JPH04264048A - トリフルオロメチル化合物 - Google Patents
トリフルオロメチル化合物Info
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- JPH04264048A JPH04264048A JP3046136A JP4613691A JPH04264048A JP H04264048 A JPH04264048 A JP H04264048A JP 3046136 A JP3046136 A JP 3046136A JP 4613691 A JP4613691 A JP 4613691A JP H04264048 A JPH04264048 A JP H04264048A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、新規な正の誘電異方性
を示すトリフルオロメチル化合物および該化合物を含有
する液晶組成物に関する。
を示すトリフルオロメチル化合物および該化合物を含有
する液晶組成物に関する。
【0002】
【従来の技術】液晶を利用した表示素子は時計、電卓等
に広く使用されている。これらの液晶表示素子は液晶物
質の光学異方性および誘電異方性を利用したものである
。液晶相にはネマチック液晶相、スメクチック液晶相、
コレステリック液晶相があり、そのうちネマチック液晶
を利用したものが最も広く実用化され、スメクチック液
晶の応用開発もさかんに行なわれている。
に広く使用されている。これらの液晶表示素子は液晶物
質の光学異方性および誘電異方性を利用したものである
。液晶相にはネマチック液晶相、スメクチック液晶相、
コレステリック液晶相があり、そのうちネマチック液晶
を利用したものが最も広く実用化され、スメクチック液
晶の応用開発もさかんに行なわれている。
【0003】それらには液晶表示に応用されている電気
光学効果に対応して、TN(ねじれネマチック)型、D
S(動的散乱)型、ゲスト・ポスト型、DAP型等の表
示素子があり、それぞれに使用される液晶物質は自然界
のなるべく広い温度範囲で液晶相を示すものが望ましい
。
光学効果に対応して、TN(ねじれネマチック)型、D
S(動的散乱)型、ゲスト・ポスト型、DAP型等の表
示素子があり、それぞれに使用される液晶物質は自然界
のなるべく広い温度範囲で液晶相を示すものが望ましい
。
【0004】現在のところ単一の液晶物質でそのような
条件をみたす物質はなく、数種の液晶物質またはさらに
非液晶物質を混合して実用に供している。これらの物質
は水分、光、熱、空気等に対しても安定であることを要
求されている。
条件をみたす物質はなく、数種の液晶物質またはさらに
非液晶物質を混合して実用に供している。これらの物質
は水分、光、熱、空気等に対しても安定であることを要
求されている。
【0005】近年表示素子の大型化が望まれているが、
従来のTN型方式では表示品位が劣るため、新たに一連
のSTN(スーパーツイスト)型表示素子がM.シャッ
ト、F.リーンフーツ(Appl. Phys. Le
tt., 50. 236 (1987)) により開
発され、大型化しても表示品位が劣らないものである。
従来のTN型方式では表示品位が劣るため、新たに一連
のSTN(スーパーツイスト)型表示素子がM.シャッ
ト、F.リーンフーツ(Appl. Phys. Le
tt., 50. 236 (1987)) により開
発され、大型化しても表示品位が劣らないものである。
【0006】この方式に望まれる液晶の性質はK3 /
K1 が大きく、K2 /K1 は小さく、Δε/εは
小さい値が望まれている(M. Schadt, F.
Leenhouts Society forInf
ormation Display Internat
ional Symposium Digest of
Technical PaparsVol. X V
III New Orleans. Lousiana
May 12−14, (1987) 372−37
5)。
K1 が大きく、K2 /K1 は小さく、Δε/εは
小さい値が望まれている(M. Schadt, F.
Leenhouts Society forInf
ormation Display Internat
ional Symposium Digest of
Technical PaparsVol. X V
III New Orleans. Lousiana
May 12−14, (1987) 372−37
5)。
【0007】但しK1 は広がりの弾性定数、K2 は
ねじれの弾性定数、K3 は曲がりの弾性定数であり、
一様に配向したセルに磁界あるいは電界を印加した時の
しきい値から求められる。又、ε⊥は配向ベクトルに垂
直な方向の誘電率を、ε‖を配向ベクトルに平行な方向
の誘電率とすると、Δε=ε‖−ε⊥であり、誘電率異
方性を示す。
ねじれの弾性定数、K3 は曲がりの弾性定数であり、
一様に配向したセルに磁界あるいは電界を印加した時の
しきい値から求められる。又、ε⊥は配向ベクトルに垂
直な方向の誘電率を、ε‖を配向ベクトルに平行な方向
の誘電率とすると、Δε=ε‖−ε⊥であり、誘電率異
方性を示す。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的はK3
/K1 が大きく、又、Δnが小さく相溶性に優れてお
り、Δεが正の値を示し上述のSTN型表示素子に使用
できる化合物であって、液晶組成物として有用な新規化
合物を提供することである。他の目的は、該化合物を含
有することを特徴とする液晶組成物を提供することであ
る。 但しΔn=n‖−n⊥であり、配向ベクトルに平行な方
向の屈折率と垂直な方向の屈折率の差である。
/K1 が大きく、又、Δnが小さく相溶性に優れてお
り、Δεが正の値を示し上述のSTN型表示素子に使用
できる化合物であって、液晶組成物として有用な新規化
合物を提供することである。他の目的は、該化合物を含
有することを特徴とする液晶組成物を提供することであ
る。 但しΔn=n‖−n⊥であり、配向ベクトルに平行な方
向の屈折率と垂直な方向の屈折率の差である。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明は一般式
【化2】
(上式中R1 は直鎖又は枝分れした炭素数2〜15の
アルケニル基であり、R2 は直鎖又は枝分れした炭素
数1〜15のアルキル基であり、nは1又は2を示し、
mは0又は1を示す)で表わされるトリフルオロメチル
化合物及び該化合物を少なくとも一種類含有する液晶組
成物である。
アルケニル基であり、R2 は直鎖又は枝分れした炭素
数1〜15のアルキル基であり、nは1又は2を示し、
mは0又は1を示す)で表わされるトリフルオロメチル
化合物及び該化合物を少なくとも一種類含有する液晶組
成物である。
【0010】本発明の液晶組成物の成分として使用でき
る本発明の化合物以外の他の成分としては、例えばエス
テル系、シッフ塩基系、ビフェニル系、フェニルシクロ
ヘキサン系、複素環系等の液晶化合物をあげることがで
きる。
る本発明の化合物以外の他の成分としては、例えばエス
テル系、シッフ塩基系、ビフェニル系、フェニルシクロ
ヘキサン系、複素環系等の液晶化合物をあげることがで
きる。
【0011】本発明の化合物の製造法は、例えば次の反
応によって示される。
応によって示される。
【化3】
(上式中R2 、nは前記に同じであり、R3 は水素
原子又は炭素数1〜12の直鎖又は枝分れしたアルキル
基を示し、PhNMe2 はN,N−ジメチルアンリン
を示す。)
原子又は炭素数1〜12の直鎖又は枝分れしたアルキル
基を示し、PhNMe2 はN,N−ジメチルアンリン
を示す。)
【0012】即ち、公知のω−アルキルアリルオキシフ
ェニルエーテル類(例えば特開昭64−63533、特
開平1−110649号記載)をN,N−ジメチルアン
リンを溶媒として、加熱してクライゼン転位反応を行い
、α−アルキルアリルフェノール類を製造した。ついで
このフェノール類と4−トリフルオロメチルベンジルブ
ロミド(n=0の場合)又は4−トリフルオロメトキシ
ベンジルブロミド(n=1の場合)をN,N−ジメチル
ホルムアミド(以下DMFと略す)溶媒中無水炭酸カリ
ウムと反応を行い目的とするトリフルオロメチル化合物
を得た。
ェニルエーテル類(例えば特開昭64−63533、特
開平1−110649号記載)をN,N−ジメチルアン
リンを溶媒として、加熱してクライゼン転位反応を行い
、α−アルキルアリルフェノール類を製造した。ついで
このフェノール類と4−トリフルオロメチルベンジルブ
ロミド(n=0の場合)又は4−トリフルオロメトキシ
ベンジルブロミド(n=1の場合)をN,N−ジメチル
ホルムアミド(以下DMFと略す)溶媒中無水炭酸カリ
ウムと反応を行い目的とするトリフルオロメチル化合物
を得た。
【0013】
【実施例】以下に実施例によって本発明を更に詳細に説
明する。 実施例1 1−(4−トリフルオロメチル)ベンジルオキシ−2−
アリル−4−(トランス−4−プロピルシクロヘキシル
−トランス−4−シクロヘキシル)ベンゼン(式IでR
1 =CH2 =CHCH2 −,R2 =C3H7−
,l=2,m=0のもの)の製造。
明する。 実施例1 1−(4−トリフルオロメチル)ベンジルオキシ−2−
アリル−4−(トランス−4−プロピルシクロヘキシル
−トランス−4−シクロヘキシル)ベンゼン(式IでR
1 =CH2 =CHCH2 −,R2 =C3H7−
,l=2,m=0のもの)の製造。
【0014】特開昭64−63533、特開平1−11
0649号など記載の公知の方法で製造した1−ヒドロ
キシ−ユーアリル−4−(トランス−4−プロピルシク
ロヘキシル−トランス−4−シクロヘキシル)ベンゼン
3.5g(0.01モル)に200mlのDMFを
加え、これに無水炭酸カリウム50gを加えた。攪拌し
ながら4−トリフルオロメチルベンジルブロミド 3
.6g(0.015モル)80℃で12時間反応を行っ
た。
0649号など記載の公知の方法で製造した1−ヒドロ
キシ−ユーアリル−4−(トランス−4−プロピルシク
ロヘキシル−トランス−4−シクロヘキシル)ベンゼン
3.5g(0.01モル)に200mlのDMFを
加え、これに無水炭酸カリウム50gを加えた。攪拌し
ながら4−トリフルオロメチルベンジルブロミド 3
.6g(0.015モル)80℃で12時間反応を行っ
た。
【0015】反応終了後、反応液に水を加え、析出した
油状物をトルエンで抽出した。トルエン層を2N水酸化
ナトリウムで洗い、ついで中性になるまで水でトルエン
層を洗った。無水硫酸ナトリウムでトルエン層を乾燥後
、トルエンを減圧にして留去した。残った結晶をアセト
ンで再結晶をした。このものの結晶−ネマチック相転移
点は93.6〜94.4℃、ネマチック相−透明点は1
09.1℃であり、収量4.0g(収率72%)であっ
た。
油状物をトルエンで抽出した。トルエン層を2N水酸化
ナトリウムで洗い、ついで中性になるまで水でトルエン
層を洗った。無水硫酸ナトリウムでトルエン層を乾燥後
、トルエンを減圧にして留去した。残った結晶をアセト
ンで再結晶をした。このものの結晶−ネマチック相転移
点は93.6〜94.4℃、ネマチック相−透明点は1
09.1℃であり、収量4.0g(収率72%)であっ
た。
【0016】実施例2〜6
実施例1と同様の方法で4−トリフルオロメチルベンジ
ルブロミド又は4−トリフルオロメトキシベンジルブロ
ミドと各種の2−アルケニルフェノール類と反応を行い
目的のトリフルオロメチル化合物を製造した。これらの
結果を表1に実施例1の結果を共に示した。
ルブロミド又は4−トリフルオロメトキシベンジルブロ
ミドと各種の2−アルケニルフェノール類と反応を行い
目的のトリフルオロメチル化合物を製造した。これらの
結果を表1に実施例1の結果を共に示した。
【0017】
【表1】
【0018】実施例7(組成物例)
トランス−4−プロピル−(4−シアノフェニル)
シクロヘキサン
30重量% ト
ランス−4−ペンチル−(4−シアノフェニル)シクロ
ヘキサン
40重量% トランス
−4−ヘプチル−(4−シアノフェニル)シクロヘキサ
ン
30重量%なる組成の液晶組成
物(A)のN−I点は52.1℃、Δεは11.2、2
0℃における粘度は23.4、Δnは0.119、K3
/K1 は1.82である。液晶セルとして、酸化ケ
イ素をコーティングし、ラビング処理した酸化スズ透明
電極を有する基板を対向させて組立てた、電極間距離が
10μmのものを用意し、上記の液晶組成物(A)を封
入して20℃でその特性を測定したところ、しきい値電
圧(以下Vthと略記する)は1.55Vであった。
シクロヘキサン
30重量% ト
ランス−4−ペンチル−(4−シアノフェニル)シクロ
ヘキサン
40重量% トランス
−4−ヘプチル−(4−シアノフェニル)シクロヘキサ
ン
30重量%なる組成の液晶組成
物(A)のN−I点は52.1℃、Δεは11.2、2
0℃における粘度は23.4、Δnは0.119、K3
/K1 は1.82である。液晶セルとして、酸化ケ
イ素をコーティングし、ラビング処理した酸化スズ透明
電極を有する基板を対向させて組立てた、電極間距離が
10μmのものを用意し、上記の液晶組成物(A)を封
入して20℃でその特性を測定したところ、しきい値電
圧(以下Vthと略記する)は1.55Vであった。
【0019】この液晶組成物(A)90重量%に本発明
の実施例1で製造した1−(4−トリフルオロメチル)
ベンジルオキシ−2−アリル−4−(トランス−4−プ
ロピルシクロヘキシル−トランス−4−シクロヘキシル
)ベンゼン10重量%を溶解した組成物のN−I点は5
5.5℃、Δεは10.5、Δnは1.115、Vth
は1.55Vであった。又K3 /K1 は1.92と
大きくなり又N−I点を上げることができ、STN用と
しても好適のものである。
の実施例1で製造した1−(4−トリフルオロメチル)
ベンジルオキシ−2−アリル−4−(トランス−4−プ
ロピルシクロヘキシル−トランス−4−シクロヘキシル
)ベンゼン10重量%を溶解した組成物のN−I点は5
5.5℃、Δεは10.5、Δnは1.115、Vth
は1.55Vであった。又K3 /K1 は1.92と
大きくなり又N−I点を上げることができ、STN用と
しても好適のものである。
【0020】
【発明の効果】本発明の化合物は他の多くの液晶化合物
、すなわちエステル系、シップ塩基系、ビフェニル系、
フェニルシクロヘキサン系、複素環系等の液晶化合物と
の相溶性がよく、本発明の化合物を液晶組成物に加える
ことにより、Δnを小さく保持でき、又しきい値電圧を
それ程上昇させることがない。又、K3 /K1 の値
を大きくできるためSTN型表示素子用の液晶組成物に
好適な化合物である。
、すなわちエステル系、シップ塩基系、ビフェニル系、
フェニルシクロヘキサン系、複素環系等の液晶化合物と
の相溶性がよく、本発明の化合物を液晶組成物に加える
ことにより、Δnを小さく保持でき、又しきい値電圧を
それ程上昇させることがない。又、K3 /K1 の値
を大きくできるためSTN型表示素子用の液晶組成物に
好適な化合物である。
Claims (2)
- 【請求項1】 一般式 【化1】 (上式中R1 は直鎖又は枝分れした炭素数2〜15の
アルケニル基、R2 は直鎖又は枝分れした炭素数1〜
15のアルキル基、nは1又は2、mは0又は1である
。)で表わされるトリフルオロメチル化合物。 - 【請求項2】 請求項1記載のトリフルオロメチル化
合物を少なくとも一種類含有する液晶組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3046136A JP2956946B2 (ja) | 1991-02-19 | 1991-02-19 | トリフルオロメチル化合物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3046136A JP2956946B2 (ja) | 1991-02-19 | 1991-02-19 | トリフルオロメチル化合物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04264048A true JPH04264048A (ja) | 1992-09-18 |
| JP2956946B2 JP2956946B2 (ja) | 1999-10-04 |
Family
ID=12738568
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3046136A Expired - Lifetime JP2956946B2 (ja) | 1991-02-19 | 1991-02-19 | トリフルオロメチル化合物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2956946B2 (ja) |
-
1991
- 1991-02-19 JP JP3046136A patent/JP2956946B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2956946B2 (ja) | 1999-10-04 |
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