JPH0454187A - フルオラン化合物の製造方法 - Google Patents

フルオラン化合物の製造方法

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JPH0454187A
JPH0454187A JP2161296A JP16129690A JPH0454187A JP H0454187 A JPH0454187 A JP H0454187A JP 2161296 A JP2161296 A JP 2161296A JP 16129690 A JP16129690 A JP 16129690A JP H0454187 A JPH0454187 A JP H0454187A
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JP
Japan
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lower alkyl
formula
acid
sulfuric acid
reaction
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JP2161296A
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English (en)
Inventor
Shinji Yoshinaka
吉中 信二
Kazuhiko Fujikawa
富士川 一彦
Minoru Furuguchi
古口 実
Kiyoshi Katsuura
喜代志 勝浦
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Nippon Soda Co Ltd
Original Assignee
Nippon Soda Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、感熱記録紙、感圧複写紙等の発色性記録材料
における発色性染料として有用なフルオラン化合物の製
造方法に関する。
〔従来の技術〕
発色性配録材料に使用されるフルオラン化合物としては
、2−アニリノ−3−メチル−6−ジニチルアミノフル
オラン等が知られており、該化合物は2−(4−ジエチ
ルアミン−2−ヒドロキンベンゾイル)安息香酸と4−
メトキシ−2−メチルジフェニルアミンとを濃硫酸中で
反応させて製造される。他の公知のフルオラン化合物も
同様に製造されることが知られている。また、本発明方
法の目的化合物であるフェニルアミノフェニルアミノ基
等を有するフルオラン化合物類も、同様の方法で製造で
きることか知られてt)る(特開昭57−169484
、特開昭63−37158号)。
〔発明か解決しようとする課題〕
公知の方法で本発明方法の目的化合物である式IIIで
表される化合物を製造する場合は1.他の公知フルオラ
ン化合物の場合と異なり副反応か起こり易く、反応液か
ら目的化合物を単離する工程番こおいて多量のタール状
物質か生成し、作業性か非常に損なわれる。また、他の
フルオラン化合物番こ比べると反応収率も低い。
本発明の目的は、式IIIで表されるフルオラン化合物
の製造方法を改良し、工業的に優れた方法を提供するに
ある。
〔課題を解決するための手段〕
本発明者らは、式■で表される化合物と式IIで表され
る化合物とを濃硫酸中で反応させて、式IIIで表され
るフルオランを製造する方法の改良について種々検討し
た結果、リン酸を添加して該反応を行うことにより、副
反応によるタール状物質の生成が抑制され収率も向上す
ることを見出し、本発明を完成するに至った。
即ち、本発明は、式Iて表される安息香酸誘導体と式I
Iで表されるフェノール誘導体とを濃硫酸中で反応させ
て式IIIで表されるフルオラン化合物を製造する方法
において、該反応をリン酸の存在下において行うことを
特徴とするフルオラン化合物の製造方法である。
(式中、Rは水素原子又は低級アルキル基を、Xは同−
又は相異なり、低級アルキル基又はlXロケン原子を、
mはl又は2を、Arは同−又は相異なり、置換基を有
していてもよいフェニレン基もしくはナフチレン基を、
R’及びR2は水素原子又は低級アルキル基を、Yは水
素原子又は式N  CR”)R’で表される置換アミノ
基を、R3は水素原子又は低級アルキル基を、R4は低
級アルキル基又は置換基を有していてもよいフェニル基
もしくはナフチル基を示す。) 式■又は式■の化合物において、Ar又はR4で表され
るベンゼン環又はナフタレン環の有する置換基としては
、低級アルキル基、/10ゲン原子等か挙げられる。
本発明方法は、1硫酸中で安息香酸誘導体とフェノール
誘導体とを反応させる従来方法に準し、該濃硫酸中にリ
ン酸を存在させることにより実施することができる。即
ち、リン酸を含有する90〜lOO%濃硫酸中において
、0〜50℃の温度で3〜50時間反応させ、得られた
縮合物を常法により閉環反応させて目的のフルオラン化
合物を得ることができる。
濃硫酸に添加するリン酸としては、オルトリン酸、メタ
リン酸及びポリリン酸類等のリン酸と総称されるものか
挙げられる。また、これらの塩類あるいは無水リン酸を
使用することもできる。好ましくは、オルトリン酸か使
用され、工業的には、通常、リン酸水溶液か使用される
か、この場合、更に無水リン酸を添加してもよい。
リン酸の量は、硫酸の0.5〜25重量%である。リン
酸量の上限は臨界的ではないか、余り多量であると実質
的硫酸1度か低くなり収率を低下させることになり好ま
しくない。
リン酸を添加しない従来法では、縮合反応中に多量の副
生物が生成して収率低下の原因となる。
また、後処理の際に、多量のタール状物質か析出して後
処理操作か極めて煩雑なものとなる。リン酸の作用は明
確ではないか、原料物質である式IIで表されるフェノ
ール誘導体か濃硫酸によりスルホン化され易い化合物で
あり、タール状物質の生成はこの副反応に起因するもの
と考えられ、リン酸の存在下に反応を行うと、この副反
応か抑制されるものと考えられる。
本発明方法においては、上記の如く副反応か抑制される
ので、反応時間を短縮するために縮合反応の反応温度を
高めに設定しても、タール状物質の生成が少なく、高収
率で目的物を得ることかできる。
縮合反応後の閉環反応及び後処理は、常法に従い実施す
ればよい。例えば、縮合反応液を氷水中に分散して縮合
物を析出させるか、あるいは縮合反応液をアルカリ水溶
液中に分散して、中和と同時に縮合物を析出させ、濾別
した縮合物を水酸化ナトリウム水溶液とトルエン等の有
機溶媒との混合液に加え、加熱処理して閉環反応させる
。次いで、有機溶媒溶液を濃縮する等の方法により、目
的物を得ることかできる。更に、要すれば再結晶等の方
法により精製してもよい。
以下に、実施例を挙げ本発明を更に詳細に説明する。
実施例 1 95%硫酸98gと85%リン酸水溶液9.8gとの混
合液を5℃に冷却した中に、2−(5クロル−2−ヒド
ロキシ−4−メチルベンゾイル)安息香酸14. 5 
g(0,05モル)を溶解した。
次に、10°C以下でN−f4−[(3−メトキシフェ
ニル)アミノコフェニルl−N’ −フェニル−1,4
−フェニレンジアミン19.  Og(0,05モル)
を添加した後昇温し、20〜25℃で8時間反応させた
。反応終了後、反応液を2〇九苛性ソーダ400d中に
分散し、モノクロルベンゼン300−を加え1時間還流
させた。次いで、分液した有機層に15%苛性ソーダ水
溶液100−を仕込み、1時間加熱還流させた後、熱水
100dを加え不溶解物を溶解させた。分液後、有機層
を熱水200−で洗浄した後、熱濾過した。濾液を減圧
濃縮乾固した後、メタノール40rR1を加えて結晶を
析出させた。濾別した結晶を少量のメタノールで洗浄し
乾燥して、融点198.4〜2004℃の3− C4−
(4−フェニルアミノフェニル)アミノフェニルコアミ
ノ−6−メチル−7クロルフルオランの結晶26. 8
 g (86,2%)を得た。
実施例 2 95%硫酸98gと85%リン酸水溶液45gとの混合
液を5℃に冷却した中に、2−(5クロル−2−ヒドロ
キシ−4−メチルベンゾイル)安息香酸14. 5 g
< 0.05モル)を溶解した。
次に、10℃以下で、N−フェニル−N(3−ヒドロキ
シフェニル)−1,4−フェニレンジアミン13. 8
 g(0,05モル)を添加した後昇温し、20〜25
℃で8時間攪拌反2させた。
反応終了後、反応液を氷水500−中に攪拌分散し、析
出した結晶を20%苛性ソーダ水溶液100−とモノク
ロルベンゼン200dとの混合液中に仕込み、2時間還
流させた。次いで、分液した有機層を熱水200−で洗
浄したのち、熱濾過した。濾液を減圧濃縮乾固した後、
トルエン40++/を加えて結晶を析出させ、少量のト
ルエンで洗浄して乾燥し、融点221.0〜224.0
”Cの3−(4−フェニルアミノフェニル)アミノ−6
メチルー7−クロルフルオランの結晶15.2g(57
,4%)を得た。
実施例 3 95%硫酸98gと85%リン酸水溶液9.8gとの混
合液を5℃に冷却した中に、2− (2−ヒドロキシ−
5−メチルベンゾイル)安息香酸12.8g(0,05
モル)を溶解した。 次に、1゜℃以下で、N’ −+
4− ((3−メトキンフェニル)アミノ〕フェニルl
−N、N−ジメチル−114−フェニレンジアミン16
. 7 g(0,05モル)を添加した後、実施例2と
同様に反応させ、融点199.0〜2020℃の3− 
[4−(4−NN−ジメチルアミノフェニル)アミノフ
ェニル〕アミノ−7−メチル−フルオランの結晶21.
0g(78,1%)を得た。
比較例 l 実施例1と同じ反応を、リン酸を添加せずに実施し、融
点198.4〜200.4℃の3−〔4−(4−7エニ
ルアミノフエニル)アミノフェニルコアミノ−6−メチ
ル−7−クロルフルオランの結晶22. 0 g(70
,7%) を得た。
この方法においては、硫酸中での縮合反応後、反応液を
苛性ソーダ水溶液と有機溶剤との混合液中で加熱した際
、容器壁に多量のタール状物質が付着していた。
比較例 2 実施例2と同じ反応を、リン酸を添加せずに実施し、融
点221 O〜224.0℃の3−(4−フェニルアミ
ノフェニル)アミノル6−メチルフータロルフルオラン
の結晶14.0g(528%)を得た。
この方法においては、硫酸中での縮合反応後、反応液を
苛性ソーダ水溶液と有機溶剤との混合液中で加熱した際
、容器壁に多量のタール状物質か付着していた。
比較例 3 実施例3と同し反応を、リン酸を添加せずに実施し、融
点199.0〜2000℃の3〜〔4(4−N、N−ジ
メチルアミノフェニル)アミノフェニル〕アミノ〜7−
メチル−フルオランの結晶18.7g (69,5%)
を得た。
この方法においては、硫酸中での縮合反応後、反応液を
苛性ソーダ水溶液と有機溶剤との混合液中で加熱した際
、容器壁に多量のタール状物質か付着していた。
〔発明の効果〕
本発明の方法は、従来方法の欠点であった、後処理時に
多量のタール状物質か副生ずるという問題点及び収率の
改善された、工業的に優れたフルオラン化合物の製造方
法である。
出願人 (430)日本曹達株式会社 代理人 (7125)構出 吉美 (9648)東海 裕作

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)式 I で表される安息香酸誘導体と式IIで表され
    るフェノール誘導体とを濃硫酸中で反応させて式IIIで
    表されるフルオラン化合物を製造する方法において、該
    反応をリン酸の存在下において行うことを特徴とするフ
    ルオラン化合物の製造方法。 ▲数式、化学式、表等があります▼( I )▲数式、化
    学式、表等があります▼(II) ▲数式、化学式、表等があります▼(III) (式中、Rは水素原子又は低級アルキル基を、Xは同一
    又は相異なり、低級アルキル基又はハロゲン原子を、m
    は1又は2を、Arは同一又は相異なり、置換基を有し
    ていてもよいフェニレン基もしくはナフチレン基を、R
    ^1及びR^2は水素原子又は低級アルキル基を、Yは
    水素原子又は式−N(R^3)R^4で表される置換ア
    ミノ基を、R^3は水素原子又は低級アルキル基を、R
    ^4は低級アルキル基又は置換基を有していてもよいフ
    ェニル基もしくはナフチル基を示す。)
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2283562A (en) * 1993-04-22 1995-05-10 Nippon Oxygen Co Ltd Method of and apparatus for manufacturing various kinds of gases to be supplied to semiconductor manufacturing factories

Cited By (2)

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GB2283562B (en) * 1993-04-22 1996-10-30 Nippon Oxygen Co Ltd Method of and apparatus for manufacturing various kinds of gases to be supplied to semiconductor manufacturing factories

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