JPH0439226B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0439226B2 JPH0439226B2 JP61109932A JP10993286A JPH0439226B2 JP H0439226 B2 JPH0439226 B2 JP H0439226B2 JP 61109932 A JP61109932 A JP 61109932A JP 10993286 A JP10993286 A JP 10993286A JP H0439226 B2 JPH0439226 B2 JP H0439226B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- oxide film
- etching
- thickness
- scribe line
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Weting (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明はトランジスタ等の集積回路（以下、
IC部品と略す）の製造方法の改良に関するもの
であり、更に詳しくは製造工程中のフオトエツチ
ング工程の改良に関するものである。
IC部品と略す）の製造方法の改良に関するもの
であり、更に詳しくは製造工程中のフオトエツチ
ング工程の改良に関するものである。
［従来の技術］
従来のIC部品の製造方法の一例を第４図に示
す。図はトランジスタの製造工程中のエツチング
工程を示したものである。図のａからｅの順に製
造が行なわれる。
す。図はトランジスタの製造工程中のエツチング
工程を示したものである。図のａからｅの順に製
造が行なわれる。
図で、１は基板で例えばシリコンSiで構成さ
れ、２は基板１の表面に形成された酸化膜で例え
ば二酸化硅素（SiO2）で構成されている。図に
は示されていないが、酸化膜２は基板１の表面の
みならず裏面にも形成される。裏面の酸化膜は表
面の酸化膜の除去する厚さをモニタするために用
いる。
れ、２は基板１の表面に形成された酸化膜で例え
ば二酸化硅素（SiO2）で構成されている。図に
は示されていないが、酸化膜２は基板１の表面の
みならず裏面にも形成される。裏面の酸化膜は表
面の酸化膜の除去する厚さをモニタするために用
いる。
図のａからｄの斜線部分はそれぞれの工程で除
去する酸化膜の部分である。
去する酸化膜の部分である。
ａの工程が行なわれる前に、基板１の表面と裏
面には同一の厚さの酸化膜が形成されている。
面には同一の厚さの酸化膜が形成されている。
図で、ａの工程では、アイソレーシヨン拡散層
の分布形状に応じたパターンのIC用フオトマス
クを透過した光を酸化膜に投射し、酸化膜上に露
光と現像を行う。例えば、ポジテイブタイプの現
像では、斜線部分の酸化膜の表面は露光され、そ
れ以外の表面は露光されない。露光は表面の酸化
膜のみについて行う。
の分布形状に応じたパターンのIC用フオトマス
クを透過した光を酸化膜に投射し、酸化膜上に露
光と現像を行う。例えば、ポジテイブタイプの現
像では、斜線部分の酸化膜の表面は露光され、そ
れ以外の表面は露光されない。露光は表面の酸化
膜のみについて行う。
その後、表面と裏面の酸化膜についてエツチン
グを行う。表面と裏面には同一の厚さの酸化膜が
形成されていて、裏面の酸化膜がなくなつて基板
が現れたときに表面でも斜線部分について厚さｔ
だけエツチングが行なわれていることから、この
ときをエツチングの終点とする。
グを行う。表面と裏面には同一の厚さの酸化膜が
形成されていて、裏面の酸化膜がなくなつて基板
が現れたときに表面でも斜線部分について厚さｔ
だけエツチングが行なわれていることから、この
ときをエツチングの終点とする。
酸化膜２を構成する二酸化硅素は親水性で、基
板１を構成するシリコンは疏水性であることから
基板１が現れると水をはじく。これをもとにして
エツチングの終点を検知する。
板１を構成するシリコンは疏水性であることから
基板１が現れると水をはじく。これをもとにして
エツチングの終点を検知する。
その後、酸化を行つてスクライブライン上の酸
化膜３と裏面の酸化膜を厚さtaまで回復させる。
化膜３と裏面の酸化膜を厚さtaまで回復させる。
以下、ｂ〜ｄの工程で異なるIC用フオトマス
クを用いて露光、現像を行い、ａと同様にエツチ
ングと酸化をして、ベース用穴開け、エミツタ用
穴開け、コンタクト用穴開けを行う。その後、基
板１にイオンの打ち込み等を行つて拡散層を形成
し、配線を行うと、ｅに示すトランジスタができ
る。
クを用いて露光、現像を行い、ａと同様にエツチ
ングと酸化をして、ベース用穴開け、エミツタ用
穴開け、コンタクト用穴開けを行う。その後、基
板１にイオンの打ち込み等を行つて拡散層を形成
し、配線を行うと、ｅに示すトランジスタができ
る。
ｅで、41、42、43はそれぞれコレクタ、ベー
ス、エミツタの接続点である。
ス、エミツタの接続点である。
［考案が解決しようとする問題点］
しかし、このような方法では、図のａとｂ、ｃ
とｄの部分では酸化膜の厚さが異なる。しかも、
ｂの工程では裏面の酸化膜の厚さはtaになつてい
て、またｄの工程では裏面の酸化膜の厚さはｔＣ
になつている。このため、ｂ、ｄの工程では、エ
ツチングで裏面の酸化膜がなくなつてもｂ、ｄ部
分の酸化膜は残つていることになり、エツチグの
終点を検知しにくいという問題点があつた。
とｄの部分では酸化膜の厚さが異なる。しかも、
ｂの工程では裏面の酸化膜の厚さはtaになつてい
て、またｄの工程では裏面の酸化膜の厚さはｔＣ
になつている。このため、ｂ、ｄの工程では、エ
ツチングで裏面の酸化膜がなくなつてもｂ、ｄ部
分の酸化膜は残つていることになり、エツチグの
終点を検知しにくいという問題点があつた。
本発明は上述した問題点を除去するためになさ
れたものであり、エツチングの終点を容易に検知
できるIC部品の製造方法を提供することを目的
とする。
れたものであり、エツチングの終点を容易に検知
できるIC部品の製造方法を提供することを目的
とする。
［問題点を解決するための手段］
本発明は、
基板上に一定の厚さの酸化膜を形成し、IC用
フオトマスクを用いて前記酸化膜上に露光と現像
を行い、現像に応じてエツチングにより酸化膜を
部分的に除去し、所望のIC部品に適合した形状
の酸化膜を作り出すIC部品の製造方法において、 前記基板のスクライブライン上の酸化膜の厚さ
と酸化膜の所定のエツチング領域の厚さを等しく
し、前記所定のエツチング領域のエツチングとス
クライブライン上の酸化膜のエツチングを同時に
行うようにして、スクライブライン上の酸化膜を
もとにエツチングの終点を検出することを特徴と
するIC部品の製造方法である。
フオトマスクを用いて前記酸化膜上に露光と現像
を行い、現像に応じてエツチングにより酸化膜を
部分的に除去し、所望のIC部品に適合した形状
の酸化膜を作り出すIC部品の製造方法において、 前記基板のスクライブライン上の酸化膜の厚さ
と酸化膜の所定のエツチング領域の厚さを等しく
し、前記所定のエツチング領域のエツチングとス
クライブライン上の酸化膜のエツチングを同時に
行うようにして、スクライブライン上の酸化膜を
もとにエツチングの終点を検出することを特徴と
するIC部品の製造方法である。
［実施例］
以下、図面を用いて本発明を説明する。
第１図は本発明にかかるIC部品の製造方法の
手順の一例を示した図である。第１図で第２図と
同一のものは同一符号を付ける。
手順の一例を示した図である。第１図で第２図と
同一のものは同一符号を付ける。
第１図に示す方法と第４図の従来例の方法との
相違は、第１図の方法ではアイソレーシヨン拡散
層用穴開け工程とエミツタ用穴開け工程ではスク
ライブライン上の酸化膜の除去が行なわれない点
である。
相違は、第１図の方法ではアイソレーシヨン拡散
層用穴開け工程とエミツタ用穴開け工程ではスク
ライブライン上の酸化膜の除去が行なわれない点
である。
これによつて、第１図の方法ではｂの工程では
Ａ部分とＢ部分の酸化膜の厚さが等しくなり、ま
たｄの工程ではＣ部分とＤ部分の酸化膜の厚さが
等しくなる。このことから、ｂ、ｄの工程ではス
クライブラリン上の酸化膜３が全部除去されたと
きに同時にＢ、Ｄ部分の酸化膜も全部除去され
る。従つて、スクライブライン上の酸化膜３をエ
ツチングの終点モニタに用いることができる。
Ａ部分とＢ部分の酸化膜の厚さが等しくなり、ま
たｄの工程ではＣ部分とＤ部分の酸化膜の厚さが
等しくなる。このことから、ｂ、ｄの工程ではス
クライブラリン上の酸化膜３が全部除去されたと
きに同時にＢ、Ｄ部分の酸化膜も全部除去され
る。従つて、スクライブライン上の酸化膜３をエ
ツチングの終点モニタに用いることができる。
このような製造法のフローチヤートを第２図に
示す。
示す。
基板１の表面と裏面には厚さｔの酸化膜が形成
されている。
されている。
最初に、アイソレーシヨン拡散層の分布形状に
応じたパターンのIC用フオトマスク（アイソレ
ーシヨンフオトとする）を用いて酸化膜上に露光
と現像を行う。
応じたパターンのIC用フオトマスク（アイソレ
ーシヨンフオトとする）を用いて酸化膜上に露光
と現像を行う。
次に、判断X1で基板の裏面に水切れがあるか
否か（裏面の酸化膜がなくなつて着板が現れてい
るか否か）について判別する。
否か（裏面の酸化膜がなくなつて着板が現れてい
るか否か）について判別する。
判断X1がNOの場合は、エツチングを行つた後
再び判断X1を行う。
再び判断X1を行う。
判断X1がYESの場合は、基板の表面と裏面に
厚さｔＡの酸化膜を形成した後、ベース領域の分
布形状に応じたパターンのIC用フオトマスク
（ベースフオトオとする）を用いて酸化膜上に露
光と現像を行う。
厚さｔＡの酸化膜を形成した後、ベース領域の分
布形状に応じたパターンのIC用フオトマスク
（ベースフオトオとする）を用いて酸化膜上に露
光と現像を行う。
次に、判断X2でスクライブライン上に水切れ
があるか否か（スクライブライン上の酸化膜がな
くなつて基板が現れているか否か）について判断
する。
があるか否か（スクライブライン上の酸化膜がな
くなつて基板が現れているか否か）について判断
する。
判断X2がNOの場合は、エツチングを行つた後
再び判断X2を行う。
再び判断X2を行う。
判断X2がYESの場合は、基板の表面と裏面に
厚さｔＢの酸化膜を形成した後、エミツタ領域の
分布形状に応じたパターンのIC用フオトマスク
（エミツタフオトとする）を用いて酸化膜上に露
光と現像を行う。
厚さｔＢの酸化膜を形成した後、エミツタ領域の
分布形状に応じたパターンのIC用フオトマスク
（エミツタフオトとする）を用いて酸化膜上に露
光と現像を行う。
次に、判断X3で基板の裏面に水切れがあるか
否かについて判別する。
否かについて判別する。
判断X3がNOの場合は、エツチングを行つた後
再び判断X3を行う。
再び判断X3を行う。
判断X3がYESの場合は、さらに厚さｔ−ｔＢ
の酸化膜を除去するだけのエツチングを行う。こ
れは、裏面の酸化膜の厚さはｔＢしかなくてさら
に厚さｔ−ｔＢの酸化膜を除去するエツチングを
行なわないとＥ部分の酸化膜を全部除去できない
からである。
の酸化膜を除去するだけのエツチングを行う。こ
れは、裏面の酸化膜の厚さはｔＢしかなくてさら
に厚さｔ−ｔＢの酸化膜を除去するエツチングを
行なわないとＥ部分の酸化膜を全部除去できない
からである。
その後、基板の表面と裏面に厚さｔＣの酸化膜
を形成した後、コンタクト穴の分布形状に応じた
パターンのIC用フオトマスク（コンタクト穴フ
オトとする）を用いて露光と現像を行う。
を形成した後、コンタクト穴の分布形状に応じた
パターンのIC用フオトマスク（コンタクト穴フ
オトとする）を用いて露光と現像を行う。
次に、判断X4でスクライブラリン上に水切れ
があるか否かについて判断する。
があるか否かについて判断する。
判断X4がNOの場合は、エツチングを行つた後
再び判断X4を行う。
再び判断X4を行う。
判断X3がYESの場合は、ｄの斜線に示す部分
の酸化膜が全て除去され、エツチング工程は終了
する。
の酸化膜が全て除去され、エツチング工程は終了
する。
なお、第３図に示すようなウエハＷのＸ方向の
スクライブラインＬＸ上の酸化膜とＹ方向のスク
ライブラインＬＹ上の酸化膜で異なる工程におけ
るエツチングの終点を検知するように使い分けて
もよい。例えば、スクライブラインＬＸの酸化膜
で第１図ｂの工程におけるエツチングの終点を検
出し、Ｙ方向のスクライブラインＬＹ上の酸化膜
で第１図ｃの工程におけるエツチングの終点を検
出するように使い分けてもよい。
スクライブラインＬＸ上の酸化膜とＹ方向のスク
ライブラインＬＹ上の酸化膜で異なる工程におけ
るエツチングの終点を検知するように使い分けて
もよい。例えば、スクライブラインＬＸの酸化膜
で第１図ｂの工程におけるエツチングの終点を検
出し、Ｙ方向のスクライブラインＬＹ上の酸化膜
で第１図ｃの工程におけるエツチングの終点を検
出するように使い分けてもよい。
［効果］
本発明によれば、ｂの工程のＡ部分（スクライ
ブライン上の酸化膜）とＢ部分の厚さが等しく、
またｄの工程のＣ部分（スクライブライン上の酸
化膜）とＤ部分の厚さが等しいため、スクライブ
ライン上の酸化膜をエツチングの終点モニタに用
いることができる。これによつて、エツチングの
終点を容易に検知できる。
ブライン上の酸化膜）とＢ部分の厚さが等しく、
またｄの工程のＣ部分（スクライブライン上の酸
化膜）とＤ部分の厚さが等しいため、スクライブ
ライン上の酸化膜をエツチングの終点モニタに用
いることができる。これによつて、エツチングの
終点を容易に検知できる。
第１図は本発明にかかるIC部品の製造方法の
手順の一例を示した図、第２図は第１図の製造方
法の説明用のフローチヤート、第３図はウエハ上
に形成されたスクライブラインを示した図、第４
図はIC部品の製造方法の従来例を示した図であ
る。 １……基板、２……酸化膜、３……スクライブ
ライン上の酸化膜。
手順の一例を示した図、第２図は第１図の製造方
法の説明用のフローチヤート、第３図はウエハ上
に形成されたスクライブラインを示した図、第４
図はIC部品の製造方法の従来例を示した図であ
る。 １……基板、２……酸化膜、３……スクライブ
ライン上の酸化膜。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 基板上の厚さの酸化膜を形成し、IC用フオ
トマスクを用いて前記酸化膜上に露光と現像を行
い、現像に応じてエツチングにより酸化膜を部分
的に除去し、所望のIC部品に適合した形状の酸
化膜を作り出すIC部品の製造方法において、 前記基板のスクライブライン上の酸化膜の厚さ
と酸化膜の所定のエツチング領域の厚さを等しく
し、前記所定のエツチング領域のエツチングとス
クライブライン上の酸化膜のエツチングを同時に
行うようにしてスクライブライン上の酸化膜をも
とにエツチングの終点を検出することを特徴とす
るIC部品の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61109932A JPS62265727A (ja) | 1986-05-14 | 1986-05-14 | Ｉｃ部品の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61109932A JPS62265727A (ja) | 1986-05-14 | 1986-05-14 | Ｉｃ部品の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62265727A JPS62265727A (ja) | 1987-11-18 |
| JPH0439226B2 true JPH0439226B2 (ja) | 1992-06-26 |
Family
ID=14522763
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61109932A Granted JPS62265727A (ja) | 1986-05-14 | 1986-05-14 | Ｉｃ部品の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62265727A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5622899A (en) * | 1996-04-22 | 1997-04-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. | Method of fabricating semiconductor chips separated by scribe lines used for endpoint detection |
-
1986
- 1986-05-14 JP JP61109932A patent/JPS62265727A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62265727A (ja) | 1987-11-18 |
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