JPH04312143A

JPH04312143A - メモリ装置

Info

Publication number: JPH04312143A
Application number: JP7903891A
Authority: JP
Inventors: Tetsuaki Isonishi; 磯西　徹明
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp
Current assignee: Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 1991-04-11
Filing date: 1991-04-11
Publication date: 1992-11-04

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、計算機等のデータを
蓄積するためのメモリ装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】図３は、例えば特開昭６３−１４２４４
５号公報（メモリ装置）に示された従来のメモリ装置を
示す図である。図３において、１は、メモリセル、２は
メモリセル１のどの位置をアクセスするかを示すアドレ
スレジスタ、３はメモリセル１のアドレスレジスタ２で
指定された位置より読み出されたデータを保持するデー
タレジスタ、４は前記メモリセル１、アドレスレジスタ
２及びデータレジスタ３に対して、読み出しまたは書き
込みを制御するメモリ制御部、５は、メモリ装置に入力
されるアドレス信号、６はメモリ装置から入力または出
力されるデータ信号である。

【０００３】次に、この図３に示したメモリ装置の動作
について、図２に示すアドレスＡから始まるメモリセル
１上の４個のデータ、Ｂ，Ｂ＋２，Ｂ＋１，Ｂ＋３をア
ドレスとするデータＭ０，Ｍ１，Ｍ２，Ｍ３を連続して
読み出す例について説明する。これらの動作は、以下に
示すステップを踏む。（ステップ１）アドレスＡをアドレス信号５を通してア
ドレスレジスタ２に設定する。（ステップ２）アドレスレジスタ２が指定するメモリセ
ル１の位置より、データＢを読み出してこれをデータレ
ジスタ３へ設定する。このレジスタ３に設定された内容
は、例えば、データ信号６を通して中央処理装置へ転送
される。（ステップ３）中央処理装置は、（ステップ２）で読み
出したデータＢをアドレス信号５を通してアドレスレジ
スタ２に設定する。（ステップ４）アドレスレジスタ２が指定するメモリセ
ル１の位置より、データＭ０を読み出してこれをデータ
レジスタ３へ設定する。このレジスタ３に設定された内
容は、例えば、データ信号６を通して中央処理装置へ転
送される。（ステップ５）アドレスＡを１だけ増し、その値Ａ＋１
をアドレス信号５を通してアドレスレジスタ２に設定す
る。（ステップ６）アドレスレジスタ２が指定するメモリセ
ル１の位置より、データＢ＋２を読み出してこれをデー
タレジスタ３へ設定する。このレジスタ３に設定された
内容は、例えば、データ信号６を通して中央処理装置へ
転送される。（ステップ７）中央処理装置は、（ステップ６）で読み
出したデータＢ＋２をアドレス信号５を通してアドレス
レジスタ２に設定する。（ステップ８）アドレスレジスタ２が指定するメモリセ
ル１の位置より、データＭ１を読み出してこれをデータ
レジスタ３へ設定する。このレジスタ３に設定された内
容は、例えば、データ信号６を通して中央処理装置へ転
送される。（ステップ９）同様な操作をあと２回繰り返す。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】従来のメモリ装置は以
上のように構成されているので、図２に示すようなメモ
リセル１に書き込まれているデータをアドレスとして、
メモリセルをアクセスする場合、例えば中央処理装置な
どのメモリ装置に接続された処理装置は、アドレスレジ
スタへのアドレス設定及びデータレジスタのアクセスを
２回ずつ必要とし、メモリアクセス速度が低下するとい
う問題点があった。

【０００５】この発明は、上記のような問題点を解消す
るためになされたもので、図２に示すようなメモリセル
１に書き込まれているデータをアドレスとして、メモリ
セル１をアクセスする場合、１度の設定で連続した複数
のメモリアクセスが可能なメモリ装置を得ることを目的
とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】この発明に係わるメモリ
装置は、以下の要素を有するものである。（ａ）データ
を保持するメモリセル、（ｂ）このメモリセルを読み書
きするためのアドレスを連続して発生するアドレス発生
手段、（ｃ）アドレス発生手段により発生されたアドレ
スに基づき、メモリセルからデータをアクセスする第一
のアクセス手段、（ｄ）第一のアクセス手段によりアク
セスしたデータをアドレスとして、メモリセルにアクセ
スする第二のアクセス手段、（ｅ）第一のアクセス手段
と第二のアクセス手段を選択する選択手段。

【０００７】

【作用】この発明におけるメモリ装置で、アドレス発生
手段は、アクセスするアドレスを自動的に複数生成し、
アクセスするアドレスを連続して発生させる。第一のア
クセス手段は、この連続して発生されるアドレスによる
メモリセルのアクセスを行う（通常のアクセスモードと
呼ぶ）。また、第二のアクセス手段は、第一のアクセス
手段によりアクセスされたメモリセルにあるデータをア
ドレスとしてメモリセルへのアクセスを行う（間接アド
レス指定アクセスモードと呼ぶ）。そして、選択手段は
、アドレス発生手段により連続して発生されたアドレス
が、通常のアクセスモードか間接アドレス指定アクセス
モードかを判断することにより、第一のアクセス手段か
第二のアクセス手段かを選択する。

【０００８】

【実施例】実施例１．以下この発明の一実施例を、図に
ついて説明する。図１は、この発明によるメモリ装置の
構成図の一例であり、１〜６は図３に示した従来装置と
同様なものである。図中、７は、アクセスモード信号で
あり、通常のアクセスモードまたは間接アドレス指定ア
クセスモードを指定する。８は、メモリ装置に入力され
たアドレス信号とメモリ装置内のデータレジスタ３の出
力のどちらか一方を選択する選択器、９は、アクセスモ
ード信号７を基にメモリ制御部４で生成される選択信号
、１０は、連続してアクセスするスタートアドレスを保
持するスタートアドレスレジスタ、１１は、連続して発
生させるアドレスの個数を保持するレングスレジスタ、
１２は、スタートアドレスレジスタ１０とレングスレジ
スタ１１の内容からアクセスするアドレスを連続して発
生するアドレス発生器である。

【０００９】２０は、メモリセルを読み書きするための
アドレスを連続して発生するアドレス発生手段、３０は
、アドレス発生手段により発生されたアドレスに基づき
、メモリセルからデータをアクセスする第一のアクセス
手段、４０は、第一のアクセス手段によりアクセスした
データをアドレスとして、メモリセルにアクセスする第
二のアクセス手段、５０は、第一のアクセス手段と第二
のアクセス手段を選択する選択手段である。

【００１０】実施例１の１．次に、図１のように構成さ
れたこの発明によるメモリ装置の動作について説明する
。まず、通常のアクセスモードの場合について、説明す
る。従来例に示した図２に示すアドレスＡから始まるメ
モリセル１上の４個のデータ、Ｂ，Ｂ＋２，Ｂ＋１，Ｂ
＋３を連続して読み出す動作は、以下に示すステップを
踏む。（ステップ１）スタートアドレスレジスタ１０にアドレ
スＡを設定し、レングスレジスタ１１に４を設定する。（ステップ２）アドレス発生器１２は、まず、１回目の
アドレス生成として、スタートアドレスレジスタ１０に
設定されたアドレスＡをアドレス信号５として生成する
。（ステップ３）また、アドレス発生器１２は、アクセス
モード信号７を通常のアクセスモードに設定する。選択
手段５０は、アクセスモード信号７が通常のアクセスモ
ードを指定していることを判定し、まず、選択信号９に
より、選択器８の出力を、アドレス信号５と等しくなる
ように選択する。（ステップ４）アドレスＡをアドレス信号５を通してア
ドレスレジスタ２に設定する。（ステップ５）１．第一のアクセス手段３０は、アドレ
スレジスタ２が指定するメモリセル１の位置より、デー
タＢを読み出してこれをデータレジスタ３へ設定する。設定後も、選択手段５０は、選択信号９により選択器８
の出力をアドレス信号５と等しくなるように選択してお
く。２．このようにして、このレジスタ３に設定された内容
は、例えば、データ信号６を通して、図示しない中央処
理装置へ転送される。その後も、選択手段５０の選択信
号９により選択器８は、その出力がアドレス信号５と等
しくなるように設定される。（ステップ６）アドレス発生器１２は、アドレスＡを１
だけ増し、その値Ａ＋１をアドレス信号５として生成す
る。アドレス信号５は、選択器８を通してアドレスレジ
スタ２に設定される。（ステップ７）１．第一のアクセス手段３０は、アドレ
スレジスタ２が指定するメモリセル１の位置より、デー
タＢ＋１を読み出してこれをデータレジスタ３へ設定す
る。設定後も、選択手段５０は、選択信号９により選択
器８の出力がアドレス信号５と等しくなるように設定さ
れている。２．データレジスタ３に設定されたデータＢ＋１は、例
えば、データ信号６を通して、図示しない中央処理装置
へ転送される。（ステップ８）ステップ６及びステップ７と同様な操作
をあと２回（合計４回）繰り返す。

【００１１】このように、通常のアクセスモードの場合
には、選択器８は、選択信号９によりアドレス発生器１
２で生成されたアドレス信号５を選択し、第一のアクセ
ス手段３０は、このアドレス信号５に基づいてメモリセ
ル１からデータを読み出すことになる。この際、第２の
アクセス手段は、使用されない。

【００１２】実施例１の２．次に、図１のように構成さ
れたこの発明によるメモリ装置の動作を間接アドレス指
定アクセスモードの場合について説明する。従来例に示
した図２に示すアドレスＡから始まるメモリセル１上の
４個のデータ、Ｂ，Ｂ＋２，Ｂ＋１，Ｂ＋３をアドレス
とするデータＭ０，Ｍ１，Ｍ２，Ｍ３を連続して読み出
す動作は、以下に示すステップを踏む。（ステップ１）スタートアドレスレジスタ１０にアドレ
スＡを設定し、レングスレジスタ１１に４を設定する。（ステップ２）アドレス発生器１２は、まず、スタート
アドレスレジスタ１０に設定されたアドレスＡをアドレ
ス信号５として生成する。（ステップ３）また、アドレス発生器１２は、アクセス
モード信号７を間接アドレス指定アクセスモードに設定
する。選択手段５０は、アクセスモード信号７が間接ア
ドレス指定アクセスモードを指定していることを判定し
、まず、選択信号９により、選択器８の出力を、アドレ
ス信号５と等しくなるように選択する。（ステップ４）アドレスＡをアドレス信号５を通してア
ドレスレジスタ２に設定する。（ステップ５）１．第一のアクセス手段３０は、アドレ
スレジスタ２が指定するメモリセル１の位置より、デー
タＢを読み出してこれをデータレジスタ３へ設定する。設定後、選択手段５０は、選択信号９により選択器８の
出力をデータレジスタ３の出力と等しくなるように設定
する。２．このようにして、選択器８の出力、つまり、データ
レジスタ３に設定されたデータＢは、選択器８を通して
アドレスレジスタ２に設定される。３．第二のアクセス手段４０は、アドレスレジスタ２が
指定するメモリセル１の位置より、データＭ０を読み出
してこれをデータレジスタ３へ設定する。このレジスタ
３に設定された内容は、例えば、データ信号６を通して
、図示しない中央処理装置へ転送される。その後、選択
手段５０の選択信号９により選択器８が切り替えられて
、その出力がアドレス信号５と等しくなるように設定さ
れる。（ステップ６）アドレス発生器１２は、アドレスＡを１
だけ増し、その値Ａ＋１をアドレス信号５として生成す
る。アドレス信号５は、選択器８を通してアドレスレジ
スタ２に設定される。（ステップ７）１．第一のアクセス手段３０は、アドレ
スレジスタ２が指定するメモリセル１の位置より、デー
タＢ＋１を読み出してこれをデータレジスタ３へ設定す
る。設定後、選択手段５０は、選択信号９により選択器
８の出力をデータレジスタ３の出力と等しくなるように
設定する。２．選択器８の出力、つまり、データレジスタ３に設定
されたデータＢ＋１は、選択器８を通してアドレスレジ
スタ２に設定される。３．第二のアクセス手段４０は、アドレスレジスタ２が
指定するメモリセル１の位置より、データＭ１を読み出
してこれをデータレジスタ３へ設定する。このレジスタ
３に設定された内容は、例えば、データ信号６を通して
、図示しない中央処理装置へ転送される。その後、選択
手段５０の選択信号９により選択器８が切り替えられて
、その出力はアドレス信号５と等しくなる。（ステップ８）ステップ６及びステップ７と同様な操作
をあと２回（合計４回）繰り返す。

【００１３】このように、間接アドレス指定アクセスモ
ードの場合には、選択器８は、選択信号９により、アド
レス発生器１２で生成されたアドレス信号５か第一のア
クセス手段３０により読み込まれたデータレジスタ５の
内容を交互に選択し、第二のアクセス手段４０は、第一
のアクセス手段３０がアドレス信号５に基づいてメモリ
セル１から読み込んだデータを次にアクセスすべきアド
レスとして、メモリセル１からデータを読み出すことに
なる。

【００１４】実施例２．実施例１ではメモリ装置に対す
る読み出し動作について説明したが、書き込み動作の場
合も同様である。

【００１５】実施例３．実施例１では特定のメモリセル
上のデータ４個を連続にアクセスする場合について説明
したが、メモリセルの位置、データの個数などは、他の
任意の値であっても全て同様の効果を奏する。

【００１６】実施例４．実施例１では、アドレスを１個
与える１次元のメモリ装置について説明したが、行及び
列アドレスを与えてアクセスを行う２次元メモリの場合
でも良い。

【００１７】実施例５．実施例１では、アドレス発生器
１２は、スタートアドレスレジスタ１０とレングスレジ
スタ１１の内容からアドレスを連続して発生する場合を
示したが、スタートアドレスレジスタ１０とレングスレ
ジスタ１１とによらないで連続してアドレスを発生する
場合でも良い。

【００１８】実施例６．実施例１では、アドレス発生器
１２は、アドレスＡから連続したメモリアドレスにある
データをアクセスする場合を示したが、アドレスＡから
連続したメモリアドレスにあるデータをアクセスする場
合でなくてもよく、アドレスが連続しないものをアドレ
ス発生器１２が発生する場合でも良い。

【００１９】なお、この発明に係るメモリ装置と類似す
るものとして、特開昭６３−１４３６４３号公報に記載
された記憶装置の技術がある。しかし、この技術には、
メモリをアクセスする中央処理装置などがメモリ装置へ
１回のアクセスで、複数のメモリアクセスが行えるよう
に構成したものではなく、この発明に係るメモリ装置と
は、異なる目的、構成、効果を有するものである。

【００２０】

【発明の効果】以上のように、この発明によれば、メモ
リセルに書き込まれているデータをアクセスする場合、
メモリをアクセスする中央処理装置などがメモリ装置へ
１回のアクセスで、複数のメモリアクセスが行えるよう
に構成したので、中央処理装置などの処理を簡便にでき
るとともに、メモリ装置に対するデータのアクセスを高
速に行える効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の実施例１によるメモリ装置の構成図
である。

【図２】アクセスするメモリセル上のデータの一例を示
す図である。

【図３】従来のメモリ装置の一例を示す構成図である。

【符号の説明】

１　　メモリセル２　　アドレスレジスタ３　　データレジスタ４　　メモリ制御部５　　アドレス信号７　　アクセスモード信号８　　選択器９　　選択信号１０　　スタートアドレスレジスタ１１　　レングスレジスタ１２　　アドレス発生器２０　　アドレス発生手段３０　　第一のアクセス手段４０　　第二のアクセス手段５０　　選択手段

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】　　以下の要素を有するメモリ装置（ａ）
データを保持するメモリセル、（ｂ）このメモリセルを
読み書きするためのアドレスを連続して発生するアドレ
ス発生手段、（ｃ）アドレス発生手段により発生された
アドレスに基づき、メモリセルからデータをアクセスす
る第一のアクセス手段、（ｄ）第一のアクセス手段によ
りアクセスしたデータをアドレスとして、メモリセルに
アクセスする第二のアクセス手段、（ｅ）第一のアクセ
ス手段と第二のアクセス手段を選択する選択手段。