JPH04205810A - Vtrの磁気ヘッド - Google Patents
Vtrの磁気ヘッドInfo
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- JPH04205810A JPH04205810A JP32944290A JP32944290A JPH04205810A JP H04205810 A JPH04205810 A JP H04205810A JP 32944290 A JP32944290 A JP 32944290A JP 32944290 A JP32944290 A JP 32944290A JP H04205810 A JPH04205810 A JP H04205810A
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- Japan
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- cylinder
- video
- head
- substrate
- video head
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野コ
本発明は、VTRのビデオヘッドに係わり、特に、複数
のビデオヘッドを小径のシリンダに高い相対位置精度で
搭載でき、しかも該搭載時に取付は位置調整を容易に行
なうのに好適なビデオヘッドに関する。
のビデオヘッドを小径のシリンダに高い相対位置精度で
搭載でき、しかも該搭載時に取付は位置調整を容易に行
なうのに好適なビデオヘッドに関する。
[従来の技術]
VTRのビデオヘッドは、現状では単結晶フェライトを
使用したフェライトヘッドや、磁気ギャップ近傍に金属
磁性膜を使用した、いわゆるMIG (meta l
in gap) ヘッドが一般的に製作されている
。これを第14図ないし第18図により説明する。第1
4図は従来のVTRのビデオヘッドの一例を示す斜視図
、第15図は第14図に示すビデオヘッドをシリンダ上
の対称位置に2個搭載した状態を示す平面図、第16図
は第15図のXVI−XVI断面図、第17図および第
18図は第15図の“つ″部拡大図で、ビデオヘッドの
取付は位置調整説明図である。
使用したフェライトヘッドや、磁気ギャップ近傍に金属
磁性膜を使用した、いわゆるMIG (meta l
in gap) ヘッドが一般的に製作されている
。これを第14図ないし第18図により説明する。第1
4図は従来のVTRのビデオヘッドの一例を示す斜視図
、第15図は第14図に示すビデオヘッドをシリンダ上
の対称位置に2個搭載した状態を示す平面図、第16図
は第15図のXVI−XVI断面図、第17図および第
18図は第15図の“つ″部拡大図で、ビデオヘッドの
取付は位置調整説明図である。
第14図において、30はビデオヘッドチップ(以下、
ヘッドチップという)、31はへラドチップ30を接着
固定する金属製のビデオへラドベース(以下、ヘッドベ
ースという)で、ヘッドチップ30の巻線用端子付きの
プリント配線基板32を有している。31aはヘッドベ
ース31取付は用の穴である。符号30〜32で構成さ
れるビデオヘッド33は、複数個(本例の場合は2個)
が第15図に示すように穴31aを介してシリンダ34
上にそれぞれ止めねし35等の固定手段により取り付け
られている。そして、通常、この取付けの際、第15図
に示す相対するヘッドチップ30.30間の角度割り出
し量A(ヘットチップ30.30間の回転方向の相対位
置)、第16図に示すシリンダ34の回転面34aから
各ヘッドチップ30.30までの高さB、B’の差ΔB
(ΔB=B−B ’)+第17図に示す各ヘットチップ
30,30のシリンダ34の外周面34bからの突出量
Cおよび第18図に示す各ヘットチップ30.30のシ
リンダ34の回転方向の姿勢誤差θ(取付は角度の誤差
)等をそれぞれ調整している。これらの調整はミクロン
単位の精度で微調整される必要があり、上記例の場合に
は、シリンダ34に穿設された取付は調整用のピン穴3
6を利用して個別に手動調整している。しかし、この調
整方法は、精度の点からも、また、長時間を必要とする
点からも実用的ではない問題点を有していた。
ヘッドチップという)、31はへラドチップ30を接着
固定する金属製のビデオへラドベース(以下、ヘッドベ
ースという)で、ヘッドチップ30の巻線用端子付きの
プリント配線基板32を有している。31aはヘッドベ
ース31取付は用の穴である。符号30〜32で構成さ
れるビデオヘッド33は、複数個(本例の場合は2個)
が第15図に示すように穴31aを介してシリンダ34
上にそれぞれ止めねし35等の固定手段により取り付け
られている。そして、通常、この取付けの際、第15図
に示す相対するヘッドチップ30.30間の角度割り出
し量A(ヘットチップ30.30間の回転方向の相対位
置)、第16図に示すシリンダ34の回転面34aから
各ヘッドチップ30.30までの高さB、B’の差ΔB
(ΔB=B−B ’)+第17図に示す各ヘットチップ
30,30のシリンダ34の外周面34bからの突出量
Cおよび第18図に示す各ヘットチップ30.30のシ
リンダ34の回転方向の姿勢誤差θ(取付は角度の誤差
)等をそれぞれ調整している。これらの調整はミクロン
単位の精度で微調整される必要があり、上記例の場合に
は、シリンダ34に穿設された取付は調整用のピン穴3
6を利用して個別に手動調整している。しかし、この調
整方法は、精度の点からも、また、長時間を必要とする
点からも実用的ではない問題点を有していた。
このため、調整時間を短縮する調整方法が提案されてい
る。その−例として、VTRヘッドのギャップ位置、お
よびVTRヘッド前面の干渉縞の中心位置を、ガルバノ
ミラ−や光電子増倍管等を使用し、或いは撮像管で取り
出した像を画像処理して認識する認識手段と、該認識手
段の信号に基づき前記VTRヘッドを所定の位置に位置
決めするXY運動および回転が可能な位置決め手段を有
し、該位置決め手段により前記VTRヘッドをX方向に
移動させたときのギャップ信号の大きさ、或いは干渉縞
信号の有無により、前記VTRヘッドの突出し量を調整
し、前記ギャップ位置の基準位置からの偏位量を前記認
識手段により検出し、その偏位量だけ前記位置決め手段
により前記VTRヘッドをY方向に移動させることによ
り割り出し調整を行い、前記干渉縞の中心位置の基準位
置から偏位量を前記認識手段により検出し、前記位置決
め手段により前記VTRヘッドを回転させることにより
回転方向の姿勢誤差θ(R合わせ)を行なう構成のもの
(例えば、特開昭58−139326号公報)があり、
VTRヘッドの位置調整を自動化することによって調整
時間を短縮するとともに、VTRヘッドのシリンダへの
取付は精度を向上させることができるとするものである
。
る。その−例として、VTRヘッドのギャップ位置、お
よびVTRヘッド前面の干渉縞の中心位置を、ガルバノ
ミラ−や光電子増倍管等を使用し、或いは撮像管で取り
出した像を画像処理して認識する認識手段と、該認識手
段の信号に基づき前記VTRヘッドを所定の位置に位置
決めするXY運動および回転が可能な位置決め手段を有
し、該位置決め手段により前記VTRヘッドをX方向に
移動させたときのギャップ信号の大きさ、或いは干渉縞
信号の有無により、前記VTRヘッドの突出し量を調整
し、前記ギャップ位置の基準位置からの偏位量を前記認
識手段により検出し、その偏位量だけ前記位置決め手段
により前記VTRヘッドをY方向に移動させることによ
り割り出し調整を行い、前記干渉縞の中心位置の基準位
置から偏位量を前記認識手段により検出し、前記位置決
め手段により前記VTRヘッドを回転させることにより
回転方向の姿勢誤差θ(R合わせ)を行なう構成のもの
(例えば、特開昭58−139326号公報)があり、
VTRヘッドの位置調整を自動化することによって調整
時間を短縮するとともに、VTRヘッドのシリンダへの
取付は精度を向上させることができるとするものである
。
一方、VTRは、従来の据置き型のほか、現在では装置
の小型軽量化を要求されるカメラ一体型のものも広く普
及されてきており、そのため、シリンダの小型化が急速
に進められ、従来約60mあったシリンダ径が約30m
mないし20m8度まで小さくなっている。そして同時
に、機能面においても従来以上の高性能・多機能化が要
求されてきており、その対策の1つとじて一つのシリン
ダ上に前記従来例のように2個のみでなく、それ以上の
多数のビデオヘッドを搭載することが試みられている情
勢である。
の小型軽量化を要求されるカメラ一体型のものも広く普
及されてきており、そのため、シリンダの小型化が急速
に進められ、従来約60mあったシリンダ径が約30m
mないし20m8度まで小さくなっている。そして同時
に、機能面においても従来以上の高性能・多機能化が要
求されてきており、その対策の1つとじて一つのシリン
ダ上に前記従来例のように2個のみでなく、それ以上の
多数のビデオヘッドを搭載することが試みられている情
勢である。
[発明が解決しようとする課題]
前記VTRヘッドの位置調整を自動化する調整方法にお
いては、調整時間を短縮するとともに、VTRヘッドの
シリンダへの取付は精度を向上させることができるもの
の、前記の如く、VTRヘッドの位置を認識するガルバ
ノミラ−や光電子増倍管等を使用した認識手段と、VT
Rヘッドを所定の位置に位置決めするxy運動および回
転が可能な位置決め手段とを必要とし、装置が複雑にな
る問題点を有しており、さらに、従来のビデオヘッドを
シリンダに組付ける搭載方法においては、シリンダ径が
約30mnないし20m+n程度まで小さくなると、多
数のビデオヘッドを精度良く搭載することかスペース的
に困難になる。具体例として約40nwnの径のシリン
ダ上に約6mm角ないし10m角のビデオヘッドを5個
搭載した例もあるが、ある程度数が増すとスペース的に
無理となり5、シリンダの小型化を図る上での基本的な
障害となる問題点を有していた。
いては、調整時間を短縮するとともに、VTRヘッドの
シリンダへの取付は精度を向上させることができるもの
の、前記の如く、VTRヘッドの位置を認識するガルバ
ノミラ−や光電子増倍管等を使用した認識手段と、VT
Rヘッドを所定の位置に位置決めするxy運動および回
転が可能な位置決め手段とを必要とし、装置が複雑にな
る問題点を有しており、さらに、従来のビデオヘッドを
シリンダに組付ける搭載方法においては、シリンダ径が
約30mnないし20m+n程度まで小さくなると、多
数のビデオヘッドを精度良く搭載することかスペース的
に困難になる。具体例として約40nwnの径のシリン
ダ上に約6mm角ないし10m角のビデオヘッドを5個
搭載した例もあるが、ある程度数が増すとスペース的に
無理となり5、シリンダの小型化を図る上での基本的な
障害となる問題点を有していた。
本発明は、上記従来技術の問題点に鑑み、シリンダ上に
多数のビデオヘッドを簡易に高精度位置決めすることが
でき、シリンダに対するビデオヘットの取付は調整時間
を短縮するとともに、シリンダを小型軽量化することが
可能なVTRのビデオヘッドを提供することを目的とす
る。
多数のビデオヘッドを簡易に高精度位置決めすることが
でき、シリンダに対するビデオヘットの取付は調整時間
を短縮するとともに、シリンダを小型軽量化することが
可能なVTRのビデオヘッドを提供することを目的とす
る。
[課題を解決するための手段]
上記目的を達成するため、本発明は、シリンダに搭載さ
れるVTRのビデオヘッドにおいて、複数のビデオヘッ
トが、前記シリンダに搭載可能に。
れるVTRのビデオヘッドにおいて、複数のビデオヘッ
トが、前記シリンダに搭載可能に。
かつ基板の外周部に該基板と一体に形成される構成にし
たものである。
たものである。
そして、前記基板の中心部に、位置決め用の基準となる
円形の貫通した穴を設けた構成にするとよい。
円形の貫通した穴を設けた構成にするとよい。
また、前記複数のビデオヘッドが、そのテープ摺動面を
、搭載すべきシリンダの外径に対して所定量だけプラス
した直径の範囲内の同一円周上に形成され、テープ摺動
面を該プラスした直径分だけ前記シリンダの外径より突
出させることが望ましく、さらに、前記複数のビデオヘ
ッドが、その磁気ギャップ近傍を搭載すべきシリンダの
外径より+0.1mn〜+2.Omnの範囲内で同径に
形成され、磁気ギャップ近傍以外の部分を前記シリンダ
径より小径に形成することが望ましい。
、搭載すべきシリンダの外径に対して所定量だけプラス
した直径の範囲内の同一円周上に形成され、テープ摺動
面を該プラスした直径分だけ前記シリンダの外径より突
出させることが望ましく、さらに、前記複数のビデオヘ
ッドが、その磁気ギャップ近傍を搭載すべきシリンダの
外径より+0.1mn〜+2.Omnの範囲内で同径に
形成され、磁気ギャップ近傍以外の部分を前記シリンダ
径より小径に形成することが望ましい。
[作用]
上記のように構成したことにより、ビデオヘッドの形成
において、従来のようなヘッドベースを使用することな
く、同一基板上に該基板と一体に複数のビデオヘッドが
同時に形成されるから、形成された各ビデオヘッドの基
板上に占める面積割合は、従来のベツドチップ程度の微
小なものとなり、基板上に多数のビデオヘッドを形成す
ることが可能になるのは勿論、ビデオヘッドの数が増え
た場合でも前記基板の寸法を小径化することが可能にな
る。
において、従来のようなヘッドベースを使用することな
く、同一基板上に該基板と一体に複数のビデオヘッドが
同時に形成されるから、形成された各ビデオヘッドの基
板上に占める面積割合は、従来のベツドチップ程度の微
小なものとなり、基板上に多数のビデオヘッドを形成す
ることが可能になるのは勿論、ビデオヘッドの数が増え
た場合でも前記基板の寸法を小径化することが可能にな
る。
そして、各ビデオヘットの基板との同時一体形成は、複
数のビデオヘッド間の各相対位置精度が一体形成時に高
精度に形成されることになり、さらに、該高精度に一体
形成された基板をシリンダに対して搭載することになる
から、シリンダ上におけるビデオヘッド間の各相対位置
決めは基板全体の位置決めをするだけで足り、従来、シ
リンダ搭載後に行なわれていた位置調整が不要になり、
ビデオへ、ラド間の各相対位置の決定が、高精度に、し
かも極めて容易に可能になる。
数のビデオヘッド間の各相対位置精度が一体形成時に高
精度に形成されることになり、さらに、該高精度に一体
形成された基板をシリンダに対して搭載することになる
から、シリンダ上におけるビデオヘッド間の各相対位置
決めは基板全体の位置決めをするだけで足り、従来、シ
リンダ搭載後に行なわれていた位置調整が不要になり、
ビデオへ、ラド間の各相対位置の決定が、高精度に、し
かも極めて容易に可能になる。
また、基板の中心部に設けた円形の貫通した穴は、基板
と同時一体に形成された各ビデオヘッドのテープ摺動面
を研削加工する場合の基準穴として使用され、該テープ
摺動面の加工精度をミクロン単位に可能にするほか、基
板をシリンダ上に搭載した際、シリンダ上面の中心部に
設けられている穴との間で同心度調整を行なう場合にも
使用され、この同心度調整により上記シリンダ上におけ
る基板全体の位置決めを容易に行なうことを可能にする
。
と同時一体に形成された各ビデオヘッドのテープ摺動面
を研削加工する場合の基準穴として使用され、該テープ
摺動面の加工精度をミクロン単位に可能にするほか、基
板をシリンダ上に搭載した際、シリンダ上面の中心部に
設けられている穴との間で同心度調整を行なう場合にも
使用され、この同心度調整により上記シリンダ上におけ
る基板全体の位置決めを容易に行なうことを可能にする
。
他方、前記基板と同時一体に形成された各ビデオヘッド
のテープ摺動面を、シリンダ外径より所定量だけ僅かに
突出させたことにより、該摺動面と磁気テープとの接触
が円滑になり接触効率を向上させることができる。また
、ビデオヘッドの磁気ギャップ近傍をシリンダ外径より
+0.1m〜+2.0mmの範囲内で大きく、かつ磁気
ギャップ近傍以外の部分をシリンダ径より小径に形成し
たことにより、上記と同様に、ビデオヘッドのテープ摺
動面と磁気テープとの接触を円滑にし接触効率を向上さ
せる。
のテープ摺動面を、シリンダ外径より所定量だけ僅かに
突出させたことにより、該摺動面と磁気テープとの接触
が円滑になり接触効率を向上させることができる。また
、ビデオヘッドの磁気ギャップ近傍をシリンダ外径より
+0.1m〜+2.0mmの範囲内で大きく、かつ磁気
ギャップ近傍以外の部分をシリンダ径より小径に形成し
たことにより、上記と同様に、ビデオヘッドのテープ摺
動面と磁気テープとの接触を円滑にし接触効率を向上さ
せる。
[実施例]
以下、本発明の一実施例を第1図ないし第13図を参照
して説明する。第1図は基板と一体に同時形成されたビ
デオヘッドの平面図、第2図は第1図の″ア″部拡大斜
視図、第3図ないし第13図は第1図に示すビデオヘッ
ドの形成プロセスの一例を示す説明図である。
して説明する。第1図は基板と一体に同時形成されたビ
デオヘッドの平面図、第2図は第1図の″ア″部拡大斜
視図、第3図ないし第13図は第1図に示すビデオヘッ
ドの形成プロセスの一例を示す説明図である。
第1図において、1は円形状の非磁性基板、2a、2b
、3a、3b、4a、4b、5a、5b(以下、2a等
という)は、後述する形成プロセスにより基板1の外周
部に等分に、かつ基板1と一体に同時に形成された各ビ
デオヘットで、ビデオヘッド2a等は、それぞれ近接し
た所定の間隔に異なるアジマス角度(例えば、+6°と
一6°)に形成されたいわゆるダブルアジマスヘッドに
なっている。6は基板1上に形成されている保護膜、7
はビデオヘッド2a等に対応して設けられている端子板
、8は基板1をシリンダへ搭載する時の位置決め用の基
準となる円形の貫通した穴で、基板1の中心部に設けら
れている。六8は後述するように、ビデオヘッド2a等
のテープ摺動面を研削加工する場合の基準穴としても使
用される。9は基板1をシリンダへ搭載する時の取付は
穴である。
、3a、3b、4a、4b、5a、5b(以下、2a等
という)は、後述する形成プロセスにより基板1の外周
部に等分に、かつ基板1と一体に同時に形成された各ビ
デオヘットで、ビデオヘッド2a等は、それぞれ近接し
た所定の間隔に異なるアジマス角度(例えば、+6°と
一6°)に形成されたいわゆるダブルアジマスヘッドに
なっている。6は基板1上に形成されている保護膜、7
はビデオヘッド2a等に対応して設けられている端子板
、8は基板1をシリンダへ搭載する時の位置決め用の基
準となる円形の貫通した穴で、基板1の中心部に設けら
れている。六8は後述するように、ビデオヘッド2a等
のテープ摺動面を研削加工する場合の基準穴としても使
用される。9は基板1をシリンダへ搭載する時の取付は
穴である。
第2図は完成されたビデオヘッド部の構成例で、図中、
第1図と同符号のものは同じものを示す。
第1図と同符号のものは同じものを示す。
図において、11は例えばAl1kの薄膜で基板1上に
形成されている下地膜、12 (12a、12b)は下
地膜11の上に形成された第1の磁性膜で、例えば、C
o系のアモルファス金属磁性薄膜がスパッタリング等で
形成される。13 (13a、13b)は第1の磁性膜
12と磁気キャップ23aおよび23bを介して、第1
の磁性膜12と同様にして形成された第2の磁性膜であ
る。15は基板1を貫通している巻線用の穴、16は隣
接するビデオヘッド4a、4bを仕切るための溝である
。
形成されている下地膜、12 (12a、12b)は下
地膜11の上に形成された第1の磁性膜で、例えば、C
o系のアモルファス金属磁性薄膜がスパッタリング等で
形成される。13 (13a、13b)は第1の磁性膜
12と磁気キャップ23aおよび23bを介して、第1
の磁性膜12と同様にして形成された第2の磁性膜であ
る。15は基板1を貫通している巻線用の穴、16は隣
接するビデオヘッド4a、4bを仕切るための溝である
。
なお、溝16は必ずしも設けなくてよい。
つぎに、第3図ないし第13図により第1図に示すビデ
オヘッドの形成プロセスの一例を説明する。本例は直径
30mのシリンダ上に第1図に示す4組のダブルアジマ
スヘッド(8個のビデオヘッド)を搭載する場合のもの
である。
オヘッドの形成プロセスの一例を説明する。本例は直径
30mのシリンダ上に第1図に示す4組のダブルアジマ
スヘッド(8個のビデオヘッド)を搭載する場合のもの
である。
第3図は基板1を示す斜視図で1本例の基板1は、直径
32m、厚さ2mmの非磁性基板(例えば、M n −
N i系酸化物基板で、熱膨張係数α#120XIO−
’のもの)が、予め平行度1μm以下に仕上げ加工され
、さらに基準用の穴8.取付は穴9および巻線用の穴1
5の下穴15′等が超音波加工等の手段により所定の位
置に穿設されている。
32m、厚さ2mmの非磁性基板(例えば、M n −
N i系酸化物基板で、熱膨張係数α#120XIO−
’のもの)が、予め平行度1μm以下に仕上げ加工され
、さらに基準用の穴8.取付は穴9および巻線用の穴1
5の下穴15′等が超音波加工等の手段により所定の位
置に穿設されている。
基板1は、その上面に厚さ2μm〜5μm程度の下地膜
11をスパッタリング等により形成した後、第4図(a
)、(b)に示すように1巻線用の下穴15′にPIQ
(Polyimide Is。
11をスパッタリング等により形成した後、第4図(a
)、(b)に示すように1巻線用の下穴15′にPIQ
(Polyimide Is。
1ndoloquinazolinedione:ポリ
イミドイソイントロキナゾリンジオン)等の埋込材17
が埋め込まれる。ここで、第4図(b)は第4図(a)
のIVb−TVb断面図である。ついで、第5図(a)
に示すように、下地膜11上にPIQ等のパターン材1
8により第1の磁性膜12 (12a、12b)および
第2の磁性膜13(13a、13b)を形成するための
パターン19を所定の位置に形成する。第5図(b)は
第5図(a)の″イ″部拡大図、第5図(c)は第5図
(b)のVc−Vc断面図で、この両図に示すようにパ
ターン材18の位置は、上記パターン19形成時に、巻
線用の下穴15′上の位置から外された位置になってい
る。つづいて、AQ材等のパターン埋込材20によりパ
ターン19を埋め込んだ後、上面をラッピング等により
平坦化する。
イミドイソイントロキナゾリンジオン)等の埋込材17
が埋め込まれる。ここで、第4図(b)は第4図(a)
のIVb−TVb断面図である。ついで、第5図(a)
に示すように、下地膜11上にPIQ等のパターン材1
8により第1の磁性膜12 (12a、12b)および
第2の磁性膜13(13a、13b)を形成するための
パターン19を所定の位置に形成する。第5図(b)は
第5図(a)の″イ″部拡大図、第5図(c)は第5図
(b)のVc−Vc断面図で、この両図に示すようにパ
ターン材18の位置は、上記パターン19形成時に、巻
線用の下穴15′上の位置から外された位置になってい
る。つづいて、AQ材等のパターン埋込材20によりパ
ターン19を埋め込んだ後、上面をラッピング等により
平坦化する。
そして、第6図(a)に示すように、図に斜線で示すパ
ターン19の一部をプラズマエツチング等により除去し
、第6図(a)の■b −VI b断面図である第6図
(b)に示すような形状にする。この除去した部分に例
えば、Co系のアモルファス金属磁性膜からなる第1の
磁性膜12をスパッタリング等により形成した後、その
上面をラッピング等により平坦化する。そして、第6図
(a)。
ターン19の一部をプラズマエツチング等により除去し
、第6図(a)の■b −VI b断面図である第6図
(b)に示すような形状にする。この除去した部分に例
えば、Co系のアモルファス金属磁性膜からなる第1の
磁性膜12をスパッタリング等により形成した後、その
上面をラッピング等により平坦化する。そして、第6図
(a)。
(b)にパターン材18で示されているパターン19の
残りの部分を、第7図に示すようにプラズマエツチング
等により除去する。ここで、第7図(b)は第7図(a
)の■b−■b断面図、第7図(C)は第7図(a)の
■C−■C断面図である。つぎに、第7図(c)に示す
第1の磁性膜12の一部を、図示しないダイヤモンドバ
イト等により加工して、第8図に示すような所定のアジ
マス角度に相当する傾斜の斜面21a、21bに形成し
、この上に磁気ギャップを形成するための絶41!膜2
2を形成する。絶m膜22は、例えば、厚さ0.3μm
のSiO2膜からなっている。ついて、第9図に示すよ
うに、斜面21a、21b間に再度例えば、CO系のア
モルファス金属鉱性膜からなる第2の磁性膜13をスパ
ッタリング等により形成し、該上面をラッピング等によ
り平坦化する。
残りの部分を、第7図に示すようにプラズマエツチング
等により除去する。ここで、第7図(b)は第7図(a
)の■b−■b断面図、第7図(C)は第7図(a)の
■C−■C断面図である。つぎに、第7図(c)に示す
第1の磁性膜12の一部を、図示しないダイヤモンドバ
イト等により加工して、第8図に示すような所定のアジ
マス角度に相当する傾斜の斜面21a、21bに形成し
、この上に磁気ギャップを形成するための絶41!膜2
2を形成する。絶m膜22は、例えば、厚さ0.3μm
のSiO2膜からなっている。ついて、第9図に示すよ
うに、斜面21a、21b間に再度例えば、CO系のア
モルファス金属鉱性膜からなる第2の磁性膜13をスパ
ッタリング等により形成し、該上面をラッピング等によ
り平坦化する。
以上のプロセスを経て磁気キャップ23a、23bが形
成される。
成される。
次に、第10図(a)および第10図(a)のxb−x
b断面図である第10図(b)に示すように、巻線用の
下穴15′に埋め込まれていたPIQ等の埋込材17お
よびパターン埋込材20を、超音波加工等により除去し
て巻線用の穴15を再生する。そして、上面に、第11
図(a)、(b)に示すように、スパッタリング等でフ
ォルステライト等の保護膜6を、例えば約50μmの厚
さに形成する。ここで、第11図(b)は第11図(a
)のXIb−X[b断面図である。以上により非磁性基
板1上に8個のビデオヘットを形成することが可能とな
る。なお、上記下地膜11から保護膜6までの膜は、前
記第1図に示すように基板1の中心から1例えば、直径
20mmの円より外側の面のみに形成される。
b断面図である第10図(b)に示すように、巻線用の
下穴15′に埋め込まれていたPIQ等の埋込材17お
よびパターン埋込材20を、超音波加工等により除去し
て巻線用の穴15を再生する。そして、上面に、第11
図(a)、(b)に示すように、スパッタリング等でフ
ォルステライト等の保護膜6を、例えば約50μmの厚
さに形成する。ここで、第11図(b)は第11図(a
)のXIb−X[b断面図である。以上により非磁性基
板1上に8個のビデオヘットを形成することが可能とな
る。なお、上記下地膜11から保護膜6までの膜は、前
記第1図に示すように基板1の中心から1例えば、直径
20mmの円より外側の面のみに形成される。
つづいて、前記第11図までのプロセスにより基板1上
に形成された8個のビデオヘッドのテープ摺動面の形成
プロセス例を、第12図および第13図により説明する
。第12図は摺動面の加工前後の形状を説明する第10
図(a)に対応する部分平面図、第13図は基板と一体
に同時に形成完了したビデオヘッドの全体斜視図である
。
に形成された8個のビデオヘッドのテープ摺動面の形成
プロセス例を、第12図および第13図により説明する
。第12図は摺動面の加工前後の形状を説明する第10
図(a)に対応する部分平面図、第13図は基板と一体
に同時に形成完了したビデオヘッドの全体斜視図である
。
第12図において、ます、前記第3図に示す基準用の六
8を中心として、図に2点鎖gSで示す基板1の外周部
を直径D□(例えば、D工=31mm)にて研削加工等
により加工する。つぎに、基板1の下地膜11を形成し
た面から基板1を例えば0゜O5nm+の厚さだけ残し
、この厚さ以外の他の基板1の部分を研削加工等により
除去する。ついて、基板1の各ビデオヘットの第9図に
示す磁気ギャップ23a、23b近傍部(例えば、@”
= 2 wn )のみを残し、他の基板1の外周部分を
六8を中心として直径D2(例えば、D2= 29.5
mm)にて研削加工等により除去する。以上のプロセ
スにより第13図に示すような8個のビデオヘッドのテ
ープ摺動面が基板1上に形成される。そして、この後、
前記第1図に示す端子板7を、ビデオヘット28等の内
周側の基板1上に接着し、第2図に示す隣接した各ビデ
オヘッド間を仕切る溝16を、例えば、幅約0.lrm
に加工して製作を完了する。
8を中心として、図に2点鎖gSで示す基板1の外周部
を直径D□(例えば、D工=31mm)にて研削加工等
により加工する。つぎに、基板1の下地膜11を形成し
た面から基板1を例えば0゜O5nm+の厚さだけ残し
、この厚さ以外の他の基板1の部分を研削加工等により
除去する。ついて、基板1の各ビデオヘットの第9図に
示す磁気ギャップ23a、23b近傍部(例えば、@”
= 2 wn )のみを残し、他の基板1の外周部分を
六8を中心として直径D2(例えば、D2= 29.5
mm)にて研削加工等により除去する。以上のプロセ
スにより第13図に示すような8個のビデオヘッドのテ
ープ摺動面が基板1上に形成される。そして、この後、
前記第1図に示す端子板7を、ビデオヘット28等の内
周側の基板1上に接着し、第2図に示す隣接した各ビデ
オヘッド間を仕切る溝16を、例えば、幅約0.lrm
に加工して製作を完了する。
なお、溝16は必ずしも設けなくてよい。
前述したように本発明に係わるビデオヘッドは、従来の
ようなヘッドベースを使用することなく、同一基板1上
に、リソグラフィー工程とダイヤモンドバイトによる磁
気ギャップ面加工とにより、基板1と一体に複数(本例
の場合は8個)のビデオヘッドが同時に形成されるから
、形成されたビデオヘッド28等の基板1上に占める面
積割合は、前記第14図に示す従来のヘッドチップ30
程度の微小なものとなり、基板1上に多数のビデオヘッ
ド28等を形成することが可能になるのは勿論、ビデオ
ヘッド28等の数が増えた場合でも前記基板1の寸法を
小径化することが可能になる。
ようなヘッドベースを使用することなく、同一基板1上
に、リソグラフィー工程とダイヤモンドバイトによる磁
気ギャップ面加工とにより、基板1と一体に複数(本例
の場合は8個)のビデオヘッドが同時に形成されるから
、形成されたビデオヘッド28等の基板1上に占める面
積割合は、前記第14図に示す従来のヘッドチップ30
程度の微小なものとなり、基板1上に多数のビデオヘッ
ド28等を形成することが可能になるのは勿論、ビデオ
ヘッド28等の数が増えた場合でも前記基板1の寸法を
小径化することが可能になる。
そして、ビデオヘッド2a等の基板1との同時一体形成
は、前述したビデオヘッド28等間の角度割り出し量、
シリンダ外周面からの突出量等の各種相対位置関係が、
ミクロン単位で高精度に形成されることになり、さらに
、該高精度に一体形成された基板1をシリンダに対して
搭載することになるから、シリンダ上におけるビデオヘ
ッド2a等間の各相対位置決めは基板1全体の位置決め
をするだけで足り、従来、シリンダ搭載後に行なわれて
いた位置調整が不要になり、ビデオヘッド2a等間の各
相対位置の決定が、高精度に、しかも極めて容易に可能
になる。
は、前述したビデオヘッド28等間の角度割り出し量、
シリンダ外周面からの突出量等の各種相対位置関係が、
ミクロン単位で高精度に形成されることになり、さらに
、該高精度に一体形成された基板1をシリンダに対して
搭載することになるから、シリンダ上におけるビデオヘ
ッド2a等間の各相対位置決めは基板1全体の位置決め
をするだけで足り、従来、シリンダ搭載後に行なわれて
いた位置調整が不要になり、ビデオヘッド2a等間の各
相対位置の決定が、高精度に、しかも極めて容易に可能
になる。
また、基板1の中心部に設けた円形の貫通した穴8は、
基板1と同時一体に形成されたビデオヘッド2a等の各
テープ摺動面を同時に研削加工する場合の基準穴として
使用され、該各テープ摺動面の加工をミクロン単位の高
精度に可能にするほか、基板1をシリンダ上に搭載した
際、シリンダ上面の中心部に設けられている穴との間で
同心度調整を行なう場合にも使用され、この同心度調整
により上記シリンダ上における基板1全体の位置決めを
容易に行なうことを可能にする。
基板1と同時一体に形成されたビデオヘッド2a等の各
テープ摺動面を同時に研削加工する場合の基準穴として
使用され、該各テープ摺動面の加工をミクロン単位の高
精度に可能にするほか、基板1をシリンダ上に搭載した
際、シリンダ上面の中心部に設けられている穴との間で
同心度調整を行なう場合にも使用され、この同心度調整
により上記シリンダ上における基板1全体の位置決めを
容易に行なうことを可能にする。
他方、前記基板1と同時一体に形成されたビデオヘット
28等のテープ摺動面を、シリンダ外径より所定量だけ
僅かに突出させたことにより、該摺動面と磁気テープと
の接触が円滑になり接触効率を向上させることができる
。また、ビデオヘッド28等の磁気ギャップ23a、2
3b近傍をシリンダ外径より+0.1 mm〜+ 2.
0 mmの範囲内で大きく、かつ磁気ギャップ23a、
23b近傍以外の部分をシリンダ外径より小径に形成し
たことにより、上記と同様に、ビデオヘッド28等のテ
ープ摺動面と磁気テープとの接触を円滑にし接触効率を
向上させることができる。
28等のテープ摺動面を、シリンダ外径より所定量だけ
僅かに突出させたことにより、該摺動面と磁気テープと
の接触が円滑になり接触効率を向上させることができる
。また、ビデオヘッド28等の磁気ギャップ23a、2
3b近傍をシリンダ外径より+0.1 mm〜+ 2.
0 mmの範囲内で大きく、かつ磁気ギャップ23a、
23b近傍以外の部分をシリンダ外径より小径に形成し
たことにより、上記と同様に、ビデオヘッド28等のテ
ープ摺動面と磁気テープとの接触を円滑にし接触効率を
向上させることができる。
なお、上記実施例においては、ダブルアジマスヘッドを
4組、すなわち合計8個のビデオヘッドの形成プロセス
について説明したが、従来のシングルアジマスヘッドに
ついても同様にして形成可能なことは勿論であり、また
、巻線型のビデオヘットの例について説明したか、巻線
もリソクラフィー工程を使用した、いわゆる薄膜ヘッド
の場合についても同様に製作することができるのは勿論
である。ただし、この場合には巻線用の穴15は当然不
要になる。
4組、すなわち合計8個のビデオヘッドの形成プロセス
について説明したが、従来のシングルアジマスヘッドに
ついても同様にして形成可能なことは勿論であり、また
、巻線型のビデオヘットの例について説明したか、巻線
もリソクラフィー工程を使用した、いわゆる薄膜ヘッド
の場合についても同様に製作することができるのは勿論
である。ただし、この場合には巻線用の穴15は当然不
要になる。
[発明の効果]
以上説明したように本発明は、シリンダ上に多数のビデ
オヘットを、簡易に、かつミクロン単位の高精度に位置
決めすることができ、シリンダに対するビデオヘットの
取付は調整時間を従来に比べて大幅に短縮するとともに
、該ビデオヘッドを搭載するシリンダを小型軽量化する
ことができる顕著な効果を奏する。
オヘットを、簡易に、かつミクロン単位の高精度に位置
決めすることができ、シリンダに対するビデオヘットの
取付は調整時間を従来に比べて大幅に短縮するとともに
、該ビデオヘッドを搭載するシリンダを小型軽量化する
ことができる顕著な効果を奏する。
第1図ないし第13図は本発明の一実施例の説明図で、
第1図は基板と一体に同時形成されたビデオヘッドの平
面図、第2図は第1図の″ア″部拡大斜視図、第3図は
基板1を示す斜視図、第4図は基板に下地膜の形成と埋
込材の埋め込みとを行なった状態を示す図で、第4図(
b)は第4図(a)のrVb−IVb断面図、第5図は
磁性膜を形成するためのパターン形成の説明図で、第5
図(b)は第5図(a)のパイ″部拡犬回、第5図(c
)は第5図(b)のVc−Vc断面図、第6図は第5図
の次のプロセスを示す図で、第6図(b)は第6図(a
)のVT b −VT b断面図、第7図は第1の磁性
膜の形成プロセスを示す図で、第7図(b)は第7図(
a)の■b−■b断面図、第7図(C)は第7図(a)
の■C−■C断面図、第8図はアジマス角度に相当する
傾斜の斜面形成を示す図、第9図は第2の磁性膜と磁気
ギャップとの形成を示す図、第10図は巻線用の穴の再
生を示す図で、第10図(b)は第10図(a)のxb
−xb断面図、第11図は保護膜6の形成を示す図で、
第11図(b)は第11図(a)の尺b−xtb断面図
、第12図は摺動面の加工前後の形状説明用の部分平面
図、第13図は基板と一体に同時に形成完了したビデオ
ヘッドの全体斜視図である。 第14図は従来のVTRのビデオヘッドの一例を示す斜
視図、第15図は第14図に示すビデオヘットをシリン
ダ上の対称位置に2個搭載した状態を示す平面図、第1
6図は第15図のXVI−X■断面図、第17図および
第18図は第15図の′つ″部拡大図である。 1・・基板、2a、2b、3a、3b、4a、4b、5
a、5b・・・ビデオヘッド、6・・・保す膜、8・・
・基準用の穴、11・・・下地膜、12a、12b・・
・第1の磁性膜、13a、13b・・・第2の磁性膜、
15・・・巻線用の穴、15電・・巻線用の穴の下穴、
17・・・埋込材、18・・パターン材、19・・・パ
ターン、20・・・パターン埋込材、22・・・絶縁膜
、23a、23b・・・磁気ギャップ、30・・・ビデ
オへラドチップ、31・・・ビデオへラドベース、32
・・・プリント配線基板、33・・・ビデオヘッド、3
4・・・シリンダ。 特許出願人 株式会社日立製作所 代理人弁理士 秋 本 正 実 第1図 8−一一欠 第3図 第4図 第5図 (Q) (b) (c) (C) 第8図 第10図 (a)
(b)第11図 第12図 第14図 第15図 第16図 34a 34b 第17図 手続補正書(自発) 平成3年3月 5日
第1図は基板と一体に同時形成されたビデオヘッドの平
面図、第2図は第1図の″ア″部拡大斜視図、第3図は
基板1を示す斜視図、第4図は基板に下地膜の形成と埋
込材の埋め込みとを行なった状態を示す図で、第4図(
b)は第4図(a)のrVb−IVb断面図、第5図は
磁性膜を形成するためのパターン形成の説明図で、第5
図(b)は第5図(a)のパイ″部拡犬回、第5図(c
)は第5図(b)のVc−Vc断面図、第6図は第5図
の次のプロセスを示す図で、第6図(b)は第6図(a
)のVT b −VT b断面図、第7図は第1の磁性
膜の形成プロセスを示す図で、第7図(b)は第7図(
a)の■b−■b断面図、第7図(C)は第7図(a)
の■C−■C断面図、第8図はアジマス角度に相当する
傾斜の斜面形成を示す図、第9図は第2の磁性膜と磁気
ギャップとの形成を示す図、第10図は巻線用の穴の再
生を示す図で、第10図(b)は第10図(a)のxb
−xb断面図、第11図は保護膜6の形成を示す図で、
第11図(b)は第11図(a)の尺b−xtb断面図
、第12図は摺動面の加工前後の形状説明用の部分平面
図、第13図は基板と一体に同時に形成完了したビデオ
ヘッドの全体斜視図である。 第14図は従来のVTRのビデオヘッドの一例を示す斜
視図、第15図は第14図に示すビデオヘットをシリン
ダ上の対称位置に2個搭載した状態を示す平面図、第1
6図は第15図のXVI−X■断面図、第17図および
第18図は第15図の′つ″部拡大図である。 1・・基板、2a、2b、3a、3b、4a、4b、5
a、5b・・・ビデオヘッド、6・・・保す膜、8・・
・基準用の穴、11・・・下地膜、12a、12b・・
・第1の磁性膜、13a、13b・・・第2の磁性膜、
15・・・巻線用の穴、15電・・巻線用の穴の下穴、
17・・・埋込材、18・・パターン材、19・・・パ
ターン、20・・・パターン埋込材、22・・・絶縁膜
、23a、23b・・・磁気ギャップ、30・・・ビデ
オへラドチップ、31・・・ビデオへラドベース、32
・・・プリント配線基板、33・・・ビデオヘッド、3
4・・・シリンダ。 特許出願人 株式会社日立製作所 代理人弁理士 秋 本 正 実 第1図 8−一一欠 第3図 第4図 第5図 (Q) (b) (c) (C) 第8図 第10図 (a)
(b)第11図 第12図 第14図 第15図 第16図 34a 34b 第17図 手続補正書(自発) 平成3年3月 5日
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、シリンダに搭載されるVTRのビデオヘッドにおい
て、複数のビデオヘッドが、前記シリンダに搭載可能に
、かつ基板の外周部に該基板と一体に形成されたことを
特徴とするVTRのビデオヘッド。 2、前記基板の中心部に、位置決め用の基準となる円形
の貫通した穴を設けてなる請求項1記載のVTRのビデ
オヘッド。 3、前記複数のビデオヘッドが、そのテープ摺動面を搭
載すべきシリンダの外径に対して、所定量だけプラスし
た直径の範囲内の同一円周上に形成され、テープ摺動面
を該プラスした直径分だけ前記シリンダの外径より突出
させた請求項1または2記載のVTRのビデオヘッド。 4、前記複数のビデオヘッドが、その磁気ギャップ近傍
を搭載すべきシリンダの外径より+0.1mm〜+2.
0mmの範囲内で同径に形成され、磁気ギャップ近傍以
外の部分を前記シリンダ径より小径に形成されてなる請
求項1、2または3記載のVTRのビデオヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2329442A JP3002254B2 (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | Vtrの磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2329442A JP3002254B2 (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | Vtrの磁気ヘッド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04205810A true JPH04205810A (ja) | 1992-07-28 |
| JP3002254B2 JP3002254B2 (ja) | 2000-01-24 |
Family
ID=18221420
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2329442A Expired - Lifetime JP3002254B2 (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | Vtrの磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3002254B2 (ja) |
-
1990
- 1990-11-30 JP JP2329442A patent/JP3002254B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3002254B2 (ja) | 2000-01-24 |
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