JPH0434962A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH0434962A JPH0434962A JP2140827A JP14082790A JPH0434962A JP H0434962 A JPH0434962 A JP H0434962A JP 2140827 A JP2140827 A JP 2140827A JP 14082790 A JP14082790 A JP 14082790A JP H0434962 A JPH0434962 A JP H0434962A
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- Japan
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- oxide film
- field oxide
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- Pending
Links
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 9
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Landscapes
- Bipolar Integrated Circuits (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置に関し、特に半導体チップ上のメモ
リー内容書込み時に高電圧を必要とするメモリーの基準
電圧制御用として逆方向に挿入されるＰＮ接合型ダイオ
ードの構造に関する。
リー内容書込み時に高電圧を必要とするメモリーの基準
電圧制御用として逆方向に挿入されるＰＮ接合型ダイオ
ードの構造に関する。
従来、メモリー内容書込み用高電圧の制御は、Ｐ型半導
体基板を低電位側に接続し、そのＰ型半導体基板上に形
成したソースあるいはドレイン形成用のＮ型領域をメモ
リー内容書込み用高電圧側に接続してＰＮ接合ダイオー
ドを形成し、そのブレークダウン電圧で書込用電圧の上
限を抑制している。
体基板を低電位側に接続し、そのＰ型半導体基板上に形
成したソースあるいはドレイン形成用のＮ型領域をメモ
リー内容書込み用高電圧側に接続してＰＮ接合ダイオー
ドを形成し、そのブレークダウン電圧で書込用電圧の上
限を抑制している。
第２図は従来の半導体装置の断面図である。
第２図に示すように、Ｐ型シリコン基板１の表面にＰ＋
型のチャネルストッパ層３及び厚いフィールド酸化膜２
を選択的に形成した後にフィールド酸化膜２をマスクと
してソースあるいはドレインを形成するものと同等の濃
度のＮ型不純物イオンを注入して形成する為、薄い熱酸
化膜１の下にのみメモリー内容書込み用電圧制御用のダ
イオードのＮ１型拡散領域５が存在している。
型のチャネルストッパ層３及び厚いフィールド酸化膜２
を選択的に形成した後にフィールド酸化膜２をマスクと
してソースあるいはドレインを形成するものと同等の濃
度のＮ型不純物イオンを注入して形成する為、薄い熱酸
化膜１の下にのみメモリー内容書込み用電圧制御用のダ
イオードのＮ１型拡散領域５が存在している。
そのＰＮ接合ダイオードのＰＮ接合は、フィールド酸化
膜２を厚く成長させる前にＰ型シリコン基板９の表面に
形成された、Ｐ型シリコン基板９より濃度の濃いＰ１型
チャネルストッパ層３とＮ“型拡散領域５で形成される
為、そのＰＮ接合部は薄い熱酸化膜１と厚いフィールド
酸化膜２の境界の下に存在している。
膜２を厚く成長させる前にＰ型シリコン基板９の表面に
形成された、Ｐ型シリコン基板９より濃度の濃いＰ１型
チャネルストッパ層３とＮ“型拡散領域５で形成される
為、そのＰＮ接合部は薄い熱酸化膜１と厚いフィールド
酸化膜２の境界の下に存在している。
この従来の半導体装置は、ＰＮ接合部が薄い熱酸化膜と
厚いフィールド酸化膜の境界の下に存在している為、そ
の部分のＰ＋型チャネルストッパ層や、Ｎ＋型拡散領域
の濃度のバラツキや、薄い熱酸化膜へのキャリアのトラ
ップによる表面濃度の変調により、ＰＮ接合型ダイオー
ドの逆バイアスのブレークダウン電圧の安定性が悪くな
り、メモリー書込み試験の前と後、或いは熱ストレスを
加える前と後でメモリー内容書込み基準高電圧が大きく
変動してしまう為に、メモリー内容書込みの信頼性が低
くなるという問題点があった。
厚いフィールド酸化膜の境界の下に存在している為、そ
の部分のＰ＋型チャネルストッパ層や、Ｎ＋型拡散領域
の濃度のバラツキや、薄い熱酸化膜へのキャリアのトラ
ップによる表面濃度の変調により、ＰＮ接合型ダイオー
ドの逆バイアスのブレークダウン電圧の安定性が悪くな
り、メモリー書込み試験の前と後、或いは熱ストレスを
加える前と後でメモリー内容書込み基準高電圧が大きく
変動してしまう為に、メモリー内容書込みの信頼性が低
くなるという問題点があった。
本発明の半導体装置は、メモリー内容書込み時に高電圧
を必要とするメモリーの基準高電圧制御用として逆方向
に挿入されるＰ型半導体基板上のＰＮ接合型ダイオード
のＮ型拡散領域を厚いフィールド酸化膜を形成させる前
にソースあるいはドレインを形成するものと同等の濃度
のＮ型不純物を成長させる前のフィールド酸化腰下まで
注入して形成することにより、Ｐ＋型チャネルストッパ
層と接するダイオードのＰＮ接合の周縁部を厚いフィー
ルド酸化膜の下に延在して形成される。
を必要とするメモリーの基準高電圧制御用として逆方向
に挿入されるＰ型半導体基板上のＰＮ接合型ダイオード
のＮ型拡散領域を厚いフィールド酸化膜を形成させる前
にソースあるいはドレインを形成するものと同等の濃度
のＮ型不純物を成長させる前のフィールド酸化腰下まで
注入して形成することにより、Ｐ＋型チャネルストッパ
層と接するダイオードのＰＮ接合の周縁部を厚いフィー
ルド酸化膜の下に延在して形成される。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例の断面図である。
第１図に示すように、Ｐ型シリコン基板９の表面にソー
スあるいはドレインを形成するものと同等の濃度のＮ型
拡散領域４を選択的に設け、次に、チャネルストッパ層
３及びフィールド酸化膜２の一部がＮ型拡散領域４に重
なるように選択的に形成する。次に、フィールド酸化膜
２をマスクとしてＮ型不純物をイオン注入し、Ｎ型拡散
領域４と接続するＮ１型拡散領域５を形成する。
スあるいはドレインを形成するものと同等の濃度のＮ型
拡散領域４を選択的に設け、次に、チャネルストッパ層
３及びフィールド酸化膜２の一部がＮ型拡散領域４に重
なるように選択的に形成する。次に、フィールド酸化膜
２をマスクとしてＮ型不純物をイオン注入し、Ｎ型拡散
領域４と接続するＮ１型拡散領域５を形成する。
ここで、ＰＮ接合型ダイオードのＰＮ接合は、チャネル
ストッパ層３とＮ型拡散領域４で形成され、ＰＮ接合の
周縁部は厚いフィールド酸化膜２の下に延在して形成さ
れる。
ストッパ層３とＮ型拡散領域４で形成され、ＰＮ接合の
周縁部は厚いフィールド酸化膜２の下に延在して形成さ
れる。
以上説明したように本発明は、メモリー内容書込み時に
高電圧を必要とするメモリーの基準高電圧制御用として
逆方向に挿入されるＰＮ接合型ダイオードのＰＮ接合の
周縁部を厚いフィールド酸化膜の下に延在して形成する
ことにより、ＰＮ接合部が薄い熱酸化膜や、薄い熱酸化
膜と厚いフィールド酸化膜の境界部の影響を受けない様
にして、ＰＮ接合部での２１型チヤネルストツパ領域や
Ｎ型拡散領域の濃度のばらつきを生じにくくし、薄い熱
酸化膜へのキャリアのトラップによる表面濃度の変調を
なくす事で、信頼性や耐久性の高い安定したメモリーの
基準高電圧が得られる効果がある。
高電圧を必要とするメモリーの基準高電圧制御用として
逆方向に挿入されるＰＮ接合型ダイオードのＰＮ接合の
周縁部を厚いフィールド酸化膜の下に延在して形成する
ことにより、ＰＮ接合部が薄い熱酸化膜や、薄い熱酸化
膜と厚いフィールド酸化膜の境界部の影響を受けない様
にして、ＰＮ接合部での２１型チヤネルストツパ領域や
Ｎ型拡散領域の濃度のばらつきを生じにくくし、薄い熱
酸化膜へのキャリアのトラップによる表面濃度の変調を
なくす事で、信頼性や耐久性の高い安定したメモリーの
基準高電圧が得られる効果がある。
又、本発明によるＰＮ接合型ダイオードをメモリー以外
の部分の電圧制御として使用しても、同様の効果が得ら
れる。
の部分の電圧制御として使用しても、同様の効果が得ら
れる。
第１図は本発明の一実施例の断面図、第２図は従来の半
導体装置の一例の断面図である。 １・・・薄い熱酸化膜、２・・・フィールド酸化膜、３
・・・Ｐ＋型チャネルストッパ層、４・・・Ｎ型拡散領
域、５・・・Ｎ＋型拡散領域、６・・・コンタクトホー
ル、７・・・接地電位あるいは低電位の金属導体、８・
・・基板コンタクト用Ｐ＋型拡散領域、９・・・Ｐ型シ
リコン基板、１０・・・高電位の金属導体、１１・・・
層間絶縁膜。
導体装置の一例の断面図である。 １・・・薄い熱酸化膜、２・・・フィールド酸化膜、３
・・・Ｐ＋型チャネルストッパ層、４・・・Ｎ型拡散領
域、５・・・Ｎ＋型拡散領域、６・・・コンタクトホー
ル、７・・・接地電位あるいは低電位の金属導体、８・
・・基板コンタクト用Ｐ＋型拡散領域、９・・・Ｐ型シ
リコン基板、１０・・・高電位の金属導体、１１・・・
層間絶縁膜。
Claims (1)
- メモリー内容書込み時に高電圧を必要とするメモリーの
基準高電圧制御用として逆方向に挿入されるＰＮ接合型
ダイオードを有する半導体装置において、前記ダイオー
ドのＰＮ接合の周縁部が厚いフィールド酸化膜の下に延
在して形成されたことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2140827A JPH0434962A (ja) | 1990-05-30 | 1990-05-30 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2140827A JPH0434962A (ja) | 1990-05-30 | 1990-05-30 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0434962A true JPH0434962A (ja) | 1992-02-05 |
Family
ID=15277644
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2140827A Pending JPH0434962A (ja) | 1990-05-30 | 1990-05-30 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0434962A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2019189579A1 (ja) | 2018-03-30 | 2019-10-03 | 三井化学株式会社 | 歯科材料用重合性組成物、該組成物から得られた歯科材料 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01260863A (ja) * | 1988-04-12 | 1989-10-18 | Citizen Watch Co Ltd | Ｐｎ接合ダイオード |
-
1990
- 1990-05-30 JP JP2140827A patent/JPH0434962A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01260863A (ja) * | 1988-04-12 | 1989-10-18 | Citizen Watch Co Ltd | Ｐｎ接合ダイオード |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2019189579A1 (ja) | 2018-03-30 | 2019-10-03 | 三井化学株式会社 | 歯科材料用重合性組成物、該組成物から得られた歯科材料 |
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