JPH0445549A - 絶縁封止型半導体装置の製造方法 - Google Patents
絶縁封止型半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH0445549A JPH0445549A JP2154612A JP15461290A JPH0445549A JP H0445549 A JPH0445549 A JP H0445549A JP 2154612 A JP2154612 A JP 2154612A JP 15461290 A JP15461290 A JP 15461290A JP H0445549 A JPH0445549 A JP H0445549A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor device
- resin
- type semiconductor
- manufacture
- etching solution
- Prior art date
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- Pending
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- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は絶縁封止型半導体装置の製造方法に関するも
のである。
のである。
まず、従来の半導体装置とエツチングの対象となる層及
び樹脂ばりの位置とその状態について説明する。
び樹脂ばりの位置とその状態について説明する。
第２図において、半導体装置の絶縁封止部（５）から突
出する外部リード（６）上に半導体装置製造中にできた
酸化膜等エツチング対象層（γ）が存在し、この対象層
上、半導体装置の絶縁封止部（５）近傍に樹脂ばりＩ８
）が発生する。
出する外部リード（６）上に半導体装置製造中にできた
酸化膜等エツチング対象層（γ）が存在し、この対象層
上、半導体装置の絶縁封止部（５）近傍に樹脂ばりＩ８
）が発生する。
次に、従来の半導体装置の外装処理（樹脂ばり取り、化
学エツチング、外装加工などの工程について第３図のフ
ローチャートによって説明する。
学エツチング、外装加工などの工程について第３図のフ
ローチャートによって説明する。
従来はステップ１で半導体素子を樹脂にょシ絶縁封止し
た時に発生した樹脂ばり（８）を樹脂膨潤液に浸漬或は
、電解印加することで、樹脂膨潤液が電気分解を起こし
、水素、酸素ガスを発生することで樹脂ばりを除去した
後、ステップ２で外部リード（６）上に存在する酸化膜
等エツチング対象層（γ）を化学エツチング液に浸漬或
は電解印部し研摩する。
た時に発生した樹脂ばり（８）を樹脂膨潤液に浸漬或は
、電解印加することで、樹脂膨潤液が電気分解を起こし
、水素、酸素ガスを発生することで樹脂ばりを除去した
後、ステップ２で外部リード（６）上に存在する酸化膜
等エツチング対象層（γ）を化学エツチング液に浸漬或
は電解印部し研摩する。
その後、ステップ３の外装加工としてめっきを施し、そ
して次工程送りとしていた（ステップ４）。
して次工程送りとしていた（ステップ４）。
従来の半導体装置の製造方法は以上の様に構成されてい
たので、樹Ｒｈばり取り用の樹脂膨潤液とエツチング対
象層を研摩するエツチング液の２つが必要で、また、工
程上も複雑である等の問題点があった。
たので、樹Ｒｈばり取り用の樹脂膨潤液とエツチング対
象層を研摩するエツチング液の２つが必要で、また、工
程上も複雑である等の問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消する為になされた
もので、工程の簡略化、処理液数の減少および工期短縮
等を図ることのできる絶縁封止型半導体装置の製造方法
を得ることを目的とする。
もので、工程の簡略化、処理液数の減少および工期短縮
等を図ることのできる絶縁封止型半導体装置の製造方法
を得ることを目的とする。
この発明に係る半導体装置の製造方法は、樹脂ばり取り
工程と酸化膜エツチング工程とを同時に行う様にしたも
のである。
工程と酸化膜エツチング工程とを同時に行う様にしたも
のである。
この発明における特徴的な手段は、酸或はアルカリ系の
酸化膜等をエツチングするエツチング液中で製品に電解
を印加することで、その液が電気分解を起こし、水素、
酸素ガスを発生することにより、リード上の樹脂ばりを
除去するとともにエツチング液の働きで酸化膜等も化学
的エツチングが行える。
酸化膜等をエツチングするエツチング液中で製品に電解
を印加することで、その液が電気分解を起こし、水素、
酸素ガスを発生することにより、リード上の樹脂ばりを
除去するとともにエツチング液の働きで酸化膜等も化学
的エツチングが行える。
〔実施例〕
以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第１図において、（１）は絶縁封止型半導体装置（以下
半導体装置と呼ぶ’） ％ （２）は不溶性金属の電極
、（８）は半導体装置（１）内のリードフレーム表面に
存在する酸化膜等をエツチングする酸或はアルカリ系の
エツチング溶液、（４）はエツチング液（８）が満たさ
れ次槽、（９）は超音波装置である。
半導体装置と呼ぶ’） ％ （２）は不溶性金属の電極
、（８）は半導体装置（１）内のリードフレーム表面に
存在する酸化膜等をエツチングする酸或はアルカリ系の
エツチング溶液、（４）はエツチング液（８）が満たさ
れ次槽、（９）は超音波装置である。
次に動作について説明する。
初めに第２図に示す様に外部リード（６）上に酸化膜等
エツチング対象層（ア）及び樹脂ばりＩ８）が発生して
いる半導体装置（１）と電極とする不溶性金属の電極（
２）とをエツチング液（８）が満たされた槽（４）内に
浸漬する。
エツチング対象層（ア）及び樹脂ばりＩ８）が発生して
いる半導体装置（１）と電極とする不溶性金属の電極（
２）とをエツチング液（８）が満たされた槽（４）内に
浸漬する。
次に、槽（４）内のエツチング液（８）を攪拌しながら
、その半導体装置（１）に負極（或は正極）、不溶性金
属の電極（２）に正極（或は負極）となる様な直流電圧
を印加する。この電圧印加と共にエツチング液（８）中
に設けられた超音波装置（９）を用い、半導体装置（１
）に超音波を照射する。この超音波を照射することで、
樹脂はりＩＦＩ）を除去し、かつ、半導体装置（１）の
揺動、エツチング液（８）の攪拌ができるなど、両工程
を同時に促進させることができる。
、その半導体装置（１）に負極（或は正極）、不溶性金
属の電極（２）に正極（或は負極）となる様な直流電圧
を印加する。この電圧印加と共にエツチング液（８）中
に設けられた超音波装置（９）を用い、半導体装置（１
）に超音波を照射する。この超音波を照射することで、
樹脂はりＩＦＩ）を除去し、かつ、半導体装置（１）の
揺動、エツチング液（８）の攪拌ができるなど、両工程
を同時に促進させることができる。
以上のようにこの発明によれば、酸化膜エツチング用の
エツチング液に半導体装置を浸漬しながら電圧及び超音
波を印加する様にしたので、工程の簡略化ができ、処理
液の数が減少し、また、半導体装置の製造工期の短縮等
が得られる効果がある。
エツチング液に半導体装置を浸漬しながら電圧及び超音
波を印加する様にしたので、工程の簡略化ができ、処理
液の数が減少し、また、半導体装置の製造工期の短縮等
が得られる効果がある。
第１図はこの発明の一実施例による半導体装置の製造方
法を示す断面図、第２図は従来およびこの発明共通の酸
化膜等のエツチング対象層及び樹脂ぼり等の状態を示す
半導体装置の拡大断面図、第３図は従来の半導体装置の
外装処理フローチャートである。 図において、（１）は半導体装置、（２）は不溶性金属
の１１極、（８）はエツチング液、（４）は槽、（６）
は半導体装置の絶縁封止部、ｔａ）Ｆｉ外部リード、（
７）は酸化膜等エツチング対象層、ｆ８）は樹脂ぼり、
（９）は超音波装置を示す。
法を示す断面図、第２図は従来およびこの発明共通の酸
化膜等のエツチング対象層及び樹脂ぼり等の状態を示す
半導体装置の拡大断面図、第３図は従来の半導体装置の
外装処理フローチャートである。 図において、（１）は半導体装置、（２）は不溶性金属
の１１極、（８）はエツチング液、（４）は槽、（６）
は半導体装置の絶縁封止部、ｔａ）Ｆｉ外部リード、（
７）は酸化膜等エツチング対象層、ｆ８）は樹脂ぼり、
（９）は超音波装置を示す。
Claims (1)
- 半導体装置の外装処理において、樹脂封止工程により
発生したリード上のばりを除去する工程と、めっきを析
出させるリード上の酸化膜を除去する工程を同時に行う
ことを特徴とする絶縁封止型半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2154612A JPH0445549A (ja) | 1990-06-12 | 1990-06-12 | 絶縁封止型半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2154612A JPH0445549A (ja) | 1990-06-12 | 1990-06-12 | 絶縁封止型半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0445549A true JPH0445549A (ja) | 1992-02-14 |
Family
ID=15587994
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2154612A Pending JPH0445549A (ja) | 1990-06-12 | 1990-06-12 | 絶縁封止型半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0445549A (ja) |
-
1990
- 1990-06-12 JP JP2154612A patent/JPH0445549A/ja active Pending
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