JPH0440284Y2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0440284Y2 JPH0440284Y2 JP10456687U JP10456687U JPH0440284Y2 JP H0440284 Y2 JPH0440284 Y2 JP H0440284Y2 JP 10456687 U JP10456687 U JP 10456687U JP 10456687 U JP10456687 U JP 10456687U JP H0440284 Y2 JPH0440284 Y2 JP H0440284Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metallization
- hole
- ceramic
- semiconductor container
- brazing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 claims description 29
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 20
- 238000005219 brazing Methods 0.000 claims description 14
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 7
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 8
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 4
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 2
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この考案は、セラミツクによる半導体容器のピ
ン接合構造の改良に関する。
ン接合構造の改良に関する。
（従来の技術）
従来、第３図に示すように、PGAタイプのセ
ラミツク半導体容器において、引出し端子用ピン
Ａは、内部に配線Ｂを施したセラミツク積層の導
通を計るため、スルーホールＤに充填するスルー
ホールメタライズＥの直下に、ろう付メタライズ
パツトＦを介在させて、ろう材Ｇにより引出し端
子用ピンＡを接合している。ここで、Ｈはオーバ
ーコート用アルミナペーストである。
ラミツク半導体容器において、引出し端子用ピン
Ａは、内部に配線Ｂを施したセラミツク積層の導
通を計るため、スルーホールＤに充填するスルー
ホールメタライズＥの直下に、ろう付メタライズ
パツトＦを介在させて、ろう材Ｇにより引出し端
子用ピンＡを接合している。ここで、Ｈはオーバ
ーコート用アルミナペーストである。
（考案が解決しようとする問題点〕
しかしながら、上記従来のものにおいては、ス
ルーホールメタライズ自身が、セラミツク積層及
び平面メタライズ、ろう付パツト用メタライズの
ように焼結加工を加えることが出来ないため、極
めて弱いものである。従つて、このスルーホール
メタライズの直下に引出し端子用ピンを銀ろう材
等によつて接合させたとき、ピンに対して引張力
が過剰に加わると、セラミツク積層を含めたスル
ーホールメタライズ層が、剥離を生じてしまうも
のである。その対策として、スルーホールメタラ
イズの直下に引出し端子用ピンを接合しないよう
にするものも試みられているが、現在のように多
ピン化が進行していくと、スルーホールメタライ
ズ直下に配置しない訳にはいかなくなるのであ
る。そこで、この考案は、上記従来のもののもつ
欠点を改善するものであり、従来、引張力等の負
荷に対して剥離しやすい引出しピンの接合を強固
なものとし、破壊時の影響を最小限のものとする
ものである。
ルーホールメタライズ自身が、セラミツク積層及
び平面メタライズ、ろう付パツト用メタライズの
ように焼結加工を加えることが出来ないため、極
めて弱いものである。従つて、このスルーホール
メタライズの直下に引出し端子用ピンを銀ろう材
等によつて接合させたとき、ピンに対して引張力
が過剰に加わると、セラミツク積層を含めたスル
ーホールメタライズ層が、剥離を生じてしまうも
のである。その対策として、スルーホールメタラ
イズの直下に引出し端子用ピンを接合しないよう
にするものも試みられているが、現在のように多
ピン化が進行していくと、スルーホールメタライ
ズ直下に配置しない訳にはいかなくなるのであ
る。そこで、この考案は、上記従来のもののもつ
欠点を改善するものであり、従来、引張力等の負
荷に対して剥離しやすい引出しピンの接合を強固
なものとし、破壊時の影響を最小限のものとする
ものである。
（問題点を解決するための手段）
その手段は、スルーホールメタライズと引出し
端子用ピンをろう付パツト用メタライズ層を介し
て電気的に接合させてなるセラミツク半導体容器
において、前記ろう付パツト用メタライズ層の内
部であり、前記スルーホールメタライズ直下にア
ルミナペースト材を有することを特徴とするセラ
ミツク半導体容器を用いることである。
端子用ピンをろう付パツト用メタライズ層を介し
て電気的に接合させてなるセラミツク半導体容器
において、前記ろう付パツト用メタライズ層の内
部であり、前記スルーホールメタライズ直下にア
ルミナペースト材を有することを特徴とするセラ
ミツク半導体容器を用いることである。
（作用）
上記の構成と具えるので、スルーホールメタラ
イズの表面が、母体セラミツクと同質材のアルミ
ナペーストより、その拡散成分であるSiO2，
MgO，CaO等を吸収し、焼結過程でより強固な
焼結体となるので、スルーホールメタライズ直下
に接合された引出し端子用ピンに引張力が加わつ
ても、母体セラミツクを破壊することなく確実に
固定することができる。
イズの表面が、母体セラミツクと同質材のアルミ
ナペーストより、その拡散成分であるSiO2，
MgO，CaO等を吸収し、焼結過程でより強固な
焼結体となるので、スルーホールメタライズ直下
に接合された引出し端子用ピンに引張力が加わつ
ても、母体セラミツクを破壊することなく確実に
固定することができる。
（実施例）
この考案を図に示す実施例により更に説明す
る。１はこの考案の実施例を具えるセラミツク半
導体容器であり、このセラミツク半導体容器１内
に、内部配線用メタライズ１０等を施したセラミ
ツク層４が積層されており、これらセラミツク層
４を貫通する孔部１１に内部の導通を確保するス
ルーホールメタライズ３が充填されている。さら
に、このスルーホールメタライズ３の直下、すな
わち、オーバーコート用のAI2O3コートの施して
いない部分に、ろう付パツト用メタライズ８を配
した上、母体セラミツク４と同質材のAI2O3コー
ト層６を設け、再びろう付パツト用メタライズ９
によつて、上記AI2O3コート層６に積み重ねた
後、銀ろう材７等によつて引出し端子用ピン２を
接合、固定してなるものである。このとき、スル
ーホールメタライズ３は、ろう付パツト用メタラ
イズ８，９の間に挟持されるAI2O3コート６よ
り、焼結時にSiO2，MgO，CaO等の拡散成分を
吸収するため従来のものに比べてより強固なもの
となる。そこで、上述した構造をもつセラミツク
半導体容器１の下部に、直径0.46mmの42アロイ材
による引出し端子用ピン２を銀ろう材７によつて
接合したものに対引張力を加える負荷試験を試み
たところ、従来のものが３〜６Kgでピン２と共に
スルーホールメタライズ３より剥離してしまうの
に対して、この考案の上記実施例は、７〜８Kg
で、ピン２のみが切断するものであり、このこと
からも強度のあることが明らかである。
る。１はこの考案の実施例を具えるセラミツク半
導体容器であり、このセラミツク半導体容器１内
に、内部配線用メタライズ１０等を施したセラミ
ツク層４が積層されており、これらセラミツク層
４を貫通する孔部１１に内部の導通を確保するス
ルーホールメタライズ３が充填されている。さら
に、このスルーホールメタライズ３の直下、すな
わち、オーバーコート用のAI2O3コートの施して
いない部分に、ろう付パツト用メタライズ８を配
した上、母体セラミツク４と同質材のAI2O3コー
ト層６を設け、再びろう付パツト用メタライズ９
によつて、上記AI2O3コート層６に積み重ねた
後、銀ろう材７等によつて引出し端子用ピン２を
接合、固定してなるものである。このとき、スル
ーホールメタライズ３は、ろう付パツト用メタラ
イズ８，９の間に挟持されるAI2O3コート６よ
り、焼結時にSiO2，MgO，CaO等の拡散成分を
吸収するため従来のものに比べてより強固なもの
となる。そこで、上述した構造をもつセラミツク
半導体容器１の下部に、直径0.46mmの42アロイ材
による引出し端子用ピン２を銀ろう材７によつて
接合したものに対引張力を加える負荷試験を試み
たところ、従来のものが３〜６Kgでピン２と共に
スルーホールメタライズ３より剥離してしまうの
に対して、この考案の上記実施例は、７〜８Kg
で、ピン２のみが切断するものであり、このこと
からも強度のあることが明らかである。
（考案の効果）
以上のとおり、スルーホールメタライズと引出
し端子用ピンとの接合強度を高めることで、セラ
ミツク母体に対する破壊時の影響を最小限のもの
とすることができ、製品としての信頼性を十分に
向上させることもできる優れた効果をもつもので
ある。
し端子用ピンとの接合強度を高めることで、セラ
ミツク母体に対する破壊時の影響を最小限のもの
とすることができ、製品としての信頼性を十分に
向上させることもできる優れた効果をもつもので
ある。
第１図はこの考案の実施例であるセラミツク半
導体容器の部分断面斜視図であり、第２図はその
要部拡大断面図、第３図は従来のものの縦断面図
である。 １……セラミツク半導体容器、２……引出し端
子用ピン、３……スルーホールメタライズ、４…
…セラミツク積層、５……オーバーコート用AI2
O3コート、６……AI2O3コート、７……銀ろう
材、８，９……ろう付パツト用メタライズ、１０
……内部配線用メタライズ、１１……孔部。
導体容器の部分断面斜視図であり、第２図はその
要部拡大断面図、第３図は従来のものの縦断面図
である。 １……セラミツク半導体容器、２……引出し端
子用ピン、３……スルーホールメタライズ、４…
…セラミツク積層、５……オーバーコート用AI2
O3コート、６……AI2O3コート、７……銀ろう
材、８，９……ろう付パツト用メタライズ、１０
……内部配線用メタライズ、１１……孔部。
Claims (1)
- スルーホールメタライズと引出し端子用ピンを
ろう付パツト用メタライズ層を介して電気的に接
合させてなるセラミツク半導体容器において、前
記ろう付パツト用メタライズ層の内部であり、前
記スルーホールメタライズ直下にアルミナペース
ト材を有することを特徴とするセラミツク半導体
容器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10456687U JPH0440284Y2 (ja) | 1987-07-09 | 1987-07-09 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10456687U JPH0440284Y2 (ja) | 1987-07-09 | 1987-07-09 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6411553U JPS6411553U (ja) | 1989-01-20 |
| JPH0440284Y2 true JPH0440284Y2 (ja) | 1992-09-21 |
Family
ID=31336399
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10456687U Expired JPH0440284Y2 (ja) | 1987-07-09 | 1987-07-09 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0440284Y2 (ja) |
-
1987
- 1987-07-09 JP JP10456687U patent/JPH0440284Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6411553U (ja) | 1989-01-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3704864B2 (ja) | 半導体素子の実装構造 | |
| JP2001526002A (ja) | 改良はんだボール接合 | |
| US4578304A (en) | Multilayer wiring substrate | |
| US6007669A (en) | Layer to layer interconnect | |
| JPH10242332A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH09298252A (ja) | 半導体パッケージ及びこれを用いた半導体装置 | |
| JP3563637B2 (ja) | 半導体装置とその製造方法 | |
| JP2000022070A (ja) | バンプを有する電子部品及びその製造方法 | |
| JP3362007B2 (ja) | 半導体装置、その製造方法及びテープキャリア | |
| JPH065769A (ja) | 積層構造のフィルム基材およびこれを用いた電子回路素子搭載用リードフレーム | |
| JPH0276289A (ja) | 電子部品のピン構造 | |
| JP2001110981A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPS6038843A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPH02275655A (ja) | 混成集積回路 | |
| JP2572092Y2 (ja) | 半導体素子パッケージ | |
| JP2779843B2 (ja) | 電子部品搭載用基板及び電子部品パッケージ | |
| JPH08264706A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPH07169871A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS6334281Y2 (ja) | ||
| JPH0241863Y2 (ja) | ||
| JP2868779B2 (ja) | Ｔａｂ用テープ | |
| JPH01207938A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2001291800A (ja) | 電子部品用パッケージ | |
| JPH03241843A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0362537A (ja) | 電子部品塔載用基板 |