JPH0442567A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH0442567A JPH0442567A JP2150144A JP15014490A JPH0442567A JP H0442567 A JPH0442567 A JP H0442567A JP 2150144 A JP2150144 A JP 2150144A JP 15014490 A JP15014490 A JP 15014490A JP H0442567 A JPH0442567 A JP H0442567A
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- JP
- Japan
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- gate electrode
- diffusion layer
- semiconductor device
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- Pending
Links
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- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 18
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 5
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- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 4
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- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
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Landscapes
- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は信号入力及び信号出力素子にＭＯＳトランジス
タ構造をもつ半導体装置に関し、ゲート電極の並び方に
関するものである。
タ構造をもつ半導体装置に関し、ゲート電極の並び方に
関するものである。
従来の信号入力及び信号出力素子にＭＯＳトランジスタ
構造をもつ半導体装置においては、第２図（ａ）の半導
体装置の上面部分図に示したように、ゲート電極２０１
．２０２，２０５，２０４が異なる方向に並んでおり、
すべて同一・方向に平行に並んでいるわけではへなかっ
た。
構造をもつ半導体装置においては、第２図（ａ）の半導
体装置の上面部分図に示したように、ゲート電極２０１
．２０２，２０５，２０４が異なる方向に並んでおり、
すべて同一・方向に平行に並んでいるわけではへなかっ
た。
〔発明が解決ν！５とする課題〕
しかし、従来の信号入力及び信号出力素子にＭＯＳトラ
ンジスタ構造をもつ半導体装置においては、その製造過
程の中で行なわれるイオン注入の方向が、半導体基板に
対し垂直でないため、第２図Ｃｈ）に示したように、ゲ
ート電極２０５とドレイン拡散層２０６、ソース拡散層
２０７の重なり部分、即ち第２図（ｂ）の円内２０８，
２０９が異なってしまい、静電気に対して弱い概ＭＯＳ
トランジスタが存在することとなってしまった。
ンジスタ構造をもつ半導体装置においては、その製造過
程の中で行なわれるイオン注入の方向が、半導体基板に
対し垂直でないため、第２図Ｃｈ）に示したように、ゲ
ート電極２０５とドレイン拡散層２０６、ソース拡散層
２０７の重なり部分、即ち第２図（ｂ）の円内２０８，
２０９が異なってしまい、静電気に対して弱い概ＭＯＳ
トランジスタが存在することとなってしまった。
そこで、本発明は以上の如き、静電気に弱い概ＭＯ８ト
ランジスタをなくすため、半導体製造過程における概イ
オン注入方向の半導体基板表面方向の成分と平行な方向
にすべての概信号入力及び信号出力素子として用いられ
るＭＯＳトランジスタのゲート電極の方向をそろえ、平
行に並べ、静電気に弱い概ＭＯ８トランジスタが作られ
ないようにすることを目的とする。
ランジスタをなくすため、半導体製造過程における概イ
オン注入方向の半導体基板表面方向の成分と平行な方向
にすべての概信号入力及び信号出力素子として用いられ
るＭＯＳトランジスタのゲート電極の方向をそろえ、平
行に並べ、静電気に弱い概ＭＯ８トランジスタが作られ
ないようにすることを目的とする。
本発明は、信号入力及び信号出力素子にＭＯＳトランジ
スタ構造をもつ半導体装置において、概信号入力及び信
号出力素子を構成するＭＯＳトランジスタのゲート電極
がすべて同一方向に並んでい一４二と５衿ず欣とプＪ６ 〔実施例〕 本発明の半導体装置は、基本的には第１図（α）の半導
体装置の部分図に示される構造をしている。信号入力及
び信号出力素子を構成するＭＯＳトランジスタのゲート
電極１０１，１０２，１０５．１０４がすべて同一方向
に平行に並んでいるこれらのゲート電極１０１．．１０
２，１０３゜１０４が半導体装置製造過程のイオン注入
の方向の半導体基板方向の成分と平行になることにより
第１図Ｃｂ）に示したように、ゲート電極１０５とドレ
イン拡散層１０６．ソ−ス拡散層１０７の重なり部分、
即ち第１図（ｂ）の円内１０８，１０９、が同じ形状と
なり、概信号入力及び信号出力素子を構成するＭＯＳト
ランジスタの静電気に弱い概ＭＯ８トランジスタがな（
なる。
スタ構造をもつ半導体装置において、概信号入力及び信
号出力素子を構成するＭＯＳトランジスタのゲート電極
がすべて同一方向に並んでい一４二と５衿ず欣とプＪ６ 〔実施例〕 本発明の半導体装置は、基本的には第１図（α）の半導
体装置の部分図に示される構造をしている。信号入力及
び信号出力素子を構成するＭＯＳトランジスタのゲート
電極１０１，１０２，１０５．１０４がすべて同一方向
に平行に並んでいるこれらのゲート電極１０１．．１０
２，１０３゜１０４が半導体装置製造過程のイオン注入
の方向の半導体基板方向の成分と平行になることにより
第１図Ｃｂ）に示したように、ゲート電極１０５とドレ
イン拡散層１０６．ソ−ス拡散層１０７の重なり部分、
即ち第１図（ｂ）の円内１０８，１０９、が同じ形状と
なり、概信号入力及び信号出力素子を構成するＭＯＳト
ランジスタの静電気に弱い概ＭＯ８トランジスタがな（
なる。
他の実施例としては、第３図は、ゲート電極５０１．５
０２．５０’５の形が一様でない場合である。ゲート電
極５０１及び拡散部分３０４が交叉する部分でのゲート
電極６０１の方向と、ゲート電極６０２及び拡散部分６
０５が交叉する部分でのゲート電極３０２と、ゲート電
極６０５及び拡散部分３０６が交叉する部分でのゲート
電極６０５の方向が同一で平行となっている。この実施
例においても、半導体装置製造過程のイオン注入の方向
の半導体基板表面方向の成分と、概ゲート電極及び拡散
部分が交叉する部分でのゲート電極の方向とが平行にな
るようしている。このことにより、第１図Ｃｈ）と同じ
構造を得ることができ谷〔発明の効果〕 以上説明した本発明の半導体装置によれば、信号入力及
び信号出力素子を構成するＭＯＳトランジスタのゲート
電極をすべて同一方向で平行にすることにより、静電気
に対する耐量を安定化させる効果がある。
０２．５０’５の形が一様でない場合である。ゲート電
極５０１及び拡散部分３０４が交叉する部分でのゲート
電極６０１の方向と、ゲート電極６０２及び拡散部分６
０５が交叉する部分でのゲート電極３０２と、ゲート電
極６０５及び拡散部分３０６が交叉する部分でのゲート
電極６０５の方向が同一で平行となっている。この実施
例においても、半導体装置製造過程のイオン注入の方向
の半導体基板表面方向の成分と、概ゲート電極及び拡散
部分が交叉する部分でのゲート電極の方向とが平行にな
るようしている。このことにより、第１図Ｃｈ）と同じ
構造を得ることができ谷〔発明の効果〕 以上説明した本発明の半導体装置によれば、信号入力及
び信号出力素子を構成するＭＯＳトランジスタのゲート
電極をすべて同一方向で平行にすることにより、静電気
に対する耐量を安定化させる効果がある。
第１図（α）（ｂ）は本発明の半導体装置の上面部分図
及び信号入力及び信号出力素子を構成するＭＯＳトラン
ジスタの断面図。 第２図（α）（ｂ）は従来の半導体装置の上面部分図及
び信号入力及び信号出力素子を構成するＭＯＳトランジ
スタの断面図。 第３図は本発明の他の実施例としての半導体装置の上面
部分図。 １０１−・・−・−ゲート電極 １０２ ・・・・・・・−ゲート電極 １０３−・・−・−ゲート電極 １０４−・・・・・・・ゲート電極 １ ｏ ｓ −−−−−−ゲート電極 １０６ ・−−−−−・−・ドレイン拡散層１０７ ・
・・・−・・・・ソース拡散層ｉ ｏ ｓ−・・・・・
−・ゲート電極及びドレイン拡散層の境界を示す円 １０９・−・・・・・・・ゲート電極及びソース拡散層
の境界を示す円 ２０１・・・・・・・・・ゲート電極 ２０２−−−−−・−・−ゲート電極 ２０６・・・・・・・・・ゲート電極 ２０４−−−−−ゲート電極 ２０６−・−−−ドレイン拡散層 ２０７−・−−−・・ソース拡散層 ２０８ ・・・・・・・・・ゲート電極及びドレイン拡
散層の境界を示す円 ２０９−−−−−−ゲート電極及びソース拡散層の境界
を示す円 ３０１−・−−−−ゲート電極 ５０２−−−−−・ゲート電極 ５０５−・・・・−・ゲート電極 ４−−−・・拡散層 ５−・−・−・拡散層 ・−・・・・・・・拡散層 −・−・・・・拡散層 第１１／’ｌ銀） １１■（シ） 以 上
及び信号入力及び信号出力素子を構成するＭＯＳトラン
ジスタの断面図。 第２図（α）（ｂ）は従来の半導体装置の上面部分図及
び信号入力及び信号出力素子を構成するＭＯＳトランジ
スタの断面図。 第３図は本発明の他の実施例としての半導体装置の上面
部分図。 １０１−・・−・−ゲート電極 １０２ ・・・・・・・−ゲート電極 １０３−・・−・−ゲート電極 １０４−・・・・・・・ゲート電極 １ ｏ ｓ −−−−−−ゲート電極 １０６ ・−−−−−・−・ドレイン拡散層１０７ ・
・・・−・・・・ソース拡散層ｉ ｏ ｓ−・・・・・
−・ゲート電極及びドレイン拡散層の境界を示す円 １０９・−・・・・・・・ゲート電極及びソース拡散層
の境界を示す円 ２０１・・・・・・・・・ゲート電極 ２０２−−−−−・−・−ゲート電極 ２０６・・・・・・・・・ゲート電極 ２０４−−−−−ゲート電極 ２０６−・−−−ドレイン拡散層 ２０７−・−−−・・ソース拡散層 ２０８ ・・・・・・・・・ゲート電極及びドレイン拡
散層の境界を示す円 ２０９−−−−−−ゲート電極及びソース拡散層の境界
を示す円 ３０１−・−−−−ゲート電極 ５０２−−−−−・ゲート電極 ５０５−・・・・−・ゲート電極 ４−−−・・拡散層 ５−・−・−・拡散層 ・−・・・・・・・拡散層 −・−・・・・拡散層 第１１／’ｌ銀） １１■（シ） 以 上
Claims (1)
- 信号入力及び信号出力素子にＭＯＳトランジスタ構造
をもつ半導体装置において、概信号入力及び信号出力素
子を構成するＭＯＳトランジスタのゲート電極が全て同
一方向に平行に並んでいることを特徴とする半導体装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2150144A JPH0442567A (ja) | 1990-06-08 | 1990-06-08 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2150144A JPH0442567A (ja) | 1990-06-08 | 1990-06-08 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0442567A true JPH0442567A (ja) | 1992-02-13 |
Family
ID=15490459
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2150144A Pending JPH0442567A (ja) | 1990-06-08 | 1990-06-08 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0442567A (ja) |
-
1990
- 1990-06-08 JP JP2150144A patent/JPH0442567A/ja active Pending
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