JPH04281214A - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体の製造方法Info
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- JPH04281214A JPH04281214A JP6765691A JP6765691A JPH04281214A JP H04281214 A JPH04281214 A JP H04281214A JP 6765691 A JP6765691 A JP 6765691A JP 6765691 A JP6765691 A JP 6765691A JP H04281214 A JPH04281214 A JP H04281214A
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Landscapes
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気記憶装置に用いら
れる磁気ディスク，磁気ドラム等の磁気記録媒体の製造
方法に関する。
れる磁気ディスク，磁気ドラム等の磁気記録媒体の製造
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、高密度磁気記録体として、磁性薄
膜媒体を使用したハード磁気ディスク，フロッピ磁気デ
ィスクが急速に普及してきた。
膜媒体を使用したハード磁気ディスク，フロッピ磁気デ
ィスクが急速に普及してきた。
【０００３】磁気記録体に磁性薄膜媒体を用いる利点は
、磁性薄膜化で高飽和磁束密度が可能であり、且つ高保
磁力が得られることが高密度磁気記録体に適している。 またメッキ法，スパッター法、蒸着法，イオンプレーテ
ィング法等で薄膜作成が容易なことである。また、記録
媒体の機械的耐久性，化学的耐久性を向上させるために
磁性薄膜媒体の上に保護膜が被覆される。一般的な保護
膜としては、 １）Ｒｈ，Ｎｉ，Ｚｎ等の金属を電気メッキ法で被覆す
る法およびＮｉＰ，ＣｏＢ等を無電解メッキ法で記録体
の表面に形成した後に、酸化雰囲気中で酸化させて形成
する方法、 ２）Ｐｔ，Ｃ，Ｗ等を高真空機（蒸着，スパッター）を
使用して記録体の表面に形成する方法、３）保護膜を構
成する材料を液体溶媒させスピンコート法により記録体
の表面に塗布した後に、加熱乾燥することにより形成す
る方法がある。
、磁性薄膜化で高飽和磁束密度が可能であり、且つ高保
磁力が得られることが高密度磁気記録体に適している。 またメッキ法，スパッター法、蒸着法，イオンプレーテ
ィング法等で薄膜作成が容易なことである。また、記録
媒体の機械的耐久性，化学的耐久性を向上させるために
磁性薄膜媒体の上に保護膜が被覆される。一般的な保護
膜としては、 １）Ｒｈ，Ｎｉ，Ｚｎ等の金属を電気メッキ法で被覆す
る法およびＮｉＰ，ＣｏＢ等を無電解メッキ法で記録体
の表面に形成した後に、酸化雰囲気中で酸化させて形成
する方法、 ２）Ｐｔ，Ｃ，Ｗ等を高真空機（蒸着，スパッター）を
使用して記録体の表面に形成する方法、３）保護膜を構
成する材料を液体溶媒させスピンコート法により記録体
の表面に塗布した後に、加熱乾燥することにより形成す
る方法がある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】磁気記憶装置における
高密度化の進展は、年々高まりつつあり、これらを実現
する為に記録媒体特性の改善、磁気ヘッド特性の改善が
挙げられるが、特に保護膜を薄くすることが高密度化に
大きい効果がある。しかし、保護膜を薄くすると耐候性
が悪くなり、一定時間放置した後ビットエラーが増加す
るという問題があった。
高密度化の進展は、年々高まりつつあり、これらを実現
する為に記録媒体特性の改善、磁気ヘッド特性の改善が
挙げられるが、特に保護膜を薄くすることが高密度化に
大きい効果がある。しかし、保護膜を薄くすると耐候性
が悪くなり、一定時間放置した後ビットエラーが増加す
るという問題があった。
【０００５】本発明の目的は、従来の保護膜の欠点を改
善し実用的な耐候性を備えた高記録密度用の記録媒体の
製造方法を提供することにある。
善し実用的な耐候性を備えた高記録密度用の記録媒体の
製造方法を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、金属基
板と、この金属基板を被覆する金属中間層と、この金属
中間層を被覆する磁性薄膜層と、この磁性薄膜層を被覆
する酸化被膜層とを有する磁気記録体の製造方法におい
て、酸化被膜層を形成した後に、耐防食性を有する化学
処理することを特徴としており、これにより、酸化被膜
層のもつ微小なピンホールが化学処理被膜されている構
造を有する磁気記録体が得られる。
板と、この金属基板を被覆する金属中間層と、この金属
中間層を被覆する磁性薄膜層と、この磁性薄膜層を被覆
する酸化被膜層とを有する磁気記録体の製造方法におい
て、酸化被膜層を形成した後に、耐防食性を有する化学
処理することを特徴としており、これにより、酸化被膜
層のもつ微小なピンホールが化学処理被膜されている構
造を有する磁気記録体が得られる。
【０００７】本発明に用いて得られる磁気記録体の磁性
薄膜とは、メッキ法，スパッター法，蒸着法，イオンプ
レーティング法等によって作製され、Ｃｏ，Ｆｅ，Ｎｉ
より選ばれた一種以上の金属を５０重量％以上含んで成
る金属膜を示す。
薄膜とは、メッキ法，スパッター法，蒸着法，イオンプ
レーティング法等によって作製され、Ｃｏ，Ｆｅ，Ｎｉ
より選ばれた一種以上の金属を５０重量％以上含んで成
る金属膜を示す。
【０００８】これには、更に他の添加元素として、Ｃ，
Ｂ，Ｍｇ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｐ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｃ
ｕ，Ｚｎ，Ｏ，Ｇａ，Ｇｅ，Ａｓ，Ｓｅ，Ｍｏ，Ｒｈ，
Ｐｄ，Ｈｇ，Ａｇ，Ｓｎ，Ｔｅ，Ｂａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎ
，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｔａ，Ｗ，Ｒｅ，Ｏｓ，Ｐｔ，Ａｕ，Ｐ
ｂ，Ｂｉ等が５０重量％以下の割合で含まれても良い。
Ｂ，Ｍｇ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｐ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｃ
ｕ，Ｚｎ，Ｏ，Ｇａ，Ｇｅ，Ａｓ，Ｓｅ，Ｍｏ，Ｒｈ，
Ｐｄ，Ｈｇ，Ａｇ，Ｓｎ，Ｔｅ，Ｂａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎ
，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｔａ，Ｗ，Ｒｅ，Ｏｓ，Ｐｔ，Ａｕ，Ｐ
ｂ，Ｂｉ等が５０重量％以下の割合で含まれても良い。
【０００９】本発明に用いて得られる酸化被膜とは、Ｒ
ｅ，Ｒｕ，Ｏｓ，Ｐｄ，Ｒｈ，Ｉｒ，Ｍｎ，Ｚｎ，Ｓｎ
，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ａｇ，Ｃｏ又はそれら
の合金（Ｂ，Ｐのいずれか一方又は両方を含む場合もあ
る）を被覆した後、酸素又はオゾンなどを含む酸化性雰
囲気中で焼成することにより表面に酸化被膜が形成され
る被膜である。
ｅ，Ｒｕ，Ｏｓ，Ｐｄ，Ｒｈ，Ｉｒ，Ｍｎ，Ｚｎ，Ｓｎ
，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ａｇ，Ｃｏ又はそれら
の合金（Ｂ，Ｐのいずれか一方又は両方を含む場合もあ
る）を被覆した後、酸素又はオゾンなどを含む酸化性雰
囲気中で焼成することにより表面に酸化被膜が形成され
る被膜である。
【００１０】本発明に用いて得られる化学処理とは、Ｒ
ｅ，Ｒｕ，Ｏｓ，Ｐｄ，Ｒｈ，Ｉｒ，Ｍｎ，Ｚｎ，Ｓｎ
，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｎｉ，Ａｇ，Ｃｏ，Ｔｉ，Ｔａ，Ｃ
ｄ，Ｖ，又はそれらの合金（Ｂ，Ｐのいずれか一方又は
両方を含む場合もある）が、記録媒体の磁性薄膜に影響
を与えない化学的処理である。
ｅ，Ｒｕ，Ｏｓ，Ｐｄ，Ｒｈ，Ｉｒ，Ｍｎ，Ｚｎ，Ｓｎ
，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｎｉ，Ａｇ，Ｃｏ，Ｔｉ，Ｔａ，Ｃ
ｄ，Ｖ，又はそれらの合金（Ｂ，Ｐのいずれか一方又は
両方を含む場合もある）が、記録媒体の磁性薄膜に影響
を与えない化学的処理である。
【００１１】
【実施例】次に、実施例を説明する。アルミ合金圧延板
よりプレスにて打ち抜いたドーナツ状円板を切削加工に
より表面を平坦、且つ、平滑に仕上げ金属基板とする。 この上に無電解ニッケル−リンめっき液（日本カニゼン
社製、シューマーＢＯ）を用いて膜厚３０μｍのニッケ
ル−リンめっき膜（金属中間層）を形成した。この両面
を機械加工により鏡面研磨した後、下記に示すめっき浴
にて膜厚０．０６μｍのコバルト−ニッケル−リン合金
めっき層（磁性薄膜媒体）を形成した。 めっき浴 硫酸コバルト ０．０６ｍｏｌ
／ｌ硫酸ニッケル ０．０４ｍ
ｏｌ／ｌ次亜リン酸ナトリウム ０．２ｍｏｌ／
ｌ硫酸アンモニウム ０．１ｍｏｌ／ｌ
マロン酸ナトリウム ０．３ｍｏｌ／ｌリン
ゴ酸ナトリウム ０．４ｍｏｌ／ｌコハク酸
ナトリウム ０．５ｍｏｌ／ｌＰＨ＝９．２
浴温＝８０℃この磁性薄膜層の上に、図１
に示すように０．０５μｍの各種非磁性層（Ｓｎ非磁性
層，ＣｏＢ非磁性層，ＣｏＰ非磁性層，ＮｉＰ非磁性層
，ＮｉＣｕＰ非磁性層）を形成した後に、電気炉で２９
０℃，１時間焼成し各種酸化被膜層（Ｓｎ酸化被膜層，
Ｃｏ酸化被膜層，Ｃｏ酸化被膜層，Ｎｉ酸化被膜層，Ｎ
ｉＣｕ酸化被膜層）を形成する。更に、酸化被膜層を下
記の条件で化学処理した磁気記録体（試料１，２，３，
４，５）を作製した。 化学処理条件 無水クロム酸（ＣｒＯ３ ） ３ｇ／ｌ室温、処
理時間 ６０秒耐候性の評
価については、例えば通研実報３１Ｎｏ．１．Ｐ２８８
，（１９８２）［３．２ＧＢ集合形磁気ディスク装置］
に示すように、温度２５℃，相対湿度５０％，期間５年
間の保証をすることと記載されている。しかし、これら
の条件の通りに試験することは効率的でないため、例え
ば電子通信学会講演論文集１−１７２．（１９８３）［
めっき磁気ディスクの耐湿性評価］で示す様に加速試験
方法によって下記の耐候性加速試験条件で行った。 耐候性加速試験条件 温度 ４０℃ 湿度 ８０％ 試験日数 ３０日間 なお、この耐候性加速試験における各種測定条件は、下
記のとおりである。 測定条件 ディスク ８インチディスク回転数
３０００ｒｐｍ相対速度
１９．７２ｍ／ｓヘッド条件 ギャップ長 ０．８μｍヘッド幅
１８．５μｍコイル巻数
１６Ｔ＋１６Ｔヘッド浮上量 ０．２μｍ トラックピッチ １０μｍ テスト範囲（ｒ） ６３〜９７ｍｍ エラー条件 記録密度 １６ＫＦＲＰＩ記録電流
４０ｍＡＰ−Ｐ実施例の各試料と
比較するために、化学処理無しの試料を同様に試作し比
較例とし、耐候性の加速試験を行った。
よりプレスにて打ち抜いたドーナツ状円板を切削加工に
より表面を平坦、且つ、平滑に仕上げ金属基板とする。 この上に無電解ニッケル−リンめっき液（日本カニゼン
社製、シューマーＢＯ）を用いて膜厚３０μｍのニッケ
ル−リンめっき膜（金属中間層）を形成した。この両面
を機械加工により鏡面研磨した後、下記に示すめっき浴
にて膜厚０．０６μｍのコバルト−ニッケル−リン合金
めっき層（磁性薄膜媒体）を形成した。 めっき浴 硫酸コバルト ０．０６ｍｏｌ
／ｌ硫酸ニッケル ０．０４ｍ
ｏｌ／ｌ次亜リン酸ナトリウム ０．２ｍｏｌ／
ｌ硫酸アンモニウム ０．１ｍｏｌ／ｌ
マロン酸ナトリウム ０．３ｍｏｌ／ｌリン
ゴ酸ナトリウム ０．４ｍｏｌ／ｌコハク酸
ナトリウム ０．５ｍｏｌ／ｌＰＨ＝９．２
浴温＝８０℃この磁性薄膜層の上に、図１
に示すように０．０５μｍの各種非磁性層（Ｓｎ非磁性
層，ＣｏＢ非磁性層，ＣｏＰ非磁性層，ＮｉＰ非磁性層
，ＮｉＣｕＰ非磁性層）を形成した後に、電気炉で２９
０℃，１時間焼成し各種酸化被膜層（Ｓｎ酸化被膜層，
Ｃｏ酸化被膜層，Ｃｏ酸化被膜層，Ｎｉ酸化被膜層，Ｎ
ｉＣｕ酸化被膜層）を形成する。更に、酸化被膜層を下
記の条件で化学処理した磁気記録体（試料１，２，３，
４，５）を作製した。 化学処理条件 無水クロム酸（ＣｒＯ３ ） ３ｇ／ｌ室温、処
理時間 ６０秒耐候性の評
価については、例えば通研実報３１Ｎｏ．１．Ｐ２８８
，（１９８２）［３．２ＧＢ集合形磁気ディスク装置］
に示すように、温度２５℃，相対湿度５０％，期間５年
間の保証をすることと記載されている。しかし、これら
の条件の通りに試験することは効率的でないため、例え
ば電子通信学会講演論文集１−１７２．（１９８３）［
めっき磁気ディスクの耐湿性評価］で示す様に加速試験
方法によって下記の耐候性加速試験条件で行った。 耐候性加速試験条件 温度 ４０℃ 湿度 ８０％ 試験日数 ３０日間 なお、この耐候性加速試験における各種測定条件は、下
記のとおりである。 測定条件 ディスク ８インチディスク回転数
３０００ｒｐｍ相対速度
１９．７２ｍ／ｓヘッド条件 ギャップ長 ０．８μｍヘッド幅
１８．５μｍコイル巻数
１６Ｔ＋１６Ｔヘッド浮上量 ０．２μｍ トラックピッチ １０μｍ テスト範囲（ｒ） ６３〜９７ｍｍ エラー条件 記録密度 １６ＫＦＲＰＩ記録電流
４０ｍＡＰ−Ｐ実施例の各試料と
比較するために、化学処理無しの試料を同様に試作し比
較例とし、耐候性の加速試験を行った。
【００１２】試料１から試料５において、酸化被膜上の
化学処理有りと無しを比較すると表１に示すように化学
処理することにより加速試験結果のビットエラー個数の
増加が少ない。
化学処理有りと無しを比較すると表１に示すように化学
処理することにより加速試験結果のビットエラー個数の
増加が少ない。
【００１３】
【表１】
【００１４】
【００１５】
【発明の効果】以上、実施例および比較例で示すように
、金属基板と、この金属基板を被覆する金属中間層と、
この金属中間層を被覆する磁性薄膜層と、この磁性薄膜
層を被覆する酸化被膜層とを有する磁気記録体の製造方
法において、各種（試料１〜５）酸化被膜層を形成した
後に化学処理をすることにより、各種化学処理無しに比
べると、本発明が良好な耐候性を有していることが分か
る。
、金属基板と、この金属基板を被覆する金属中間層と、
この金属中間層を被覆する磁性薄膜層と、この磁性薄膜
層を被覆する酸化被膜層とを有する磁気記録体の製造方
法において、各種（試料１〜５）酸化被膜層を形成した
後に化学処理をすることにより、各種化学処理無しに比
べると、本発明が良好な耐候性を有していることが分か
る。
【図１】各種酸化被膜層を本発明に基づいて試作した磁
気ディスク（試料１〜５）の部分断面図である。
気ディスク（試料１〜５）の部分断面図である。
Claims (1)
- 【請求項１】金属基板と、この金属基板を被覆する金属
中間層と、この金属中間層を被覆する磁性薄膜層と、こ
の磁性薄膜層を被覆する酸化被膜層とを有する磁気記録
体の製造方法において、酸化被膜層を形成した後に、化
学処理することを特徴とする磁気記録体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6765691A JPH04281214A (ja) | 1991-03-08 | 1991-03-08 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6765691A JPH04281214A (ja) | 1991-03-08 | 1991-03-08 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04281214A true JPH04281214A (ja) | 1992-10-06 |
Family
ID=13351281
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6765691A Pending JPH04281214A (ja) | 1991-03-08 | 1991-03-08 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04281214A (ja) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5086304A (ja) * | 1973-11-30 | 1975-07-11 | ||
| JPS5982637A (ja) * | 1982-11-04 | 1984-05-12 | Hitachi Ltd | 垂直磁気記録媒体の製造方法 |
| JPS59217224A (ja) * | 1983-05-23 | 1984-12-07 | Nec Corp | 磁気記憶体 |
| JPS6018817A (ja) * | 1983-07-12 | 1985-01-30 | Nec Corp | 磁気記憶体 |
-
1991
- 1991-03-08 JP JP6765691A patent/JPH04281214A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5086304A (ja) * | 1973-11-30 | 1975-07-11 | ||
| JPS5982637A (ja) * | 1982-11-04 | 1984-05-12 | Hitachi Ltd | 垂直磁気記録媒体の製造方法 |
| JPS59217224A (ja) * | 1983-05-23 | 1984-12-07 | Nec Corp | 磁気記憶体 |
| JPS6018817A (ja) * | 1983-07-12 | 1985-01-30 | Nec Corp | 磁気記憶体 |
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