JPH06260528A - 半導体集積回路装置 - Google Patents
半導体集積回路装置Info
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- JPH06260528A JPH06260528A JP5044265A JP4426593A JPH06260528A JP H06260528 A JPH06260528 A JP H06260528A JP 5044265 A JP5044265 A JP 5044265A JP 4426593 A JP4426593 A JP 4426593A JP H06260528 A JPH06260528 A JP H06260528A
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- JP
- Japan
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- metal pad
- wire bonding
- integrated circuit
- semiconductor integrated
- circuit device
- Prior art date
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- Pending
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/90—Bond pads, in general
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
- H10W72/07541—Controlling the environment, e.g. atmosphere composition or temperature
- H10W72/07551—Controlling the environment, e.g. atmosphere composition or temperature characterised by changes in properties of the bond wires during the connecting
-
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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-
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/59—Bond pads specially adapted therefor
-
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10W72/981—Auxiliary members, e.g. spacers
- H10W72/983—Reinforcing structures, e.g. collars
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】モールドパッケージのワイヤボンディング用メ
タルパッド部分の耐湿性を向上させメタルパッドの酸化
による断線を防ぐ。 【構成】ワイヤボンディング用メタルパッドの上層の保
護絶縁膜の開口部１０１の形状を、ワイヤボンディング
接合部分１０５と同じ大きさで、かつ、円形にする。こ
れによりワイヤボンディング用メタルパッドの露出部分
が、無くなり、メタルパッドの酸化による断線を防ぐこ
とができる。
タルパッド部分の耐湿性を向上させメタルパッドの酸化
による断線を防ぐ。 【構成】ワイヤボンディング用メタルパッドの上層の保
護絶縁膜の開口部１０１の形状を、ワイヤボンディング
接合部分１０５と同じ大きさで、かつ、円形にする。こ
れによりワイヤボンディング用メタルパッドの露出部分
が、無くなり、メタルパッドの酸化による断線を防ぐこ
とができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体集積回路装置に
関し、特にワイヤボンディング用メタルパッドに関す
る。
関し、特にワイヤボンディング用メタルパッドに関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種のワイヤボンディングメタ
ルパッドの構成は、図３（ａ），（ｂ）に示すように、
正方形のワイヤボンディング用メタルパッド１０２と、
上層に形成した保護絶縁膜１０３を、メタルパッド１０
２の内側部分を正方形形状に除去して作った保護絶縁膜
開口部１０１からなっており、この、保護絶縁膜開口部
１０１に、図３（ｃ），（ｄ）のようにワイヤボンディ
ングを行っていた。
ルパッドの構成は、図３（ａ），（ｂ）に示すように、
正方形のワイヤボンディング用メタルパッド１０２と、
上層に形成した保護絶縁膜１０３を、メタルパッド１０
２の内側部分を正方形形状に除去して作った保護絶縁膜
開口部１０１からなっており、この、保護絶縁膜開口部
１０１に、図３（ｃ），（ｄ）のようにワイヤボンディ
ングを行っていた。
【発明が解決しようとする課題】モールドパッケージの
樹脂封止の組立では、気密性が悪く、耐湿性が弱いた
め、図３（ｃ）のワイヤボンディング用メタルパッド１
０２のワイヤボンディング接合部分１０５と保護絶縁膜
１０３との間のメタルパッド露出部分１０７が酸化され
て最悪の場合は、断線して、不良品となってしまうとい
う欠点があった。
樹脂封止の組立では、気密性が悪く、耐湿性が弱いた
め、図３（ｃ）のワイヤボンディング用メタルパッド１
０２のワイヤボンディング接合部分１０５と保護絶縁膜
１０３との間のメタルパッド露出部分１０７が酸化され
て最悪の場合は、断線して、不良品となってしまうとい
う欠点があった。
【０００３】本発明の目的は、上述の欠点を解決し、モ
ールドパッケージでの耐湿性を向上させることの出来る
半導体集積回路装置を提供することにある。
ールドパッケージでの耐湿性を向上させることの出来る
半導体集積回路装置を提供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体集積回路
装置は、ワイヤボンディング用メタルパッドの上層保護
絶縁膜が、ワイヤボンディング時のボンディング接合部
分と同じ大きさの円形の開口部を有している。
装置は、ワイヤボンディング用メタルパッドの上層保護
絶縁膜が、ワイヤボンディング時のボンディング接合部
分と同じ大きさの円形の開口部を有している。
【０００５】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。図１は、本発明の一実施例の半導体集積回路装置の
側面図および上面図で、分図（ａ）は素子の側面図，分
図（ｂ）は上面図，分図（ｃ）はワイヤボンディングを
行ったときの素子の側面図，分図（ｄ）はその上面図で
ある。
る。図１は、本発明の一実施例の半導体集積回路装置の
側面図および上面図で、分図（ａ）は素子の側面図，分
図（ｂ）は上面図，分図（ｃ）はワイヤボンディングを
行ったときの素子の側面図，分図（ｄ）はその上面図で
ある。
【０００６】分図（ａ），（ｂ）のように正方形のワイ
ヤボンディング用メタルパッド１０２の上層に形成され
た保護絶縁膜開口部１０１が、分図（ｃ）のようにワイ
ヤボンディング接合部１０５と同じ大きさの円形で形づ
くられている。その保護絶縁膜開口部１０１にワイヤボ
ンディングを行ったのが、分図（ｃ），（ｄ）でありこ
れによりボンディング用メタルパッドの露出部分が無く
なり、よって、メタルパッドの酸化が無くなり耐湿性が
向上する。
ヤボンディング用メタルパッド１０２の上層に形成され
た保護絶縁膜開口部１０１が、分図（ｃ）のようにワイ
ヤボンディング接合部１０５と同じ大きさの円形で形づ
くられている。その保護絶縁膜開口部１０１にワイヤボ
ンディングを行ったのが、分図（ｃ），（ｄ）でありこ
れによりボンディング用メタルパッドの露出部分が無く
なり、よって、メタルパッドの酸化が無くなり耐湿性が
向上する。
【０００７】次に第２の実施例について説明する。図２
は本発明の他の実施例の半導体集積回路装置の側面図お
よび平面図で、分図（ａ）は半導体集積回路装置の側面
図，分図（ｂ）はその上面図，分図（ｃ）はワイヤボン
ディングを行ったときの側面図，分図（ｄ）はその平面
図である。分図（ａ），（ｂ）は、円形のワイヤボンデ
ィング用メタルパッド１０２に円形の保護絶縁膜開口部
１０１を有している場合で、このときも分図（ｃ），
（ｄ）のようにワイヤボンディングを行ったときも、第
１の実施例と同じようにボンディング用メタルパッドの
露出部分が無くなる。よって、メタルパッドの酸化が無
くなり耐湿性が向上する。したがってモールドパッケー
ジでの耐湿性による断線不良な無くなる。この第２の実
施例ではワイヤボンディング用メタルパッドが円形のた
め保護絶縁膜開口部近傍の歪を少なくすることができ、
かつボンディングパットの面積を縮小することができる
特徴がある。
は本発明の他の実施例の半導体集積回路装置の側面図お
よび平面図で、分図（ａ）は半導体集積回路装置の側面
図，分図（ｂ）はその上面図，分図（ｃ）はワイヤボン
ディングを行ったときの側面図，分図（ｄ）はその平面
図である。分図（ａ），（ｂ）は、円形のワイヤボンデ
ィング用メタルパッド１０２に円形の保護絶縁膜開口部
１０１を有している場合で、このときも分図（ｃ），
（ｄ）のようにワイヤボンディングを行ったときも、第
１の実施例と同じようにボンディング用メタルパッドの
露出部分が無くなる。よって、メタルパッドの酸化が無
くなり耐湿性が向上する。したがってモールドパッケー
ジでの耐湿性による断線不良な無くなる。この第２の実
施例ではワイヤボンディング用メタルパッドが円形のた
め保護絶縁膜開口部近傍の歪を少なくすることができ、
かつボンディングパットの面積を縮小することができる
特徴がある。
【０００８】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、ワイヤボ
ンディング用メタルパッドの上層の保護絶縁膜が、ワイ
ヤボンディグ時のボンディング接合部分と同じ大きさ
の、円形の開口部を有している。これにより、ワイヤボ
ンディング時のメタルパッドの露出部分が無くなり、酸
化によるメタルパッドの断線が無くなる。またモールド
パッケージでの耐湿性をパッケージの変更をすることな
く、向上させることが出来る。
ンディング用メタルパッドの上層の保護絶縁膜が、ワイ
ヤボンディグ時のボンディング接合部分と同じ大きさ
の、円形の開口部を有している。これにより、ワイヤボ
ンディング時のメタルパッドの露出部分が無くなり、酸
化によるメタルパッドの断線が無くなる。またモールド
パッケージでの耐湿性をパッケージの変更をすることな
く、向上させることが出来る。
【図１】本発明の一実施例の半導体集積回路装置の側面
図およびその上面図であり、分図（ａ）は半導体集積回
路装置の側面図，分図（ｂ）はその上面図，分図（ｃ）
はワイヤボンディングを行ったときの側面図，分図
（ｄ）はその上面図である。
図およびその上面図であり、分図（ａ）は半導体集積回
路装置の側面図，分図（ｂ）はその上面図，分図（ｃ）
はワイヤボンディングを行ったときの側面図，分図
（ｄ）はその上面図である。
【図２】本発明の他の実施例の半導体集積回路装置の側
面図およびその上面図で、分図（ａ）は半導体集積回路
装置の側面図，分図（ｂ）はその上面図，分図（ｃ）は
ワイヤボンディングを行ったときの側面図，分図（ｄ）
はその上面図である。
面図およびその上面図で、分図（ａ）は半導体集積回路
装置の側面図，分図（ｂ）はその上面図，分図（ｃ）は
ワイヤボンディングを行ったときの側面図，分図（ｄ）
はその上面図である。
【図３】従来の半導体集積回路装置の一例の側面図およ
びその上面図で、分図（ａ）は半導体集積回路の側面
図，分図（ｂ）はその上面図，分図（ｃ）はワイヤボン
ディングを行ったときの側面図，分図（ｄ）はその上面
図である。
びその上面図で、分図（ａ）は半導体集積回路の側面
図，分図（ｂ）はその上面図，分図（ｃ）はワイヤボン
ディングを行ったときの側面図，分図（ｄ）はその上面
図である。
１０１ 保護絶縁膜開口部 １０２ ワイヤボンディング用メタルパッド １０３ 保護絶縁膜 １０４ シリコン基板 １０５ ワイヤボンディング接合部分 １０６ ボンディングワイヤ １０７ メタルパッド露出部分
Claims (2)
- 【請求項１】 ワイヤボンディング用メタルパッドの上
層の保護絶縁膜が、ワイヤボンディング時のボンディン
グ接合部分と同じ大きさの、円形の開口部を有すること
を特徴とする半導体集積回路装置。 - 【請求項２】 ワイヤボンディング用メタルパッドが円
形に形成されていることを特徴とする請求項１記載の半
導体集積回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5044265A JPH06260528A (ja) | 1993-03-05 | 1993-03-05 | 半導体集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5044265A JPH06260528A (ja) | 1993-03-05 | 1993-03-05 | 半導体集積回路装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06260528A true JPH06260528A (ja) | 1994-09-16 |
Family
ID=12686684
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5044265A Pending JPH06260528A (ja) | 1993-03-05 | 1993-03-05 | 半導体集積回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06260528A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8482002B2 (en) | 2009-01-20 | 2013-07-09 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor device including bonding pads and semiconductor package including the semiconductor device |
-
1993
- 1993-03-05 JP JP5044265A patent/JPH06260528A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8482002B2 (en) | 2009-01-20 | 2013-07-09 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor device including bonding pads and semiconductor package including the semiconductor device |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19990302 |