JPH04177828A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体装置の製造方法に関し、特にイオン注入
用マスク材に関する。

〔従来の技術〕

従来、半導体装１の製造工程における不純物のイオン注
入は、マスクとしてフォトレジスト膜あるいはアルミニ
ウム膜が主に用いられていた。

〔発明が解決しようとする課題〕

上述した従来のアルミニウム膜をマスクとした不純物の
イオン注入方法では、形成されるアルミニウムの膜厚均
一性が悪いため、段差のきつい部分ではアルミニウム膜
の段切れあるいは段部でアルミニウム膜がうすくなると
いう現象が生じ、本来イオン注入すべきでない箇所に不
純物が注入され拡散層が形成されてしまうという欠点が
あった。

またフォトレジスト膜のマスクでは、イオン注入時のチ
ャージアップによりフォトレジスト表面に電荷が蓄積さ
れ、それによる電界により下の絶縁膜が破壊されてしま
うという欠点があった。

このため半導体装置の信頼性及び製造歩留りが低下する
という問題点があった。

〔課題を解決するための手段〕

本発明の半導体装置の製造方法は、イオン注入時のマス
クに、ポリシリコン膜とフォトレジスト膜との２層膜を
用いている。イオン注入のマスクにフォトレジスト膜を
用いることによって、マスクの一部が薄くなるというこ
とは防止できるが、フォトレジスト膜だけでは、イオン
注入時のチャージアップによりフォトレジスト膜下の絶
縁膜が蓄積電荷による電界で破壊されてしまう危険があ
る為、フォトレジスト膜の下には薄いポリシリコン膜を
敷いている。また、イオン注入後は、フォトレジスト膜
は除去するが、ポリシリコン膜は残し、酸化することに
よって絶縁膜の１部として利用するという製造方法とな
っている。

〔実施例〕

次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。

第１図（ａ）〜（ｄ）は本発明の一実施例を説明するた
めの工程順に示した半導体チップの断面図である。

まず第１図（ａ）に示すように、シリコン基板１０上に
酸化膜３で覆われたポリシリコンからなる配線２を形成
したのち、全面に薄いポリシリコン膜を形成する。この
ポリシリコン膜１のカバレ１，７ジはアルミニウム膜よ
り良く、はぼ全面に均一に形成される。

次に第１図（ｂ）に示すように、フォトレジスト膜４を
形成しバターニングしてイオン注入不要部分にのみ残す
。

次に第１図（ｃ）に示すように、残されたフォトレジス
ト膜４をマスクとしてポリシリコン膜１を除去する。次
で残されたポリシリコン膜１とフォトレジスト膜４との
２層膜をイオン注入用のマスクとして不純物イオン５を
イオン注入し、シリコン基板１０に拡散層９を形成する
。

次に第１図（ｄ）に示すように、必要に応じてマスクと
して用いたフォトレジスト膜４のみを除去したのち、ポ
リシリコン膜１を酸化し酸化膜６を形成する。この酸化
膜６は眉間絶縁膜として利用することができる。

〔発明の効果〕

以上説明したように本発明は、不純物のイオン注入に使
用するマスクとして、ポリシリコン膜とフォトレジスト
膜との２層膜を用いることにより、イオン注入時のチャ
ージアップによる絶縁膜破壊を防ぎ、かつ良好なマスク
性による不要部分へのイオン注入を防止することができ
る。また、マスク材として利用したポリシリコン材を残
して酸化することにより、絶縁膜として利用できる為、
ポリシリコン膜のステップカバレッジの良さによる絶縁
性の向上にも寄与でき、半導体装置の信頼性及び歩留向
上の効果は大きい。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）〜（ｄ）は本発明の一実施例を説明するた
めの半導体チップの断面図である。 １・・・ポリシリコン膜、２・・・配線、３・・・酸化
膜、４・・・フォトレジスト膜、５・・・不純物イオン
、６・・・酸化膜、９・・・拡散層、１０・・・シリコ
ン基板。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 　１、イオン注入用のマスク材としてポリシリコン膜と
   フォトレジスト膜の２層膜を用いることを特徴とする半
   導体装置の製造方法。 　２、ポリシリコン膜とフォトレジスト膜からなる２層
   膜のマスクを用いて不純物をイオン注入し、次でマスク
   として用いた上層のフォトレジスト膜を除去したのち下
   層のポリシリコン膜を酸化して酸化膜を形成することを
   特徴とする半導体装置の製造方法。