ
び放熱用のＡｕ厚膜、 （６） 、 （７）はアルミナ
などの基板上に形成された整合回路、（８）、（９）は
高誘電率基板上に形成された低インピーダンス線路、Ｏ
ｔ）は第４図の電界効果トランジスタ、ａｌ）は金ワイ
ヤである。
するものである○ 〔従来の技術〕 Ｗ！；４図は従来の電界効果トランジスタの平面図、第
５図は第４図のｖ −ｖ 沢における断面図、第６図ｒ
ｉ第４図の電界効果トランジスタを装着した内部整合増
幅器の平面図である。図において、（１）はＧａＡｅ等
の半絶縁性基板、（２）はゲート電極、（３）はドレイ
ン電極、（４）はソース電極、（５）はソース接地およ
び放熱用のＡｕ厚膜、 （６） 、 （７）はアルミナ
などの基板上に形成された整合回路、（８）、（９）は
高誘電率基板上に形成された低インピーダンス線路、Ｏ
ｔ）は第４図の電界効果トランジスタ、ａｌ）は金ワイ
ヤである。
次にす）作について説明する。アルミナ基板上に形成さ
れた整合回路（６）、高誘電率基板上に形成された低イ
ンピーダンス線路（８）で整合されたマイクロ波電力は
、４界効果トランジスタｑ１で増幅され、低インピーダ
ンス線路（９）、整合１ｍ路（７）を辿シ、５０Ωに整
合され出力される。
れた整合回路（６）、高誘電率基板上に形成された低イ
ンピーダンス線路（８）で整合されたマイクロ波電力は
、４界効果トランジスタｑ１で増幅され、低インピーダ
ンス線路（９）、整合１ｍ路（７）を辿シ、５０Ωに整
合され出力される。
従来の電界効果トランジスタは以上のように構成されて
いたので、晶出労化に伴いゲート幅が大きくなる。この
電界効果ｊ〜ランジヌタを用いた内部整合増幅器におい
ては、トランジスタの最隣接部には低インピーダンス線
路を必要とし、低インピーダンス線路が形成される品誘
電率基板と、その他の整合回路が形成される基板とが必
要になり、基板数の多さによる組立のばらつきによって
、特性にばらつきがあり、特に高周波になるに伴いその
影響は大きくなってくるなどの間萌点があった。
いたので、晶出労化に伴いゲート幅が大きくなる。この
電界効果ｊ〜ランジヌタを用いた内部整合増幅器におい
ては、トランジスタの最隣接部には低インピーダンス線
路を必要とし、低インピーダンス線路が形成される品誘
電率基板と、その他の整合回路が形成される基板とが必
要になり、基板数の多さによる組立のばらつきによって
、特性にばらつきがあり、特に高周波になるに伴いその
影響は大きくなってくるなどの間萌点があった。
この宅間は上記のような問題点を解消するだめになきれ
たもので、整合回路基板の数を減少できるとともに、組
立時のばらつきの少ない電界効果トランジスタ（ｉｌ−
得ることを目的とする。
たもので、整合回路基板の数を減少できるとともに、組
立時のばらつきの少ない電界効果トランジスタ（ｉｌ−
得ることを目的とする。
この宅間に係る電界効果トランジスタは、整合回路の一
部である低インピーダンス線路を装備し、この低インピ
ーダンス線路はイオン打込法などで高誘電率化された領
域上に形成したものである。
部である低インピーダンス線路を装備し、この低インピ
ーダンス線路はイオン打込法などで高誘電率化された領
域上に形成したものである。
この宅間における低インピーダンス線路は、電界効果ト
ランジスタチツプに含まれていることにより、整合が取
り易い状、態がばらつきなくチップの状態で得られ、ば
らつきが少ない内部整合増幅器を得ることができる。
ランジスタチツプに含まれていることにより、整合が取
り易い状、態がばらつきなくチップの状態で得られ、ば
らつきが少ない内部整合増幅器を得ることができる。
以下、この宅間の一実施例を図について説明する。第１
図はこの発明の一実施例である電界効果トランジスタの
平面図、第２図は第１図の■−■線における断面図、第
３図は第１図の電界効果トランジスタを装着した内部整
合増幅器の平面図である。図において、（１，） Ｖｉ
ＧａＡｓの半絶縁性基板、（２）はゲート電極、（３）
はドレイン電極、（４）はソース電極、（５）はソース
接地および放熱用のＡ、ｕ厚膜、（６）。
図はこの発明の一実施例である電界効果トランジスタの
平面図、第２図は第１図の■−■線における断面図、第
３図は第１図の電界効果トランジスタを装着した内部整
合増幅器の平面図である。図において、（１，） Ｖｉ
ＧａＡｓの半絶縁性基板、（２）はゲート電極、（３）
はドレイン電極、（４）はソース電極、（５）はソース
接地および放熱用のＡ、ｕ厚膜、（６）。
（７）はアルミナ等の基板上に形成された整合回路、［
８） 、 （９）は低インピーダンス線路、００は第１
図の電界効果トランジスタ、αυは金ワイヤ、＠はイオ
ン打込法などで形成された高誘電率部である。
８） 、 （９）は低インピーダンス線路、００は第１
図の電界効果トランジスタ、αυは金ワイヤ、＠はイオ
ン打込法などで形成された高誘電率部である。
次に動作について説明する。
入力されたマイクロ波電力は整合回路（６）、低インピ
ーダンス線路（８）を通り、′電界効果トランジスタで
増幅され低インピーダンス線路（９）、整合回路（７）
ｋ ｍって出力される。高出力化に伴い従来の電界効
果トランジスタ自身の入出力インピータンスは低く、整
合回路のＦＥ’ｌ’＠接部は低インピーダンス線路とな
シ、高誘電率基板上に他の整合成路部分と分離して形成
してあった。このようＶＣ基板改が増えると高周波にお
いて、金ワイヤ長等が特性に大きく影響してくる。そこ
で、本実施例のように低インピーダンス線路を電界効果
トランジスタのチップ内に装備することにより、電界効
果トランジスタ自身で整合が取り易くインピータンスの
ばらつきがなくなる○ 〔宅間の効果〕 以上のようにこの宅間によれば、整合回路の一部である
低インピーダンス線路を電界効果トランジスタのチップ
内に形成したので、整合の１ｌｆｆす＆い高出力の電界
効果トランジスタを得ることができ、整合回路基板数を
減少することにより、特性のよい内部整合増幅器がばら
つき少なく得られる効果がある。
ーダンス線路（８）を通り、′電界効果トランジスタで
増幅され低インピーダンス線路（９）、整合回路（７）
ｋ ｍって出力される。高出力化に伴い従来の電界効
果トランジスタ自身の入出力インピータンスは低く、整
合回路のＦＥ’ｌ’＠接部は低インピーダンス線路とな
シ、高誘電率基板上に他の整合成路部分と分離して形成
してあった。このようＶＣ基板改が増えると高周波にお
いて、金ワイヤ長等が特性に大きく影響してくる。そこ
で、本実施例のように低インピーダンス線路を電界効果
トランジスタのチップ内に装備することにより、電界効
果トランジスタ自身で整合が取り易くインピータンスの
ばらつきがなくなる○ 〔宅間の効果〕 以上のようにこの宅間によれば、整合回路の一部である
低インピーダンス線路を電界効果トランジスタのチップ
内に形成したので、整合の１ｌｆｆす＆い高出力の電界
効果トランジスタを得ることができ、整合回路基板数を
減少することにより、特性のよい内部整合増幅器がばら
つき少なく得られる効果がある。
第１図はこの宅間の一実施例である電界効果トランジス
タの平面図、第２図は第１図の■−■槻における断面図
、第３図は第１図の′電界効果トランジスタを装着した
内部整合増幅器を示す平向図、紀４図は従来の１１Ｌ界
効果トランンスタの平面図、第５図１−１．第４図のｖ
−ｖ線における断面図、第６図は第４図の電界効果トラ
ンジスタを装着した内部整合増幅器を示す平面図である
。 図において、（１）は半絶縁性基板、（２）はゲート電
極、（３）はドレイン電極、（４）はソース電極、（５
）はＡｕ厚膜、（ａ） 、 （７）は整合回路、（３）
、（９）は低インピーダンヌｍｉ、ｔ、＋ｔｉｉ−ｕｔ
界効果トランジスタ、Ｑυは金ワイヤ、（６）ばＧａＡ
ｓ基板の高誘電率部分を示す。 なお、図中、同一符号は同一、又は十目当部分を示す。
タの平面図、第２図は第１図の■−■槻における断面図
、第３図は第１図の′電界効果トランジスタを装着した
内部整合増幅器を示す平向図、紀４図は従来の１１Ｌ界
効果トランンスタの平面図、第５図１−１．第４図のｖ
−ｖ線における断面図、第６図は第４図の電界効果トラ
ンジスタを装着した内部整合増幅器を示す平面図である
。 図において、（１）は半絶縁性基板、（２）はゲート電
極、（３）はドレイン電極、（４）はソース電極、（５
）はＡｕ厚膜、（ａ） 、 （７）は整合回路、（３）
、（９）は低インピーダンヌｍｉ、ｔ、＋ｔｉｉ−ｕｔ
界効果トランジスタ、Ｑυは金ワイヤ、（６）ばＧａＡ
ｓ基板の高誘電率部分を示す。 なお、図中、同一符号は同一、又は十目当部分を示す。
Claims (1)
- 半絶縁性基板上に、ゲート電極，ドレイン電極，ソー
ス電極で形成される動作部を有する電界効果トランジス
タにおいて、前記動作部に隣接して誘電率の高い領域と
、この領域上に低インピーダンスの線路を備えたことを
特徴とする電界効果トランジスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28653390A JPH04159732A (ja) | 1990-10-23 | 1990-10-23 | 電界効果トランジスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28653390A JPH04159732A (ja) | 1990-10-23 | 1990-10-23 | 電界効果トランジスタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04159732A true JPH04159732A (ja) | 1992-06-02 |
Family
ID=17705644
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28653390A Pending JPH04159732A (ja) | 1990-10-23 | 1990-10-23 | 電界効果トランジスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04159732A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014512135A (ja) * | 2011-04-07 | 2014-05-19 | ダイアモンド・マイクロウェイブ・デバイセズ・リミテッド | ワイドバンドギャップパワートランジスタ用の改良されたマッチング技術 |
-
1990
- 1990-10-23 JP JP28653390A patent/JPH04159732A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014512135A (ja) * | 2011-04-07 | 2014-05-19 | ダイアモンド・マイクロウェイブ・デバイセズ・リミテッド | ワイドバンドギャップパワートランジスタ用の改良されたマッチング技術 |
| US9799599B2 (en) | 2011-04-07 | 2017-10-24 | Diamond Microwave Devices Limited | Matching techniques for wide-bandgap power transistors |
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