JPH0443947B2 - - Google Patents

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JPH0443947B2
JPH0443947B2 JP59147393A JP14739384A JPH0443947B2 JP H0443947 B2 JPH0443947 B2 JP H0443947B2 JP 59147393 A JP59147393 A JP 59147393A JP 14739384 A JP14739384 A JP 14739384A JP H0443947 B2 JPH0443947 B2 JP H0443947B2
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JP
Japan
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group
infrared
light
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filter
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JP59147393A
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Yoshiaki Suzuki
Koichi Hayashi
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Fuji Photo Film Co Ltd
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Priority to US06/754,759 priority patent/US4763966A/en
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Priority to US07/198,463 priority patent/US4921317A/en
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  • Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野) 本発明は、赤外線吸収性組成物に関する。さら
に詳しくは、可視光の透過をほとんど損うことな
く波長900nm以上の遠赤色光ないし近赤外光を吸
収する光学フイルター用として有用な赤外線吸収
性組成物に関する。 (従来の技術) 900nmの波長の遠赤色光ないし近赤外光を選択
的に吸収する組成物には各種の用途が考えられ、
従前より強く要望されていたが、今まで適当なも
のが得られなかつた。従来の赤外線吸収性組成物
の主要な用途を、次に5例挙げて説明する。 赤外感光性の感光材料用セーフライトフイル
ター 近年ハロゲン化銀感光材料(以下「感材」とい
う)として、波長700nm以上の遠赤色光ないし近
赤外光に感光性を有するものが多数開発されて来
ている。これには白黒あるいはカラーを問わず、
また通常型はもちろんインスタント型あるいは熱
現像型のものも含めハロゲン化銀感材に赤外感光
性を具備せしめ、資源調査などに供する疑似カラ
ー写真としたり、あるいはまた、赤外域に発行す
るダイオードを使つて露光しうるようにしたもの
がある。 このような赤外感光性の感材に対しては従来パ
ンクロ用のセーフライトフイルターが用いられて
いる。 植物の生育の制御 種子の発芽、茎の伸長、葉の展開、花芽や塊茎
の形成など、植物体の生長と分化に関するいわゆ
る形態形成が光によつて影響されることは古くか
ら知られており、光形態形成作用として研究され
ている。 700nm以上の波長の光を選択的に吸収するプラ
スチツクフイルムが得られれば、例えば、特定の
時期に作物を近赤外線吸収フイルムで被覆し、波
長700nm以上の光を遮断することによつて出穂時
期を遅らせたり、成長を制御する効果が期待され
る(稲田勝美「植物の化学調節」第6巻、第1号
(1971年)参照)。 熱線の遮断 太陽の輻射エネルギーのうち波長800nm以上の
近赤外および赤外領域の光は物体に吸収されて熱
エネルギーに転化する。しかも、そのエネルギー
分布の大部分は波長800〜2000nmの近赤外部に集
中している。従つて、近赤外線を選択的に吸収す
るフイルムは太陽熱の遮断に極めて有効であり、
可視光を十分にとり入れながら、室内の温度の上
昇を抑制することができる。これは、園芸用温室
の他、住宅、事務所、店舗、自動車あるいは航空
機等の窓にも応用できる。 従来、熱線の遮断用としてはプラスチツクフイ
ルムの表面にごく薄い金属層を蒸着したものある
いは、ガラス中に無機化合物、たとえばFeOを分
散させたものが使用されている。 人間の目の組織に有害な赤外線カツトフイル
ター 太陽光中に含まれる赤外線または溶接の際に放
射される光線中などに含まれる赤外線は、人間の
目の組織に対して、有害な効果を有する。赤外線
カツトフイルターの主要な用途の一つは、このよ
うな有害な赤外線を含む光線から人間の目を保護
する眼鏡として用いることである。たとえば、サ
ングラス、溶接者用保護眼鏡などである。 半導体受光素子の赤外線カツトフイルター カメラなどの自動露出計に用いられている光検
出装置の受光素子としては、現在、主にシリコン
フオトダイオード(以下、SPDという)が使用
されている。第2図に比視感度曲線と、SPDの
各波長に対する出力の相対値(分光感度)のグラ
フを示す。 露出計用としてSPDを使用するためには人間
の目には感じない赤外領域の光をカツトし、第2
図に示したSPDの分光感度曲線を比視感度曲線
に相似させるようにする必要がある。特に波長
700〜1100nmの光に対しては、SPDの出力が大き
く、かつこの領域の光は目に感じないので露出計
の誤動作の一因となる。そのために可視部では吸
収が少なく、700〜1100nmの赤外部を全域にわた
つて吸収する赤外線吸収プラスチツクフイルムを
用いることができれば、可視領域の光透過率が大
きく、SPDの出力が大きくなり、従つて露出計
の性能を著しく向上し得ることが明らかである。 従来、この種の光検出装置としては、無機の赤
外線吸収剤を用いたガラスの赤外線カツトフイル
ターがSPDの前面にとり付けられ、実用に供さ
れていた。 (発明が解決しようとする問題点) しかし従来の一般的な有機染料系の赤外線吸収
剤は耐光性、耐熱性が小さく実用上満足すべきも
のはほとんどなかつた。 また上記の各用途に関し使用されるフイルター
材も以下のような欠点を有していた。 まず、前記の用途の従来のパンクロ用のセー
フライトフイルターは視感度の高い緑色光を部分
的に透過させるのみならず、赤外光を多量に透過
させるための光カブリを生じさせ、赤外感光性の
感材に対するセーフライトとしての目的を十分に
達成することができなかつた。 また前記用途に用いられた金属層を蒸着した
プラスチツクフイルムまたはFeOを分散させたガ
ラスは赤外部だけでなく、可視部の光も強く吸収
するため、内部の照度が低下し、特に農業用とし
ては日照量の絶対的不足を招くため不適当であつ
た。 さらに前記用途に用いられた無機物質の赤外
線吸収剤を用いたガラスの赤外線カツトフイルタ
ーは、熱と光に対しては比較的堅牢であるが、可
視領域の光透過率が低く、そのためにSPDの感
度を上げることによつて対処されていた。SPD
の感度を上げることはリーク電流の増大につなが
り、光検出装置としての誤動作の原因となり、信
頼性の点から大きな問題となる。また赤外線カツ
トフイルターが無機物であるということは、光検
出装置の製造面からみて柔軟性に欠け、製造工程
の改善もむつかしいのが実状である。さらに、無
機物の赤外線カツトフイルターは製造コストが高
く、光検出装置としてのコストを大幅にあげてし
まうという欠点がある。 このように、従来の無機物のカツトフイルター
を用いた光検出装置では、その分光感度は比視感
度曲線に近いものの光検出装置としての動作性能
の低下、製造コストの上昇製造工程の改善という
観点から著しい欠点を有していた。 また錯体を赤外線吸収剤とする近赤外線吸収プ
ラスチツクフイルムは、赤外線吸収剤の有機溶媒
への溶解度が不足し、これが薄層のプラスチツク
フイルムを作成する際に大きな欠点となつてい
た。 すなわち、先に述べた如き用途は例えばSPD
用フイルターとしては、極めて薄いフイルムで赤
外線の吸収効率の良いフイルムが望まれるが、そ
のためには、樹脂中に多量の赤外線吸収剤が分散
されねばならず、有機溶媒に対する溶解度の小さ
い赤外線吸収剤はその目的を満足させることがで
きなかつた。 さらにまた、従来の金属錯体を赤外線吸収剤と
する近赤外線吸収プラスチツクフイルムは、極大
吸収波長が短く、特に近年用途が拡大しつつある
半導体レーザーの受光素子への用途などには不適
当であつた。 したがつて本発明の目的は第一に、長波長側
に、特に波長900nm以上に吸収極大をもつ赤外線
吸収剤を提供することである。第二に、有機溶媒
への溶解度が高くかつフイルム形成性バインダー
との相溶性のよい近赤外線吸収剤を提供すること
である。 本発明者らは、上記の目的を達成するため種々
研究を重ねた結果、本発明を完成するに至つた。 (問題点を解決するための手段) 前記諸目的は、下記一般式[]または[]
で表わされる錯体から選ばれた少なくとも1種を
含有することを特徴とする赤外線吸収性組成物に
よつて解決された。 (式中、[Cat1]および[Cat2]は錯体を中性
ならしめるために必要な陽イオンを示し、M1
よびM2はニツケル、銅、コバルト、パラジウム
または白金を示す。) 本発明をさらに詳細に説明する。 前記一般式[]および[]で表わされる化
合物において、[Cat1]または[Cat2]で表わさ
れる陽イオンのうち無機陽イオンとしては、アル
カリ金属(たとえば、Li、Na、Kなど)、アルカ
リ土類金属(Mg、Ca、Baなど)もしくはNH4 +
をあげることができる。 また有機陽イオンとしては、第四級アンモニウ
ムイオンまたは第四級ホスホニウムイオンをあげ
ることができる。 上記の陽イオン[Cat1]および[Cat2]の中で
好ましいのは下記の一般式(−a)、(−b)、
(−c)もしくは(−d)で表わされるもの
である。 (式中、R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8
R9、R10およびR11はそれぞれ炭素数1ないし20
の置換もしくは無置換のアルキル基、または炭素
数6ないし14の置換もしくは無置換のアリール基
を表わし、Z1およびZ2は各式中の窒素またはリン
原子と結合して5員または6員環を形成する非金
属原子群を表わす。 この炭素数1ないし20の置換もしくは無置換の
アルキル基として、たとえばメチル基、エチル
基、n−ブチル基、iso−アミル基、n−ドデシ
ル基、n−オクタデシル基などをあげることがで
きる。炭素数6ないし14のアリール基としては、
たとえばフエニル基、トリル基、α−ナフチル基
などをあげることができる。 これらのアルキル基またはアリール基はシアノ
基、水酸基、炭素数1ないし20のアルキル基(た
とえばメチル基、エチル基、n−ブチル基、n−
オクチル基など)、炭素数6ないし14のアリール
基(たとえば、フエニル基、トリル基、α−ナフ
チル基など)、炭素数2ないし20のアシルオキシ
基(たとえばアセトキシ基、ベンゾイルオキシ基
またはp−メトキシベンゾイルオキシ基など)炭
素数1ないし6のアルコキシ基(たとえばメトキ
シ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基な
ど)、アリーロキシ基(たとえば、フエノキシ基、
トリロキシ基など)アラルキル基(たとえば、ベ
ンジル基、フエネチル基またはアニシル基など)、
アルコキシカルボニル基(たとえば、メトキシカ
ルボニル基、エトキシカルボニル基、n−ブトキ
シカルボニル基など)、アリーロキシカルボニル
基(たとえば、フエノキシカルボニル基、トリロ
キシカルボニル基など)、アシル基、(たとえば、
アセチル基、ベンゾイル基など)、アシルアミノ
基(たとえば、アセチルアミノ基、ベンゾイルア
ミノ基など)、カルバモイル基(たとえば、N−
エチルカルバモイル基、N−フエニルカルバモイ
ル基など)、アルキルスルホニルアミノ基(たと
えば、メチルスルホニルアミノ基、フエニルスル
ホニルアミノ基など)スルフアモイル基(たとえ
ば、N−エチルスルフアモイル基、N−フエニル
スルフアモイル基など)、スルホニル基(たとえ
ば、メシル基、トシル基など)などで置換されて
いてもよい。 またZ1およびZ2は前記のように5員環または6
員環を形成するのに必要な非金属原子群を表わ
す。これらの5員環もしくは6員環としては、ピ
リジン環、イミダゾール環、ピロール環、2−ピ
ロリン環、ピロリジン環、ピペリジン環、ピラゾ
ール環、ピラゾリン環、イミダゾリン環などをあ
げることができる。一般式(−b)で表わされ
るカチオンとしては、たとえばドデシルピリジニ
ウム基、ヘキサデシルピリジニウム基、ドデシル
イミダゾリウム基などをあげることができる。一
般式(−c)で表わされるカチオンとしては、
たとえば、N−エチル−N−ヘキサデシルピペリ
ジニウム基、N−エチル−N−ドデシルピラゾリ
ジニウム基などをあげることができる。 上記の一般式(−a)、(−b)、(−c)
および(−d)で表わされる陽イオンの中で、
本願発明に特に好ましく用いられるものは、製造
原料の入手し易さ、製造コストの点で、(−
a)、(−b)および(−d)である。 この陽イオン[Cat1]および[Cat2]の種類
は、前記一般式[]および[]で表わされる
化合物の有機溶媒に対する溶解性に影響を及ぼ
す。 一般に、第四級ヘテロ原子に結合する置換基が
アルキル基のとき、その鎖長が長くなるほど溶解
度が高くなり、特にテトラアルキル置換アンモニ
ウムもしくはホスホニウムの場合この傾向が著し
く、アンモニウムカチオンの場合は炭素数の合計
が17以上のカチオンが、またホスホニウムカチオ
ンの場合は炭素数合計が4以上のカチオンが高い
溶解性を与える。置換アルキル基やアラルキル基
も高い溶解性を与える。本発明に係る前記一般式
[]および[]で表わされる化合物は組成物
として結合剤中に分散状態で含有されることが好
ましく、塗設組成物または結合剤と相溶性の高い
ことが好ましい。 前記一般式[]および[]で表わされる化
合物においてM1またはM2を好ましい順に挙げる
とニツケル、コバルト、銅、パラジウム、白金の
順である。ニツケルの場合酸化状態は好ましくは
2価より3価であり、中心金属が2価のニツケル
錯体では強い赤外線吸収性を示さない。 一般式[]または[]の金属錯体は平面四
配位の立体構造を有する。なお一般式[]の化
合物ではチオケトン基が中心金属に関して対称又
は非対称にあるかは一義的に決らないが、本発明
では便宜的に一般式[]のように表わす。 前記一般式[]および[]で表わされる化
合物は次のようにして合成することができる。 一般式[]の化合物は二硫化炭素とナトリウ
ムを反応させて得られるジソデイウム−1,3−
ジチオール−2−チオン−4,5−ジチオレート
を先ず、亜鉛錯体とし、これに塩化ベンゾイルを
反応させ、ビスベンゾイルチオ体とする。これを
アルカリで分解した後、金属塩を反応させて析出
した錯体を、酸化して得られる。 また一般式[]の化合物は、まず、二硫化炭
素とナトリウムを反応させて得られるジソデイウ
ム−1,3−ジチオール−2−チオン−4,5−
ジチオレートを、約130℃に加熱してジソデイウ
ム−1,2−ジチオール−3−チオン−4,5−
ジチオレートに異性化させる。これを亜鉛錯体と
し、これに塩化ベンゾイルを反応させ、ビスベン
ゾイルチオ体とする。これをアルカリで分解した
後、金属塩を反応させて析出した錯体を酸化して
得られる。 一般式[]または[]の化合物を得るため
の中間体である1,3−ジチオール−2−チオン
−4,5−ジチオレートアニオンは、上記の如く
Naによる還元法の他に電気化学的な還元によつ
ても得られる。 前記一般式[]および[]で表わされる化
合物のうち好ましいものを例示すれば次の通りで
あるが、本発明はこれらの例示化合物に限定され
るものではないことはもちろんである。 本発明の赤外線吸収性組成物は前記一般式
[]または[]で表わされる化合物を、適宜
に結合剤中に含有させてなる組成物である。結合
剤としては、特に制限はなく、赤外線吸収性を発
揮させるものであれば有機、無機の区別なく用い
ることができる。そのような結合剤としては、プ
ラスチツクスのような高分子材料、ガラスのよう
な無機材料などが挙げられる。 好ましくは、結合剤としては、透明性および機
械的性質の優れたフイルムを形成する結合剤が用
いられる。このようなフイルム形成性結合剤の例
としては、例えばポリエチレンテレフタレートで
代表されるポリエステル類、セルロースジアセテ
ート、セルローストリアセテート、セルロースア
セテートブチレートなどのセルロースエステル
類、ポリエチレン、ポリプロピレンなどのポリオ
レフイン類、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデ
ン、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポリスチ
レンなどのポリビニル化合物、ポリメチルメタク
リレートなどのアクリル系付加重合体、ポリ炭酸
エステルから成るポリカーボネート、フエノール
樹脂、ウレタン系樹脂またはゼラチンなど親水性
バインダーなど公知のフイルム形成性結合剤を挙
げることができる。 上述のプラスチツク材料に前記一般式[]ま
たは[]の化合物を添加、保持させてフイルム
を形成する方法としては第一にフイルム作成時に
プラスチツクス中に配合する方法がある。すなわ
ち、式[]または[]の化合物を各種の添加
剤と共にポリマー粉末もしくはペレツトに混合
し、溶融してTダイ法またはインフレーシヨン法
で押出すか、あるいはカレンダー法でフイルム化
すれば前記化合物が均一に分散したフイルムが得
られる。また流延法でポリマー溶液からフイルム
を製造する場合は該溶液中に前記一般式[]ま
たは[]の化合物を含有させればよい。 第二には適当な方法で製造された各種のプラス
チツクフイルムまたはガラス板上の表面に前記一
般式[]または[]の化合物を含むポリマー
溶液または分散液を塗布することによつて赤外線
吸収層を形成する方法がある。塗布液に用いるバ
インダーポリマーとしては、一般式[]または
[]の化合物をできるだけよく溶解し、しかも
支持体となるプラスチツクフイルムまたはガラス
板との接着性のすぐれたものが選ばれる。ポリメ
チルメタクリレート、セルロースアセテートブチ
レート、ポリカーボネートなどがこの目的に適し
ている。接着性を向上されるために支持体フイル
ムに適当な下塗りをあらかじめ施してもよい。 第三の方法としては、赤外線をカツトされるべ
き素子の光入射窓枠中に一般式[]または
[]の化合物と重合性モノマーを混合し、適当
な重合開始剤を加え、熱また光を加えて重合さ
せ、生成したポリマーで窓枠にフイルターを形成
せしめる方法がある。この方法では、素子全体を
エチレン性不飽和型重合性モノマーまたはエポキ
シ樹脂などの重付加性組成物から生成するプラス
チツクスで包埋することもできる。 第四の方法は、本発明に係る化合物[]また
は[]を適当な支持体上に蒸着する方法であ
る。この方法ではさらに保護層として適当なフイ
ルム形成性結合剤層を支持体より遠い位置に設け
てもよい。 本発明に係る近赤外線吸収剤をカラー固体撮像
素子に利用する方法を述べれば複数の所定分光
特性を有するストライプ状あるいはモザイク状の
色分離フイルター層を形成後、該フイルター層上
に設ける表面保護層に近赤外線吸収剤を含有せし
めたり、この吸収剤を蒸着したり、色分離フイ
ルター層内に可視光吸収性の染料などと本発明の
近赤外線吸収剤を併用してもよく、あるいはまた
多層構成の色分離フイルター内に設けられた透
明な中間層あるいは表面平滑層内にこの近赤外吸
収剤を含有せしめる態様もまた可能である。本発
明の赤外線吸収性組成物より得られた光学フイル
ターは、特開昭57−58107号、同59−9317号およ
び同59−30509号に記載された如き色分離フイル
ターに組合せて使用すると特に有効である。 本発明の赤外線吸収性組成物中には前記一般式
[]または[]で表わされる化合物を2種以
上併用してもよい。また有機もしくは金属錯体系
の公知の近赤外線吸収剤と併用することもでき
る。特に吸収極大の異なつた吸収剤と併用する
と、吸収波長域を広げることができる。 本発明の赤外線吸収性組成物においては、耐光
性をさらに改良するため、紫外線吸収剤の添加が
有効で、レゾルシンモノベンゾエート、サリチル
酸メチルなどの置換または無置換安息香酸エステ
ル類、2−オキシ−3−メトキシケイ皮酸ブチル
などのケイ皮酸エステル類、2,4−ジオキシベ
ンゾフエノンなどのベンゾフエノン類、ジベンザ
ルアセトンなどのα,β−不飽和ケトン、5,7
−ジオキシクマリンなどのクマリン類、1,4−
ジメチル−7−オキシカルボスチリルなどのカル
ボスチリル類、2−フエニルベンゾイミダゾー
ル、2−(2−ヒドロキシフエニル)ベンゾトリ
アゾールなどのアゾール類などが使用される。 また本発明の赤外線吸収性組成物を用いてコー
テイング法で作成したフイルムの場合は、コーテ
イング層の保護、流滴性の付与などの目的でコー
テイング層の表面に薄いプラスチツクフイルムを
貼り合せたり、塗設したりすることができる。例
えば0.05mm厚のポリ塩化ビニルフイルムを重ねて
120〜140℃に加熱圧着すると積層状のフイルムが
得られる。 本発明の赤外線吸収性組成物において、前記一
般式[]または[]で表わされる化合物を結
合剤100部当り重量で0.1〜50部、好ましくは0.5
〜10部含有させる。本発明の赤外線吸収性組成物
より得られる光学フイルターはその機能上遮断す
べき波長域の透過率が所期の目的を達成しうる程
度に低ければよく、本発明の組成物を用いるに
は、透過率の谷の波長900nm以上において、10%
以下好ましくは2.0%以下、特に好ましくは0.1%
以下の透過率となるように、結合剤当りの添加量
およびフイルターの厚みを調節することが肝要で
ある。実用的な厚さは0.002mmないし0.5mmである
が、用途に応じこの範囲外の厚さのフイルターに
も設計可能である。 (発明の効果) 本発明によれば、吸収極大波長が約900nm以上
である近赤外線吸収性組成物を得ることができ
る。 また、熱および光に対する堅牢性の優れる光学
フイルターを得ることができ、低コストの光学フ
イルターとすることができる。 さらに本発明の赤外線吸収性組成物において
は、金属錯体からなる赤外線吸収剤の錯イオンに
対するカチオン種を適宜選択し、組合わせること
により溶剤に対する溶解性を調節できるので各種
の結合剤を幅広く採用できるという利点を有す
る。 本発明の赤外線吸収性組成物より得られる光学
フイルターは赤外線吸収材料として、前記の、赤
外感光性の感材用セーフライトフイルター、植物
の生育の制御、熱線の遮断、人間の目の組織に有
害な赤外線カツトフイルター、半導体受光素子カ
ラー固体撮像素子の赤外線カツトフイルター用、
電気と同時に光学的機能をもつた素子を一緒に同
一基板上に組込んだオプトエレクトロニツク集積
回路での赤外光カツトフイルター用の外、各種の
用途に用いることができる。 さらにまた、本発明に係る組成物は、光学フイ
ルター以外にもその赤外線吸収特性に基づいた応
用が可能である。例えば特開昭56−135568号に記
載のインクジエツトプリンター用インクに添加す
ると、近赤外光による読取効率を向上することが
でき、特開昭57−11090号に記載されたレーザー
光記録/読取媒体にも応用できる。また本発明の
組成物は吸収した近赤外光を熱に変換する性質を
有し、赤外線/熱交換剤としても利用できる。典
型例を挙げると、1)特開昭57−14095号または
同57−14096号に記載されたようなレーザー感熱
記録体に添加して、赤外域レーザーを照射し発生
する熱でひき起こされる混合発色反応を高めるこ
とができる 2)レーザー光に基づく熱の作用に
より溶解性が変化するような、例えば特開昭57−
40256号に記載したレジスト材料に含有させるこ
とができる 3)特開昭56−143242号に記載され
たような、熱乾燥性または熱硬化性の組成物に本
発明の化合物を含有せしめると反応を促進させる
ことができる。 本発明に係る化合物はさらにまた特開昭58−
214162号に記載されたように、半導体レーザーを
光源とした電子写真方式プリンターの電子写真用
感光皮膜にも利用できる。また半導体レーザーに
よる書き込みと再生が可能な光デイスク用皮膜に
も適用できる。 上記の記載は本発明に係る化合物の使用用途を
制限するものではないのはもちろんである。 (実施例) 次に本発明を実施例に基づきさらに詳細に説明
する。 参考例1 〈例示化合物(2)の合成〉 (1−1)ビス(テトラエチルアンモニウム)
−ビス(1,3−ジチオール−2−チオン−4,
5−ジチオラト)亜鉛錯体の合成。 反応操作はすべてアルゴン雰囲気下で行つた。
ナトリウム23gを小片に切り、二硫化炭素180ml
中に分散した後、これに撹拌しつつジメチルホル
ムアミド200mlをゆつくり滴下した。この時激し
く発熱しないように注意する。ジメチルホルムア
ミドを滴下終了後、注意しながら、おだやかに加
熱して24時間還流した。反応終了後未反応のナト
リウムをろ別した。次いでろ液にエタノール50ml
を加え、室温で2時間撹拌した。この溶液から二
硫化炭素を室温で減圧留去する。次いで水300ml
をゆつくり滴下して加えた後得られた溶液をろ過
した。 次いで、あらかじめ塩化亜鉛20gをメタノール
500mlに溶かし、これに濃アンモニア水500mlを加
えた溶液を調製しておき、これを上記の反応溶液
に加え(室温)5分間撹拌した後、テトラエチル
アンモニウムブロミド53gを水250mlに溶かした
水溶液を加えると、直ちに赤色の沈殿が析出して
くる。これをろ過して風乾して亜鉛錯体を得た。 (1−2)4,5−ビス(ベンゾイルチオ)−
1,3−ジチオール−2−チオンの合成。 (1−1)で得た亜鉛錯体22gをアセトン500
mlに溶かしろ過する。ろ液を撹拌しつつ、これに
塩化ンゾイル150mlを加える。直ちに黄色の沈殿
が析出する。ろ過、水洗後風乾して標記化合物16
gを得た。 (1−3)ビス(テトラブチルホスホニウム)
−ビス(1,3−ジチオール−2−チオン−4,
5−ジチオラト)ニツケル()錯体の合成 (1−2)で得たビス(ベンゾイルチオ)体
9.2gをメタノール50mlに溶かす。これにナトリ
ウムメトキサイドの28%メタノール溶液6.3gを
加えて、10分間撹拌する。この溶液に塩化ニツケ
ル(六水和物)2.4gをメタノール50mlに溶かし
た溶液を加え、室温で30分間撹拌する。この溶液
にテトラブチルホスホニウムブロミド8.5gをメ
タノール100mlに溶かした溶液を加えると、直ち
に黒色の沈殿が析出する。さらに20分間撹拌して
ろ過。アセトンで洗つて風乾し、アセトン−イソ
プロピルアルコールから再結晶させて標記化合物
を得た。収量3.8g (1−4)テトラブチルホスホニウム−ビス
(1,3−ジチオール−2−チオン−4,5−ジ
チオラト)ニツケル()錯体(例示化合物(2))
の合成。 (1−3)で得られたニツケル錯体1gをアセ
トン60mlに溶かし、これに酢酸30mlを加え、3時
間撹拌し溶媒を留去したところ黒色の結晶が析出
した、これをアセトン−メタノールから再結晶さ
せて、目的の例示化合物(2)を得た。収量0.4g
m.p.185℃ λmax:1125nm、εmax:2.51×104
(CH2Cl2中) 参考例2 〈例示化合物(10)の合成〉 (1−1)ビス(テトラエチルアンモニウム)
−ビス(1,2−ジチオール−3−チオン−4,
5−ジチオラト)亜鉛錯体の合成。 反応操作はすべてアルゴン雰囲気下で行つた。
ナトリウム23gを小片に切り、二硫化炭素180ml
中に分散した後、これに撹拌しつつジメチルホル
ムアミド200mlをゆつくり滴下した。この時激し
く発熱しないように注意する。ジメチルホルムア
ミドを滴下終了後、注意しながら、おだやかに加
熱して24時間還流した。反応終了後未反応のナト
リウムをろ別し、ろ液から二硫化炭素を室温で減
圧留去した。抗して得られた溶液を、油浴中で
140℃で2時間撹拌後、室温に放冷し、これにエ
タノール50mlを加え、室温で2時間撹拌し、さら
に、水300mlをゆつくり加えて、得られた溶液を
ろ過した。 次いで、あらかじめ調製しておいた塩化亜鉛20
gをメタノール500mlに溶かし、これに濃アンモ
ニア水500mlを加えた溶液を、上記の反応溶液に
加え(室温)5分間撹拌した後、テトラエチルア
ンモニウムブロミド53gを水250mlに溶かした水
溶液を加えたところ、直ちに赤色の沈殿が析出し
てくる。これをろ過して風乾して標記の亜鉛錯体
を得た。 (1−2)4,5−ビス(ベンゾイルチオ)−
1,2−ジチオール−3−チオンの合成。 (1−1)で得た亜鉛錯体18gをアセトン500
mlに溶かしろ過する。ろ液を撹拌しつつ、これに
塩化ンゾイル150mlを加える。直ちに黄色の沈殿
が析出する。ろ過、水洗後風乾して標記の化合物
12gを得た。 (1−3)ビス(テトラブチルアンモニウム)
−ビス(1,2−ジチオール−3−チオン−4,
5−ジチオラト)ニツケル()錯体の合成 (1−2)で得たビス(ベンゾイルチオ)体
9.2gをメタノール50mlに溶かす。これにナトリ
ウムメトキサイドの28%メタノール溶液6.3gを
加えて、10分間撹拌した。次いでこの溶液に塩化
ニツケル(六水和物)2.4gをメタノール50mlに
溶かした溶液を加え、室温で30分間撹拌後この溶
液にテトラブチルアンモニウムブロミド7.5gを
メタノール100mlに溶かした溶液を加えたところ、
直ちに黒色の沈殿が析出した。さらに20分間撹拌
してろ過後アセトンで洗つて風乾した。アセトン
−イソプロピルアルコールから再結晶させて標記
の化合物を得た。収量2.8g (1−4)テトラブチルアンモニウム−ビス
(1,2−ジチオール−3−チオン−4,5−ジ
チオラト)ニツケル()錯体(例示化合物(10))
の合成。 (1−3)で得られたニツケル錯体1gをアセ
トン60mlに溶かし、これに酢酸30mlを加え、3時
間撹拌し溶媒を留去したところ黒色の結晶が析出
してきた。これをアセトン−メタノールから再結
晶させたところ、標記の例示化合物(10)を得た。収
量0.3g m.p.207℃ λmax:1138nm、εmax:
2.50×104(CH2Cl2中) 実施例 1 参考例1で合成した例示化合物(2)を用い赤外線
吸収性組成物を調製し光学フイルターを作成し
た。すなわち、下に重量部で示した組成で各成分
を混合しよく撹拌してから、ろ過後、金属の支持
体上に流延法により塗布して製膜後剥離し、目的
とする光学フイルターを得た。乾燥膜厚を0.02な
いし0.3mmの間で変化させた数種の光学フイルタ
ーを得た。このようにして得られた光学フイルタ
ー(厚さ25ミクロン)の光学濃度を第1図に示し
た。 組成例 TAC(三酢酸セルロース) 170部 TPP(トリフエニルホスフエイト) 10部 メチレンクロリド 800部 メタノール 160部 例示化合物(2) 2部 実施例 2 実施例1と同様にして、紫外線吸収剤を含有す
る厚さ0.19mmの光学フイルターを作成した。流延
組成物の組成は下記に示した。 TAC(三酢酸セルロース) 170部 TPP(トリフエニルホスフイエト) 10部 メチレンクロリド 800部 メタノール 160部 例示化合物(2) 2部 2−(5−ターシヤリーブチル−2−ヒドロキ
シフエニル)ベンゾトリアゾール 0.2部 応用例 1 実施例1で製造した光学フイルター(厚さ0.05
mm)を近赤外線カツトフイルターとしてシリコン
フオトダイオードにとりつけたところ光検出器の
動作性能が大幅に向上した。さらに50℃における
強制経時試験後も動作信頼性は全く変化を示さな
かつた。 本発明に係る金属錯体に紫外線吸収剤を併用す
ると、フイルターの耐光性が著しく向上する。こ
のようなフイルターの耐光性を、例示化合物(2)と
紫外線吸収剤2−(5−t−ブチル−2−ヒドロ
キシフエニル)ベンゾトリアゾール(化合物
(U))とを重量比で10:1の比率で併用した場合
のフイルターの光照射下の光学濃度の経時変化で
下記の表に示した。
【表】 上記表より分るように、本発明に係る化合物と
紫外線吸収剤を併用すると光学フイルター材の耐
光堅牢性を飛躍的に改良することができた。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の赤外線吸収性組成物より得ら
れる光学フイルターの光学濃度を示すグラフ、第
2図は光の波長に対する人の目の相対感度および
SPDの相対感度を示すグラフである。 第1図は実施例1で得られた例示化合物(2)を用
いた光学フイルター(厚さ25ミクロン)の光学濃
度曲線である。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 下記一般式()および()で表わされる
    化合物から選ばれた少なくとも1種を含有するこ
    とを特徴とする赤外線吸収性組成物。 (式中、[Cat1]および[Cat2]は錯体を中性
    ならしめるために必要な陽イオンを示し、M1
    よびM2はニツケル、銅、コバルト、パラジウム
    または白金を示す。)
JP59147393A 1984-07-16 1984-07-16 赤外線吸収性組成物 Granted JPS6126686A (ja)

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