JPH0453147A - 半導体集積路 - Google Patents

半導体集積路

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Publication number
JPH0453147A
JPH0453147A JP2159157A JP15915790A JPH0453147A JP H0453147 A JPH0453147 A JP H0453147A JP 2159157 A JP2159157 A JP 2159157A JP 15915790 A JP15915790 A JP 15915790A JP H0453147 A JPH0453147 A JP H0453147A
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JP
Japan
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semiconductor integrated
semiconductor chip
bonding wire
integrated circuit
bonding
Prior art date
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Pending
Application number
JP2159157A
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English (en)
Inventor
Hiroshi Nakajima
洋 中島
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NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
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Publication of JPH0453147A publication Critical patent/JPH0453147A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体集積路に関し、特に半導体集積路のボン
ディングワイヤに関する。
〔従来の技術〕
従来の半導体集積路は、第１図に示すように、半導体チ
ップ１と、この半導体チップ１に設けられているボンデ
ィングパッドと外部接続用のリード端子２とがボンディ
ングワイヤ３ｂで接続され、これらが、例えば、プラス
チックモールド４によって一体化成形されたものであっ
て、通常、このボンディングワイヤ３ｂは金線又はアル
ミニウム線を使用している。
〔発明が解決しようとする課題〕
上述した従来の半導体集積路は、内部に実装した半導体
チップ１の初期欠陥あるいは外部回路からの操作不備等
によって、誤って半導体チップ１に過大電流が供給され
た場合、プラスチックモールド４内のボンディングワイ
ヤ３ｂは、第１図のＡ部を拡大した第３図（ａ）に示す
状態から、第３図（ｂ）に示すように、過電流によりボ
ンディングワイヤ３ｂが溶融して体積が増加する。
しかしながら、ボンディングワイヤ３ｂは外装材のプラ
スチックモールド４によって覆われているため、溶融し
ても飛散することなく、半導体チップ１に過大電流を供
給し続けるので、半導体チップ１は異常に加熱されてプ
ラスチックモールド４を焼損・発煙させるという欠点が
ある。
〔課題を解決するための手段〕
本発明は、半導体チップと、リード端子と、前記半導体
チップ上のボンティングパッドと前記リード端子とを接
続するボンディングワイヤとを有するプラスチックモー
ルド形の半導体集積路において、前記ボンディングワイ
ヤの形状を中空構造とする。
〔実施例〕
次に、本発明について図面を参照して説明する。
再度、第１図を参照する。本発明の半導体集積路は、半
導体チップ１．リード端子２．中空ボンディングワイヤ
３及びプラスチックモールドからなり、従来と同様に構
成されている。
第２図（ａ）及び同図（ｂ）は本発明の一実施例を示す
第１図のＡ部拡大図である。本発明の半導体集積路のボ
ンディングワイヤ３ａは、第２図（ａ）に示すように、
その形状が中空構造となっている。そして、このボンデ
ィングワイヤ３ａを使用した場合、誤って半導体チップ
１に過大電流が供給されると、第２図（ｂ）に示すよう
に、ボンディングワイヤ３ａは中空のため、溶融すると
その体積が減少してボンディングワイヤ３ａは切断され
る。これにより、半導体チップ１への電流供給は停止す
る。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明の半導体集積路によれば、中
空構造を持つボンディングワイヤを用いたことにより、
誤って半導体チップに過大電流が供給されても、ボンデ
ィングワイヤが切れて電流を供給し続けることがなく、
プラスチックモールドの焼損・発煙を防ぐという効果が
ある。
【図面の簡単な説明】
第１図は一般的な半導体集積路を示す断面図、第２図（
ａ）及び同図（ｂ）は本発明の一実施例を示す第１図の
Ａ部拡大図、第３図（ａ）及び同図（ｂ）は従来例を示
す第１図のＡ部拡大図である。 １・・・半導体チップ、２・・・リード端子、３ａ・・
・中空ボンディングワイヤ、３ｂ・・・ボンディングワ
イヤ、４・・・プラスチックモールド。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 　半導体チップと、リード端子と、前記半導体チップ上
    のボンディングパッドと前記リード端子とを接続するボ
    ンディングワイヤとを有するプラスチックモールド型の
    半導体集積路において、前記ボンディングワイヤが中空
    構造であることを特徴とする半導体集積路。
JP2159157A 1990-06-18 1990-06-18 半導体集積路 Pending JPH0453147A (ja)

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JP2159157A JPH0453147A (ja) 1990-06-18 1990-06-18 半導体集積路

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JP2159157A JPH0453147A (ja) 1990-06-18 1990-06-18 半導体集積路

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Publication Number Publication Date
JPH0453147A true JPH0453147A (ja) 1992-02-20

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ID=15687516

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Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2159157A Pending JPH0453147A (ja) 1990-06-18 1990-06-18 半導体集積路

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09162221A (ja) * 1995-12-13 1997-06-20 Nec Corp 樹脂封止型半導体装置及びワイヤボンディング装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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