JPH04164345A - 樹脂封止半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
樹脂封止半導体装置およびその製造方法Info
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- JPH04164345A JPH04164345A JP2292408A JP29240890A JPH04164345A JP H04164345 A JPH04164345 A JP H04164345A JP 2292408 A JP2292408 A JP 2292408A JP 29240890 A JP29240890 A JP 29240890A JP H04164345 A JPH04164345 A JP H04164345A
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- resin
- semiconductor chip
- electrode
- semiconductor device
- electrodes
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/531—Shapes of wire connectors
- H10W72/536—Shapes of wire connectors the connected ends being ball-shaped
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/531—Shapes of wire connectors
- H10W72/5363—Shapes of wire connectors the connected ends being wedge-shaped
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
-
- H—ELECTRICITY
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、金属ワイヤを有しない樹脂打止半導体装置お
よびその製造方法に関する。
よびその製造方法に関する。
従来の技術
以下、従来の樹脂封止半導体装置について説明する。
第2図(a>〜(c)は従来の樹脂打止半導体装置の組
立工程断面図であり、1はリード、2は半導体チップ、
3は金などの金属ワイヤ、4は絶縁性の樹脂である。
立工程断面図であり、1はリード、2は半導体チップ、
3は金などの金属ワイヤ、4は絶縁性の樹脂である。
まず第2図(a)に示すように、リード1上に半導体チ
ップ2を接着した後に、半導体チップ2上の電極とリー
ド1の間を金ワイヤ3で接続する。
ップ2を接着した後に、半導体チップ2上の電極とリー
ド1の間を金ワイヤ3で接続する。
次に第2図(b)に示すように樹脂4で封止する。
さらに第2図(C)に示すようにリード1を切断し曲げ
加工を行なう。
加工を行なう。
発明が解決しようとする課題
このような従来の樹脂打止半導体装置では、樹脂4によ
る封止の際、複数の金ワイヤ3どうしの接触や金ワイヤ
3の剥れおよびリード1の加工精度等のため、小型化に
限界があるという問題かあった。例えば現時点てはり一
ド1のビンのピッチは0.5−である。
る封止の際、複数の金ワイヤ3どうしの接触や金ワイヤ
3の剥れおよびリード1の加工精度等のため、小型化に
限界があるという問題かあった。例えば現時点てはり一
ド1のビンのピッチは0.5−である。
本発明は上記従来の課題を解決するもので、より小型の
樹脂封止半導体装置を製造するために金属ワイヤの不要
な樹脂封止半導体装置を提供することを目的とする。
樹脂封止半導体装置を製造するために金属ワイヤの不要
な樹脂封止半導体装置を提供することを目的とする。
課題を解決するための手段
本発明は上記目的を達成するために、金バンプ等を電極
とした半導体チップと、その半導体チ、。
とした半導体チップと、その半導体チ、。
ブの下面に接着したリードと、そのリードおよび前記電
極上部を除いた半導体チップを封止した絶縁体の樹脂と
、絶縁体の樹脂が除かれた前記半導体チップの電極上に
形成された外部接続用の電極とを有する構成よりなる。
極上部を除いた半導体チップを封止した絶縁体の樹脂と
、絶縁体の樹脂が除かれた前記半導体チップの電極上に
形成された外部接続用の電極とを有する構成よりなる。
作用
本発明は上記構成により、樹脂封止半導体装置の外部電
極のピッチを小さくでき、しかも外部電極にリードを用
いないため、従来より小型の樹脂封止半導体装置を製造
することが可能となる。
極のピッチを小さくでき、しかも外部電極にリードを用
いないため、従来より小型の樹脂封止半導体装置を製造
することが可能となる。
実施例
以下、本発明の一実施例について図面を参照しながら説
明する。
明する。
第1図Ca)〜(e)は本発明の一実施例における樹脂
封止半導体装置の工程断面図を示すものである。
封止半導体装置の工程断面図を示すものである。
図において、11はリード、12は半導体チ・ツブ、1
3は金バンプ等の半導体チ・ツブ12の電極、14は絶
縁性の樹脂、15は金メ・ツキ等の外部接続用の電極で
ある。
3は金バンプ等の半導体チ・ツブ12の電極、14は絶
縁性の樹脂、15は金メ・ツキ等の外部接続用の電極で
ある。
製造工程としては、まず第1図(a)に示すよう ゛に
、金バンプ13を電極とした半導体チ・ツブ12をリー
ド11に接着する。
、金バンプ13を電極とした半導体チ・ツブ12をリー
ド11に接着する。
次に第1図(b)に示すように樹脂14を用む)封止を
行なう。
行なう。
さらに第1図(C)に示すように半導体チ・ツブ12の
金バンプ13上の樹脂を除去する。このため、半導体チ
ップ12はリード11上の定められた位置に接着されな
ければならない。しかし実際(こ(よずれが生じるため
、X線透視装置を用L1半導体チップ12の、金バンプ
13を検出する。また樹脂を部分的に除去するために、
その他の部分を硝酸により分解しないレジストで被覆し
上記方法により検出した電極13上の樹脂を発煙硝酸に
、より化学的に除去する。微細な樹脂の穴を開孔するに
は、電極13上の樹脂の膜厚は品質等に問題ない範囲で
てきるだけ薄くしなければならない。このとき、金バン
プ13は半導体チップを発煙硝酸より保護するのに有効
に働く。
金バンプ13上の樹脂を除去する。このため、半導体チ
ップ12はリード11上の定められた位置に接着されな
ければならない。しかし実際(こ(よずれが生じるため
、X線透視装置を用L1半導体チップ12の、金バンプ
13を検出する。また樹脂を部分的に除去するために、
その他の部分を硝酸により分解しないレジストで被覆し
上記方法により検出した電極13上の樹脂を発煙硝酸に
、より化学的に除去する。微細な樹脂の穴を開孔するに
は、電極13上の樹脂の膜厚は品質等に問題ない範囲で
てきるだけ薄くしなければならない。このとき、金バン
プ13は半導体チップを発煙硝酸より保護するのに有効
に働く。
その後に電極13上にメツキ等の手法を用い外部接続用
の電極15を第1図(d)に示すように設ける。
の電極15を第1図(d)に示すように設ける。
最後に第1図(e)に示すようにリード11を切断し、
金属ワイヤを有しない樹脂封止半導体装置の構成が可能
となる。
金属ワイヤを有しない樹脂封止半導体装置の構成が可能
となる。
以上のように本実施例によれば、半導体チップ12は金
などの金属ワイヤを用いずに半導体チップ12の電極1
3を外部に取り出すことかでき、しかも金属ワイヤやリ
ード11の持つ小型化に伴う問題を回避することにより
、従来より小型の樹脂封止半導体装置を構成できる。
などの金属ワイヤを用いずに半導体チップ12の電極1
3を外部に取り出すことかでき、しかも金属ワイヤやリ
ード11の持つ小型化に伴う問題を回避することにより
、従来より小型の樹脂封止半導体装置を構成できる。
発明の効果
以上の実施例から明らかなように本発明によれば金バン
プ等を電極とした半導体チップと、その半導体チップの
下面に接着したリードと、そのリードおよび前記電極上
部を除いた半導体チップを封止した絶縁性の樹脂と、絶
縁性の樹脂が除かれた半導体チップの電極に形成された
外部接続用の電極とを有する構成であるから、金などの
金属ワイヤを用いずに樹脂封止半導体装置を構成するこ
とができ、信頼性が高く小型、高性能の樹脂封止半導体
装置を提供できる。
プ等を電極とした半導体チップと、その半導体チップの
下面に接着したリードと、そのリードおよび前記電極上
部を除いた半導体チップを封止した絶縁性の樹脂と、絶
縁性の樹脂が除かれた半導体チップの電極に形成された
外部接続用の電極とを有する構成であるから、金などの
金属ワイヤを用いずに樹脂封止半導体装置を構成するこ
とができ、信頼性が高く小型、高性能の樹脂封止半導体
装置を提供できる。
第1図(a)〜(e)は本発明の一実施例における樹脂
封止半導体装置の組立工程の工程断面図、第2図(a)
〜(C)は従来の樹脂封止半導体装置の組立工程の工程
断面図である。 11・・・・・・リード、12・・・・・・半導体チッ
プ、13・・・・・・金バンプ(電極)、14・・・・
・・絶縁性の樹脂、15・・・・・・外部接続用の電極
。 代理人の氏名 弁理士小蝦治明 ほか2名第1図 第21”?1
封止半導体装置の組立工程の工程断面図、第2図(a)
〜(C)は従来の樹脂封止半導体装置の組立工程の工程
断面図である。 11・・・・・・リード、12・・・・・・半導体チッ
プ、13・・・・・・金バンプ(電極)、14・・・・
・・絶縁性の樹脂、15・・・・・・外部接続用の電極
。 代理人の氏名 弁理士小蝦治明 ほか2名第1図 第21”?1
Claims (2)
- (1)金バンプ等を電極とした半導体チップと、その半
導体チップの下面に接着したリードと、 そのリードおよび前記電極の上部を除いた半導体チップ
を封止した絶縁性の樹脂と、 絶縁性の樹脂が除かれた前記半導体チップの電極上に形
成された外部接続用の電極と を少なくとも有する樹脂封止半導体装置。 - (2)金バンプ等を電極とする半導体チップをリードに
接着する工程と、そのリードおよび半導体チップを樹脂
封止する工程と、前記半導体チップの電極上部の封止樹
脂を除去する工程と、その樹脂を除去した半導体チップ
の電極に外部接続のための電極を取り付ける工程とを有
する樹脂封止半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2292408A JPH04164345A (ja) | 1990-10-29 | 1990-10-29 | 樹脂封止半導体装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2292408A JPH04164345A (ja) | 1990-10-29 | 1990-10-29 | 樹脂封止半導体装置およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04164345A true JPH04164345A (ja) | 1992-06-10 |
Family
ID=17781400
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2292408A Pending JPH04164345A (ja) | 1990-10-29 | 1990-10-29 | 樹脂封止半導体装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04164345A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5893724A (en) * | 1995-10-28 | 1999-04-13 | Institute Of Microelectronics | Method for forming a highly reliable and planar ball grid array package |
| KR20020057358A (ko) * | 2001-01-04 | 2002-07-11 | 마이클 디. 오브라이언 | 멀티칩 모듈 패키지 및 제조방법 |
-
1990
- 1990-10-29 JP JP2292408A patent/JPH04164345A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5893724A (en) * | 1995-10-28 | 1999-04-13 | Institute Of Microelectronics | Method for forming a highly reliable and planar ball grid array package |
| KR20020057358A (ko) * | 2001-01-04 | 2002-07-11 | 마이클 디. 오브라이언 | 멀티칩 모듈 패키지 및 제조방법 |
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