JPH0699163B2 - 光フアイバ母材のガラス化方法 - Google Patents
光フアイバ母材のガラス化方法Info
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- JPH0699163B2 JPH0699163B2 JP60168035A JP16803585A JPH0699163B2 JP H0699163 B2 JPH0699163 B2 JP H0699163B2 JP 60168035 A JP60168035 A JP 60168035A JP 16803585 A JP16803585 A JP 16803585A JP H0699163 B2 JPH0699163 B2 JP H0699163B2
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- JP
- Japan
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- base material
- porous glass
- glass base
- vitrification
- germanium
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B37/00—Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
- C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
- C03B37/012—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
- C03B37/014—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
- C03B37/01446—Thermal after-treatment of preforms, e.g. dehydrating, consolidating, sintering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B2201/00—Type of glass produced
- C03B2201/06—Doped silica-based glasses
- C03B2201/30—Doped silica-based glasses doped with metals, e.g. Ga, Sn, Sb, Pb or Bi
- C03B2201/31—Doped silica-based glasses doped with metals, e.g. Ga, Sn, Sb, Pb or Bi doped with germanium
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Glass Melting And Manufacturing (AREA)
- Manufacture, Treatment Of Glass Fibers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明はVAD法により合成したゲルマニウムをドープし
てなる多孔質ガラス母材をガラス化するに際し、該多孔
質ガラス母材の外周部に長手方向に均一な厚さを有する
クラッド層を形成する光フアイバ母材のガラス化方法に
関するものである。
てなる多孔質ガラス母材をガラス化するに際し、該多孔
質ガラス母材の外周部に長手方向に均一な厚さを有する
クラッド層を形成する光フアイバ母材のガラス化方法に
関するものである。
コア及び該コアのまわりに該コアより屈折率の低いクラ
ッド層を有する光フアイバ母材を製造する一つの方法と
して、まずゲルマニウム（ガラスの屈折率を高めるドー
プ材料）をドープしてなる多孔質ガラス母材を既知のVA
D法により合成し、これを塩素を含む雰囲気で加熱し透
明ガラス化し、該透明ガラス化時に下記の反応により前
記多孔質ガラス母材の表面からゲルマニウムを揮散させ
クラッド層を形成する方法が従来から試みられている。
この反応とは以下の通りである。
ッド層を有する光フアイバ母材を製造する一つの方法と
して、まずゲルマニウム（ガラスの屈折率を高めるドー
プ材料）をドープしてなる多孔質ガラス母材を既知のVA
D法により合成し、これを塩素を含む雰囲気で加熱し透
明ガラス化し、該透明ガラス化時に下記の反応により前
記多孔質ガラス母材の表面からゲルマニウムを揮散させ
クラッド層を形成する方法が従来から試みられている。
この反応とは以下の通りである。
GeO2＋２Cl2→GeCl4＋O2……（１） （１）の反応により多孔質ガラス母材のガラス化と、ゲ
ルマニウムの揮散によるクラッド層の形成と、さらには
塩素の脱水効果により多孔質ガラス母材からの脱水も同
時に行なう。しかしながらこの方法では第３図（ロ）に
示す如くコアの周辺に裾引き８、８ができて明確なクラ
ッド層ができにくい。
ルマニウムの揮散によるクラッド層の形成と、さらには
塩素の脱水効果により多孔質ガラス母材からの脱水も同
時に行なう。しかしながらこの方法では第３図（ロ）に
示す如くコアの周辺に裾引き８、８ができて明確なクラ
ッド層ができにくい。
そこで、本発明者等は塩素の代わりに酸素をキャリアガ
スとする塩化チオニルを含む雰囲気下で前記多孔質ガラ
ス母材の脱水、ゲルマニウムの揮散によるクラッド層の
形成を試みた。結果を第３図（イ）に示すようにクラッ
ド層を作ることができなかった。
スとする塩化チオニルを含む雰囲気下で前記多孔質ガラ
ス母材の脱水、ゲルマニウムの揮散によるクラッド層の
形成を試みた。結果を第３図（イ）に示すようにクラッ
ド層を作ることができなかった。
そこでさらに不活性ガス、例えばHe、Ar、N2等をキャリ
アガスとする塩化チオニルを含む雰囲気で前記多孔質ガ
ラス母材の脱水、ゲルマニウムの揮散を行った。この方
法では第３図（ハ）のようにコア１のまわりに明確なク
ラッド層２は形成できたものの、前記多孔質ガラス母材
の長手方向のガラス化時の熱履歴が異なるため（加熱炉
内の温度分布が均一でないこと等に起因する）、ガラス
化による多孔質ガラス母材の粒子表面積の減少速度が母
材の長手方向において一定とならず、すなわち、前記
（１）の反応が完了するまでの時間が前記母材の長手方
向に一定でないため、長手方向に均一な厚さのクラッド
層を形成するには至らなかった。
アガスとする塩化チオニルを含む雰囲気で前記多孔質ガ
ラス母材の脱水、ゲルマニウムの揮散を行った。この方
法では第３図（ハ）のようにコア１のまわりに明確なク
ラッド層２は形成できたものの、前記多孔質ガラス母材
の長手方向のガラス化時の熱履歴が異なるため（加熱炉
内の温度分布が均一でないこと等に起因する）、ガラス
化による多孔質ガラス母材の粒子表面積の減少速度が母
材の長手方向において一定とならず、すなわち、前記
（１）の反応が完了するまでの時間が前記母材の長手方
向に一定でないため、長手方向に均一な厚さのクラッド
層を形成するには至らなかった。
このように従来においては、VAD法により合成したゲル
マニウムをドープしてなる多孔質ガラス母材を、ガラス
化と同時に該多孔質ガラス母材の外周部からゲルマニウ
ムを揮散させクラッド層を形成しようという試みはあっ
ても成功には至っていない。
マニウムをドープしてなる多孔質ガラス母材を、ガラス
化と同時に該多孔質ガラス母材の外周部からゲルマニウ
ムを揮散させクラッド層を形成しようという試みはあっ
ても成功には至っていない。
前記問題に鑑み本発明の目的は、VAD法により合成して
なるゲルマニウム入り多孔質ガラス母材を透明ガラス化
するに際し、該透明ガラス化と同時に前記多孔質ガラス
母材の外周部からゲルマニウムを揮散せしめ、前記多孔
質ガラス母材の外周部に長手方向に均一な厚さのクラッ
ド層を容易に形成できる方法を提供することにある。
なるゲルマニウム入り多孔質ガラス母材を透明ガラス化
するに際し、該透明ガラス化と同時に前記多孔質ガラス
母材の外周部からゲルマニウムを揮散せしめ、前記多孔
質ガラス母材の外周部に長手方向に均一な厚さのクラッ
ド層を容易に形成できる方法を提供することにある。
前記目的を達成すべく本発明は、VAD法により合成した
ゲルマニウムをドープしてなる多孔質ガラス母材を塩化
物を含む無酸素雰囲気でガラス化して、該ガラス化によ
り前記多孔質ガラス母材の外周部から前記ゲルマニウム
を揮散させて前記多孔質ガラス母材の外周部に長手方向
に均一なクラッド層を形成する光フアイバ母材のガラス
化方法において、前記ガラス化に先立ち前記塩化物を含
む無酸素雰囲気とは異なる雰囲気で前記多孔質ガラス母
材を予備加熱してその収縮率を0.1〜0.7にせしめ、しか
る後前記塩化物を含む無酸素雰囲気でガラス化すること
を特徴とするものである。
ゲルマニウムをドープしてなる多孔質ガラス母材を塩化
物を含む無酸素雰囲気でガラス化して、該ガラス化によ
り前記多孔質ガラス母材の外周部から前記ゲルマニウム
を揮散させて前記多孔質ガラス母材の外周部に長手方向
に均一なクラッド層を形成する光フアイバ母材のガラス
化方法において、前記ガラス化に先立ち前記塩化物を含
む無酸素雰囲気とは異なる雰囲気で前記多孔質ガラス母
材を予備加熱してその収縮率を0.1〜0.7にせしめ、しか
る後前記塩化物を含む無酸素雰囲気でガラス化すること
を特徴とするものである。
本発明の実施例を図を参照して詳細に説明する。本発明
においては、まずゲルマニウム（ガラスの屈折率を高め
る材料）をドープしてなる多孔質ガラス母材３をVAD法
により合成する。これを抵抗加熱炉４に囲まれてなる石
英製の炉心管５に挿入し、後述するガラス化雰囲気とは
異なる雰囲気で、具体的には、塩化物を含む無酸素雰囲
気とは異なる雰囲気で、この多孔質ガラス母材の外周部
からゲルマニウムの揮散を抑制しつつ、かつこの多孔質
ガラス母材３がガラス化しないように注意しながら予備
加熱し、ガラス化後の密度に対してその密度の比が0.1
〜0.7になるように収縮せしめる。ここで前記比を収縮
率と呼ぶことにし次のように定義する。
においては、まずゲルマニウム（ガラスの屈折率を高め
る材料）をドープしてなる多孔質ガラス母材３をVAD法
により合成する。これを抵抗加熱炉４に囲まれてなる石
英製の炉心管５に挿入し、後述するガラス化雰囲気とは
異なる雰囲気で、具体的には、塩化物を含む無酸素雰囲
気とは異なる雰囲気で、この多孔質ガラス母材の外周部
からゲルマニウムの揮散を抑制しつつ、かつこの多孔質
ガラス母材３がガラス化しないように注意しながら予備
加熱し、ガラス化後の密度に対してその密度の比が0.1
〜0.7になるように収縮せしめる。ここで前記比を収縮
率と呼ぶことにし次のように定義する。
収縮率＝加熱収縮後の密度／ガラス化後の密度 尚、多孔質ガラス母材３を前記の如く収縮するにあた
り、炉心管５の中にはヘリウム、酸素及び塩化チオニル
を流し多孔質ガラス母材３から脱泡、脱水を行ってもよ
いが、この予備加熱工程では前記ガスによる雰囲気は不
可欠の条件ではない。但し、この予備加熱工程中では、
多孔質ガラス母材３の外周部からのゲルマニウムの揮散
をできるだけ抑えることが必要である。このようにして
多孔質ガラス母材３を収縮率0.1〜0.7の範囲に収縮せし
めたら、次にこれをヘリウムと、塩化チオニル等の塩化
物を含む無酸素雰囲気の炉心管５内で前記抵抗加熱炉３
により約1400℃に加熱して透明ガラス化する。
り、炉心管５の中にはヘリウム、酸素及び塩化チオニル
を流し多孔質ガラス母材３から脱泡、脱水を行ってもよ
いが、この予備加熱工程では前記ガスによる雰囲気は不
可欠の条件ではない。但し、この予備加熱工程中では、
多孔質ガラス母材３の外周部からのゲルマニウムの揮散
をできるだけ抑えることが必要である。このようにして
多孔質ガラス母材３を収縮率0.1〜0.7の範囲に収縮せし
めたら、次にこれをヘリウムと、塩化チオニル等の塩化
物を含む無酸素雰囲気の炉心管５内で前記抵抗加熱炉３
により約1400℃に加熱して透明ガラス化する。
このようにゲルマニウムをドープしてなる多孔質ガラス
母材３を塩化物を含む無酸素雰囲気で透明ガラス化する
前に予備加熱してその収縮率を0.1〜0.7にせしめると、
該多孔質ガラス母材３から脱水が充分行われると同時
に、多孔質ガラス母材３の外周部に該多孔質ガラス母材
３の長手方向にわたって均一な厚さを有する明確なるク
ラッド層２を形成することができた。その理由は本発明
にあっては予め多孔質ガラス母材３を収縮したがために
還元作用を有する塩化物が、前記多孔質ガラス母材３内
に収縮前の多孔質ガラス母材３に対してより入り込みに
くくなり、その結果前述した（１）の反応がゆるやかに
行われ、さらに既に収縮が前工程である程度進んでいる
ため、透明ガラス化が速やかに進行する。すなわち、前
述した（１）の反応が多孔質ガラス母材３の長手方向に
一定速度で進行し、もってこの反応の停止が均一に完了
する。その結果仮に多孔質ガラス母材３にあってガラス
化時その長手方向に多少の熱履歴の相違等があっても長
手方向に均一なるクラッド層２が形成できるものと推定
される。これに対して従来の方法にあっては、多孔質ガ
ラス母材３がなんら収縮していないため塩化物が急激に
前記多孔質ガラス母材３内に取り込まれ、前記（１）の
反応が急激に起こり、この反応の完了までの時間やその
度合が多孔質ガラス母材３の長手方向において異なる。
その結果母材長手方向のゲルマニウムの揮散にばらつき
が生じ、均一なるクラッド層２を作ることができない、
と考えられる。尚、VAD法により多孔質ガラス母材３を
合成する際、堆積面温度を高めると予め収縮した多孔質
ガラス母材３を得ることができるが、この方法では良好
な屈折率分布が得られず不適であった。
母材３を塩化物を含む無酸素雰囲気で透明ガラス化する
前に予備加熱してその収縮率を0.1〜0.7にせしめると、
該多孔質ガラス母材３から脱水が充分行われると同時
に、多孔質ガラス母材３の外周部に該多孔質ガラス母材
３の長手方向にわたって均一な厚さを有する明確なるク
ラッド層２を形成することができた。その理由は本発明
にあっては予め多孔質ガラス母材３を収縮したがために
還元作用を有する塩化物が、前記多孔質ガラス母材３内
に収縮前の多孔質ガラス母材３に対してより入り込みに
くくなり、その結果前述した（１）の反応がゆるやかに
行われ、さらに既に収縮が前工程である程度進んでいる
ため、透明ガラス化が速やかに進行する。すなわち、前
述した（１）の反応が多孔質ガラス母材３の長手方向に
一定速度で進行し、もってこの反応の停止が均一に完了
する。その結果仮に多孔質ガラス母材３にあってガラス
化時その長手方向に多少の熱履歴の相違等があっても長
手方向に均一なるクラッド層２が形成できるものと推定
される。これに対して従来の方法にあっては、多孔質ガ
ラス母材３がなんら収縮していないため塩化物が急激に
前記多孔質ガラス母材３内に取り込まれ、前記（１）の
反応が急激に起こり、この反応の完了までの時間やその
度合が多孔質ガラス母材３の長手方向において異なる。
その結果母材長手方向のゲルマニウムの揮散にばらつき
が生じ、均一なるクラッド層２を作ることができない、
と考えられる。尚、VAD法により多孔質ガラス母材３を
合成する際、堆積面温度を高めると予め収縮した多孔質
ガラス母材３を得ることができるが、この方法では良好
な屈折率分布が得られず不適であった。
以下に本発明の具体例を示す。尚使用したゲルマニウム
ドープド多孔質ガラス母材３はすべて既知のVAD法によ
り合成したものである。
ドープド多孔質ガラス母材３はすべて既知のVAD法によ
り合成したものである。
具体例−１ 前記多孔質ガラス母材３をまず炉内最高温度が1300〜15
00℃（適温は約1400℃）でその前後に適当な温度分布を
有する抵抗加熱炉４により囲まれた石英製の炉心管５内
に毎分100〜1000mm/min（最適値700mm/min）の速さで一
度昇降させ、前記多孔質ガラス母材３の収縮率を0.4に
せしめた。ここで前記炉心管５内にはヘリウム、塩化チ
オニルおよび酸素を流しておいたが、これらガスは無く
てもよいが、予め脱水処理を行っておく意味からあった
方が好ましい。尚、前記の如くヘリウムと塩化チオニル
を流す場合には、多孔質ガラス母材３中のゲルマニウム
が塩化物となって多孔質ガラス母材３の外周部から揮散
するのを防止すべく酸素は不可欠である。その理由は、
酸素の存在がゲルマニウムの塩化物化を阻止するからで
ある。
00℃（適温は約1400℃）でその前後に適当な温度分布を
有する抵抗加熱炉４により囲まれた石英製の炉心管５内
に毎分100〜1000mm/min（最適値700mm/min）の速さで一
度昇降させ、前記多孔質ガラス母材３の収縮率を0.4に
せしめた。ここで前記炉心管５内にはヘリウム、塩化チ
オニルおよび酸素を流しておいたが、これらガスは無く
てもよいが、予め脱水処理を行っておく意味からあった
方が好ましい。尚、前記の如くヘリウムと塩化チオニル
を流す場合には、多孔質ガラス母材３中のゲルマニウム
が塩化物となって多孔質ガラス母材３の外周部から揮散
するのを防止すべく酸素は不可欠である。その理由は、
酸素の存在がゲルマニウムの塩化物化を阻止するからで
ある。
このように多孔質ガラス母材３を収縮せしめたらこれを
前記炉心管５内に再度180mm/minの速度で下降せしめて
透明ガラス化した。このとき前記炉心管５内にはヘリウ
ム40l/min、塩化チオニル0.5l/minを流しておいた。こ
のようにして得た光フアイバ母材におけるクラッド外径
／コア外径の比率を前記光フアイバ母材の長手方向にわ
たって調べたら第１図の○印で示す如く長手方向に均一
な分布になった。
前記炉心管５内に再度180mm/minの速度で下降せしめて
透明ガラス化した。このとき前記炉心管５内にはヘリウ
ム40l/min、塩化チオニル0.5l/minを流しておいた。こ
のようにして得た光フアイバ母材におけるクラッド外径
／コア外径の比率を前記光フアイバ母材の長手方向にわ
たって調べたら第１図の○印で示す如く長手方向に均一
な分布になった。
具体例−２ 前記多孔質ガラス母材３をまず炉内最高温度を約1100℃
に設定した抵抗加熱炉４により囲まれた石英製の炉心管
５内で予備加熱してその収縮率を0.7にせしめた。ここ
で前記炉心管５内にはなんらガスは流さなかった。
に設定した抵抗加熱炉４により囲まれた石英製の炉心管
５内で予備加熱してその収縮率を0.7にせしめた。ここ
で前記炉心管５内にはなんらガスは流さなかった。
このようにして多孔質ガラス母材３を収縮せしめたらこ
れを炉内最高温度を約1400℃に設定した前記炉心管５内
に150mm/minの速度で下降せしめて透明ガラス化した。
このとき前記炉心管５内は前記具体例−１と同様に無酸
素雰囲気とし、かつヘリウム40l/min、塩化チオニル0.5
l/minを流しておいた。このようにして得た光フアイバ
母材におけるクラッド外径／コア外径の比率を前記光フ
アイバ母材の長手方向にわたって調べたら第１図の□印
で示すごとく長手方向に均一な分布になった。
れを炉内最高温度を約1400℃に設定した前記炉心管５内
に150mm/minの速度で下降せしめて透明ガラス化した。
このとき前記炉心管５内は前記具体例−１と同様に無酸
素雰囲気とし、かつヘリウム40l/min、塩化チオニル0.5
l/minを流しておいた。このようにして得た光フアイバ
母材におけるクラッド外径／コア外径の比率を前記光フ
アイバ母材の長手方向にわたって調べたら第１図の□印
で示すごとく長手方向に均一な分布になった。
尚、前記具体例−１及び具体例−２における予備加熱方
法の他にも、例えばVAD法により多孔質ガラス母材３を
形成する際に合成用バーナの上段に予備加熱用のバーナ
を設け、多孔質ガラス母材３の合成と予備加熱を同時に
行う方法もある。また予備加熱用の加熱炉４と透明ガラ
ス化用加熱炉４を別個に設けて各々を別工程でやっても
よい。さらに加熱炉としては本実施例の抵抗加熱炉４以
外にも高周波加熱炉、カーボン加熱炉又はシリコニット
加熱炉等が使用できる。
法の他にも、例えばVAD法により多孔質ガラス母材３を
形成する際に合成用バーナの上段に予備加熱用のバーナ
を設け、多孔質ガラス母材３の合成と予備加熱を同時に
行う方法もある。また予備加熱用の加熱炉４と透明ガラ
ス化用加熱炉４を別個に設けて各々を別工程でやっても
よい。さらに加熱炉としては本実施例の抵抗加熱炉４以
外にも高周波加熱炉、カーボン加熱炉又はシリコニット
加熱炉等が使用できる。
また多孔質ガラス母材３の収縮率を0.1〜0.7に限定する
理由は、0.7より大きいと、多孔質ガラス母材３の一部
が焼結してしまい、その結果塩化物が多孔質ガラス母材
３の中に入っていくことができず、第１図の▲印のよう
にクラッド層２の形成がほとんどできなくなる。つまり
ゲルマニウムの揮散もさらには脱水も行うことができな
くなる。一方収縮率が0.1だと第１図の☆印の如くまだ
かなり安定した厚さのクラッド層２を形成できるが、0.
05になると第１図の△印が示すように多孔質ガラス母材
３のガラス化時の熱履歴が一般に安定しない母材両端部
で均一な厚さのクラッド層２を形成できない。つまり収
縮率が0.1未満になると多孔質ガラス母材３内に塩化物
のガスが急激に入ってしまい、前述の（１）の反応の完
了までの時間や度合が不安定で、形成されるクラッド層
２の厚さは母材３の長手方向に均一にならない。
理由は、0.7より大きいと、多孔質ガラス母材３の一部
が焼結してしまい、その結果塩化物が多孔質ガラス母材
３の中に入っていくことができず、第１図の▲印のよう
にクラッド層２の形成がほとんどできなくなる。つまり
ゲルマニウムの揮散もさらには脱水も行うことができな
くなる。一方収縮率が0.1だと第１図の☆印の如くまだ
かなり安定した厚さのクラッド層２を形成できるが、0.
05になると第１図の△印が示すように多孔質ガラス母材
３のガラス化時の熱履歴が一般に安定しない母材両端部
で均一な厚さのクラッド層２を形成できない。つまり収
縮率が0.1未満になると多孔質ガラス母材３内に塩化物
のガスが急激に入ってしまい、前述の（１）の反応の完
了までの時間や度合が不安定で、形成されるクラッド層
２の厚さは母材３の長手方向に均一にならない。
前述の如く本発明によれば、VAD法により合成されてな
るゲルマニウム入り多孔質ガラス母材を透明ガラス化す
るに際し、該透明ガラス化と同時に前記多孔質ガラス母
材の外周部からゲルマニウムを揮散せしめ、前記多孔質
ガラス母材の外周部に長手方向に均一なクラッド層を容
易に形成できる。
るゲルマニウム入り多孔質ガラス母材を透明ガラス化す
るに際し、該透明ガラス化と同時に前記多孔質ガラス母
材の外周部からゲルマニウムを揮散せしめ、前記多孔質
ガラス母材の外周部に長手方向に均一なクラッド層を容
易に形成できる。
第１図は本発明で得られた光フアイバ母材及び比較例と
して挙げた光フアイバ母材のクラッド層の厚さ／コアの
半径の比を長手方向に調査した結果を示すグラフ、第２
図は本発明により多孔質ガラス母材を予備加熱する装置
の一実施例を示す概略図、第３図は従来方法により得ら
れる各光フアイバ母材の屈折率分布を示すグラフであ
る。 １〜コア、２〜クラッド層、３〜多孔質ガラス母材、４
〜抵抗加熱炉、５〜炉心管
して挙げた光フアイバ母材のクラッド層の厚さ／コアの
半径の比を長手方向に調査した結果を示すグラフ、第２
図は本発明により多孔質ガラス母材を予備加熱する装置
の一実施例を示す概略図、第３図は従来方法により得ら
れる各光フアイバ母材の屈折率分布を示すグラフであ
る。 １〜コア、２〜クラッド層、３〜多孔質ガラス母材、４
〜抵抗加熱炉、５〜炉心管
Claims (1)
- 【請求項１】VAD法により合成したゲルマニウムをドー
プしてなる多孔質ガラス母材を塩化物を含む無酸素雰囲
気でガラス化して、該ガラス化により前記多孔質ガラス
母材の外周部から前記ゲルマニウムを揮散させて前記多
孔質ガラス母材の外周部に長手方向に均一なクラッド層
を形成する光フアイバ母材のガラス化方法において、前
記ガラス化に先立ち前記塩化物を含む無酸素雰囲気とは
異なる雰囲気で前記多孔質ガラス母材を予備加熱してそ
の収縮率を0.1〜0.7にせしめ、しかる後前記塩化物を含
む無酸素雰囲気でガラス化することを特徴とする光フア
イバ母材のガラス化方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60168035A JPH0699163B2 (ja) | 1985-07-30 | 1985-07-30 | 光フアイバ母材のガラス化方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60168035A JPH0699163B2 (ja) | 1985-07-30 | 1985-07-30 | 光フアイバ母材のガラス化方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6230636A JPS6230636A (ja) | 1987-02-09 |
| JPH0699163B2 true JPH0699163B2 (ja) | 1994-12-07 |
Family
ID=15860609
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60168035A Expired - Fee Related JPH0699163B2 (ja) | 1985-07-30 | 1985-07-30 | 光フアイバ母材のガラス化方法 |
Country Status (1)
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