JPH04167710A - 陽極酸化を用いたすだれ状電極弾性表面波変換器及び電子機能素子の作製法 - Google Patents
陽極酸化を用いたすだれ状電極弾性表面波変換器及び電子機能素子の作製法Info
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- JPH04167710A JPH04167710A JP29410390A JP29410390A JPH04167710A JP H04167710 A JPH04167710 A JP H04167710A JP 29410390 A JP29410390 A JP 29410390A JP 29410390 A JP29410390 A JP 29410390A JP H04167710 A JPH04167710 A JP H04167710A
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Landscapes
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、電極間を陽極酸化、金属の酸化などにより得
られる誘電体膜で分離した構造のギャップの狭い構造、
及び多層電極配線法を用いたすだれ状電極電極弾性表面
波変換器、及び電子機能素子の作製法に関する。 圧電
基板上に設けたすだれ状電極弾性表面波変換器は、電極
幅と電極間のギャップ即ちラインアンドスペース比が１
．Ｉのものが一般的である。また、超高周波帯でのすだ
れ状電極のマスクパターンの作製ではラインアントスペ
ース比力月 １のものが基本動作で最も超高周波を励振
するのに作製しやすい方法である。
られる誘電体膜で分離した構造のギャップの狭い構造、
及び多層電極配線法を用いたすだれ状電極電極弾性表面
波変換器、及び電子機能素子の作製法に関する。 圧電
基板上に設けたすだれ状電極弾性表面波変換器は、電極
幅と電極間のギャップ即ちラインアンドスペース比が１
．Ｉのものが一般的である。また、超高周波帯でのすだ
れ状電極のマスクパターンの作製ではラインアントスペ
ース比力月 １のものが基本動作で最も超高周波を励振
するのに作製しやすい方法である。
また、従来の電極は、マスクパターンのボッ部が電極、
ネガ部がギャップ或いは逆にネガ部が電極、ポジ部がギ
ャップのいずれかの方法を利用してすだれ状電極が作製
されている。また、電子ビーム直接露光などの場合も同
様にビーム照射部が電極部、照射されなかった部分がギ
ャップ或いは逆の方法で作製されている。そのため、基
本波動作でマスクパターンの線幅とギャップは最も広い
線幅の得られるλ／４（λ 弾性表面波の動作中心周波
数での波長）に近いものが用いられている。従って、マ
スクパターンの線幅は基本波動作でほぼλ／４である。
ネガ部がギャップ或いは逆にネガ部が電極、ポジ部がギ
ャップのいずれかの方法を利用してすだれ状電極が作製
されている。また、電子ビーム直接露光などの場合も同
様にビーム照射部が電極部、照射されなかった部分がギ
ャップ或いは逆の方法で作製されている。そのため、基
本波動作でマスクパターンの線幅とギャップは最も広い
線幅の得られるλ／４（λ 弾性表面波の動作中心周波
数での波長）に近いものが用いられている。従って、マ
スクパターンの線幅は基本波動作でほぼλ／４である。
電極間のギャップを作製する方法として従来のレジスト
のボッ部或いはネガ部を用いないで作製する方法として
、陽極酸化法が既に考案されている。また、陽極酸化電
源に接続さた導電体膜の表面からある深さ迄が誘電体化
されるのに対し、接続されなかった導電体膜が変化しな
いことを用いた多層電極配線法が、考案されているが、
本発明は、陽極酸化により電極間を分離する方法と最初
の電極の一部のある深さまでを陽極酸化して誘電体化し
た後、外の部分の電極と取り出し電極を付着さる方法、
及びレジストの丁の導電性電極の端部を陽極酸化する方
法とその後に付着させた導電性膜を陽極酸化によりその
表面からある深さまでを陽極酸化した後、マスクを用い
て取り出し電極を付着させる構造の電極間を分離と取り
出し電極をもつすだれ状電極弾性表面波変換器、及びそ
の陽極酸化法の陽極酸化液として、硫酸液などの酸性の
液を用いて多孔質膜を得る方法、中性の液を用いて無孔
質の膜を得る方法、及び最初に硫酸液などお用いて、多
孔質性の陽極酸化誘電体膜を作製した後、次にエチレン
グリコール・四はう酸アンモニュウム飽和液などを用い
て、無孔質膜の陽極酸化誘電体膜を作製する方法によっ
て、高性能の弾性表面波変換器及び電子機能素子の作製
法に関するものである。
のボッ部或いはネガ部を用いないで作製する方法として
、陽極酸化法が既に考案されている。また、陽極酸化電
源に接続さた導電体膜の表面からある深さ迄が誘電体化
されるのに対し、接続されなかった導電体膜が変化しな
いことを用いた多層電極配線法が、考案されているが、
本発明は、陽極酸化により電極間を分離する方法と最初
の電極の一部のある深さまでを陽極酸化して誘電体化し
た後、外の部分の電極と取り出し電極を付着さる方法、
及びレジストの丁の導電性電極の端部を陽極酸化する方
法とその後に付着させた導電性膜を陽極酸化によりその
表面からある深さまでを陽極酸化した後、マスクを用い
て取り出し電極を付着させる構造の電極間を分離と取り
出し電極をもつすだれ状電極弾性表面波変換器、及びそ
の陽極酸化法の陽極酸化液として、硫酸液などの酸性の
液を用いて多孔質膜を得る方法、中性の液を用いて無孔
質の膜を得る方法、及び最初に硫酸液などお用いて、多
孔質性の陽極酸化誘電体膜を作製した後、次にエチレン
グリコール・四はう酸アンモニュウム飽和液などを用い
て、無孔質膜の陽極酸化誘電体膜を作製する方法によっ
て、高性能の弾性表面波変換器及び電子機能素子の作製
法に関するものである。
第１図のように、絶縁性の基板或は圧電性の基板或は圧
電性薄膜をもつ基板或は半絶縁性の基板或いは半導体基
板１上に導電性膜２を付着さる第】の工程と、レジスト
を塗布し、フォトマスクによる露光或いは電子ビーム露
光などによりレジストを露光・現像して第１の電極用の
レジスト膜３を得る第２の工程と、導電性膜をほぼレジ
ストの幅或いはやや狭い幅にエツチングにより除去して
電極４を得る第３の工程と、レジストに被われていない
部分及びレジストの下のその端部から入り込んだ部分の
導電性膜４を陽極酸化、金属の酸化などにより、誘電体
化して誘電体膜５を得る第４の工程と、フォトマスク露
光或いは電子ビーム露光などにより最初のレジストの一
部を露光・現像して第２の取り出し電極用の窓６を得る
第５の工程と、レジストに被われていない部分のある深
さまで及びレジストの下のその端部から入り込んだ部分
の導電性膜４を陽極酸化、金属の酸化などにより、誘電
体化して誘電体膜７を得る第６の工程と、導電性膜を付
着させるて導電性膜８を得る第７の工程とレジストを除
去して得られる導電性膜４と導電性膜８との間が幅の狭
い誘電体膜５と誘電体膜７で分離され、かつ取り出し電
極９と電極８とが接続された構造の微小ギャップをもつ
すだれ状電極弾性表面波変換器及び電子機能素子を作製
することにより高性能機能素子が得られる。
電性薄膜をもつ基板或は半絶縁性の基板或いは半導体基
板１上に導電性膜２を付着さる第】の工程と、レジスト
を塗布し、フォトマスクによる露光或いは電子ビーム露
光などによりレジストを露光・現像して第１の電極用の
レジスト膜３を得る第２の工程と、導電性膜をほぼレジ
ストの幅或いはやや狭い幅にエツチングにより除去して
電極４を得る第３の工程と、レジストに被われていない
部分及びレジストの下のその端部から入り込んだ部分の
導電性膜４を陽極酸化、金属の酸化などにより、誘電体
化して誘電体膜５を得る第４の工程と、フォトマスク露
光或いは電子ビーム露光などにより最初のレジストの一
部を露光・現像して第２の取り出し電極用の窓６を得る
第５の工程と、レジストに被われていない部分のある深
さまで及びレジストの下のその端部から入り込んだ部分
の導電性膜４を陽極酸化、金属の酸化などにより、誘電
体化して誘電体膜７を得る第６の工程と、導電性膜を付
着させるて導電性膜８を得る第７の工程とレジストを除
去して得られる導電性膜４と導電性膜８との間が幅の狭
い誘電体膜５と誘電体膜７で分離され、かつ取り出し電
極９と電極８とが接続された構造の微小ギャップをもつ
すだれ状電極弾性表面波変換器及び電子機能素子を作製
することにより高性能機能素子が得られる。
第２図のように、絶縁性の基板或は圧電性の基板或は圧
電性薄膜をもつ基板或は半絶縁性の基板或いは半導体基
板１上に導電性膜２を付着さる第１の工程と、レジスト
を塗布し、フォトマスクによる露光或いは電子ビーム露
光などにより第１の電極用のレジストを露光・現像して
レジスト膜３を得る第２の工程と、導電性膜をほぼレジ
ストの幅或いはやや狭い幅にエツチングにより除去して
電極４を得る第３の工程と、レジストに被われていない
部分及びレジストの下のその端部から入り込んだ部分の
導電性ｖ１４を陽極酸化、金属の酸化などにより、誘電
体化して誘電体膜５を得る第４の工程と、導電性膜を付
着させるて導電性膜１０を得る第９の工程と、レジスト
に被われていない部分のある深ざまで及びレジストの下
のその端部−７＝ から入り込んだ部分の導電性膜１０を陽極酸化、金属の
酸化などにより、誘電体化して誘電体膜１１を得る第１
Ｏの工程と、レジストを除去する第１４の工程と、レジ
ストを塗布し、フォトマスク露光或いは電子ビーム露光
などによりレジストの一部を露光・現像して第２の取り
出し電極用の窓１２を得る第１２の工程と、導電性膜１
３を付着させる第１３の工程とレジストを除去して得ら
れる導電性Ｍ４と導電性ＨＩＯとの間が幅の狭い誘電体
膜５と誘電体膜１１で分離され、かつ取り出し電極１３
と電極ＩＯとが接続された構造の微小ギャップをもつす
だれ状電極弾性表面波変換器及び電子機能素子を作製す
ることにより、高性能機能素子が得られる。
電性薄膜をもつ基板或は半絶縁性の基板或いは半導体基
板１上に導電性膜２を付着さる第１の工程と、レジスト
を塗布し、フォトマスクによる露光或いは電子ビーム露
光などにより第１の電極用のレジストを露光・現像して
レジスト膜３を得る第２の工程と、導電性膜をほぼレジ
ストの幅或いはやや狭い幅にエツチングにより除去して
電極４を得る第３の工程と、レジストに被われていない
部分及びレジストの下のその端部から入り込んだ部分の
導電性ｖ１４を陽極酸化、金属の酸化などにより、誘電
体化して誘電体膜５を得る第４の工程と、導電性膜を付
着させるて導電性膜１０を得る第９の工程と、レジスト
に被われていない部分のある深ざまで及びレジストの下
のその端部−７＝ から入り込んだ部分の導電性膜１０を陽極酸化、金属の
酸化などにより、誘電体化して誘電体膜１１を得る第１
Ｏの工程と、レジストを除去する第１４の工程と、レジ
ストを塗布し、フォトマスク露光或いは電子ビーム露光
などによりレジストの一部を露光・現像して第２の取り
出し電極用の窓１２を得る第１２の工程と、導電性膜１
３を付着させる第１３の工程とレジストを除去して得ら
れる導電性Ｍ４と導電性ＨＩＯとの間が幅の狭い誘電体
膜５と誘電体膜１１で分離され、かつ取り出し電極１３
と電極ＩＯとが接続された構造の微小ギャップをもつす
だれ状電極弾性表面波変換器及び電子機能素子を作製す
ることにより、高性能機能素子が得られる。
また、特許請求の範囲第１項及び第２項において、第４
の工程を省略する方法により得られる微小ギャップをも
つすだれ状電極弾性表面波変換器及び電子機能素子の作
製法も本特許に含まれる。
の工程を省略する方法により得られる微小ギャップをも
つすだれ状電極弾性表面波変換器及び電子機能素子の作
製法も本特許に含まれる。
また、特許請求の範囲第１項及び第２項及び第３項にお
いて、陽極酸化法として、多孔質構造の膜を得る陽極酸
化法、無孔質の膜を得る陽極酸化法、及び最初に多孔質
構造の誘電体膜を作製し、その後無孔質膜を作製する２
段階の陽極酸化法を用いたすだれ状電極及び電子機能素
子であって、レジストの露光後の構造が、オーバーハン
グ構造となる作製法も含まれるすだれ状電極弾性表面波
変換器及び電子機能素子の作製法も本特許に含まれるも
のとする。
いて、陽極酸化法として、多孔質構造の膜を得る陽極酸
化法、無孔質の膜を得る陽極酸化法、及び最初に多孔質
構造の誘電体膜を作製し、その後無孔質膜を作製する２
段階の陽極酸化法を用いたすだれ状電極及び電子機能素
子であって、レジストの露光後の構造が、オーバーハン
グ構造となる作製法も含まれるすだれ状電極弾性表面波
変換器及び電子機能素子の作製法も本特許に含まれるも
のとする。
以上の本特許の方法により、作製法の例として示した第
１図のようなグループ型一方向性すだれ状電極（ＧＵＤ
Ｔ）を用いた低損失弾性波′面波フィルタを得ることが
できる。また、作製法の例として示した第２図のような
集積型の弾性表面波変換器（ＩＩＤＴ）を用いた低損失
フィルタを得ることができる。このような作製法を用い
た構造とすることにより、従来はＧＵＤＴ及びＩＩＤＴ
などでは、ミャンダーライン構造のアース電極を必要と
したのに対し、最短距離のアース電極で接続することが
できるので、抵抗損失を小さくすることができる。更に
、ＩＩＤＴ構造では、同一線幅のマスクパターンで２倍
の周波数のフィルタを得ることができる。
１図のようなグループ型一方向性すだれ状電極（ＧＵＤ
Ｔ）を用いた低損失弾性波′面波フィルタを得ることが
できる。また、作製法の例として示した第２図のような
集積型の弾性表面波変換器（ＩＩＤＴ）を用いた低損失
フィルタを得ることができる。このような作製法を用い
た構造とすることにより、従来はＧＵＤＴ及びＩＩＤＴ
などでは、ミャンダーライン構造のアース電極を必要と
したのに対し、最短距離のアース電極で接続することが
できるので、抵抗損失を小さくすることができる。更に
、ＩＩＤＴ構造では、同一線幅のマスクパターンで２倍
の周波数のフィルタを得ることができる。
陽極酸化誘電体膜の耐圧の実験結果、誘電体膜厚が、０
．０５μｍの場合、多孔質膜では、１５ｖ、無孔質膜で
は、３０Ｖが得られている。
．０５μｍの場合、多孔質膜では、１５ｖ、無孔質膜で
は、３０Ｖが得られている。
第１図は、圧電体基板或いは半導体機能基板上に設けら
れたすだれ状電極変換器或いは電子機能素子の作製法と
して、レジストの下の端の部分の導電性膜を陽極酸化、
或いは金属の酸化などを用いて、誘電体化することによ
り、微小ギャップを得る方法、及び２度のレジストの露
光・現像と陽極酸化により得られるすだれ状電極変換器
或いは電子機能素子の平面図（ａ）とその過程を示す平
面Ａ−Ａ’の断面図（ｂ）、（ｃ）である。 ■、・・基板、２．・・・最初に付着させた導電性膜、
３ ・ レジスト、４．・・エッヂフグ後の導電性膜、
５ ・・陽極酸化によって得られた誘電体膜、６゜・・
取り出し電極用の窓、７．・・陽極酸化によって得られ
た誘電体膜、８．・・２回めに付着させた導電性膜、９
・取り出し電極、 第２図は、陽極酸化によって得られるすだれ状電極変換
器及び電子機能素子の平面図（ａ）、及びｃ−ｃ’の断
面図（ｂ）、（ｃ）である。 １０・・２回めに付着さｔ！−た導電性膜、Ｉ＋、・陽
極酸化によって得られた誘電体膜、１２．−・・取り出
し電極用の窓、１３．・取り出し電極。
れたすだれ状電極変換器或いは電子機能素子の作製法と
して、レジストの下の端の部分の導電性膜を陽極酸化、
或いは金属の酸化などを用いて、誘電体化することによ
り、微小ギャップを得る方法、及び２度のレジストの露
光・現像と陽極酸化により得られるすだれ状電極変換器
或いは電子機能素子の平面図（ａ）とその過程を示す平
面Ａ−Ａ’の断面図（ｂ）、（ｃ）である。 ■、・・基板、２．・・・最初に付着させた導電性膜、
３ ・ レジスト、４．・・エッヂフグ後の導電性膜、
５ ・・陽極酸化によって得られた誘電体膜、６゜・・
取り出し電極用の窓、７．・・陽極酸化によって得られ
た誘電体膜、８．・・２回めに付着させた導電性膜、９
・取り出し電極、 第２図は、陽極酸化によって得られるすだれ状電極変換
器及び電子機能素子の平面図（ａ）、及びｃ−ｃ’の断
面図（ｂ）、（ｃ）である。 １０・・２回めに付着さｔ！−た導電性膜、Ｉ＋、・陽
極酸化によって得られた誘電体膜、１２．−・・取り出
し電極用の窓、１３．・取り出し電極。
Claims (4)
- （１）絶縁性の基板或は圧電性の基板或は圧電性薄膜を
もつ基板或は半絶縁性の基板或いは半導体基板１上に導
電性膜２を付着さる第１の工程と、レジストを塗布し、
フォトマスクによる露光或いは電子ビーム露光などによ
りレジストを露光・現像して第１の電極用のレジスト膜
３を得る第２の工程と、導電性膜をほぼレジストの幅或
いはやや狭い幅にエッチングにより除去して電極４を得
る第３の工程と、レジストに被われていない部分及びレ
ジストの下のその端部から入り込んだ部分の導電性膜４
を陽極酸化、金属の酸化などにより、誘電体化して誘電
体膜５を得る第４の工程と、フオトマスク露光或いは電
子ビーム露光などにより最初のレジストの一部を露光・
現像して第２の取り出し電極用の窓６を得る第５の工程
と、レジストに被われていない部分のある深さまで及び
レジストの下のその端部から入り込んだ部分の導電性膜
４を陽極酸化、金属の酸化などにより、誘電体化して誘
電体膜７を得る第６の工程と、導電性膜を付着させるて
導電性膜８を得る第７の工程とレジストを除去して得ら
れる導電性膜４と導電性膜８との間が幅の狭い誘電体膜
５と誘電体膜７で分離され、かつ取り出し電極９と電極
８とが接続された構造の微小ギャップをもつすだれ状電
極弾性表面波変換器及び電子機能素子。 - （２）絶縁性の基板或は圧電性の基板或は圧電性薄膜を
もつ基板或は半絶縁性の基板或いは半導体基板１上に導
電性膜２を付着さる第１の工程と、レジストを塗布し、
フォトマスクによる露光或いは電子ビーム露光などによ
り第１の電極用のレジストを露光・現像してレジスト膜
３を得る第２の工程と、導電性膜をほぼレジストの幅或
いはやや狭い幅にエッチングにより除去して電極４を得
る第３の工程と、レジストに被われていない部分及びレ
ジストの下のその端部から入り込んだ部分の導電性膜４
を陽極酸化、金属の酸化などにより、誘電体化して誘電
体膜５を得る第４の工程と、導電性膜を付着させるて導
電性膜１０を得る第９の工程と、レジストに被われてい
ない部分のある深さまで及びレジストの下のその端部か
ら入り込んだ部分の導電性膜１０を陽極酸化、金属の酸
化などにより、誘電体化して誘電体膜１１を得る第１０
の工程と、レジストを除去する第１１の工程と、レジス
トを塗布し、フォトマスク露光或いは電子ビーム露光な
どによりレジストの一部を露光・現像して第２の取り出
し電極用の窓１２を得る第１２の工程と、導電性膜１３
を付着させる第１３の工程とレジストを除去して得られ
る導電性膜４と導電性膜１０との間が幅の狭い誘電体膜
５と誘電体膜１１で分離され、かつ取り出し電極１３と
電極１０とが接続された構造の微小ギャップをもつすだ
れ状電極弾性表面波変換器及び電子機能素子。 - （３）特許請求の範囲第１項及び第２項において、第４
の工程を省略する方法により得られる微小ギャップをも
つすだれ状電極弾性表面波変換器及び電子機能素子。 - （４）特許請求の範囲第１項及び第２項及び第３項にお
いて、陽極酸化法として、多孔質構造の膜を得る陽極酸
化法、無孔質の膜を得る陽極酸化法、及び最初に多孔質
構造の誘電体膜を作製し、その後無孔質膜を作製する２
段階の陽極酸化法を用いたすだれ状電極及び電子機能素
子であって、レジストの露光後の構造が、オーバーハン
グ構造となる作製法も含まれるすだれ状電極弾性表面波
変換器及び電子機能素子の作製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29410390A JPH04167710A (ja) | 1990-10-30 | 1990-10-30 | 陽極酸化を用いたすだれ状電極弾性表面波変換器及び電子機能素子の作製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29410390A JPH04167710A (ja) | 1990-10-30 | 1990-10-30 | 陽極酸化を用いたすだれ状電極弾性表面波変換器及び電子機能素子の作製法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04167710A true JPH04167710A (ja) | 1992-06-15 |
Family
ID=17803329
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29410390A Pending JPH04167710A (ja) | 1990-10-30 | 1990-10-30 | 陽極酸化を用いたすだれ状電極弾性表面波変換器及び電子機能素子の作製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04167710A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005057711A3 (en) * | 2003-12-08 | 2005-10-06 | Toyota Motor Co Ltd | Fuel cell manufacturing method and fuel cell |
-
1990
- 1990-10-30 JP JP29410390A patent/JPH04167710A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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