JPH0416416B2 - - Google Patents

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JPH0416416B2
JPH0416416B2 JP60210328A JP21032885A JPH0416416B2 JP H0416416 B2 JPH0416416 B2 JP H0416416B2 JP 60210328 A JP60210328 A JP 60210328A JP 21032885 A JP21032885 A JP 21032885A JP H0416416 B2 JPH0416416 B2 JP H0416416B2
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JP
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quartz glass
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heating furnace
furnace
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Shigeyoshi Kobayashi
Masaaki Ikemura
Susumu Hachiuma
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AGC Inc
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Asahi Glass Co Ltd
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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B19/00—Other methods of shaping glass
    • C03B19/14—Other methods of shaping glass by gas- or vapour- phase reaction processes
    • C03B19/1453—Thermal after-treatment of the shaped article, e.g. dehydrating, consolidating, sintering
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B37/00—Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
    • C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
    • C03B37/012—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
    • C03B37/014—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
    • C03B37/01446—Thermal after-treatment of preforms, e.g. dehydrating, consolidating, sintering
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
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  • General Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Geochemistry & Mineralogy (AREA)
  • Glass Melting And Manufacturing (AREA)
  • Manufacture, Treatment Of Glass Fibers (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、気相反応合成法によつて多孔質石英
ガラス母材を形成させ、これを加熱炉中で焼成し
て透明ガラスとする高純度石英ガラスの製造方法
に関するものである。
[従来の技術] 従来より、石英ガラスを製造する方法の一つと
して、気相反応合成法により多孔質石英ガラス母
材を形成し、この母材を加熱してガラス化する方
法が採用されている。すなわち、四塩化珪素等の
珪素化合物を酸水素炎中で加水分解させ、出発部
材である石英製の種棒(以下出発部材あるいは種
棒と書く)の下端部にシリカ微粒子を付着・堆積
させて多孔質石英ガラス母材を形成する。そし
て、この多孔質石英ガラス母材を加熱炉に入れ、
ヒータで加熱して母材を焼結することによりガラ
ス化する方法である。
光フアイバーなどの製造に際しては、VAD法
といわれる石英ガラス製造方法が採用されてい
る。この方法は、気相反応合成法により種棒の下
端部にシリカ微粒子を付着・堆積させて多孔質石
英ガラス母材を形成させながら、徐々に引上げて
ヒータ中を通し、母材の上部から徐々にガラス化
する方法である。この方法では、多孔質石英ガラ
ス母材の形成と、この母材のガラス化とを連続的
に行なえる利点がある。
[発明が解決しようとする問題点] しかしながら、フオトマスク基板などのように
大型の石英ガラスを製造しようとする場合、多孔
質石英ガラス母材を大口径で長尺のものにする必
要があり、その重量は、例えば径が30cmで長さ1
mの母材の場合1本当り約14Kg相当のものにな
る。このような大型の多孔質石英ガラス母材をガ
ラス化するに際して、上記VAD法を採用しよう
とすると、母材を上部から加熱してガラス化する
ため、種棒の下端近傍が先に軟化して下方につな
がる母材を支持することができず、下方の母材が
種棒の下端部近傍から分離して落下してしまう。
これを避ける手段として石英製種棒の径を太くす
ることも考えられるが、1400℃の温度条件下で上
記母材を支持させるためには種棒のコストが相当
高くなり実際的には困難である。
一方、上記問題を解決する方法として、多孔質
石英ガラス母材を加熱炉の上部から挿入し前記母
材をその底部から徐々に透明ガラス化させつつ前
記母材を下降させ種棒の下端部が1400℃の温度域
に達した時点で下降を停止する方法がある。しか
し一般的に前述の方法によつて製造される多孔質
石英ガラス母材は十分な強度を有しておらず、こ
のような母材を炉の上部から挿入して一段の工程
で、焼成かつ透明ガラス化しようとすると炉内の
気流の乱れによる熱シヨツクや焼結時の熱変形に
耐えられなくなり、焼成途中で多孔質石英ガラス
母材が崩れてしまい、大口径の石英ガラスを製造
することが出来なかつた。
本発明は上記の問題点を解決し、フオトマスク
基板用などの大型の高純度石英ガラスの製造方法
を提供することを目的とするものである。
[問題点を解決するための手段] 本発明は前記した問題点を解説すべくなされた
ものであり、珪素化合物を酸水素炎中で加水分解
して生成したリシカ微粒子を出発部材に付着・堆
積させて多孔質石英ガラス母材を形成させる第1
の工程と、該母材を炉の下部より上部に向けて高
まる温度勾配をもつ領域を少なくとも有する第1
の加熱炉の下端部から回転させながら徐々に引上
げる方法により1150〜1350℃の温度範囲で予備焼
成する第2の工程と、さらに前期第2の工程を経
た前記母材を炉の上部より下部に向けて高まる温
度勾配をもつ領域を少なくとも有する第2の加熱
炉の上部から回転させながら下降させる方法によ
り1400〜1500℃の温度範囲で徐々に透明ガラス化
する第3の工程とからなることを特徴とする高純
度石英ガラスの製造方法を提供するものである。
本発明において、多孔質石英ガラス母材は例え
ば第1図に示すような装置によつて製造される
(第1の工程)。すなわち、ボンベ1およびボンベ
2から水素および酸素がマスフロ−コントローラ
ー3,4を通して多重管バーナ5に供給される。
また四塩化珪素、トリクロロシラン、四臭化珪素
等の珪素化合物のガスが、タンク6からポンプ7
により熱交換器8を通して予熱され多重管バーナ
5に供給される。多重管バーナ5は反応室9内に
おいて酸水素炎を形成し、珪素化合物を加水分解
してシリカ微粒子を形成する。なお図示していな
いが、窒素、アルゴン等の不活性ガスもバーナ5
に供給され、これら珪素化合物のキヤリアガスと
してあるいは酸水素炎中のエアーカーテンとして
使用される。この加水分解反応の化学式を珪素化
合物が四塩化珪素である場合について示すと次式
の様になる。
2H2+O2→2H2O ……(1) 2H2O+SiCl4→SiO2+4HCl ……(2) このシリカ微粒子が反応室9で出発部材として
鉛直に懸下された石英製種棒10の下端部に付
着・堆積して順次成長し、大口径の多孔質石英ガ
ラス母材11が形成される。なお、反応によつて
発生する塩酸は苛性ソーダ水と洗浄塔13で向流
に接触して吸収除去される。
本発明における第1の工程、第2の工程、第3
の工程を第2図に例示する。即ち第2図に示した
ように前記方法により第1の工程で製造された多
孔質石英ガラス母材11を予備焼成用加熱炉20
の下部に挿入し、種棒10を回転させながら加熱
炉20の上方に移動させ、多孔質石英ガラス母材
の上部より徐々に予備焼成させたのち、前記加熱
炉20の上部から予備焼成母材11を抜き出すよ
うにする。かかる予備焼成が終了したのち、ただ
ちに又は時間をおいて前記予備焼成母材11を透
明ガラス化用加熱炉30の上方まで移動し、該母
材11を加熱炉30の上部から挿入し、回転させ
ながら加熱炉30の下部方向に移動させることに
より前記母材の下端部から徐々に透明ガラス化す
ることにより高純度な石英ガラスを製造する。な
お、前記母材の種棒の下端部近傍が加熱炉30の
1400℃以上の高温域に達した時点で前記下部方向
への移動を停止させ、母材が種棒から落下するの
を防ぐ。
このように、多孔質石英ガラス母材を加熱炉の
下部から挿入し予備焼成したのち、透明ガラス化
域の温度が1400〜1500℃に保たれた加熱炉の上部
から下方に移動させて透明ガラス化するようにし
たので、本焼成過程で母材がこわれたり、又種棒
が熱変形してガラス化時に母材が落下したりする
ことがなくなる。さらにガラス化に伴なつて流出
する気泡ないし気泡中の気体は、まだガラス化さ
れていない母材上部の多孔質層を通つて上方へ逃
げることができるので、得られた石英ガラス中に
気泡等が含有されるのを防止できる。
本発明の好ましい態様によれば、多孔質石英ガ
ラス母材の予備焼成に用いる加熱炉は下部から上
部に向けて高まる温度勾配をもつようにヒータが
設けられている。このようにすれば、多孔質石英
ガラス母材を加熱炉に挿入するに際し、母材の温
度を徐々に高めていくことができ、これにより急
激な加熱により母材にクラツクが発生するのを防
止することができる。なお、温度勾配は多孔質石
英ガラス母材の挿入可能な温度が600℃以下であ
るため、炉の下部を500℃前後とし、母材の焼結
温度が1100℃以上で、1400℃以上の温度では石英
製種棒が熱変形して母材の重量に耐えられなくな
ることから炉の上部の温度を1150〜1350℃にする
のが適当である。さらにまた、前記予備焼成に用
いる加熱炉は、該加熱炉内上部に上下方向に温度
がほぼ均等な均温域を設け、該均温域の下部から
前記加熱炉内の下部に向けて低下する温度勾配を
有するものであつてもよい。こ場合、予備焼成の
作業条件の選択の自由度が高まる利点がある。
上記温度分布を有する加熱炉内に多孔質石英ガ
ラス母材を徐々に引上げながら予備焼成を行なう
が、この際の雰囲気はクリーンな方が好ましく必
要に応じてフイルター等で浄化された空気、窒素
ガス又はその他の不活性ガスを炉の下部より上方
に向けて導入しながら行なう。引上げ速度は加熱
炉中段の温度レベルや均温域の長さによつても異
なるが、例えば温度が1300℃で均温域の長さが20
cmの炉を用いた場合は250mm/Hr前後が適当であ
る。
かかる予備焼成を行なつたのち隣接する加熱炉
の上方に母材を搬送し炉上部から下方に移動させ
ることにより前記母材を徐々に透明ガラス化する
が、この際の炉内雰囲気はHe濃度を70%以上好
ましくは80〜90%に保つて行なう。この前記母材
を徐々に透明ガラス化する際の加熱炉は上部から
下部にかけて高まる温度勾配が設けられているよ
うにするのが好ましい。この際の温度勾配は、多
孔質石英ガラス母材のガラス化温度が1400℃以上
であることから、加熱炉の上部を1200℃前後、炉
の下部の温度を1400〜1500℃にするのが適当であ
り、焼成に際して種棒の下端部近傍が1400℃以上
の高温域に達した時点で下降を停止するのが適当
である。さらにまた、前記透明ガラス化に用いる
加熱炉は、該加熱炉内下部に上下方向に温度がほ
ぼ均等な均温域を設け、該均温域の上部から前記
加熱炉内の上部に向けて低下する温度勾配を有す
るものであつてもよい。この場合、透明ガラス化
の作業条件の選択の自由度が高まる利点がある。
[実施例] 第2図A,B,C,Dには、多孔質母材から透
明石英ガラスロツドまでを製造する装置・工程が
示されている。以下、本発明の実施例を図に従つ
て説明する。
第2図Aに示すように、酸水素炎中で四塩化珪
素を加水分解させて石英製の種棒上にシリカの微
粒子を堆積・成長させて径が約30cm、長さ100cm
の多孔質石英ガラス母材11を形成させた。この
母材を合成装置9の上方に引上げたのち、種棒を
ジヨイント部15から切りはなし、隣接する場所
に設置された加熱炉20の下部から挿入する。加
熱炉20は下部から上部に向けて高まる温度勾配
を有しており、炉の下部が約500℃、炉の上部の
温度が約1300℃になるように制御されている。第
2図Bに示すように種棒10をゆつくり矢印方向
に回転させながら、毎時10〜50cmの速度で上方に
引上げることにより多孔質石英ガラス母材11を
ヒータ内に徐々に挿入し予備焼成を行なつた。こ
のため多孔質石英ガラス母材は上部から徐々に加
熱され、該多孔質石英ガラス母材中の気泡は外周
方向又は下部の低温部に移動し、内部の気泡が脱
泡されて前記多孔質石英ガラス母材はオープンポ
アーを残した状態で径方向・軸方向に収縮し、次
に行なう透明ガラス化が容易な予備焼成母材12
となつた。かかる予備焼成が終了したのち、前記
母材を加熱炉20の上部から抜き出し母材の寸法
を測定した結果、径が21cmで長さ81cmであつた。
第2図Cに示すように、上記予備焼成母材12
を隣接する加熱炉30の上方に移動させ、種棒1
0をゆつくり回転させながら毎時およそ10cmの速
度で加熱炉30の上部から徐々に下方に移動させ
ヒータ31内に挿入させることにより多孔質石英
ガラス母材の下部より透明ガラス化させた。
この加熱炉31は上記予備焼成母材12が充分
挿入できる大きさを有しており、上部から下部に
向けて高まる温度勾配を有している。この温度勾
配は加熱炉の上部が約1200℃、下部が約1430℃に
なるように制御されている。図示されていない装
置により、炉の下部よりヘリウムガスを毎時1.3
m3/Hrの速度で導入し炉内のヘリウム雰囲気が
80〜90%になるように保たれている。炉内で多孔
質石英ガラス母材12は下端部から徐々に加熱溶
融して脱泡がなされ、母材12よりも径の小さな
透明石英ガラス13になる。この際、気泡はまだ
透明ガラス化していない上部の多孔質ガラス層を
通つて外部に脱出するので、形成された石英ガラ
ス中に気泡が混入することはない。
第2図Dに示すように、種棒10の下端部近傍
がヒータ31の上端に達した時点で下降は停止し
透明ガラス化が終了する。従つて種棒10の下端
部近傍が加熱変形することがなくなり、下方につ
ながる石英ガラス13を落下させることなく支持
できる。また、種棒10の下端部が熱変形するの
を防止できる。
[発明の効果] 以上説明したように、本発明によれば多孔質石
英ガラス母材を上部から加熱して徐々に予備焼成
し、次いで下端部から加熱して透明ガラス化する
二段焼成法を採用したので、大口径母材を焼成す
る際に急激な熱収縮により、母材に割れが発生し
たり、種棒が1400℃以上の高温にさらされて熱変
形し、母材が種棒下端部から落下したりするのを
防止できる。
また母材径の増大に伴い焼成時の径方向の温度
差が大きくなつてくるが、本発明ではクローズド
ポアーが形成されない条件下で多孔質石英ガラス
母材を予備焼成して径を収縮させているので、透
明ガラス化時の径方向(外周部と中心部)の温度
差が小さくなり、脱泡が均一に進むので、高速で
透明ガラス化しても、石英ガラス中に気泡が混入
するのを防止できる。
【図面の簡単な説明】
第1図は多孔質石英ガラス母材を得るための装
置の一例を示す説明図、第2図は本発明による透
明石英ガラス製造方法の実施例を示す説明図であ
り、Aは多孔質石英ガラス母材を得る装置・工
程、Bは予備焼成の装置・工程、CとDは透明ガ
ラス化の装置・工程を示す説明図である。 9……多孔質石英ガラス母材合成反応器、10
……出発部材、種棒、11……多孔質石英ガラス
母材、12……予備焼成ずみ多孔質石英ガラス母
材、13……透明石英ガラス、15……ジヨイン
ト、20,30……加熱炉、21,31……ヒー
タ。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 珪素化合物を酸水素炎中で加水分解して生成
    したシリカ微粒子を出発部材に付着・堆積させて
    多孔質石英ガラス母材を形成させる第1の工程
    と、該母材を炉の下部より上部に向けて高まる温
    度勾配をもつ領域を少なくとも有する第1の加熱
    炉の下端部から回転させながら徐々に引上げる方
    法により1150〜1350℃の温度範囲で予備焼成する
    第2の工程と、さらに前期第2の工程を経た前記
    母材を炉の上部より下部に向けて高まる温度勾配
    をもつ領域を少なくとも有する第2の加熱炉の上
    部から回転させながら下降させる方法により1400
    〜1500℃の温度範囲で徐々に透明ガラス化する第
    3の工程とからなることを特徴とする高純度石英
    ガラスの製造方法。 2 前記第1の加熱炉が、炉の下部より上部に向
    けて高まる温度勾配をもつ領域の上方に該領域に
    連続して、上下方向に温度がほぼ均等な均温域を
    有することを特徴とする特許請求の範囲第1項記
    載の高純度石英ガラスの製造方法。 3 前記の第2の加熱炉が、炉の上部より下部に
    向けて高まる温度勾配をもつ領域の下方に該領域
    に連続して、上下方向に温度がほぼ均等な均温域
    を有することを特徴とする特許請求の範囲第1項
    記載の高純度石英ガラスの製造方法。
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