JPH07106895A - 極微細電極作製法と電子装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【目的】本発明は電極間で膜厚差をもつ電極或は材料の
異なる電極を作製する方法と膜厚差或は電極材料の異な
る電極を用いた弾性表面波一方向性変換器を得る方法と
その方法を用いた電子装置を得ることを目的としてい
る。 【構成】絶縁性基板上に電極との間に膜厚差などをもつ
極微細電極を作製する方法として、電源に接続された電
極と接続されなかった電極との間で、陽極酸化されたレ
ジスト膜を得る方法、或は電気分解法、或は電気メッキ
法などを用いて、電極との間に膜厚差をもたせる作製法
或は電極間で一部が異なる材料を得る方法及び電極との
間に膜厚差をもつ電極或は電極間で一部が異なる材料を
もつ電極を用いた弾性表面波一方向性変換器が本特許の
構成である。

Description

【発明の詳細な説明】

【産業上の利用分野】本発明は電極間で膜厚差をもつ電
極或は材料の異なる電極を作製する方法とその方法を用
いた電子装置に関する。

【従来技術】従来は、電極間で微細構造の膜厚差をもつ
電極或は材料の異なる電極を作製する方法として、２枚
以上のマスクを用いた重ね合わせ露光法により作製され
ていた。しかし、この方法では、高精度のマスク合わせ
が必要であり、加工精度に問題がある。本方法は、これ
らの難点を解決する方法に関するものである。また、弾
性表面波一方向性変換器として、膜厚差を用いた方法に
ついても、マスク合わせを用いた方法が用いられてお
り、難点があるばかりでなく、従来の電極の反射を用い
た一方向性変換器では、励振電極の間に反射電極を挿入
する方法、２倍高調波を用いる方法などが用いられてい
たため、放射コンダクタンスが小さくなる難点があった
が、本特許はこれらのの難点を解決した一方向性変換器
とこの作製法を用いた一方向性変換器に関するものであ
る。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】膜厚差をもつ電極の作
製法として、高精度のマスク合わせを必要としない方法
及び膜厚差をもつ一方向性弾性表面波変換器に関するも
のである。

【０００４】

【課題を解決するための手段】本発明は上述したごとき
従来の欠陥を除去すべくなされたものであって、電源に
接続された電極の表面のみを陽極酸化レジスト膜化する
方法、電気分解による方法、或は電気メッキによる方法
により、目的の膜厚差をもつ電極を作製する方法及びこ
の作製法を用いた弾性表面波一方向性変換器に関するも
のである。

【０００５】

【実施例１】図１のように、基板１の表面に金属膜２を
付着させる第１の工程と、その表面を陽極酸化して陽極
酸化膜レジスト３を得る方法或はレジスト膜３を付着さ
せる方法の第２の工程と、その表面に金属膜４を付着さ
せる第３の工程と、レジスト膜５を付着させ目的のパタ
ーンを得る第４の工程と、レジストに被われていない第
３の工程の金属膜４をエッチングする第５の工程と、レ
ジストに被われていない第２の工程の陽極酸化膜３或は
レジスト膜３を除去した後酸化膜レジストに被われてい
ない第１の金属膜２を除去する第６の工程と、第４の工
程のレジスト膜５を除去する第７の工程と、金属電極の
一部を陽極酸化電源に接続してその表面を陽極酸化レジ
スト膜６にする第８の工程と、陽極酸化レジスト膜をも
たない金属膜４をエッチングすることにより膜厚差をも
つ微細電極を作製する方法及びこの作製法を用いて得ら
れる電子装置が実施例の１である。

【実施例２】図２のように、基板表面に金属膜７を付着
させる第９の工程と、その表面に第９の工程の金属膜と
異なる金属膜８を付着させる第１０の工程と、レジスト
膜９を付着させ目的のパターンを得る第１１の工程と、
レジストに被われていない第９と第１０の工程の金属膜
をエッチングする第１２の工程と、第１１の工程のレジ
スト膜９を除去する第１３の工程と、金属電極の一部を
電源１１に接続してその表面を陽極酸化レジスト膜１０
にする第１４の工程と、陽極酸化レジスト膜をもたない
第１０の工程の金属膜８をエッチングする第１５の工程
により膜厚差をもつ微細電極を作製する方法及びこの作
製法を用いて得られる電子装置が実施例の２である。

【実施例３】図３のように、基板表面に金属膜７を付着
させる第１６の工程と、その表面に第１６の工程の金属
膜と異なる金属膜８を付着させる第１７の工程と、レジ
スト膜９を付着させ目的のパターンを得る第１８の工程
と、レジストに被われていない第１７と第１６の工程の
金属膜をエッチングする第１９の工程と、第１８の工程
のレジスト膜９を除去する第２０の工程と、金属電極の
一部を電源１１に接続して、電源に接続された金属膜８
のみを電気分解などによるエッチングにより除去する２
１の工程により膜厚差をもつ微細電極を作製する方法及
びこの作製法を用いて得られる電子装置が実施例の３で
ある。

【実施例４】図４のように、基板表面に金属膜１２を付
着させる第２２の工程と、レジスト膜１３を付着させ目
的のパターンを得る第２３の工程と、レジストに被われ
ていない第２２の工程の金属膜をエッチングする第２４
の工程と、第２３の工程のレジスト膜１３を除去する第
２５の工程と、金属電極の一部を電源１１に接続して、
電源に接続された金属膜１３のみの上に電気メッキなど
により薄膜を付着させる２６の工程により膜厚差をもつ
微細電極を作製する方法及びこの作製法を用いて得られ
る電子装置が実施例の４である。

【実施例５】図５のように、圧電性基板１１或いは圧電
性薄膜をもつ基板１１上に作製されたすだれ状電極１５
（インタデジタル電極）において、基本波の動作周波数
に対応する弾性表面波の波長をλ_０として、正電極１６
間の距離がλ_０、負電極１７間の距離がλ_０であり、か
つ正負電極間の距離がλ_０／１２からλ_０／２の間であ
り、かつ正負電極の膜厚が異なる場合或いは異なる材料
からなるすだれ状電極を用いた弾性表面波変換器及びそ
れを用いた電子装置及び特許請求の範囲の請求項の１か
ら５の方法により膜厚差を作製する方法により得られる
上記の弾性表面波変換器及びこの方法により得られる電
子装置が実施例の５である。

【実施例６】図６が、圧電性基板１１或いは圧電性薄膜
をもつ基板１１上に作製されたすだれ状電極１８（イン
タデジタル電極）において、基本波の動作周波数に対応
する弾性表面波の波長をλとして、正電極１９、２０、
及び負電極２１、２２がスプリット電極からなり、しか
もその周期長が伝搬方向に短くなるダウン形の分散形す
だれ状電極或はその周期長が伝搬方向に長くなるアップ
形の分散形すだれ状電極において、ストリップ電極の一
方の正負電極１９、２１間の周期がλ／２である電極と
他方の正負電極２０、２２間の周期がλ／２の電極の電
極膜厚が異なる構造或は電極の材料が一部異なる構造か
らなるの一方向性弾性表面波変換器及びそれを用いた電
子装置及び特許請求の範囲の請求項の１から５の方法に
より膜厚差或いは異なる材料からなる電極を作製する方
法により得られる上記の弾性表面波変換器及びこの方法
により得られる電子装置が実施例の６である。上記の作
製法及び一方向性変換器について、正電極間の距離が、
λ_０の値の０．５〜１．５倍の値、負電極間の距離がλ
_０から０．５〜１．５倍な値となるような弾性表面波一
方向性変換器及びこれらの変換器を用いて得られる電子
装置も本特許に含まれる。本方法による一方向性弾性表
面波変換器の計算結果を図７及びフィルタの特性の計算
結果を図８に示す。図から８ｄＢの方向性と２ｄＢの挿
入損失のフィルタが得られていることが判る。

【０００７】

【発明の効果】本発明の方法を用いることにより、膜厚
差を必要とする微細電極、材料の異なる微細電極を高精
度のマスク合わせを必要とせず容易に得ることができ
る。

【０００８】

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の微細構造の電極を作製する方法とし
て、電源に接続された電極の表面を陽極酸化レジスト膜
とすることにより、膜厚差をもつ電極の作製法を示す図
でる。

【図２】本発明の微細構造の電極を作製する方法とし
て、図１の方法の内、薄膜７と薄膜８が異なる方法を示
す図である。

【図３】本発明の微細構造の電極を作製する工程の内、
電源に接続されている電極の薄膜８を電気分解により除
去する方法の図である。

【図４】本発明の微細構造の電極を作製する方法とし
て、電源に接続されている電極の上に電気メッキにより
膜厚差をもつ電極を作製する方法の図でる。

【図５】膜厚差などをもつ弾性表面波変換器の内、正負
電極の配置により、弾性表面波一方向性変換器が得られ
ることを示す図である。

【図６】膜厚差などをもつ弾性表面波変換器の内、ダブ
ル電極の一方の膜厚差などが異なることを用いた、分散
形の一方向性変換器を示す図である。

【符号の説明】

１…基板、２…金属膜、３…陽極酸化レジスト膜、４…
金属膜、５…レジスト、６…陽極酸化レジスト、７…金
属膜、８…７と異なる金属膜、９…レジスト、１０…陽
極酸化レジスト、１１…電源、１２…金属膜、１３…レ
ジスト、１４…電気メッキ膜、１５…すだれ状電極、１
６…正電極、１７…負電極、１８…スプリット形すだれ
状電極、１９…スプリット電極、２０…スプリット電
極、２１…スプリット電極、２２…スプリット電極。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山本 圭一 仙台市若林区若林１−５−８ 若林パンシ ョン20Ａ (72)発明者 神田 誠 仙台市青葉区川内追廻住宅474 (72)発明者 田中 望 仙台市泉区黒松二丁目20−15

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】絶縁性基板或いは圧電性基板或いは圧電性
   薄膜をもつ基板或いは半絶縁性の基板或いは半導体基板
   の上に、電極間で膜厚差などをもつ極微細構造の電極を
   作製する方法として、微細電極パターンを形成した後、
   微細電極パターンの一部を陽極酸化電源に接続して電極
   薄膜の表面の一部を陽極酸化し、この酸化膜をレジスト
   膜として用いて陽極酸化されていない電極をエッチング
   する方法により、エッチングされた電極とエッチングさ
   れなかった電極との間に膜厚差をもつ極微細電極などを
   作製する作製方法、或は微細電極パターンを作製した
   後、微細電極パターンの一部を電源に接続して電気分解
   などにより薄膜電極の一部を除去する方法により、除去
   されなかった電極と除去された電極との間に膜厚差をも
   つ電極を作製方法、或は微細電極パターンを作製した
   後、微細電極パターンの一部を電源に接続して電気メッ
   キなどにより堆積させる方法により、堆積しなかった電
   極と堆積した電極との間に膜厚差をもたせる作製法及び
   これらの作製法を用いて得られる電子装置。
2. 【請求項２】特許請求の範囲第１項において、基板１の
   表面に金属膜２を付着させる第１の工程と、その表面を
   陽極酸化して陽極酸化膜レジスト３を得る方法或はレジ
   スト膜３を付着させる方法の第２の工程と、その表面に
   金属膜４を付着させる第３の工程と、レジスト膜５を付
   着させ目的のパターンを得る第４の工程と、レジストに
   被われていない第３の工程の金属膜４をエッチングする
   第５の工程と、レジストに被われていない第２の工程の
   陽極酸化膜３或はレジスト膜３を除去した後酸化膜レジ
   ストに被われていない第１の金属膜２を除去する第６の
   工程と、第４の工程のレジスト膜５を除去する第７の工
   程と、金属電極の一部を陽極酸化電源に接続してその表
   面を陽極酸化レジスト膜６にする第８の工程と、陽極酸
   化レジスト膜をもたない金属膜４をエッチングすること
   により膜厚差をもつ微細電極を作製する方法及びこの作
   製法を用いて得られる電子装置。
3. 【請求項３】特許請求の範囲第１項において、基板表面
   に金属膜７を付着させる第９の工程と、その表面に第９
   の工程の金属膜と異なる金属膜８を付着させる第１０の
   工程と、レジスト膜９を付着させ目的のパターンを得る
   第１１の工程と、レジストに被われていない第９と第１
   ０の工程の金属膜をエッチングする第１２の工程と、第
   １１の工程のレジスト膜９を除去する第１３の工程と、
   金属電極の一部を電源１１に接続してその表面を陽極酸
   化レジスト膜１０にする第１４の工程と、陽極酸化レジ
   スト膜をもたない第１０の工程の金属膜８をエッチング
   する第１５の工程により膜厚差をもつ微細電極を作製す
   る方法及びこの作製法を用いて得られる電子装置。
4. 【請求項４】特許請求の範囲第１項において、基板表面
   に金属膜７を付着させる第１６の工程と、その表面に第
   １６の工程の金属膜と異なる金属膜８を付着させる第１
   ７の工程と、レジスト膜９を付着させ目的のパターンを
   得る第１８の工程と、レジストに被われていない第１７
   と第１６の工程の金属膜をエッチングする第１９の工程
   と、第１８の工程のレジスト膜９を除去する第２０の工
   程と、金属電極の一部を電源１１に接続して、電源に接
   続された金属膜８のみを電気分解などによるエッチング
   により除去する２１の工程により膜厚差をもつ微細電極
   を作製する方法及びこの作製法を用いて得られる電子装
   置。
5. 【請求項５】特許請求の範囲第１項において、基板表面
   に金属膜１２を付着させる第２２の工程と、レジスト膜
   １３を付着させ目的のパターンを得る第２３の工程と、
   レジストに被われていない第２２の工程の金属膜をエッ
   チングする第２４の工程と、第２３の工程のレジスト膜
   １３を除去する第２５の工程と、金属電極の一部を電源
   １１に接続して、電源に接続された金属膜１３のみの上
   に電気メッキなどにより薄膜を付着させる２６の工程に
   より膜厚差をもつ微細電極を作製する方法及びこの作製
   法を用いて得られる電子装置。
6. 【請求項６】圧電性基板１１或いは圧電性薄膜をもつ基
   板１１上に作製されたすだれ状電極１５（インタデジタ
   ル電極）において、基本波の動作周波数に対応する弾性
   表面波の波長をλ_０として、正電極１６間の距離が
   λ_０、負電極１７間の距離がλ_０であり、かつ正負電極
   の中心間の距離がλ_０／１２からλ_０／２の間であり、
   かつ正負電極の膜厚が異なる場合或いは異なる材料から
   なるすだれ状電極を用いた一方向性弾性表面波変換器及
   びそれを用いた電子装置及び特許請求の範囲の請求項の
   １から５の方法による膜厚差を作製する方法により得ら
   れる弾性表面波変換器及びこの方法により得られる電子
   装置。
7. 【請求項７】圧電性基板１１或いは圧電性薄膜をもつ基
   板１１上に作製されたすだれ状電極１８（インタデジタ
   ル電極）において、基本波の動作周波数に対応する弾性
   表面波の波長をλとして、正電極１９、２０、及び負電
   極２１、２２がスプリット電極からなり、しかもその周
   期長が伝搬方向に短くなるダウン形の分散形すだれ状電
   極或はその周期長が伝搬方向に長くなるアップ形の分散
   形すだれ状電極において、スプリット電極の一方の正負
   電極１９、２１間の周期がλ／２である電極と他方の正
   負電極２０、２２間の周期がλ／２の電極の電極膜厚が
   異なる構造或は電極の材料が一部異なる構造からなる一
   方向性弾性表面波変換器及びそれを用いた電子装置及び
   特許請求の範囲の請求項の１から５の方法により膜厚差
   或いは異なる材料からなる電極を作製する方法により得
   られる弾性表面波変換器及びこの方法により得られる電
   子装置。
8. 【請求項８】特許請求の範囲第６項において、正負電極
   １６、１７の電極幅がλ_０／４を中心にその幅をλ_０／
   １２からλ_０／２の値であり、かつ正負電極間の距離が
   λ_０／４を中心にλ_０／１２からλ_０／２の値であり、
   かつ正負電極の膜厚或は材料の異なる電極からなる弾性
   表面波変換器及びこれを用いた電子装置。
9. 【請求項９】特許請求の範囲の第１項から第５項までの
   作製法を用いて得られる特許請求の範囲第６項から第８
   項までの弾性表面波変換器において、正電極間の距離
   が、λ_０の値の０．５〜１．５倍の値、負電極間の距離
   がλ_０から０．５〜１．５倍の値となるような弾性表面
   波一方向性変換器及びこれらの変換器を用いて得られる
   電子装置。