JPH0453238A - 絶縁封止型半導体装置の製造方法 - Google Patents
絶縁封止型半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH0453238A JPH0453238A JP2163212A JP16321290A JPH0453238A JP H0453238 A JPH0453238 A JP H0453238A JP 2163212 A JP2163212 A JP 2163212A JP 16321290 A JP16321290 A JP 16321290A JP H0453238 A JPH0453238 A JP H0453238A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor device
- oxide film
- resin
- pulse voltage
- etchant
- Prior art date
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- Pending
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- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、絶縁刺止型半導体装置の製造方法に関する
ものである。
ものである。
説明の都合］二、従来およびこの発明に係る半導体装置
とエツチングの対象となる層及び樹脂バリの位置とその
状態について、第３図によって概略説明する。
とエツチングの対象となる層及び樹脂バリの位置とその
状態について、第３図によって概略説明する。
第３図において、半導体装置の絶縁封止部（５）から突
出する外部リード（６）上に、半導体装置の製造中にで
きた酸化膜、等のエツチング対象層（７）が存在し、そ
の層上で半導体装置の絶縁封止部（５）近傍に樹脂バリ
（８）が存在している。
出する外部リード（６）上に、半導体装置の製造中にで
きた酸化膜、等のエツチング対象層（７）が存在し、そ
の層上で半導体装置の絶縁封止部（５）近傍に樹脂バリ
（８）が存在している。
次に従来の半導体装置の外装処理（樹脂バリ取り、化学
エツチング、外装加工〕工程を第４１図によって説明す
る。
エツチング、外装加工〕工程を第４１図によって説明す
る。
第４図に示す樹脂バリ取り工程においては、半導体素子
（図示せず〕を樹脂によシ絶縁封止した時に発生した樹
脂バリ（８）を、樹脂膨潤液に浸漬或は、電解印加する
ことで、樹脂膨潤液が電気分解をおこし、水素・酸素ガ
スの発生で樹脂バリを除去する。
（図示せず〕を樹脂によシ絶縁封止した時に発生した樹
脂バリ（８）を、樹脂膨潤液に浸漬或は、電解印加する
ことで、樹脂膨潤液が電気分解をおこし、水素・酸素ガ
スの発生で樹脂バリを除去する。
次に、化学エツチング、酸化膜除去工程で、外部リード
（６）上に所在する酸化膜等エツチング対象層（７）を
化学エツチング液に浸漬或は電解印加し研磨して除去す
る。その後、外装加工工程で、めっきを施した後次工程
送シとされていた。
（６）上に所在する酸化膜等エツチング対象層（７）を
化学エツチング液に浸漬或は電解印加し研磨して除去す
る。その後、外装加工工程で、めっきを施した後次工程
送シとされていた。
従来の半導体装置の製造方法は、以上の様に行われてい
たので、樹脂バ！Ｊ Ｉｆ１２Ｄ用の樹脂膨潤液と、エ
ツチング対象層を研磨するエツチング液の２つが必要で
あり、また、工程が複雑である等の問題点があった。
たので、樹脂バ！Ｊ Ｉｆ１２Ｄ用の樹脂膨潤液と、エ
ツチング対象層を研磨するエツチング液の２つが必要で
あり、また、工程が複雑である等の問題点があった。
この発明は、上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、工程の簡略化、処理液数の減少、工期短縮
等を図ることができる半導体装置の製造方法を得ること
を目的とする。
れたもので、工程の簡略化、処理液数の減少、工期短縮
等を図ることができる半導体装置の製造方法を得ること
を目的とする。
〔課題を解決するだめの手段コ
この発明に係るや導体装鉦の製造方法は、エツチング液
に所定の電界を印加して、樹脂バリ取り工程と酸化膜エ
ツチング工程とを同時に行うようにしたものである。
に所定の電界を印加して、樹脂バリ取り工程と酸化膜エ
ツチング工程とを同時に行うようにしたものである。
この発明における半導体装置の製造方法は、酸或はアル
カリ糸の酸化膜等をエツチングするエツチング液中で製
品にパルス糸の電解を印加することでその液が′市気分
解を起こし、水素・酸素ガスを発生することにより、リ
ード上の樹脂バリを除去し、またかつ、エツチング液の
働きで酸化膜等も化学的エツチングが行える。
カリ糸の酸化膜等をエツチングするエツチング液中で製
品にパルス糸の電解を印加することでその液が′市気分
解を起こし、水素・酸素ガスを発生することにより、リ
ード上の樹脂バリを除去し、またかつ、エツチング液の
働きで酸化膜等も化学的エツチングが行える。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第コ
ー図において、（］）は絶縁封圧型半導体装置（以下、
半導体装置と略す） 、（２＞は不溶性金属の電極、（
３）は半導体装置（１）内のリードフレーム表面に存在
する酸化膜等をエツチングする酸或はアルカリ系のエツ
チング溶液、（４）はエツチング？＆ （３）が満たさ
れた槽である。
ー図において、（］）は絶縁封圧型半導体装置（以下、
半導体装置と略す） 、（２＞は不溶性金属の電極、（
３）は半導体装置（１）内のリードフレーム表面に存在
する酸化膜等をエツチングする酸或はアルカリ系のエツ
チング溶液、（４）はエツチング？＆ （３）が満たさ
れた槽である。
第２図において、（９）はパルス電圧である。
次に動作について説明する。第１図において、第３図に
示すように外部リード（６）上に酸化膜等エツチング対
象層（７）及び樹脂バリ（８ンが発生している半導体装
ｔ （１）と電極とする不溶性金員（２）とをエツチン
グ液（３）が満たされた槽（４）内に浸漬する。
示すように外部リード（６）上に酸化膜等エツチング対
象層（７）及び樹脂バリ（８ンが発生している半導体装
ｔ （１）と電極とする不溶性金員（２）とをエツチン
グ液（３）が満たされた槽（４）内に浸漬する。
次に、槽（４）内のエツチング液（３）を撹拌しながら
その半導体装置（１）に負極（或は正極〕、不溶性金属
の電極（２）に第２図（ａ）に示す正極（或は第２図（
ｂ）に示す負極）となるような直流のパルス電圧（９）
を印加する０特にバルヌ電圧（９）を使用するのは、通
電中は、樹脂バリ取り工程の働きを、また、停電中は化
学エツチング工程の働きをするためにパルスを用いる。
その半導体装置（１）に負極（或は正極〕、不溶性金属
の電極（２）に第２図（ａ）に示す正極（或は第２図（
ｂ）に示す負極）となるような直流のパルス電圧（９）
を印加する０特にバルヌ電圧（９）を使用するのは、通
電中は、樹脂バリ取り工程の働きを、また、停電中は化
学エツチング工程の働きをするためにパルスを用いる。
以上のように、この発明によれば、酸化膜エツチング用
のエツチング液に半導体装置を浸漬しながらパルス電圧
を印加するように構成しだので、工程の簡略化ができ、
処理液の数が減少し、また半導体装置の製造工期の短縮
等が得られる効果がある。
のエツチング液に半導体装置を浸漬しながらパルス電圧
を印加するように構成しだので、工程の簡略化ができ、
処理液の数が減少し、また半導体装置の製造工期の短縮
等が得られる効果がある。
第１図はこの発明の一実施例による半導体装置の製造方
法概略図、第２図（ａ） 、 （ｔ：））は用いるパル
ス電圧の波形画、第３図は酸化膜等のエツチング対象層
及び樹脂バリ等の状態を示す半導体装置の断面図、第４
図は従来の半導体装置の外装処理工程経路図である。 図（′こおいて、（１）ｌｊ、絶縁封止型、′１″導体
装良、（２）は不溶性金属の′［ＩＬ極、（３）はエツ
チング液、（４）は槽、（５）は半導体装置の絶縁封止
部、（６）は外部リード、（７）は酸化膜等エツチング
対象層、（３）は樹脂バリ、（９）はパルス電圧である
。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。
法概略図、第２図（ａ） 、 （ｔ：））は用いるパル
ス電圧の波形画、第３図は酸化膜等のエツチング対象層
及び樹脂バリ等の状態を示す半導体装置の断面図、第４
図は従来の半導体装置の外装処理工程経路図である。 図（′こおいて、（１）ｌｊ、絶縁封止型、′１″導体
装良、（２）は不溶性金属の′［ＩＬ極、（３）はエツ
チング液、（４）は槽、（５）は半導体装置の絶縁封止
部、（６）は外部リード、（７）は酸化膜等エツチング
対象層、（３）は樹脂バリ、（９）はパルス電圧である
。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。
Claims (1)
- 絶縁封止型半導体装置の外装処理工程において、樹脂
封止工程により発生したリード上のバリを除去する工程
と、めつきを析出させるリード上の酸化膜を除去する工
程を所定のパルス電圧を印加して同一工程で行うことを
特徴とする絶縁封止型半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2163212A JPH0453238A (ja) | 1990-06-20 | 1990-06-20 | 絶縁封止型半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2163212A JPH0453238A (ja) | 1990-06-20 | 1990-06-20 | 絶縁封止型半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0453238A true JPH0453238A (ja) | 1992-02-20 |
Family
ID=15769431
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2163212A Pending JPH0453238A (ja) | 1990-06-20 | 1990-06-20 | 絶縁封止型半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0453238A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006060065A (ja) * | 2004-08-20 | 2006-03-02 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
-
1990
- 1990-06-20 JP JP2163212A patent/JPH0453238A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006060065A (ja) * | 2004-08-20 | 2006-03-02 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
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