JPH0380609A - 陽極酸化を用いたインターディジタル電極弾性表面波変換器及び電子機能素子の作製法 - Google Patents
陽極酸化を用いたインターディジタル電極弾性表面波変換器及び電子機能素子の作製法Info
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- JPH0380609A JPH0380609A JP21692389A JP21692389A JPH0380609A JP H0380609 A JPH0380609 A JP H0380609A JP 21692389 A JP21692389 A JP 21692389A JP 21692389 A JP21692389 A JP 21692389A JP H0380609 A JPH0380609 A JP H0380609A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、電極間を陽極酸化、金属の酸化などにより得
られる誘電体膜で分離した構造のギャップの狭い構造、
及び多層電極配線法を用いたインターディジタル電極弾
性表面波変換器、及び電子機能素子の作製法に関する。
られる誘電体膜で分離した構造のギャップの狭い構造、
及び多層電極配線法を用いたインターディジタル電極弾
性表面波変換器、及び電子機能素子の作製法に関する。
圧電基板上に設けたインターディジタル電極弾性表面
波変換器は、電極幅と電極間のギャップ即ちラインアン
ドスペース比がＩ：ｌのものが一般的である。また、超
高周波帯でのインタープ、ジタル電極のマスクパターン
の作製ではラインアンドスペース比が１・１のものが基
本動作で最も超高周波を励振するのに作製しやすい方法
である。また、従来の電極は、マスクパターンのポジ部
が電極、ネガ部がギャップ或いは逆にネガ部が電極、ポ
ジ部がギャップのいずれかの方法を利用してインターデ
ィジタル電極が作製されている。また、電子ビーム直接
露光などの場合も同様にビーム照射部が電極部、照射さ
れなかった部分がギャップ或いは逆の方法で作製されて
いる。そのため、基本波動作でマスクパターンの線幅と
ギャップは最も広い線幅の得られるλ／４（λ：弾性表
面波の動作中心周波数での波長）に近いものが用いられ
ている。従って、マスクパターンの線幅は基本波動作で
ほぼλ／４である。
波変換器は、電極幅と電極間のギャップ即ちラインアン
ドスペース比がＩ：ｌのものが一般的である。また、超
高周波帯でのインタープ、ジタル電極のマスクパターン
の作製ではラインアンドスペース比が１・１のものが基
本動作で最も超高周波を励振するのに作製しやすい方法
である。また、従来の電極は、マスクパターンのポジ部
が電極、ネガ部がギャップ或いは逆にネガ部が電極、ポ
ジ部がギャップのいずれかの方法を利用してインターデ
ィジタル電極が作製されている。また、電子ビーム直接
露光などの場合も同様にビーム照射部が電極部、照射さ
れなかった部分がギャップ或いは逆の方法で作製されて
いる。そのため、基本波動作でマスクパターンの線幅と
ギャップは最も広い線幅の得られるλ／４（λ：弾性表
面波の動作中心周波数での波長）に近いものが用いられ
ている。従って、マスクパターンの線幅は基本波動作で
ほぼλ／４である。
電極間のギャップを作製する方法として従来のレジスト
のポジ部或いはネガ部を用いないで作製する方法として
、陽極酸化法か既に考案されている。また、陽極酸化電
源に接続さた導電体膜の表面からある深さ迄が誘電体化
されるのに対し、接続されなかった導電体膜が変化しな
いことを用いた多層電極配線法が、考案されているが、
本発明は、その陽極酸化法の陽極酸化液として、最初に
硫酸液などお用いて、多孔質性の陽極酸化誘電体膜を作
製した後、次にエチレングリコール・四はう酸アンモニ
ュウム飽和液などを用いて、無孔質膜の陽極酸化誘電体
膜を作製する方法によって、高性能の弾性表面波変換器
及び電子機能素子の作製法に関するものである。
のポジ部或いはネガ部を用いないで作製する方法として
、陽極酸化法か既に考案されている。また、陽極酸化電
源に接続さた導電体膜の表面からある深さ迄が誘電体化
されるのに対し、接続されなかった導電体膜が変化しな
いことを用いた多層電極配線法が、考案されているが、
本発明は、その陽極酸化法の陽極酸化液として、最初に
硫酸液などお用いて、多孔質性の陽極酸化誘電体膜を作
製した後、次にエチレングリコール・四はう酸アンモニ
ュウム飽和液などを用いて、無孔質膜の陽極酸化誘電体
膜を作製する方法によって、高性能の弾性表面波変換器
及び電子機能素子の作製法に関するものである。
第１図のように、絶縁性の基板或は圧電性の基板或は圧
電性薄膜（３）絶縁性基板或は圧電性基板或は半導体基
板Ｉ上に導電性膜を付着さる第１の工程と、レジストを
塗布し、フォトマスク露光或いは電子ビーム露光などに
よりレジストを露光・現像する第２の工程と、導電性膜
をほぼレジストの幅或いはやや狭い幅にエツチングによ
り除去する第３の工程と、レジストに被われていない部
分及びレジストの下のその端部から入り込んだ部分の導
電性膜２を陽極酸化、金属の酸化などにより、誘電体化
して誘電体膜３を得る第４の工程と、導電性膜４．５を
付着さる第５の工程と、レジストを除去して得られる導
電性膜２と導電性膜４．５との間が幅の狭い誘電体膜３
で分離された構造の微小ギャップをもつインターディジ
タル電極弾性表面波変換器及び電子機能素子であって、
陽極酸化法として、まず最初に多孔質構造の誘電体膜を
作製し、その後無孔質膜を作製する２段階の陽極酸化法
を用いたインターディジタル電極及び電子機能素子であ
って、レジストの露光後の構造が、オーバーハング構造
となる作製法も含まれるインターディジタル電極弾性表
面波変換器及び電子機能素子の作製法を用いることによ
り、電極間を誘電体膜で分離した、大きなギャプをもち
、かつ大きな耐圧のすだれ状電極変換器及び機能素子が
得られる。
電性薄膜（３）絶縁性基板或は圧電性基板或は半導体基
板Ｉ上に導電性膜を付着さる第１の工程と、レジストを
塗布し、フォトマスク露光或いは電子ビーム露光などに
よりレジストを露光・現像する第２の工程と、導電性膜
をほぼレジストの幅或いはやや狭い幅にエツチングによ
り除去する第３の工程と、レジストに被われていない部
分及びレジストの下のその端部から入り込んだ部分の導
電性膜２を陽極酸化、金属の酸化などにより、誘電体化
して誘電体膜３を得る第４の工程と、導電性膜４．５を
付着さる第５の工程と、レジストを除去して得られる導
電性膜２と導電性膜４．５との間が幅の狭い誘電体膜３
で分離された構造の微小ギャップをもつインターディジ
タル電極弾性表面波変換器及び電子機能素子であって、
陽極酸化法として、まず最初に多孔質構造の誘電体膜を
作製し、その後無孔質膜を作製する２段階の陽極酸化法
を用いたインターディジタル電極及び電子機能素子であ
って、レジストの露光後の構造が、オーバーハング構造
となる作製法も含まれるインターディジタル電極弾性表
面波変換器及び電子機能素子の作製法を用いることによ
り、電極間を誘電体膜で分離した、大きなギャプをもち
、かつ大きな耐圧のすだれ状電極変換器及び機能素子が
得られる。
また、特許請求の範囲第１項において、第２の工程の後
、レジストなどで被われていない部分の導電性膜及びレ
ジストの下のその端部の入り込んだ部分の導電性膜を陽
極酸化、導電性膜の酸化などによって誘電体膜を得た後
、更に導電性膜を付着させた後、レジストを除去するこ
とによって得られる最初の導電性膜と後から付着させた
導電性膜との間が誘電体膜で分離された構造の電極から
なるインターディジタル電極弾性表面波変換器及び電子
機能素子であって、レジストの現像後の構造が、オーバ
ーハング構造であって、陽極酸化法として、まず最初に
多孔質膜を作製し、その後無孔質膜を作製する２段階の
陽極酸化法を用いたインターディジタル電極及び電子機
能素子の作製法することにより、素子の特性の制御が可
能である。
、レジストなどで被われていない部分の導電性膜及びレ
ジストの下のその端部の入り込んだ部分の導電性膜を陽
極酸化、導電性膜の酸化などによって誘電体膜を得た後
、更に導電性膜を付着させた後、レジストを除去するこ
とによって得られる最初の導電性膜と後から付着させた
導電性膜との間が誘電体膜で分離された構造の電極から
なるインターディジタル電極弾性表面波変換器及び電子
機能素子であって、レジストの現像後の構造が、オーバ
ーハング構造であって、陽極酸化法として、まず最初に
多孔質膜を作製し、その後無孔質膜を作製する２段階の
陽極酸化法を用いたインターディジタル電極及び電子機
能素子の作製法することにより、素子の特性の制御が可
能である。
第２図のように、絶縁性基板或は圧電性基板或は圧電性
薄膜（３）絶縁性基板或は圧電性基板或は半導体基板ｌ
の上に、目的とする種々のパターンからなる導電体膜６
．７．８を作製する第６の工程とその上にレジスト膜を
塗布し、リソグラフィー法などを用いてレジストの一部
を除去して、導電体膜６．７．８に交差するようなレジ
ストの無い窓９を作製する第７の工程と、第６の工程で
作製された種々の構造の導電体膜の内、陽極酸化用の電
源に接続される導電体膜６．７と接続されない導電体膜
８とに分けて接続を行う第８の工程と、陽極酸化用の電
源に接続されている導電体膜のみを表面からある深さ迄
、陽極酸化により誘電体膜１０を得る第９の工程と、、
導電体膜を新たに付着させる第１０の工程と、レジスト
及びレジスト上の導電体膜を除去する第１１の工程とに
より、窓の部分に付着した導電体膜１１との接続が、第
９の工程による表面が誘電体化した第６の工程の導電体
膜６．７とは誘電体膜１０で分離されているため直流の
電気的には接続されないが、陽極酸化されなかった第６
の工程の導電体膜８とは直流の電気的に接続されように
した多層電極配線法であって、第７の工程のレジストの
エツジ部の構造が、オーバーハング構造となるようにし
た方法も含む方法であって、陽極酸化法として、まず、
最初に多孔質膜を作製し、その後無孔膜質を作製する２
段階の陽極酸化法を用いた多層電極配線法も含むインタ
ーディジタル電極弾性表面波変換器及び電子機能素子の
作製法であって、第６の工程の後、導電体膜６．７を陽
極酸化により誘電体膜を得た後、窓９を作製し、導電体
膜１１を得る方法も含まれるすだれ状電極弾性表面波変
換器及び電子機能素子の作製法を用いることにより、電
極間のギャプの大きな素子が得られる。
薄膜（３）絶縁性基板或は圧電性基板或は半導体基板ｌ
の上に、目的とする種々のパターンからなる導電体膜６
．７．８を作製する第６の工程とその上にレジスト膜を
塗布し、リソグラフィー法などを用いてレジストの一部
を除去して、導電体膜６．７．８に交差するようなレジ
ストの無い窓９を作製する第７の工程と、第６の工程で
作製された種々の構造の導電体膜の内、陽極酸化用の電
源に接続される導電体膜６．７と接続されない導電体膜
８とに分けて接続を行う第８の工程と、陽極酸化用の電
源に接続されている導電体膜のみを表面からある深さ迄
、陽極酸化により誘電体膜１０を得る第９の工程と、、
導電体膜を新たに付着させる第１０の工程と、レジスト
及びレジスト上の導電体膜を除去する第１１の工程とに
より、窓の部分に付着した導電体膜１１との接続が、第
９の工程による表面が誘電体化した第６の工程の導電体
膜６．７とは誘電体膜１０で分離されているため直流の
電気的には接続されないが、陽極酸化されなかった第６
の工程の導電体膜８とは直流の電気的に接続されように
した多層電極配線法であって、第７の工程のレジストの
エツジ部の構造が、オーバーハング構造となるようにし
た方法も含む方法であって、陽極酸化法として、まず、
最初に多孔質膜を作製し、その後無孔膜質を作製する２
段階の陽極酸化法を用いた多層電極配線法も含むインタ
ーディジタル電極弾性表面波変換器及び電子機能素子の
作製法であって、第６の工程の後、導電体膜６．７を陽
極酸化により誘電体膜を得た後、窓９を作製し、導電体
膜１１を得る方法も含まれるすだれ状電極弾性表面波変
換器及び電子機能素子の作製法を用いることにより、電
極間のギャプの大きな素子が得られる。
陽極酸化誘電体膜の耐圧の実験結果、誘電体膜厚が、０
０５μｍの場合、多孔質膜では、＋５Ｖ、無孔質膜では
、３０Ｖが得られている。
０５μｍの場合、多孔質膜では、＋５Ｖ、無孔質膜では
、３０Ｖが得られている。
第１図は、圧電体基板或いは半導体機能基板りに設けら
れたインターディジタル変換器或いは電子機能素子の作
製法として、レジストの下の端の部分の導電性膜を陽極
酸化、或いは金属の酸化などを用いて、誘電体化するこ
とにより、微小ギヤツブをもつインタープイノクル変換
器或いは電子機能素子を得る方法を示した図である。 第１図（ａ）は、誘電体膜で電極間を分離した構造のイ
ンターディジタル弾性表面波変換器或いは電子機能素子
の平面図、第１図（ｂ）は断面図である。 ！、・・・基板、２．・・・最初に付着させた導電性膜
にレジストを塗布してマスクを用いて現像露光後、エツ
チング、陽極酸化の後、得られるレジストで被われた導
電性膜で最終的にレジストを除去する、３、・・・陽極
酸化によって得られた誘電体膜。 ４、５．・・・陽極酸化後に付着させた導電性膜、第２
図は、浮き電極をもつインターディジタル電極変換器及
び電子機能素子の平面図（ａ）、断面図（ｂ）及び浮き
電極を接続する電極をもつ素子の平面図（ｃ）、Ｂ −
Ｂ ’の断面（ｄ）である。 ６．７．８・・・導電体膜、９・・・レジストの無い窓
、ｌＯ・・・誘電体膜、１Ｆ・・・導電体膜。
れたインターディジタル変換器或いは電子機能素子の作
製法として、レジストの下の端の部分の導電性膜を陽極
酸化、或いは金属の酸化などを用いて、誘電体化するこ
とにより、微小ギヤツブをもつインタープイノクル変換
器或いは電子機能素子を得る方法を示した図である。 第１図（ａ）は、誘電体膜で電極間を分離した構造のイ
ンターディジタル弾性表面波変換器或いは電子機能素子
の平面図、第１図（ｂ）は断面図である。 ！、・・・基板、２．・・・最初に付着させた導電性膜
にレジストを塗布してマスクを用いて現像露光後、エツ
チング、陽極酸化の後、得られるレジストで被われた導
電性膜で最終的にレジストを除去する、３、・・・陽極
酸化によって得られた誘電体膜。 ４、５．・・・陽極酸化後に付着させた導電性膜、第２
図は、浮き電極をもつインターディジタル電極変換器及
び電子機能素子の平面図（ａ）、断面図（ｂ）及び浮き
電極を接続する電極をもつ素子の平面図（ｃ）、Ｂ −
Ｂ ’の断面（ｄ）である。 ６．７．８・・・導電体膜、９・・・レジストの無い窓
、ｌＯ・・・誘電体膜、１Ｆ・・・導電体膜。
Claims (3)
- （１）絶縁性の基板或は圧電性の基板或は圧電性薄膜を
もつ基板或は半絶縁性の基板或いは半導体基板１上に導
電性膜を付着さる第１の工程と、レジストを塗布し、フ
ォトマスク露光或いは電子ビーム露光などによりレジス
トを露光・現像する第２の工程と、導電性膜をほぼレジ
ストの幅或いはやや狭い幅にエッチングにより除去する
第３の工程と、レジストに被われていない部分及びレジ
ストの下のその端部から入り込んだ部分の導電性膜２を
陽極酸化、金属の酸化などにより、誘電体化して誘電体
膜３を得る第４の工程と、導電性膜を付着させる第５の
工程とレジストを除去して得られる導電性膜４、５と導
電性膜２との間が幅の狭い誘電体膜３で分離された構造
の微小ギャップをもつインターディジタル電極弾性表面
波変換器及び電子機能素子であって、陽極酸化法として
、まず最初に多孔質構造の誘電体膜を作製し、その後無
孔質膜を作製する２段階の陽極酸化法を用いたインター
ディジタル電極及び電子機能素子であって、レジストの
露光後の構造が、オーバーハング構造となる作製法も含
まれるインターディジタル電極弾性表面波変換器及び電
子機能素子の作製法。 - （２）特許請求の範囲第１項において、第２の工程の後
、レジストなどで被われていない部分の導電性膜及びレ
ジストの下のその端部の入り込んだ部分の導電性膜を陽
極酸化、導電性膜の酸化などによって誘電体膜を得た後
、更に導電性膜を付着させた後、レジストを除去するこ
とによって得られる最初の導電性膜と後から付着させた
導電性膜との間が誘電体膜で分離された構造の電極から
なるインターディジタル電極弾性表面波変換器及び電子
機能素子であって、レジストの現像後の構造が、オーバ
ーハング構造であって、陽極酸化法として、まず最初に
多孔質膜を作製し、その後無孔注（１６行目、「と、、
」は原文どおり） 質膜を作製する２段階の陽極酸化法を用いたインターデ
ィジタル電極及び電子機能素子の作製法。 - （３）絶縁性基板或は圧電性基板或は圧電性薄膜をもつ
基板或は半絶縁性の基板或いは半導体基板１の上に、目
的とする種々のパターンからなる導電体膜６、７、８を
作製する第６の工程とその上にレジスト膜を塗布し、リ
ソグラフィー法などを用いてレジストの一部を除去して
、導電体膜６、７、８に交差するようなレジストの無い
窓９を作製する第７の工程と、第６の工程で作製された
種々の構造の導電体膜の内、陽極酸化用の電源に接続さ
れる導電体膜６、７と接続されない導電体膜８とに分け
て接続を行う第８の工程と、陽極酸化用の電源に接続さ
れている導電体膜のみを表面からある深さ迄、陽極酸化
により誘電体膜１０を得る第９の工程と、、導電体膜を
新たに付着させる第１０の工程と、レジスト及びレジス
ト上の導電体膜を除去する第１１の工程とにより、窓の
部分に付着した導電体膜１１との接続が、第９の工程に
よる表面が誘電体化した第６の工程の導電体膜６、７と
は誘電体膜１０で分離されているため直流の電気的には
接続されないが、陽極酸化されなかった第６の工程の導
電体膜８とは直流の電気的に接続されようにした多層電
極配線法であって、第７の工程のレジストのエッジ部の
構造が、オーバーハング構造となるようにした方法も含
む方法であって、陽極酸化法として、まず、最初に多孔
質膜を作製し、その後無孔膜質を作製する２段階の陽極
酸化法を用いた多層電極配線法も含むインターディジタ
ル電極弾性表面波変換器及び電子機能素子の作製法であ
って、第６の工程の後、導電体膜６、７を陽極酸化によ
り誘電体膜を得た後、窓９を作製し、導電体膜１１を得
る方法も含まれるすだれ状電極弾性表面波変換器及び電
子機能素子の作製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21692389A JPH0380609A (ja) | 1989-08-23 | 1989-08-23 | 陽極酸化を用いたインターディジタル電極弾性表面波変換器及び電子機能素子の作製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21692389A JPH0380609A (ja) | 1989-08-23 | 1989-08-23 | 陽極酸化を用いたインターディジタル電極弾性表面波変換器及び電子機能素子の作製法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0380609A true JPH0380609A (ja) | 1991-04-05 |
Family
ID=16696047
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21692389A Pending JPH0380609A (ja) | 1989-08-23 | 1989-08-23 | 陽極酸化を用いたインターディジタル電極弾性表面波変換器及び電子機能素子の作製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0380609A (ja) |
-
1989
- 1989-08-23 JP JP21692389A patent/JPH0380609A/ja active Pending
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