JPH04275552A - 電鋳法のための厚膜レジストの形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 【０００１】 【産業上の利用分野】本発明は、主として電鋳法に適し
た厚膜レジストを形成するための感光性樹脂組成物に関
するものである。また、それを用いて厚膜レジストを形
成する方法に関するものである。 【０００２】 【従来の技術】ＩＣ用リードフレーム、メタルスクリー
ンメッシュなどの金属精密加工分野においては、フォト
レジストを用いた微細加工法としてエッチング法が汎用
されている。エッチング法は、金属基材上にレジストを
形成させた後、露光、現像を行ってから金属基板をエッ
チングし、最後に硬化レジストを除去する方法である。 金属基材の厚さが厚いときは、金属基板の両面からレジ
ストを形成し、エッチングに供する。 【０００３】メタルスクリーンメッシュプリント、配線
基板の銅箔、電気カミソリの外刃などを製造する方法と
して、電鋳法も採用されている。電鋳法は、支持体上に
製品の厚さに見合う厚さの厚膜レジストを形成させた後
、露光、現像を行ってから金属メッキを行い、最後に硬
化レジストを除去する方法である。 【０００４】これらのエッチング法または電鋳法に使用
されるフォトレジストには、液状レジストのほか、ベー
スフィルム上にレジスト層を成層した後、その上から保
護フィルムを積層したドライフィルムレジストがある。 【０００５】 【発明が解決しようとする課題】エッチング法は広く採
用されている方法ではあるが、エッチング法により金属
基材の厚さが１００μｍ　を越えるような金属精密加工
を行う場合は、金属基材の両面にレジストを形成した後
、露光、現像を行ってからエッチングするときのエッチ
ングに長時間を要するため、金属基材のアンダーカット
が著しくなり、良好なエッジが得られないという問題点
がある。 【０００６】図１は厚手の金属基材をエッチング法によ
り精密加工するときの説明図であり、（１）　が金属基
材、（２）がレジスト、（２’）が硬化レジスト、（３
）　が製品である。 【０００７】これに対し電鋳法は、良好なエッジを得る
ことができる方法として注目されている。 【０００８】図２は電鋳法により金属製品を得るときの
説明図であり、（４）が支持体、（２）が厚膜のレジス
ト、（２’）が硬化レジスト、（５）　がメッキ部、（
３）　が製品である。 【０００９】しかしながら、電鋳法を採用する場合、１
００μｍ　を越えるような厚さのレジストの形成を液状
レジストを用いて行うことは困難であり、ドライフィル
ムレジストを用いる場合も７５μｍ　を越えるようなも
のは入手しがたい。またたとえ厚膜のレジストが得られ
ても、露光、現像したときの硬化レジストプロフィール
が劣るようになって、メッキ、硬化レジスト除去により
得られる金属製品のエッジが乱れることを免れない。 【００１０】本発明は、このような背景下において、７
５μｍ　以上、さらには１００μｍ　以上の膜厚を形成
することができ、しかも露光、現像によっても垂直ない
し垂直に近い良好な硬化レジストプロフィールを得るこ
とのできる感光性樹脂組成物を提供することを目的にな
されたものである。 【００１１】 【課題を解決するための手段】本発明の感光性樹脂組成
物は、カルボキシル基含有ポリマー（ａ）　、エチレン
性不飽和化合物（ｂ）　、および、Ｎ，Ｎ’−テトラア
ルキル−４，４’−ジアミノベンゾフェノン系化合物（
ｃ１）またはチオキサントン系化合物（ｃ２）から選ば
れた少なくとも１種の化合物（ｃ）　を必須成分とし、
かつ該化合物（ｃ）　の配合割合が前記のカルボキシル
基含有ポリマー（ａ）　およびエチレン性不飽和化合物
（ｂ）　の合計量に対して　０．００３〜０．０８重量
％であることを特徴とするものである。 【００１２】また本発明の厚膜レジストの形成方法は、
上記の感光性樹脂組成物によるレジストを、多段ラミネ
ート操作により７５μｍ　以上の厚さに形成することを
特徴とするものである。 【００１３】以下本発明を詳細に説明する。 【００１４】本発明の感光性樹脂組成物は、カルボキシ
ル基含有ポリマー（ａ）　、エチレン性不飽和化合物（
ｂ）　および化合物（ｃ）　を必須成分とする。 【００１５】カルボキシル基含有ポリマー（ａ）　とし
ては、（メタ）アクリル酸エステルを主成分とし、これ
にエチレン性不飽和カルボン酸、さらには必要に応じ他
の共重合可能なモノマーを共重合したアクリル系共重合
体が好適に用いられる。この場合の各成分の含有量は、
（メタ）アクリル酸エステル成分が８５〜７０重量％、
エチレン性不飽和カルボン酸成分が１５〜３０重量％、
他の共重合可能なモノマー成分が０〜１５重量％とする
ことが多い。 【００１６】ここで（メタ）アクリル酸エステルとして
は、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アク
リレート、プロピル（メタ）アクリレート、ブチル（メ
タ）アクリレート、ヘキシル（メタ）アクリレート、２
−エチルヘキシル（メタ）アクリレート、シクロヘキシ
ル（メタ）アクリレート、ベンジル（メタ）アクリレー
ト、ジメチルアミノエチル（メタ）アクリレート、ヒド
ロキシエチル（メタ）アクリレート、ヒドロキシプロピ
ル（メタ）アクリレート、グリシジル（メタ）アクリレ
ートなどが例示される。 【００１７】エチレン性不飽和カルボン酸としては、ア
クリル酸、メタクリル酸、クロトン酸などのモノカルボ
ン酸が好適に用いられ、そのほか、マレイン酸、フマー
ル酸、イタコン酸などのジカルボン酸、あるいはそれら
の無水物やハーフエステルも用いることができる。これ
らの中では、アクリル酸とメタクリル酸が特に好ましい
。 【００１８】他の共重合可能なモノマーとしては、（メ
タ）アクリルアミド、ジアセトンアクリルアミド、（メ
タ）アクリロニトリル、スチレン、α−メチルスチレン
、ビニルトルエン、酢酸ビニル、アルキルビニルエーテ
ルなどが例示される。 【００１９】エチレン性不飽和化合物（ｂ）　としては
、エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ジエチ
レングリコールジ（メタ）アクリレート、テトラエチレ
ングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリエチレング
リコールジ（メタ）アクリレート、プロピレングリコー
ルジ（メタ）アクリレート、ポリプロピレングリコール
ジ（メタ）アクリレート、ブチレングリコールジ（メタ
）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）ア
クリレート、１，６−ヘキサングリコールジ（メタ）ア
クリレート、トリメチロールプロパンジ（メタ）アクリ
レート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレ
ート、グリセリンジ（メタ）アクリレート、ペンタエリ
スリトールジ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリト
ールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトール
テトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトール
ペンタ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトール
ヘキサ（メタ）アクリレート、２，２−ビス（４−アク
リロキシジエトキシフェニル）プロパン、２，２−ビス
（４−（メタ）アクリロキシポリエトキシフェニル）プ
ロパン、２−ヒドロキシ−３−（メタ）アクリロイルオ
キシプロピルアクリレート、エチレングリコールジグリ
シジルエーテルジ（メタ）アクリレート、ジエチレング
リコールジグリシジルエーテルジ（メタ）アクリレート
、１，６−ヘキサメチルジグリシジルエーテルジ（メタ
）アクリレート、トリメチロールプロパントリグリシジ
ルエーテルトリ（メタ）アクリレート、ビスフェノール
Ａジグリシジルエーテルジ（メタ）アクリレート、フタ
ル酸ジグリシジルエステルジ（メタ）アクリレート、グ
リセリンポリグリシジルエーテルポリ（メタ）アクリレ
ートなどの多官能モノマーがあげられる。 【００２０】これらの多官能モノマーと共に単官能モノ
マーを適当量併用することもでき、そのような単官能モ
ノマーの例としては、２−ヒドロキシエチル（メタ）ア
クリレート、２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレ
ート、２−ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、２
−フェノキシ−２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリ
レート、２−（メタ）アクリロイルオキシ−２−ヒドロ
キシプロピルフタレート、３−クロロ−２−ヒドロキシ
プロピル（メタ）アクリレート、グリセリンモノ（メタ
）アクリレート、２−（メタ）アクリロイルオキシエチ
ルアシッドホスフェート、フタル酸誘導体のハーフ（メ
タ）アクリレート、Ｎ−メチロール（メタ）アクリルア
ミドなどがあげられる。 【００２１】上記エチレン性不飽和化合物（ｂ）　の配
合割合は、カルボキシル基含有ポリマー（ａ）　および
エチレン性不飽和化合物（ｂ）　の合計量１００重量部
に対して５〜９０重量部、特に２０〜８０重量部の範囲
から選ぶことが望ましい。エチレン性不飽和化合物（ｂ
）　の過少は、硬化不良、可撓性の低下、現像速度の遅
延を招き、エチレン性不飽和化合物（ｂ）　の過多は、
粘着性の増大、コールドフロー、硬化レジストの剥離速
度低下を招く。 【００２２】化合物（ｃ）　としては、Ｎ，Ｎ’−テト
ラアルキル−４，４’−ジアミノベンゾフェノン系化合
物（ｃ１）またはチオキサントン系化合物（ｃ２）が用
いられる。これらは光重合開始剤の一種でもある。なお
前者のＮ，Ｎ’−テトラアルキル−４，４’−ジアミノ
ベンゾフェノン系化合物（ｃ１）の別称は４，４’−ビ
ス（ジアルキルアミノ）ベンゾフェノンである。 【００２３】ここでＮ，Ｎ’−テトラアルキル−４，４
’−ジアミノベンゾフェノン系化合物（ｃ１）の具体例
としては、Ｎ，Ｎ’−テトラメチル−４，４’−ジアミ
ノベンゾフェノン（つまりミヒラーズケトン）、Ｎ，Ｎ
’−テトラエチル−４，４’−ジアミノベンゾフェノン
、Ｎ，Ｎ’−テトラプロピル−４，４’−ジアミノベン
ゾフェノン、Ｎ，Ｎ’−テトラブチル−４，４’−ジア
ミノベンゾフェノンなどがあげられ、チオキサントン系
化合物（ｃ２）の具体例としては、チオキサントン、２
−メチルチオキサントン、２−エチルチオキサントン、
２−プロピルチオキサントン、２−イソプロピルチオキ
サントン、２，４−ジメチルチオキサントン、２，４−
ジエチルチオキサントンなどがあげられる。これらは、
２種以上を併用することもできる。 【００２４】上記の化合物（ｃ）　の配合割合は、カル
ボキシル基含有ポリマー（ａ）　とエチレン性不飽和化
合物（ｂ）　との合計量に対して０．００３〜０．０８
重量％に設定され、　０．００８重量％を越える場合に
は、露光、現像後のエッジの姿が悪くなったり、レジス
トプロフィールが逆台形となったりする傾向があり、一
方　０．００３重量％未満の場合には、感度が低下する
上、レジストプロフィールが逆台形となりがちである。 【００２５】上記の成分からなる本発明の感光性樹脂組
成物には、上記の化合物（ｃ）　以外の光開始剤または
光開始剤系化合物、たとえば、ベンゾフェノン、ベンジ
ルジメチルケトン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾ
インエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル
、ベンゾインｎ−ブチルエーテル、ベンゾインフェニル
エーテル、メチルベンゾイン、エチルベンゾイン、ベン
ジルジフェニルジスルフィド、ジベンジル、ジアセチル
、アントラキノン、ナフトキノン、ピバロインエチルエ
ーテル、ベンジルケタール、１，１−ジクロロアセトフ
ェノン、ｐ−ｔ−ブチルジクロロアセトフェノン、２，
２−ジエトキシアセトフェノン、２，２−ジメトキシ−
２−フェニルアセトフェノン、２，２−ジクロロ−４−
フェノキシアセトフェノン、α−ヒドロキシイソブチル
フェノン、２−（ｏ−クロロフェニル）−４，５−ジフ
ェニルイミダゾール二量体、２−（ｏ−クロロフェニル
）−４，５−ジ（ｍ−メトキシフェニル）−４，５−ジ
（ｍ−メトキシフェニル）イミダゾール二量体等、ロイ
コクリスタルバイオレット、トリブロモフェニルスルホ
ン、トリブロモメチルフェニルスルホン、フクシン、オ
ーラミン塩基、クリスタルバイオレット、ビクトリアピ
ュアブルー、マラカイトグリーン、メチルオレンジ等を
配合する。 【００２６】そのほか、ｐ−メトキシフェノール、ハイ
ドロキノン、ピロガロール、ナフチルアミン、フェノチ
アジン、ｔ−ブチルカテコール等の熱重合抑制剤、ジア
ゾール化合物、トリアゾール化合物、テトラゾール化合
物、チアゾール化合物、チオール化合物、イミダゾール
化合物、ロフィン、テオフィリン、ニトロベンゼン系酸
性化合物等の密着性付与剤、可塑剤、有機ハロゲン化合
物などを配合することもできる。 【００２７】〈レジストの形成〉上記の感光性樹脂組成
物を塗工に供するに際しては、上記の各成分を、ケトン
系溶剤（アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブ
チルケトン等）、エーテル系溶剤（メチルセロソルブ、
エチルセロソルブ等）、含ハロゲン溶剤（クロロホルム
、塩化メチレン等）、アルコール系溶剤（メタノール、
エタノール、イソプロパノール等）、炭化水素系溶剤（
ベンゼン、トルエン、キシレン等）、エステル系溶剤（
酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル等）などの溶剤で
稀釈して所望の濃度、粘度に調整して用いる。ただし、
溶剤で稀釈しないで塗工に供することもある。 【００２８】塗工液は金属面に直接塗工することもでき
るが、ドライフィルムとする方が取り扱いやすい。ドラ
イフィルムとするときは、上記の塗工液をポリエステル
フィルム、ポリプロピレンフィルムなどのベースフィル
ム面に塗工、乾燥した後、その塗工面の上からポリエチ
レンフィルム、ポリビニルアルコール系フィルムなどの
保護フィルムを被覆する。保護フィルムの被覆を省略し
、ベースフィルム上に形成したレジストを対象物に直ち
に転写することもできる。 【００２９】電鋳法に適した７５〜１０００μｍ　程度
の厚膜レジストを形成させるためには、一度の操作で所
望の膜厚を得ることが困難であることが多い。そこで、
ベースフィルム上に形成したレジストを支持体上に転写
する操作を繰り返す多段ラミネート操作を行って、所望
の膜厚とする方法が推奨される。この方法によれば、７
５μｍ　以上、さらには１００μｍ　以上の厚さの厚膜
レジストを容易に形成することができる。 【００３０】ドライフィルムの場合は、ベースフィルム
と感光性樹脂組成物層（レジスト）との接着力および保
護フィルムと感光性樹脂組成物層との接着力を比較し、
接着力の低い方のフィルムを剥離してから感光性樹脂組
成物層の側を金属基材に貼り付けた後、他方のフィルム
上にパターンマスクを密着させて露光する。感光性樹脂
組成物層が粘着性を有しないときは、前記他方のフィル
ムを剥離してからパターンマスクを感光性樹脂組成物層
に直接接触させて露光することもできる。 【００３１】金属面に直接塗工した場合は、その塗工面
に直接またはポリエステルフィルムなどを介してパター
ンマスクを接触させ、露光に供する。 【００３２】露光は通常紫外線照射により行い、その際
の光源としては、高圧水銀灯、超高圧水銀灯、カーボン
アーク灯、キセノン灯、メタルハライドランプ、ケミカ
ルランプなどが用いられる。露光量は、４０〜１０００
ｍＪ／ｃｍ２程度とすることが多い。紫外線照射後は、
必要に応じ加熱を行って硬化の完全を図ることもできる
。 【００３３】露光後は、レジスト上にベースフィルムが
あるときは、そのフィルムを剥離除去してから現像を行
う。現像は、炭酸ソーダ、炭酸カリウムなどのアルカリ
の稀薄水溶液を用いて行うことが多い。 【００３４】電鋳法に使用されるメッキ液としては、銅
メッキ液、ニッケルメッキ液、鉄メッキ液、銀メッキ液
、金メッキ液、スズメッキ液、コバルトメッキ液、亜鉛
メッキ液などがあげられる。 【００３５】なお、本発明の感光性樹脂組成物はエッチ
ング法に適用することもできる。この場合は、塩化第二
鉄水溶液や塩化第二銅水溶液などのエッチング液を用い
、常法に従ってエッチングを行う。 【００３６】硬化レジストの剥離除去は、たとえば、水
酸化ナトリウム、水酸化カリウムなどの１〜５％程度の
濃度のアルカリ水溶液からなるアルカリ剥離液を用いて
行う。 【００３７】 【作用】本発明の感光性樹脂組成物は、上述のように好
適にはドライフィルム方式で使用され、電鋳法に適用す
る場合には、支持体上に製品の厚さに見合う厚さの厚膜
レジストを形成させた後、露光、現像を行ってから金属
メッキを行い、最後に硬化レジストを除去して製品を得
る。 【００３８】 【実施例】次に実施例をあげて本発明をさらに説明する
。以下「部」とあるのは重量部である。 【００３９】カルボキシル基含有ポリマー（ａ）　とし
てのメチルメタクリレート／ｎ−ブチルメタクリレート
／２−エチルヘキシルアクリレート／メタクリル酸共重
合体（重量比５５／５／１５／２５、重量平均分子量は
約７万）の４０重量％濃度のイソプロパノール／メチル
エチルケトン混合溶剤（重量比５／５）溶液６０部に、
エチレン性不飽和化合物（ｂ）　としてのトリメチロー
ルプロパントリアクリレート１２部、エチレンオキサイ
ド変性ビスフェノールＡジメタクリレート２０部および
フェノキシヘキサエチレングリコールアクリレート８部
を加え、さらにベンゾフェノン５部、マラカイトグリー
ン０．０２部、ロイコクリスタルバイオレット　０．８
部、トリブロモメチルフェニルスルホン　０．５部およ
びメチルエチルケトン２５部を加えた。 【００４０】これに、Ｎ，Ｎ’−テトラアルキル−４，
４’−ジアミノベンゾフェノン系化合物（ｃ１）として
のＮ，Ｎ’−テトラメチル−４，４’−ジアミノベンゾ
フェノン０．０３部を添加して溶解させることにより塗
工液を調製し、この塗工液を厚さ２５μｍ　のポリエス
テルフィルム上に均一に塗布、乾燥することにより、膜
厚５０μｍ　の光重合性エレメントを作成した。（さら
にその上から保護フィルムを被覆してドライフィルムと
するのが通常であるが、この実施例では保護フィルムを
被覆することなく、直ちに次の操作に供した。） 【００４１】メチルエチルケトンで表面洗浄を行った厚
さ２ｍｍのステンレススチール基板を６０℃に加温し、
その表面に上記で得た光重合性エレメントの塗工層側を
圧着してラミネートした。その後、ポリエステルフィル
ムを剥して再度ラミネートを行い、さらに同様のラミネ
ート操作を計４回繰り返すことにより、ステンレススチ
ール基板上に厚さ２００μｍ　のレジストを形成させた
。 【００４２】ついで、ステンレススチール基板上に形成
したレジストに対し、ネガフィルムを介して２ＫＷのシ
ョートアークランプ（株式会社オーク製作所製のＡＨＤ
−２０００Ｍ−Ｆ−Ｎ）により４００ｍＪ／ｃｍ２で平
行露光を行った。 【００４３】露光１５分後にポリエステルフィルムを剥
離除去し、露光部をクロスカットした後、セロハン粘着
テープによる剥離テストを行った。剥離残数は９０／１
００であった。 【００４４】露光後、１重量％濃度の炭酸ナトリウム水
溶液で３分間現像を行い、ライン／スペース＝２００μ
ｍ　／２００μｍ　のパターンの解像性を評価すると共
に、ライン部の断面形状を観察した。解像性は良好であ
り、ライン部の断面形状はほぼ正方形であった。ステッ
プ段数は１１であった。 【００４５】実施例２〜５ Ｎ，Ｎ’−テトラアルキル−４，４’−ジアミノベンゾ
フェノン系化合物（ｃ１）としてのＮ，Ｎ’−テトラメ
チル−４，４’−ジアミノベンゾフェノン０．０３部に
代えてＮ，Ｎ’−テトラエチル−４，４’−ジアミノベ
ンゾフェノン０．０４ｇ（実施例２）を用いたほかは実
施例１を繰り返した。また、Ｎ，Ｎ’−テトラアルキル
−４，４’−ジアミノベンゾフェノン系化合物（ｃ１）
としてのＮ，Ｎ’−テトラメチル−４，４’−ジアミノ
ベンゾフェノン０．０３部に代えて、チオキサントン系
化合物（ｃ２）としてのチオキサントン０．０４部（実
施例３）、２−メチルチオキサントン０．０４部（実施
例４）、２，４−ジメチルチオキサントン０．０４部（
実施例５）をそれぞれ用いたほかは実施例１を繰り返し
た。 【００４６】剥離テストにおける剥離残数、解像性、ラ
イン部の断面形状、ステップ段数は次の通りであった。 【００４７】 　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　剥離残数　
　　　　　解像性　　　　断面形状　　　　　　ステッ
プ段数　　　　　　実施例２　　　　９０／１００　　
　　良好　　　　　　ほぼ正方形　　　　　　　　１１
　　　　　　　　　　　　実施例３　　　　９０／１０
０　　　　良好　　　　　　ほぼ正方形　　　　　　　
　１１　　　　　　　　　　　　実施例４　　　　８０
／１００　　　　良好　　　　　　ほぼ正方形　　　　
　　　　１０　　　　　　　　　　　　実施例５　　　
　８０／１００　　　　良好　　　　　　ほぼ正方形　
　　　　　　　１０　　　　　　【００４８】実施例６ 実施例１で用いた塗工液を厚さ２５μｍ　のポリエステ
ルフィルム上に一度の操作で塗布、乾燥することにより
、膜厚２００μｍ　の光重合性エレメントを作成した。 【００４９】メチルエチルケトンで表面洗浄を行った厚
さ２ｍｍのステンレススチール基板を６０℃に加温し、
その表面に上記で得た光重合性エレメントをラミネート
した。 【００５０】以下実施例１と同様にして露光、現像を行
った後、剥離テストにおける剥離残数、解像性、ライン
部の断面形状を調べたところ、剥離残数は８０／１００
、解像性は良好、断面形状はほぼ正方形であった。また
ステップ段数は１１であった。 【００５１】比較例１〜３ Ｎ，Ｎ’−テトラアルキル−４，４’−ジアミノベンゾ
フェノン系化合物（ｃ１）としてのＮ，Ｎ’−テトラメ
チル−４，４’−ジアミノベンゾフェノンの添加量を　
０．１部としたほかは実施例１を繰り返した（比較例１
）。また、Ｎ，Ｎ’−テトラアルキル−４，４’−ジア
ミノベンゾフェノン系化合物（ｃ１）としてのＮ，Ｎ’
−テトラエチル−４，４’−ジアミノベンゾフェノンの
添加量を０．１３部としたほかは実施例２を繰り返した
（比較例２）。 さらに、チオキサントン系化合物（ｃ２）としてのチオ
キサントンの添加量を０．１５部としたほかは実施例３
を繰り返した（比較例３） 【００５２】剥離テストにおける剥離残数、解像性、ラ
イン部の断面形状、ステップ段数は次の通りであった。 【００５３】 　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　剥離残数　
　　　　　解像性　　　　　　断面形状　　　　ステッ
プ段数　　　　　　比較例１　　　　７０／１００　　
　　やや不良　　　　逆台形　　　　　　　　　　１２
　　　　　　　　　　　　比較例２　　　　７０／１０
０　　　　不良　　　　　　　　逆台形　　　　　　　
　　　１３　　　　　　　　　　　　比較例３　　　　
６０／１００　　　　不良　　　　　　　　逆台形　　
　　　　　　　　１２　　　　　　【００５４】 【発明の効果】本発明の感光性樹脂組成物を用いれば、
厚膜レジストであっても露光、現像により垂直ないし垂
直に近い良好な硬化レジストプロフィールを得ることが
できる。そして、多段ラミネート操作を採用すれば、７
５μｍ　以上、さらには１００μｍ　以上の膜厚の形成
も容易である。 【００５５】従って、本発明の感光性樹脂組成物および
それを用いた厚膜レジストの形成方法は、電鋳法に適用
した場合にその真価が発揮される。

【図面の簡単な説明】

【図１】厚手の金属基材をエッチング法により精密加工
するときの説明図である。

【図２】電鋳法により金属製品を得るときの説明図であ
る。

【符号の説明】

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】カルボキシル基含有ポリマー（ａ）　、エ
   チレン性不飽和化合物（ｂ）　、および、Ｎ，Ｎ’−テ
   トラアルキル−４，４’−ジアミノベンゾフェノン系化
   合物（ｃ１）またはチオキサントン系化合物（ｃ２）か
   ら選ばれた少なくとも１種の化合物（ｃ）　を必須成分
   とし、かつ該化合物（ｃ）　の配合割合が前記のカルボ
   キシル基含有ポリマー（ａ）　およびエチレン性不飽和
   化合物（ｂ）　の合計量に対して　０．００３〜０．０
   ８重量％である感光性樹脂組成物。
2. 【請求項２】請求項１記載の感光性樹脂組成物によるレ
   ジストを、多段ラミネート操作により７５μｍ　以上の
   厚さに形成することを特徴とする厚膜レジストの形成方
   法。