JPH0435405Y2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0435405Y2 JPH0435405Y2 JP2602686U JP2602686U JPH0435405Y2 JP H0435405 Y2 JPH0435405 Y2 JP H0435405Y2 JP 2602686 U JP2602686 U JP 2602686U JP 2602686 U JP2602686 U JP 2602686U JP H0435405 Y2 JPH0435405 Y2 JP H0435405Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal
- ceramic
- pedestal
- substrate
- ceramic substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 21
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 21
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 229910052574 oxide ceramic Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 15
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 13
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 5
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 4
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 4
- 239000011819 refractory material Substances 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 2
- 239000011224 oxide ceramic Substances 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 102000004190 Enzymes Human genes 0.000 description 1
- 108090000790 Enzymes Proteins 0.000 description 1
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Ceramic Products (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は、金属と酸化物セラミツクを接合する
際に用いる台座に関するものである。
際に用いる台座に関するものである。
従来、金属とセラミツクを接合させるときに
は、接合させようとする金属の融点直下の温度で
かつ不活性ガス雰囲気中に微量の酸素を存在させ
て、セラミツクと金属との界面に金属酸化物を形
成させることにより接合させる方法が採られてい
る。この場合には、金属とセラミツクは接合前に
単純に接触させるだけでよい。
は、接合させようとする金属の融点直下の温度で
かつ不活性ガス雰囲気中に微量の酸素を存在させ
て、セラミツクと金属との界面に金属酸化物を形
成させることにより接合させる方法が採られてい
る。この場合には、金属とセラミツクは接合前に
単純に接触させるだけでよい。
しかるに、従来セラミツク基板の表裏両面に金
属板を接合さようとする時、基板下面に既に接合
された金属板は焼成炉中に設置した台座となる例
えば耐火材や高融点の金属と接触してしまうた
め、それが耐火材の場合は耐火材と反応し、高融
点の金属の場合には合金化を起こして不良となる
欠点を有していた。
属板を接合さようとする時、基板下面に既に接合
された金属板は焼成炉中に設置した台座となる例
えば耐火材や高融点の金属と接触してしまうた
め、それが耐火材の場合は耐火材と反応し、高融
点の金属の場合には合金化を起こして不良となる
欠点を有していた。
これは、接合させようとする金属板を融点直下
で保持し、しかも微量の酵素が雰囲気中に存在す
るからである。
で保持し、しかも微量の酵素が雰囲気中に存在す
るからである。
また、台座に接した基板下面の金属板は凹凸を
発生し易く、回路用基板としては当然に不良品と
なる。
発生し易く、回路用基板としては当然に不良品と
なる。
従つて、セラミツク基板両面への金属接合体を
得るためには、下面に接合した金属板が台座に接
しないようにする必要がある。
得るためには、下面に接合した金属板が台座に接
しないようにする必要がある。
本考案は、係る欠点を解消するために使用され
るセラミツク−金属接合用台座を提案するもの
で、支枠の相対面する内壁に段部を形成したセラ
ミツク−金属接合用台座に関するもので、その材
質は高温の炉内で還元性雰囲気を局部的に形成す
ることがないのでセラミツク−金属の界面に反応
が起こらないアルミナ、MgO、SiO2等の酸化物
セラミツクを使用するものである。
るセラミツク−金属接合用台座を提案するもの
で、支枠の相対面する内壁に段部を形成したセラ
ミツク−金属接合用台座に関するもので、その材
質は高温の炉内で還元性雰囲気を局部的に形成す
ることがないのでセラミツク−金属の界面に反応
が起こらないアルミナ、MgO、SiO2等の酸化物
セラミツクを使用するものである。
以下、図面を参照して本考案の台座を説明す
る。
る。
第１図は本考案に係る接合用台座を示したもの
で、１は外形四角形の支枠であり、該支枠１の内
周壁には一様に内方に向けて段部２ａ，２ｂが一
体に形成されており、中段２ａは第４図のような
セラミツク基板３をその周縁部で装架できるよう
な形状と大きさとしてある。
で、１は外形四角形の支枠であり、該支枠１の内
周壁には一様に内方に向けて段部２ａ，２ｂが一
体に形成されており、中段２ａは第４図のような
セラミツク基板３をその周縁部で装架できるよう
な形状と大きさとしてある。
この場合、セラミツク基板３は第３図の拡大断
面図の如く中段２ａに装架するので、該基板３の
下面に既に接合された銅板４の表面が支枠１の内
底面に接触しないことが必要であるため、中段２
ａの高さは銅板４の厚さより高くしなければなら
ない。
面図の如く中段２ａに装架するので、該基板３の
下面に既に接合された銅板４の表面が支枠１の内
底面に接触しないことが必要であるため、中段２
ａの高さは銅板４の厚さより高くしなければなら
ない。
なお、段部２は一段でもよく、また図では段部
２ａ，２ｂは支枠１内周にわたつて形成している
が、一対の相対面する内壁だけに形成することも
でき、また相対面する二対の内壁の段部を異なる
高さの段部とすることもできる。
２ａ，２ｂは支枠１内周にわたつて形成している
が、一対の相対面する内壁だけに形成することも
でき、また相対面する二対の内壁の段部を異なる
高さの段部とすることもできる。
しかして、まず上記支枠１内の段部２ａにセラ
ミツク基板３を装架し、第４図の如く所定数の銅
板４を基板３上に置いて焼成炉中で所定の温度、
酸素濃度、時間で接合させたら、このセラミツク
−金属接合体を上下逆にし、即ちセラミツク基板
３の銅板接合前の裏面を上にして再び支枠１の中
段部２ａに装架し、所定数の銅板４を基板３上に
置いて同様に所定の温度、酸素濃度、時間で接合
させるのである。
ミツク基板３を装架し、第４図の如く所定数の銅
板４を基板３上に置いて焼成炉中で所定の温度、
酸素濃度、時間で接合させたら、このセラミツク
−金属接合体を上下逆にし、即ちセラミツク基板
３の銅板接合前の裏面を上にして再び支枠１の中
段部２ａに装架し、所定数の銅板４を基板３上に
置いて同様に所定の温度、酸素濃度、時間で接合
させるのである。
本考案は以上のように構成され、特にセラミツ
ク基板両面への金属接合体を得る場合に、基板下
面に既に接合した金属板表面の凹凸の発生を防止
することができると共に、焼成炉中での耐火材と
の接着等を防ぐことができる等の大きな効果を有
する。
ク基板両面への金属接合体を得る場合に、基板下
面に既に接合した金属板表面の凹凸の発生を防止
することができると共に、焼成炉中での耐火材と
の接着等を防ぐことができる等の大きな効果を有
する。
第１図は本考案に係る台座の一例を示す斜視
図、第２図は第１図Ａ−Ａ断面図、第３図は上記
台座にセラミツク基板を設置した状態の拡大断面
図、第４図はセラミツク基板に金属板を接合した
状態の斜視図である。 符号説明、１……支枠、２……段部、３……セ
ラミツク基板、４……銅板。
図、第２図は第１図Ａ−Ａ断面図、第３図は上記
台座にセラミツク基板を設置した状態の拡大断面
図、第４図はセラミツク基板に金属板を接合した
状態の斜視図である。 符号説明、１……支枠、２……段部、３……セ
ラミツク基板、４……銅板。
Claims (1)
- 酸化物セラミツク材からなる支枠の相対面する
内壁に段部を形成したことを特徴とするセラミツ
ク−金属接合用台座。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2602686U JPH0435405Y2 (ja) | 1986-02-25 | 1986-02-25 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2602686U JPH0435405Y2 (ja) | 1986-02-25 | 1986-02-25 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62141036U JPS62141036U (ja) | 1987-09-05 |
| JPH0435405Y2 true JPH0435405Y2 (ja) | 1992-08-21 |
Family
ID=30826722
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2602686U Expired JPH0435405Y2 (ja) | 1986-02-25 | 1986-02-25 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0435405Y2 (ja) |
-
1986
- 1986-02-25 JP JP2602686U patent/JPH0435405Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62141036U (ja) | 1987-09-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0435405Y2 (ja) | ||
| JPH0351119B2 (ja) | ||
| JPH0435406Y2 (ja) | ||
| JP3412548B2 (ja) | プラズマディスプレイパネル | |
| JPH0920527A (ja) | 薄板ガラスの熱処理用治具 | |
| JPS60183745A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS6337935Y2 (ja) | ||
| JPH0286187A (ja) | セラミック基板の焼成方法 | |
| JPS5848560Y2 (ja) | 瓦焼成用スペ−サ−櫛歯 | |
| JPS601837A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0625830Y2 (ja) | 焼成用台車の棚組 | |
| JPS62210650A (ja) | 半導体装置用容器の製造方法 | |
| JP2000233950A (ja) | ガラスパネルのスペーサ配置方法およびガラスパネルの製造装置 | |
| JPS6430853U (ja) | ||
| JPS5821424B2 (ja) | 半導体材料支持用基板の製造方法 | |
| JPH06140553A (ja) | フラットパッケージのリード端子ろう付け方法 | |
| JPH0969385A (ja) | 電子部品 | |
| JP3303940B2 (ja) | 静電接合方法 | |
| JPH0212933A (ja) | 半導体集積回路用セラミックパッケージ | |
| JPS62193158A (ja) | 半導体パツケ−ジ | |
| JPS6244447U (ja) | ||
| JPH01251781A (ja) | セラミック回路基板およびセラミック回路基板の製造方法 | |
| JPS63185051A (ja) | 半導体装置用セラミツクパツケ−ジ | |
| JPH08213496A (ja) | セラミック製パッケージ基体及び該基体を用いたセラミック製パッケージの封着方法 | |
| JPH079995B2 (ja) | 半導体用ステムの製造法 |