JPS62265727A - Ｉｃ部品の製造方法 - Google Patents
Ｉｃ部品の製造方法Info
- Publication number
- JPS62265727A JPS62265727A JP61109932A JP10993286A JPS62265727A JP S62265727 A JPS62265727 A JP S62265727A JP 61109932 A JP61109932 A JP 61109932A JP 10993286 A JP10993286 A JP 10993286A JP S62265727 A JPS62265727 A JP S62265727A
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- JP
- Japan
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- oxide film
- etching
- thickness
- film
- substrate
- Prior art date
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Weting (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野１
本発明はトランジスタ等の集積回路（以下、ＩＣ部品と
略す）の製造方法の改良に関するものであり、更に詳し
くは製造工程中のフォトエツチング工程の改良に関する
ものである。
略す）の製造方法の改良に関するものであり、更に詳し
くは製造工程中のフォトエツチング工程の改良に関する
ものである。
［従来の技術］
従来のＩＣ部品の製造方法の一例を第４図に示す。図は
トランジスタの製造工程中のエツチング工程を示したも
のである。図の（ａ）から（ｅ）の順に製造が行なわれ
る。
トランジスタの製造工程中のエツチング工程を示したも
のである。図の（ａ）から（ｅ）の順に製造が行なわれ
る。
図で、１は基板で例えばシリコン＜８ｉ）で構成され、
２は基板１の表面に形成された酸化膜て例えば二酸化ｌ
ｉｉ素（ＳｉＯ２）で構成されている。
２は基板１の表面に形成された酸化膜て例えば二酸化ｌ
ｉｉ素（ＳｉＯ２）で構成されている。
図には示されていないが、酸化ｎ＊ ２は基板１の表面
のみならず裏面にも形成される。裏面のＭｌヒ映は表面
の酸化膜の除去する厚さをモニタするために用いる。
のみならず裏面にも形成される。裏面のＭｌヒ映は表面
の酸化膜の除去する厚さをモニタするために用いる。
図の（ａ）から（ｄ）の斜線部分はそれぞれの工程で除
去する酸化膜の部分である。
去する酸化膜の部分である。
（ａ）の工程が行なわれる前に、基板１の表向と裏面に
は同一の厚さの酸化、摸が形成されている３図で、（ａ
）の工程では、アイソレーション拡散層の分布形状に応
じたパターンのＩＣ用フ第１−マスクを透過した光を酸
化膜に投射し、酸化膜上に露光と現像を行う。例えば、
ポジティブタイプの現像では、斜線部分の酸化膜の表面
は露光され、それ以外の表面は露光されない。露光は表
面の酸化膜のみについて行う。
は同一の厚さの酸化、摸が形成されている３図で、（ａ
）の工程では、アイソレーション拡散層の分布形状に応
じたパターンのＩＣ用フ第１−マスクを透過した光を酸
化膜に投射し、酸化膜上に露光と現像を行う。例えば、
ポジティブタイプの現像では、斜線部分の酸化膜の表面
は露光され、それ以外の表面は露光されない。露光は表
面の酸化膜のみについて行う。
その後、表面と裏面の酸化膜についてエツチングを行う
。表面と裏面には同一の厚さの酸化膜が形成されていて
、裏面の酸化膜がなくなって基板が現れたときに表面で
も斜線部分について厚さｔたけエツチングが行なわれて
いることから、このときをエツチングの終点とする。
。表面と裏面には同一の厚さの酸化膜が形成されていて
、裏面の酸化膜がなくなって基板が現れたときに表面で
も斜線部分について厚さｔたけエツチングが行なわれて
いることから、このときをエツチングの終点とする。
酸化１１Ａ２を構成する二酸化硅素は親水性で、基板１
を構成するシリコンは疎水性であることから基板１が現
れると水をはじく。これをもとにしてエツチングの終点
を検知する。
を構成するシリコンは疎水性であることから基板１が現
れると水をはじく。これをもとにしてエツチングの終点
を検知する。
その後、酸化を行ってスクライブライン上の酸化膜３と
裏面の酸化膜を厚さ１ａまで回復させる。
裏面の酸化膜を厚さ１ａまで回復させる。
以下、（ｂ）〜（ｄ）の工程で異なるＩＣ用フォトマス
クを用いて露光、現像を行い、（ａ）と同様にエツチン
グと酸化をして、ベース用穴開け、エミッタ用穴開け、
コンタクト用穴間けを行う。
クを用いて露光、現像を行い、（ａ）と同様にエツチン
グと酸化をして、ベース用穴開け、エミッタ用穴開け、
コンタクト用穴間けを行う。
その後、基板１にイオンの打ち込み等を行って拡散層を
形成し、配線を行うと、（ｅ）に示す１−ランジスタが
できる。
形成し、配線を行うと、（ｅ）に示す１−ランジスタが
できる。
（ｅ）で、４１．４２．４３はそれぞれコレクタ、ベー
ス、エミッタの接続点である。
ス、エミッタの接続点である。
［考案が解決しようとする問題点］
しかし、このよ・うな方法では、図のａとす、ｃとｄの
部分では酸化膜の厚さが異なる。しかも、（ｂ）の工程
では裏面の酸化膜の厚さはｔａになっていて、また（ｄ
）の工程では裏面の酸化膜の厚さは１ｃになっている。
部分では酸化膜の厚さが異なる。しかも、（ｂ）の工程
では裏面の酸化膜の厚さはｔａになっていて、また（ｄ
）の工程では裏面の酸化膜の厚さは１ｃになっている。
このため、（ｂ）。
（ｄ）の工程では、エツチングで裏面の酸化膜がなくな
ってもす、ｄ部分の酸１ヒ摸は残っていることになり、
エツチングの終点を検知しにくいとい゛う問題点があっ
た。
ってもす、ｄ部分の酸１ヒ摸は残っていることになり、
エツチングの終点を検知しにくいとい゛う問題点があっ
た。
本発明は上述した問題点を除去するためになされたもの
であり、エツチングの終点を容易に検知で・きるＩＣ部
品の製造方法を提供することを目的とする。
であり、エツチングの終点を容易に検知で・きるＩＣ部
品の製造方法を提供することを目的とする。
［問題点を解決するための手段］
本発明は、
基板上に一定の厚さの酸化膜を形成し、ＩＣ用フォトマ
スクを用いて前記酸化膜上に露光と現像を行い、現像に
応じてエツチングにより酸化膜を部分的に除去し、所望
のＩＣ部品に適合した形状の酸化膜を作り出すＩＣ部品
の製造方法において、前記基板のスクライブライン上の
酸化膜の厚さと酸化膜の所定のエツチング領域の厚さを
等しくし、前記所定のエツチング領域のエツチングとス
クライブライン上の酸化膜のエツチングを同時に行うよ
うにして、スクライブライン上の酸化膜をもとにエツチ
ングの終点を検出することを特徴とするＩＣ部品のＷＩ
Ｊ３告方法である。
スクを用いて前記酸化膜上に露光と現像を行い、現像に
応じてエツチングにより酸化膜を部分的に除去し、所望
のＩＣ部品に適合した形状の酸化膜を作り出すＩＣ部品
の製造方法において、前記基板のスクライブライン上の
酸化膜の厚さと酸化膜の所定のエツチング領域の厚さを
等しくし、前記所定のエツチング領域のエツチングとス
クライブライン上の酸化膜のエツチングを同時に行うよ
うにして、スクライブライン上の酸化膜をもとにエツチ
ングの終点を検出することを特徴とするＩＣ部品のＷＩ
Ｊ３告方法である。
［実施例］
以下、図面を用いて本発明を説明する。
第１図は本発明にかかるＩＣ部品の製造方法の手順の一
例を示した図である。第１図で第２図と同一のものは同
一符号を付ける。
例を示した図である。第１図で第２図と同一のものは同
一符号を付ける。
第１図に示す方法と第４図の従来例の方法との相違は、
第１図の方法ではアイソレーション拡散層用穴開は工程
とエミッタ用穴開は工程ではスクライブライン上の酸化
膜の除去が（テなねれない点である。
第１図の方法ではアイソレーション拡散層用穴開は工程
とエミッタ用穴開は工程ではスクライブライン上の酸化
膜の除去が（テなねれない点である。
これによって、第１図の方法では（ｂ）の工程ではΔ部
分とＢ部分の酸化膜の厚さが等しくなり、また（ｄ）の
工程ではＣ部分とＤ部分の酸化膜の厚さが等しくなる。
分とＢ部分の酸化膜の厚さが等しくなり、また（ｄ）の
工程ではＣ部分とＤ部分の酸化膜の厚さが等しくなる。
このことから、（ｂ）、＜ｄ）の工程ではスクライブラ
イン上の酸化膜３が全部除去されたときに同時にＢ、Ｄ
部分の酸化膜ら全部除去される。従って、スクライブラ
イン上の酸化膜３をエツチングの終点モニタに用いるこ
とかできる。
イン上の酸化膜３が全部除去されたときに同時にＢ、Ｄ
部分の酸化膜ら全部除去される。従って、スクライブラ
イン上の酸化膜３をエツチングの終点モニタに用いるこ
とかできる。
このような製造方法のフローチャートを第２図に示す。
基板１の表面と裏面には厚さｔの酸化膜が形成されてい
る。
る。
最初に、アイソレーション拡散層の分布形状に応じたバ
クーンのＩＣ用フォトマスク（アイソレーションフォト
とする）を用いて酸化股上に露光と現像を１テう。
クーンのＩＣ用フォトマスク（アイソレーションフォト
とする）を用いて酸化股上に露光と現像を１テう。
次に、判断Ｘ＋で基板の裏面に水切れがあるか否か（裏
面の酸化膜がなくなって基板が現れているか否か）につ
いて判別する。
面の酸化膜がなくなって基板が現れているか否か）につ
いて判別する。
判断Ｘ、がＮｏの場合は、エツチングを行った侵再びＹ
り断Ｘ＋を行う。
り断Ｘ＋を行う。
判断Ｘ＋がＹＥＳの場合は、基板の表面と裏面に厚さｔ
Ａの酸化膜を形成した後、ベース領域の分布形状に応じ
たパターンのＩＣ用フォトマスク（ベースフォトとする
）を用いて酸化膜上に露光と現像を行う。
Ａの酸化膜を形成した後、ベース領域の分布形状に応じ
たパターンのＩＣ用フォトマスク（ベースフォトとする
）を用いて酸化膜上に露光と現像を行う。
次に、判断×２でスクライブライン上ヒに水切れがある
か否かくスクライブライン上の酸化膜がなくなって基板
が現れているか否か）について判断する。
か否かくスクライブライン上の酸化膜がなくなって基板
が現れているか否か）について判断する。
判断×２がＮｏの場合は、エツチングを行った後再び判
断×２を行う。
断×２を行う。
判断×２がＹＥＳの場合は、基板の表面と裏面に厚さｔ
ａの酸化膜を形成した後、エミッタ領域の分布形状に応
じたパターンのＩＣ用フォトマスク（エミッタ領域１−
とする）を用いて酸化膜上に露光と現像を行う。
ａの酸化膜を形成した後、エミッタ領域の分布形状に応
じたパターンのＩＣ用フォトマスク（エミッタ領域１−
とする）を用いて酸化膜上に露光と現像を行う。
次に、判断Ｘ３で基板の裏面に水切れがあるか否かにつ
いて判別する。
いて判別する。
判断ｘ３がＮｏの場合は、エツチングを行った後再び判
断Ｘコを行う。
断Ｘコを行う。
判断Ｘ３がＹＥＳの場合は、さらに厚ざ１−１Ｂの酸化
膜を除去するだけのエツチングを１テう。
膜を除去するだけのエツチングを１テう。
これは、裏面の酸化膜の厚さはｔＢｔ、かなくてさＩう
に厚さｔ−ｔＡの酸化膜を除去するエツチングを行なわ
ないとＥ部分の酸化膜を全部除去できないからである。
に厚さｔ−ｔＡの酸化膜を除去するエツチングを行なわ
ないとＥ部分の酸化膜を全部除去できないからである。
その後、基板の表面と裏面に厚さｔｃの酸化膜を形成し
た後、コンタクト穴の分布形状に応じたパターンのＩＣ
用フォトマスク（コンタク１−穴フォトとする）を用い
て露光と現像を行う。
た後、コンタクト穴の分布形状に応じたパターンのＩＣ
用フォトマスク（コンタク１−穴フォトとする）を用い
て露光と現像を行う。
次に、判断Ｘ４でスクライブライン上に水切れがあるか
否かについて判断する。
否かについて判断する。
判断×４がＮｏの場合は、エツチングを行った後再び判
ＩＦ Ｘ ４を行う。
ＩＦ Ｘ ４を行う。
判ｆｌＦｉ×３がＹＥＳの場合は、（ｄ）の斜線に示す
部分の酸化膜が全て除去され、エツチング工程は終了す
る。
部分の酸化膜が全て除去され、エツチング工程は終了す
る。
なお、第３図に示すようなウェハＷのＸ方向のスクライ
ブラインしＸ上の酸化膜とＹ方向のスクライブラインＬ
ｙ上の酸化膜で異なる工程におけるエツチングの終点を
検知するように使い分けてもよい。例えば、スクライブ
ラインＬｘの酸化膜で第１図（ｂ）の工程にあけるエツ
チングの終点を検出し、Ｙ方向のスクライブラインＬｙ
上の駿化腰で第１図（Ｃ）の工程におけるエツチングの
終点を検出するように使い分けてもよい。
ブラインしＸ上の酸化膜とＹ方向のスクライブラインＬ
ｙ上の酸化膜で異なる工程におけるエツチングの終点を
検知するように使い分けてもよい。例えば、スクライブ
ラインＬｘの酸化膜で第１図（ｂ）の工程にあけるエツ
チングの終点を検出し、Ｙ方向のスクライブラインＬｙ
上の駿化腰で第１図（Ｃ）の工程におけるエツチングの
終点を検出するように使い分けてもよい。
［効果］
本発明によれば、（ｂ）の工程のＡ部分（スクライブラ
イン上の酸化膜）とＢ部分の厚さが等しく、また（ｄ）
の工程のＣ部分くスクライブライン上の酸化膜）とＤ部
分の厚さが等しいため、スクライブライン上の酸化膜を
エツチングの終点モニタに用いることができる。これに
よって、エツチングの終点を容易に検知できろ。
イン上の酸化膜）とＢ部分の厚さが等しく、また（ｄ）
の工程のＣ部分くスクライブライン上の酸化膜）とＤ部
分の厚さが等しいため、スクライブライン上の酸化膜を
エツチングの終点モニタに用いることができる。これに
よって、エツチングの終点を容易に検知できろ。
第１図は本発明にかかるＩＣ部品の製造方法の手順の一
例を示した図、第２図は第１図のラツ造方法の説明用の
フローチャート、第３図はウェハ上に形成されたスクラ
イブラインを示した図、第４図はＩＣ部品の製造方法の
従来例を示した図である。 １・・・基板、２・・・酸化膜、３・・・スクライブラ
イン上の酸化膜。 第１図 第２図
例を示した図、第２図は第１図のラツ造方法の説明用の
フローチャート、第３図はウェハ上に形成されたスクラ
イブラインを示した図、第４図はＩＣ部品の製造方法の
従来例を示した図である。 １・・・基板、２・・・酸化膜、３・・・スクライブラ
イン上の酸化膜。 第１図 第２図
Claims (1)
- 基板上に一定の厚さの酸化膜を形成し、ＩＣ用フォトマ
スクを用いて前記酸化膜上に露光と現像を行い、現像に
応じてエッチングにより酸化膜を部分的に除去し、所望
のＩＣ部品に適合した形状の酸化膜を作り出すＩＣ部品
の製造方法において、前記基板のスクライブライン上の
酸化膜の厚さと酸化膜の所定のエッチング領域の厚さを
等しくし、前記所定のエッチング領域のエッチングとス
クライブライン上の酸化膜のエッチングを同時に行うよ
うにして、スクライブライン上の酸化膜をもとにエッチ
ングの終点を検出することを特徴とするＩＣ部品の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61109932A JPS62265727A (ja) | 1986-05-14 | 1986-05-14 | Ｉｃ部品の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61109932A JPS62265727A (ja) | 1986-05-14 | 1986-05-14 | Ｉｃ部品の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62265727A true JPS62265727A (ja) | 1987-11-18 |
| JPH0439226B2 JPH0439226B2 (ja) | 1992-06-26 |
Family
ID=14522763
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61109932A Granted JPS62265727A (ja) | 1986-05-14 | 1986-05-14 | Ｉｃ部品の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62265727A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5622899A (en) * | 1996-04-22 | 1997-04-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. | Method of fabricating semiconductor chips separated by scribe lines used for endpoint detection |
-
1986
- 1986-05-14 JP JP61109932A patent/JPS62265727A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5622899A (en) * | 1996-04-22 | 1997-04-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. | Method of fabricating semiconductor chips separated by scribe lines used for endpoint detection |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0439226B2 (ja) | 1992-06-26 |
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