JPH0446250B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0446250B2 JPH0446250B2 JP59251799A JP25179984A JPH0446250B2 JP H0446250 B2 JPH0446250 B2 JP H0446250B2 JP 59251799 A JP59251799 A JP 59251799A JP 25179984 A JP25179984 A JP 25179984A JP H0446250 B2 JPH0446250 B2 JP H0446250B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- hours
- zsm
- benzene
- catalyst
- ray diffraction
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 39
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 claims description 14
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims description 13
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 claims description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 claims description 3
- 230000006203 ethylation Effects 0.000 claims 1
- 238000006200 ethylation reaction Methods 0.000 claims 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 14
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 description 11
- YNQLUTRBYVCPMQ-UHFFFAOYSA-N Ethylbenzene Chemical compound CCC1=CC=CC=C1 YNQLUTRBYVCPMQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000000047 product Substances 0.000 description 9
- KVNYFPKFSJIPBJ-UHFFFAOYSA-N 1,2-diethylbenzene Chemical compound CCC1=CC=CC=C1CC KVNYFPKFSJIPBJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 6
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 6
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 4
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- HMJBXEZHJUYJQY-UHFFFAOYSA-N 4-(aminomethyl)octane-1,8-diamine Chemical compound NCCCCC(CN)CCCN HMJBXEZHJUYJQY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003085 diluting agent Substances 0.000 description 3
- HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 239000012456 homogeneous solution Substances 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 229910001392 phosphorus oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 3
- VSAISIQCTGDGPU-UHFFFAOYSA-N tetraphosphorus hexaoxide Chemical compound O1P(O2)OP3OP1OP2O3 VSAISIQCTGDGPU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N Ammonia chloride Chemical compound [NH4+].[Cl-] NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N Pentane Chemical compound CCCCC OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021536 Zeolite Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N boric acid Chemical compound OB(O)O KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001354 calcination Methods 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N octane Chemical compound CCCCCCCC TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N silicic acid Chemical compound O[Si](O)(O)O RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 239000010457 zeolite Substances 0.000 description 2
- HYFLWBNQFMXCPA-UHFFFAOYSA-N 1-ethyl-2-methylbenzene Chemical compound CCC1=CC=CC=C1C HYFLWBNQFMXCPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QGZIXMPFNRRILC-UHFFFAOYSA-N 4-butylpentane-1,1,5-triamine Chemical compound CCCCC(CN)CCC(N)N QGZIXMPFNRRILC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000323 aluminium silicate Inorganic materials 0.000 description 1
- DIZPMCHEQGEION-UHFFFAOYSA-H aluminium sulfate (anhydrous) Chemical compound [Al+3].[Al+3].[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O DIZPMCHEQGEION-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 1
- 235000019270 ammonium chloride Nutrition 0.000 description 1
- 239000004327 boric acid Substances 0.000 description 1
- 229910052810 boron oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N diboron trioxide Chemical compound O=BOB=O JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001879 gelation Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000005342 ion exchange Methods 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 150000003017 phosphorus Chemical class 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 1
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- BGQMOFGZRJUORO-UHFFFAOYSA-M tetrapropylammonium bromide Chemical compound [Br-].CCC[N+](CCC)(CCC)CCC BGQMOFGZRJUORO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- CYTQBVOFDCPGCX-UHFFFAOYSA-N trimethyl phosphite Chemical compound COP(OC)OC CYTQBVOFDCPGCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/52—Improvements relating to the production of bulk chemicals using catalysts, e.g. selective catalysts
Landscapes
- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
- Catalysts (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Description
（産業上の利用分野）
本発明は、スチレンの原料として有用なエチル
ベンゼンを選択的に製造する方法に関するもので
ある。 （従来の技術） ベンゼンを気相においてエチル化する方法に関
しては、近年、モービルオイル社が開発した、触
媒として結晶性アルミノシリケートZSM−５を
用いる方法（特公昭56−44050号参照）が知られ
ている。しかしながら、ZSM−５をそのまま触
媒として使用した場合、トルエン、エチルトルエ
ン等の副生物が多いため実用的ではなく、モービ
ルオイル社では、ZSM−５をリンの酸化物で処
理した触媒を用いる方法（特開昭51−57688号参
照）を提案しており、実際にこの触媒を用いてモ
ービルーバジヤー法として知られるプロセスが企
業化されている。 （発明が解決しようとする問題点） しかしながら、リンの酸化物で処理したZSM
−５を用いる方法は、確かにエチルベンゼン、ジ
エチルベンゼンへの選択率は高く、97％に達する
ものもあるが、99％近い極めて高い選択率の実現
は困難であり、また、活性が低いという問題があ
つた。 （問題点を解決するための手段） 本発明者らは、エチルベンゼン、ジエチルベン
ゼンへの選択率が99％近い高選択率で高活性な触
媒を開発すべく鋭意検討を重ねた結果、Ｘ線回折
図において表１の回折パターンを有する結晶性ボ
ロシリケートを触媒として用いる場合に、99％近
い極めて高い選択率でエチルベンゼンおよびジエ
チルベンゼンが得られることを見い出し、本発明
を完成するに至つた。
ベンゼンを選択的に製造する方法に関するもので
ある。 （従来の技術） ベンゼンを気相においてエチル化する方法に関
しては、近年、モービルオイル社が開発した、触
媒として結晶性アルミノシリケートZSM−５を
用いる方法（特公昭56−44050号参照）が知られ
ている。しかしながら、ZSM−５をそのまま触
媒として使用した場合、トルエン、エチルトルエ
ン等の副生物が多いため実用的ではなく、モービ
ルオイル社では、ZSM−５をリンの酸化物で処
理した触媒を用いる方法（特開昭51−57688号参
照）を提案しており、実際にこの触媒を用いてモ
ービルーバジヤー法として知られるプロセスが企
業化されている。 （発明が解決しようとする問題点） しかしながら、リンの酸化物で処理したZSM
−５を用いる方法は、確かにエチルベンゼン、ジ
エチルベンゼンへの選択率は高く、97％に達する
ものもあるが、99％近い極めて高い選択率の実現
は困難であり、また、活性が低いという問題があ
つた。 （問題点を解決するための手段） 本発明者らは、エチルベンゼン、ジエチルベン
ゼンへの選択率が99％近い高選択率で高活性な触
媒を開発すべく鋭意検討を重ねた結果、Ｘ線回折
図において表１の回折パターンを有する結晶性ボ
ロシリケートを触媒として用いる場合に、99％近
い極めて高い選択率でエチルベンゼンおよびジエ
チルベンゼンが得られることを見い出し、本発明
を完成するに至つた。
【表】
ただし、Ｘ線回折分析はCuKα線を用いて測定
する。 すなわち、本発明は、ベンゼンを気相において
エチレンと反応させる際に、触媒としてＸ線回折
図において表１に示される回折パターンを有する
結晶性ボロシリケートを用いることを特徴とする
ベンゼンの気相エチル化法を提供するものであ
る。 本発明に用いられる表１に示される回折パター
ンを有する結晶性ボロシリケートとは、AZ−２
（特願昭59−84169号参照）と呼ばれる特異な結晶
構造を有する結晶性ボロシリケートである。 本発明に用いられる結晶性ボロシリケートは、
シリカ供給物質、アルミナ供給物質、酸化ホウ素
供給物質、ナトリウム供給物質、水および１，８
−ジアミノ−４−アミノメチルオクタンを含有
し、かつそれぞれの成分モル比が下記の範囲であ
る組成物を100〜250℃の温度に加熱して、結晶が
生成するのに十分な時間反応させることによつて
製造される。 Na／SiO2＝0.01〜0.5 H2O／SiO2＝２〜100 １，８−ジアミノ−４−アミノメチルオクタ
ン／SiO2＝0.1〜10 Al2O3／SiO2＝０〜0.05 B2O3／SiO2＝0.005〜0.5 このようにして得られる結晶性ボロシリケート
AZ−２は、従来知られているボロシリケート、
例えば、ゼオライトZSM−５類似のボロシリケ
ート（特開昭53−55500参照）とは明らかに異な
るＸ線回折パターンを有する。 表２に、上記の方法により製造される結晶性ボ
ロシリケートAZ−２、特開昭53−5550号に基づ
いて製造したゼオライトZSM−５類似の結晶性
ボロシリケートのＸ線回折データの一例を示し
た。
する。 すなわち、本発明は、ベンゼンを気相において
エチレンと反応させる際に、触媒としてＸ線回折
図において表１に示される回折パターンを有する
結晶性ボロシリケートを用いることを特徴とする
ベンゼンの気相エチル化法を提供するものであ
る。 本発明に用いられる表１に示される回折パター
ンを有する結晶性ボロシリケートとは、AZ−２
（特願昭59−84169号参照）と呼ばれる特異な結晶
構造を有する結晶性ボロシリケートである。 本発明に用いられる結晶性ボロシリケートは、
シリカ供給物質、アルミナ供給物質、酸化ホウ素
供給物質、ナトリウム供給物質、水および１，８
−ジアミノ−４−アミノメチルオクタンを含有
し、かつそれぞれの成分モル比が下記の範囲であ
る組成物を100〜250℃の温度に加熱して、結晶が
生成するのに十分な時間反応させることによつて
製造される。 Na／SiO2＝0.01〜0.5 H2O／SiO2＝２〜100 １，８−ジアミノ−４−アミノメチルオクタ
ン／SiO2＝0.1〜10 Al2O3／SiO2＝０〜0.05 B2O3／SiO2＝0.005〜0.5 このようにして得られる結晶性ボロシリケート
AZ−２は、従来知られているボロシリケート、
例えば、ゼオライトZSM−５類似のボロシリケ
ート（特開昭53−55500参照）とは明らかに異な
るＸ線回折パターンを有する。 表２に、上記の方法により製造される結晶性ボ
ロシリケートAZ−２、特開昭53−5550号に基づ
いて製造したゼオライトZSM−５類似の結晶性
ボロシリケートのＸ線回折データの一例を示し
た。
【表】
表２から明らかなように、本発明のAZ−２は、
ZSM−５類似の結晶性ボロシリケートと比較し
て、各ピークの相対強度が顕著に異なることがわ
かる。特にAZ−２の最強ピークが2θ＝8.9゜である
のに対して、ZSM−５類似ボロシリケートのそ
れは23.2゜であり、両者の各Ｘ線回折パターンに
おける2θ＝8.9゜と23.2゜の強度比を求めると、AZ
−２はZSM−５類似ボロシリケートの約５倍と
なる。また、両者の回折角（2θ）7.9゜と8.9゜の強
度比が顕著に異なつている。すなわち、ZSM−
５類似ボロシリケートの2θ＝7.9゜に対する8.9゜の
強度比が約0.8であるのに対し、AZ−２のそれは
約５であり、両者の強度比の差異は約６倍となつ
ている。 本発明における反応温度は200〜600℃、好まし
くは300〜500℃の範囲である。また、圧力は常圧
または加圧で行なわれるが、好ましい範囲は、常
圧〜20Kg／cm2の範囲である。 本発明は、気相流通法で行なわれるが、その
際、ベンゼンとエチレンのみ、または窒素、水素
等の希釈剤を用いて行うことができる、特に希釈
剤として水素を用いる場合には、活性低下が極め
て小さくなるという利点を有するため好ましい。 本発明におけるベンゼン／エチレンモル比は１
〜20、好ましくは２〜10の範囲で行なわれる。ま
た、希釈剤として水素を用いる場合の水素／エチ
レンモル比は0.5〜20、好ましくは１〜10の範囲
で行なわれる。 （発明の効果） 本発明の方法によれば、従来のリンの酸化物で
処理したZSM−５を触媒として用いる方法に比
べて、高収率で、しかも、極めて高い選択率でエ
チルベンゼンおよびジエチルベンゼンを得ること
ができる。このことは、工業的に実施する際に極
めて有利になる。 （実施例） 実施例 １ １，８−ジアミノ−４−アミノメチルオクタン
20ｇ、ホウ酸（H3BO3）0.5ｇ、水酸化ナトリウ
ム１ｇを水34ｇに溶かし、さらに、シリカゾル
（30重量％SiO2）40ｇを加えて均質な溶液を得
た。この溶液に、かきまぜながら20％硫酸８ｇを
滴下して均質なゲルを得た。さらに、このゲルを
ホモジナイザー中で10000rpmで高速撹拌した後、
テフロン内張り耐圧容器中で180℃、70時間静置
して結晶化を行つた。 得られた生成物を過洗浄した後、120℃で５
時間乾燥して、さらに500℃で６時間空気中で焼
成した後のＸ線回折パターンを第１図に示す。 この回折パターンより、この生成物は、結晶性
ボロシリケートAZ−２と同定された。また、化
学分析から求めたSiO2／B2O3モル比は30であつ
た。 この結晶性ボロシリケートAZ−２を触媒とし
て用い、ベンゼンとエチレンの反応を行つた。実
験条件は、ベンゼン／エチレンモル比＝4.0、
WHSV（ベンゼン基準）＝4.0hr-1、反応温度400
℃、常圧で行つた。 反応開始後、２時間と６時間の結果を表３に示
す。
ZSM−５類似の結晶性ボロシリケートと比較し
て、各ピークの相対強度が顕著に異なることがわ
かる。特にAZ−２の最強ピークが2θ＝8.9゜である
のに対して、ZSM−５類似ボロシリケートのそ
れは23.2゜であり、両者の各Ｘ線回折パターンに
おける2θ＝8.9゜と23.2゜の強度比を求めると、AZ
−２はZSM−５類似ボロシリケートの約５倍と
なる。また、両者の回折角（2θ）7.9゜と8.9゜の強
度比が顕著に異なつている。すなわち、ZSM−
５類似ボロシリケートの2θ＝7.9゜に対する8.9゜の
強度比が約0.8であるのに対し、AZ−２のそれは
約５であり、両者の強度比の差異は約６倍となつ
ている。 本発明における反応温度は200〜600℃、好まし
くは300〜500℃の範囲である。また、圧力は常圧
または加圧で行なわれるが、好ましい範囲は、常
圧〜20Kg／cm2の範囲である。 本発明は、気相流通法で行なわれるが、その
際、ベンゼンとエチレンのみ、または窒素、水素
等の希釈剤を用いて行うことができる、特に希釈
剤として水素を用いる場合には、活性低下が極め
て小さくなるという利点を有するため好ましい。 本発明におけるベンゼン／エチレンモル比は１
〜20、好ましくは２〜10の範囲で行なわれる。ま
た、希釈剤として水素を用いる場合の水素／エチ
レンモル比は0.5〜20、好ましくは１〜10の範囲
で行なわれる。 （発明の効果） 本発明の方法によれば、従来のリンの酸化物で
処理したZSM−５を触媒として用いる方法に比
べて、高収率で、しかも、極めて高い選択率でエ
チルベンゼンおよびジエチルベンゼンを得ること
ができる。このことは、工業的に実施する際に極
めて有利になる。 （実施例） 実施例 １ １，８−ジアミノ−４−アミノメチルオクタン
20ｇ、ホウ酸（H3BO3）0.5ｇ、水酸化ナトリウ
ム１ｇを水34ｇに溶かし、さらに、シリカゾル
（30重量％SiO2）40ｇを加えて均質な溶液を得
た。この溶液に、かきまぜながら20％硫酸８ｇを
滴下して均質なゲルを得た。さらに、このゲルを
ホモジナイザー中で10000rpmで高速撹拌した後、
テフロン内張り耐圧容器中で180℃、70時間静置
して結晶化を行つた。 得られた生成物を過洗浄した後、120℃で５
時間乾燥して、さらに500℃で６時間空気中で焼
成した後のＸ線回折パターンを第１図に示す。 この回折パターンより、この生成物は、結晶性
ボロシリケートAZ−２と同定された。また、化
学分析から求めたSiO2／B2O3モル比は30であつ
た。 この結晶性ボロシリケートAZ−２を触媒とし
て用い、ベンゼンとエチレンの反応を行つた。実
験条件は、ベンゼン／エチレンモル比＝4.0、
WHSV（ベンゼン基準）＝4.0hr-1、反応温度400
℃、常圧で行つた。 反応開始後、２時間と６時間の結果を表３に示
す。
【表】
実施例 ２
実施例１で得られた触媒を用いて、ベンゼン／
エチレンモル比＝２、WHSV＝6.0hr-1、反応温
度420℃、常圧で反応を行つた。 反応開始後、４時間の成積を表４に示す。
エチレンモル比＝２、WHSV＝6.0hr-1、反応温
度420℃、常圧で反応を行つた。 反応開始後、４時間の成積を表４に示す。
【表】
実施例 ３
実施例１で得られた触媒を用いて、ベンゼン／
エチレン／H2モル比＝４／１／４、WHSV＝
4.0hr-1、反応温度420℃、圧力３Kg／cm2（ゲージ
圧）で行つた。 反応開始後、３時間、80時間、170時間の成積
を表５に示す。
エチレン／H2モル比＝４／１／４、WHSV＝
4.0hr-1、反応温度420℃、圧力３Kg／cm2（ゲージ
圧）で行つた。 反応開始後、３時間、80時間、170時間の成積
を表５に示す。
【表】
実施例 ４
１，８−ジアミノ−４−アミノメチルオクタン
640ｇ、ホウ酸16ｇ、水酸化ナトリウム32ｇを水
1100ｇに加えて均質な溶液を得た。この溶液にシ
リカゾル（30重量％SiO2）1300ｇを撹拌しなが
ら加え、均質な溶液を得た。さらに、この溶液に
20％硫酸260ｇを加え、ミキサー中で5000rpmで
高速撹拌して均質なゲルを得た。得られたゲルを
テフロン内張りオートクレーブに仕込み、170℃
で90時間結晶化させた。 得られた生成物を過洗浄した後、120℃で５
時間乾燥し、500℃で８時間空気中で焼成した後
のＸ線回折パターンを第２図に示す。 この回折パターンより、この生成物は、AZ−
２と同定された。また、化学分析によつて求めた
この生成物をSiO2／B2O3モル比は45であつた。 この結晶性ボロシリケートAZ−２を用いて、
ベンゼン／エチレンの／H2モル比＝５／１／３、
WHSV＝6.0hr-1、反応温度440℃、圧力５Kg／cm2
（ゲージ圧）で反応を行つた。 反応開始後、20時間、60時間の成積を表６に示
す。
640ｇ、ホウ酸16ｇ、水酸化ナトリウム32ｇを水
1100ｇに加えて均質な溶液を得た。この溶液にシ
リカゾル（30重量％SiO2）1300ｇを撹拌しなが
ら加え、均質な溶液を得た。さらに、この溶液に
20％硫酸260ｇを加え、ミキサー中で5000rpmで
高速撹拌して均質なゲルを得た。得られたゲルを
テフロン内張りオートクレーブに仕込み、170℃
で90時間結晶化させた。 得られた生成物を過洗浄した後、120℃で５
時間乾燥し、500℃で８時間空気中で焼成した後
のＸ線回折パターンを第２図に示す。 この回折パターンより、この生成物は、AZ−
２と同定された。また、化学分析によつて求めた
この生成物をSiO2／B2O3モル比は45であつた。 この結晶性ボロシリケートAZ−２を用いて、
ベンゼン／エチレンの／H2モル比＝５／１／３、
WHSV＝6.0hr-1、反応温度440℃、圧力５Kg／cm2
（ゲージ圧）で反応を行つた。 反応開始後、20時間、60時間の成積を表６に示
す。
【表】
比較例
水350ｇに硫酸アルミニウム５ｇとテトラプロ
ピルアンモニウムブロミド10ｇを溶かし、さらに
Ｑ brandケイ酸塩水溶液（Na2O＝8.9重量％、
SiO2＝28.9重量％、H2O＝62.2重量％）150ｇを
加え、かきまぜて均質なゲルを得た。このゲル
に、20％H2SO450ｇをかきまぜながら滴下して
ゲル化を促進させた。このゲルをテフロン内張り
オートクレーブに入れ、150℃で20時撹拌しなが
ら結晶化させた。 得られた生成物を過洗浄後、120℃で３時間
乾燥し、500℃で４時間空気中で焼成を行つた。 この生成物のＸ線回折パターンは、ZSM−５
の回折パターンと一致した。また、螢光Ｘ線分析
より求めたシリカ／アルミナモル比は50であつ
た。 このZSM−５を1N塩化アンモニウム水溶液で
60℃、24時間イオン交換を行つた後、過、洗
浄、120℃で６時間乾燥後、500℃で５時間空気焼
成して、Ｈ−ZSM−５を得た。 得られたＨ−ZSM−５ 10ｇを、フラスコで
ｎ−オクタン50c.c.にトリメチルフオスフアイト４
c.c.を溶解した溶液に加えた。窒素を徐々に流しな
がら、この混合物を還流温度で80時間加熱した。
その後、この混合物を蒸発乾固して、得られた固
体をペンタンで洗浄した後、120℃で10時間乾燥、
500℃で３時間焼成した。 得られた生成物のリン酸化物の担持量は8.2重
量％であつた。 このリン含有Ｈ−ZSM−５を触媒に用いて、
ベンゼン／エチレンモル比＝5.5、WHSV＝
4.0hr-1、反応温度420℃、常圧で反応を行つた。 反応開始後、４時間の成積を表７に示す。
ピルアンモニウムブロミド10ｇを溶かし、さらに
Ｑ brandケイ酸塩水溶液（Na2O＝8.9重量％、
SiO2＝28.9重量％、H2O＝62.2重量％）150ｇを
加え、かきまぜて均質なゲルを得た。このゲル
に、20％H2SO450ｇをかきまぜながら滴下して
ゲル化を促進させた。このゲルをテフロン内張り
オートクレーブに入れ、150℃で20時撹拌しなが
ら結晶化させた。 得られた生成物を過洗浄後、120℃で３時間
乾燥し、500℃で４時間空気中で焼成を行つた。 この生成物のＸ線回折パターンは、ZSM−５
の回折パターンと一致した。また、螢光Ｘ線分析
より求めたシリカ／アルミナモル比は50であつ
た。 このZSM−５を1N塩化アンモニウム水溶液で
60℃、24時間イオン交換を行つた後、過、洗
浄、120℃で６時間乾燥後、500℃で５時間空気焼
成して、Ｈ−ZSM−５を得た。 得られたＨ−ZSM−５ 10ｇを、フラスコで
ｎ−オクタン50c.c.にトリメチルフオスフアイト４
c.c.を溶解した溶液に加えた。窒素を徐々に流しな
がら、この混合物を還流温度で80時間加熱した。
その後、この混合物を蒸発乾固して、得られた固
体をペンタンで洗浄した後、120℃で10時間乾燥、
500℃で３時間焼成した。 得られた生成物のリン酸化物の担持量は8.2重
量％であつた。 このリン含有Ｈ−ZSM−５を触媒に用いて、
ベンゼン／エチレンモル比＝5.5、WHSV＝
4.0hr-1、反応温度420℃、常圧で反応を行つた。 反応開始後、４時間の成積を表７に示す。
【表】
第１図は実施例１で得られた結晶性ボロシリケ
ートのＸ線回折パターン、第２図は実施例４で得
られた結晶性ボロシリケートのＸ線回折パターン
を示す。
ートのＸ線回折パターン、第２図は実施例４で得
られた結晶性ボロシリケートのＸ線回折パターン
を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ ベンゼンを気相においてエチレンと反応させ
る際に、触媒としてＸ線回折図において下表の回
折パターンを有する結晶性ボロシリケートを用い
ることを特徴とするベンゼンの気相エチル化法。 【表】 ただし、Ｘ線回折分析はCuKα線を用いて測定
する。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59251799A JPS61130243A (ja) | 1984-11-30 | 1984-11-30 | ベンゼンのエチル化法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59251799A JPS61130243A (ja) | 1984-11-30 | 1984-11-30 | ベンゼンのエチル化法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61130243A JPS61130243A (ja) | 1986-06-18 |
| JPH0446250B2 true JPH0446250B2 (ja) | 1992-07-29 |
Family
ID=17228097
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59251799A Granted JPS61130243A (ja) | 1984-11-30 | 1984-11-30 | ベンゼンのエチル化法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61130243A (ja) |
-
1984
- 1984-11-30 JP JP59251799A patent/JPS61130243A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61130243A (ja) | 1986-06-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4002697A (en) | Selective production of para-xylene | |
| US4049738A (en) | Selective production of para-xylene | |
| US4547605A (en) | Catalyst for alkylation of aromatic hydrocarbons | |
| US4082805A (en) | Production of aliphatic amines utilizing a crystalline aluminosilicate catalyst of zsm-5, zsm-11 or zsm-21 | |
| US4401637A (en) | Crystalline isotactic zeolites and their preparation | |
| US4151189A (en) | Synthesizing low sodium crystalline aluminosilicate zeolites with primary amines | |
| SU1315014A1 (ru) | Кристаллический алюмосиликат в качестве основы дл компонента катализатора конверсии метилового спирта в углеводороды | |
| EP0214147B1 (en) | Crystalline magnesia-silica composites and process for producing same | |
| US5157185A (en) | Alkylation of aromatics | |
| JPH0238571B2 (ja) | ||
| US4503164A (en) | Zeolite-type catalyst and process for preparing same | |
| JPH0788319B2 (ja) | ｍ−ベンジルトルエンの製造方法 | |
| JPH0446250B2 (ja) | ||
| JPH0551533B2 (ja) | ||
| US5215736A (en) | Mordenite type zeolite and its preparation process | |
| US4665256A (en) | Alkylation of aromatic mixtures | |
| JPS607604B2 (ja) | パラ置換されたベンゼンの選択的製造方法 | |
| JPS6247809B2 (ja) | ||
| JPH0446249B2 (ja) | ||
| DK167867B1 (da) | Fremgangsmaade til fremstilling af en aluminium-bor-silikatkatalysator | |
| JPH0342248B2 (ja) | ||
| JPH0480855B2 (ja) | ||
| JPH05124811A (ja) | ゼオライトの合成方法 | |
| JPH0453851B2 (ja) | ||
| JPS6365604B2 (ja) |