JPH0454187A - フルオラン化合物の製造方法 - Google Patents
フルオラン化合物の製造方法Info
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- JPH0454187A JPH0454187A JP2161296A JP16129690A JPH0454187A JP H0454187 A JPH0454187 A JP H0454187A JP 2161296 A JP2161296 A JP 2161296A JP 16129690 A JP16129690 A JP 16129690A JP H0454187 A JPH0454187 A JP H0454187A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、感熱記録紙、感圧複写紙等の発色性記録材料
における発色性染料として有用なフルオラン化合物の製
造方法に関する。
における発色性染料として有用なフルオラン化合物の製
造方法に関する。
発色性配録材料に使用されるフルオラン化合物としては
、2−アニリノ−3−メチル−6−ジニチルアミノフル
オラン等が知られており、該化合物は2−(4−ジエチ
ルアミン−2−ヒドロキンベンゾイル)安息香酸と4−
メトキシ−2−メチルジフェニルアミンとを濃硫酸中で
反応させて製造される。他の公知のフルオラン化合物も
同様に製造されることが知られている。また、本発明方
法の目的化合物であるフェニルアミノフェニルアミノ基
等を有するフルオラン化合物類も、同様の方法で製造で
きることか知られてt)る(特開昭57−169484
、特開昭63−37158号)。
、2−アニリノ−3−メチル−6−ジニチルアミノフル
オラン等が知られており、該化合物は2−(4−ジエチ
ルアミン−2−ヒドロキンベンゾイル)安息香酸と4−
メトキシ−2−メチルジフェニルアミンとを濃硫酸中で
反応させて製造される。他の公知のフルオラン化合物も
同様に製造されることが知られている。また、本発明方
法の目的化合物であるフェニルアミノフェニルアミノ基
等を有するフルオラン化合物類も、同様の方法で製造で
きることか知られてt)る(特開昭57−169484
、特開昭63−37158号)。
公知の方法で本発明方法の目的化合物である式IIIで
表される化合物を製造する場合は1.他の公知フルオラ
ン化合物の場合と異なり副反応か起こり易く、反応液か
ら目的化合物を単離する工程番こおいて多量のタール状
物質か生成し、作業性か非常に損なわれる。また、他の
フルオラン化合物番こ比べると反応収率も低い。
表される化合物を製造する場合は1.他の公知フルオラ
ン化合物の場合と異なり副反応か起こり易く、反応液か
ら目的化合物を単離する工程番こおいて多量のタール状
物質か生成し、作業性か非常に損なわれる。また、他の
フルオラン化合物番こ比べると反応収率も低い。
本発明の目的は、式IIIで表されるフルオラン化合物
の製造方法を改良し、工業的に優れた方法を提供するに
ある。
の製造方法を改良し、工業的に優れた方法を提供するに
ある。
本発明者らは、式■で表される化合物と式IIで表され
る化合物とを濃硫酸中で反応させて、式IIIで表され
るフルオランを製造する方法の改良について種々検討し
た結果、リン酸を添加して該反応を行うことにより、副
反応によるタール状物質の生成が抑制され収率も向上す
ることを見出し、本発明を完成するに至った。
る化合物とを濃硫酸中で反応させて、式IIIで表され
るフルオランを製造する方法の改良について種々検討し
た結果、リン酸を添加して該反応を行うことにより、副
反応によるタール状物質の生成が抑制され収率も向上す
ることを見出し、本発明を完成するに至った。
即ち、本発明は、式Iて表される安息香酸誘導体と式I
Iで表されるフェノール誘導体とを濃硫酸中で反応させ
て式IIIで表されるフルオラン化合物を製造する方法
において、該反応をリン酸の存在下において行うことを
特徴とするフルオラン化合物の製造方法である。
Iで表されるフェノール誘導体とを濃硫酸中で反応させ
て式IIIで表されるフルオラン化合物を製造する方法
において、該反応をリン酸の存在下において行うことを
特徴とするフルオラン化合物の製造方法である。
(式中、Rは水素原子又は低級アルキル基を、Xは同−
又は相異なり、低級アルキル基又はlXロケン原子を、
mはl又は2を、Arは同−又は相異なり、置換基を有
していてもよいフェニレン基もしくはナフチレン基を、
R’及びR2は水素原子又は低級アルキル基を、Yは水
素原子又は式N CR”)R’で表される置換アミノ
基を、R3は水素原子又は低級アルキル基を、R4は低
級アルキル基又は置換基を有していてもよいフェニル基
もしくはナフチル基を示す。) 式■又は式■の化合物において、Ar又はR4で表され
るベンゼン環又はナフタレン環の有する置換基としては
、低級アルキル基、/10ゲン原子等か挙げられる。
又は相異なり、低級アルキル基又はlXロケン原子を、
mはl又は2を、Arは同−又は相異なり、置換基を有
していてもよいフェニレン基もしくはナフチレン基を、
R’及びR2は水素原子又は低級アルキル基を、Yは水
素原子又は式N CR”)R’で表される置換アミノ
基を、R3は水素原子又は低級アルキル基を、R4は低
級アルキル基又は置換基を有していてもよいフェニル基
もしくはナフチル基を示す。) 式■又は式■の化合物において、Ar又はR4で表され
るベンゼン環又はナフタレン環の有する置換基としては
、低級アルキル基、/10ゲン原子等か挙げられる。
本発明方法は、1硫酸中で安息香酸誘導体とフェノール
誘導体とを反応させる従来方法に準し、該濃硫酸中にリ
ン酸を存在させることにより実施することができる。即
ち、リン酸を含有する90〜lOO%濃硫酸中において
、0〜50℃の温度で3〜50時間反応させ、得られた
縮合物を常法により閉環反応させて目的のフルオラン化
合物を得ることができる。
誘導体とを反応させる従来方法に準し、該濃硫酸中にリ
ン酸を存在させることにより実施することができる。即
ち、リン酸を含有する90〜lOO%濃硫酸中において
、0〜50℃の温度で3〜50時間反応させ、得られた
縮合物を常法により閉環反応させて目的のフルオラン化
合物を得ることができる。
濃硫酸に添加するリン酸としては、オルトリン酸、メタ
リン酸及びポリリン酸類等のリン酸と総称されるものか
挙げられる。また、これらの塩類あるいは無水リン酸を
使用することもできる。好ましくは、オルトリン酸か使
用され、工業的には、通常、リン酸水溶液か使用される
か、この場合、更に無水リン酸を添加してもよい。
リン酸及びポリリン酸類等のリン酸と総称されるものか
挙げられる。また、これらの塩類あるいは無水リン酸を
使用することもできる。好ましくは、オルトリン酸か使
用され、工業的には、通常、リン酸水溶液か使用される
か、この場合、更に無水リン酸を添加してもよい。
リン酸の量は、硫酸の0.5〜25重量%である。リン
酸量の上限は臨界的ではないか、余り多量であると実質
的硫酸1度か低くなり収率を低下させることになり好ま
しくない。
酸量の上限は臨界的ではないか、余り多量であると実質
的硫酸1度か低くなり収率を低下させることになり好ま
しくない。
リン酸を添加しない従来法では、縮合反応中に多量の副
生物が生成して収率低下の原因となる。
生物が生成して収率低下の原因となる。
また、後処理の際に、多量のタール状物質か析出して後
処理操作か極めて煩雑なものとなる。リン酸の作用は明
確ではないか、原料物質である式IIで表されるフェノ
ール誘導体か濃硫酸によりスルホン化され易い化合物で
あり、タール状物質の生成はこの副反応に起因するもの
と考えられ、リン酸の存在下に反応を行うと、この副反
応か抑制されるものと考えられる。
処理操作か極めて煩雑なものとなる。リン酸の作用は明
確ではないか、原料物質である式IIで表されるフェノ
ール誘導体か濃硫酸によりスルホン化され易い化合物で
あり、タール状物質の生成はこの副反応に起因するもの
と考えられ、リン酸の存在下に反応を行うと、この副反
応か抑制されるものと考えられる。
本発明方法においては、上記の如く副反応か抑制される
ので、反応時間を短縮するために縮合反応の反応温度を
高めに設定しても、タール状物質の生成が少なく、高収
率で目的物を得ることかできる。
ので、反応時間を短縮するために縮合反応の反応温度を
高めに設定しても、タール状物質の生成が少なく、高収
率で目的物を得ることかできる。
縮合反応後の閉環反応及び後処理は、常法に従い実施す
ればよい。例えば、縮合反応液を氷水中に分散して縮合
物を析出させるか、あるいは縮合反応液をアルカリ水溶
液中に分散して、中和と同時に縮合物を析出させ、濾別
した縮合物を水酸化ナトリウム水溶液とトルエン等の有
機溶媒との混合液に加え、加熱処理して閉環反応させる
。次いで、有機溶媒溶液を濃縮する等の方法により、目
的物を得ることかできる。更に、要すれば再結晶等の方
法により精製してもよい。
ればよい。例えば、縮合反応液を氷水中に分散して縮合
物を析出させるか、あるいは縮合反応液をアルカリ水溶
液中に分散して、中和と同時に縮合物を析出させ、濾別
した縮合物を水酸化ナトリウム水溶液とトルエン等の有
機溶媒との混合液に加え、加熱処理して閉環反応させる
。次いで、有機溶媒溶液を濃縮する等の方法により、目
的物を得ることかできる。更に、要すれば再結晶等の方
法により精製してもよい。
以下に、実施例を挙げ本発明を更に詳細に説明する。
実施例 1
95%硫酸98gと85%リン酸水溶液9.8gとの混
合液を5℃に冷却した中に、2−(5クロル−2−ヒド
ロキシ−4−メチルベンゾイル)安息香酸14. 5
g(0,05モル)を溶解した。
合液を5℃に冷却した中に、2−(5クロル−2−ヒド
ロキシ−4−メチルベンゾイル)安息香酸14. 5
g(0,05モル)を溶解した。
次に、10°C以下でN−f4−[(3−メトキシフェ
ニル)アミノコフェニルl−N’ −フェニル−1,4
−フェニレンジアミン19. Og(0,05モル)
を添加した後昇温し、20〜25℃で8時間反応させた
。反応終了後、反応液を2〇九苛性ソーダ400d中に
分散し、モノクロルベンゼン300−を加え1時間還流
させた。次いで、分液した有機層に15%苛性ソーダ水
溶液100−を仕込み、1時間加熱還流させた後、熱水
100dを加え不溶解物を溶解させた。分液後、有機層
を熱水200−で洗浄した後、熱濾過した。濾液を減圧
濃縮乾固した後、メタノール40rR1を加えて結晶を
析出させた。濾別した結晶を少量のメタノールで洗浄し
乾燥して、融点198.4〜2004℃の3− C4−
(4−フェニルアミノフェニル)アミノフェニルコアミ
ノ−6−メチル−7クロルフルオランの結晶26. 8
g (86,2%)を得た。
ニル)アミノコフェニルl−N’ −フェニル−1,4
−フェニレンジアミン19. Og(0,05モル)
を添加した後昇温し、20〜25℃で8時間反応させた
。反応終了後、反応液を2〇九苛性ソーダ400d中に
分散し、モノクロルベンゼン300−を加え1時間還流
させた。次いで、分液した有機層に15%苛性ソーダ水
溶液100−を仕込み、1時間加熱還流させた後、熱水
100dを加え不溶解物を溶解させた。分液後、有機層
を熱水200−で洗浄した後、熱濾過した。濾液を減圧
濃縮乾固した後、メタノール40rR1を加えて結晶を
析出させた。濾別した結晶を少量のメタノールで洗浄し
乾燥して、融点198.4〜2004℃の3− C4−
(4−フェニルアミノフェニル)アミノフェニルコアミ
ノ−6−メチル−7クロルフルオランの結晶26. 8
g (86,2%)を得た。
実施例 2
95%硫酸98gと85%リン酸水溶液45gとの混合
液を5℃に冷却した中に、2−(5クロル−2−ヒドロ
キシ−4−メチルベンゾイル)安息香酸14. 5 g
< 0.05モル)を溶解した。
液を5℃に冷却した中に、2−(5クロル−2−ヒドロ
キシ−4−メチルベンゾイル)安息香酸14. 5 g
< 0.05モル)を溶解した。
次に、10℃以下で、N−フェニル−N(3−ヒドロキ
シフェニル)−1,4−フェニレンジアミン13. 8
g(0,05モル)を添加した後昇温し、20〜25
℃で8時間攪拌反2させた。
シフェニル)−1,4−フェニレンジアミン13. 8
g(0,05モル)を添加した後昇温し、20〜25
℃で8時間攪拌反2させた。
反応終了後、反応液を氷水500−中に攪拌分散し、析
出した結晶を20%苛性ソーダ水溶液100−とモノク
ロルベンゼン200dとの混合液中に仕込み、2時間還
流させた。次いで、分液した有機層を熱水200−で洗
浄したのち、熱濾過した。濾液を減圧濃縮乾固した後、
トルエン40++/を加えて結晶を析出させ、少量のト
ルエンで洗浄して乾燥し、融点221.0〜224.0
”Cの3−(4−フェニルアミノフェニル)アミノ−6
メチルー7−クロルフルオランの結晶15.2g(57
,4%)を得た。
出した結晶を20%苛性ソーダ水溶液100−とモノク
ロルベンゼン200dとの混合液中に仕込み、2時間還
流させた。次いで、分液した有機層を熱水200−で洗
浄したのち、熱濾過した。濾液を減圧濃縮乾固した後、
トルエン40++/を加えて結晶を析出させ、少量のト
ルエンで洗浄して乾燥し、融点221.0〜224.0
”Cの3−(4−フェニルアミノフェニル)アミノ−6
メチルー7−クロルフルオランの結晶15.2g(57
,4%)を得た。
実施例 3
95%硫酸98gと85%リン酸水溶液9.8gとの混
合液を5℃に冷却した中に、2− (2−ヒドロキシ−
5−メチルベンゾイル)安息香酸12.8g(0,05
モル)を溶解した。 次に、1゜℃以下で、N’ −+
4− ((3−メトキンフェニル)アミノ〕フェニルl
−N、N−ジメチル−114−フェニレンジアミン16
. 7 g(0,05モル)を添加した後、実施例2と
同様に反応させ、融点199.0〜2020℃の3−
[4−(4−NN−ジメチルアミノフェニル)アミノフ
ェニル〕アミノ−7−メチル−フルオランの結晶21.
0g(78,1%)を得た。
合液を5℃に冷却した中に、2− (2−ヒドロキシ−
5−メチルベンゾイル)安息香酸12.8g(0,05
モル)を溶解した。 次に、1゜℃以下で、N’ −+
4− ((3−メトキンフェニル)アミノ〕フェニルl
−N、N−ジメチル−114−フェニレンジアミン16
. 7 g(0,05モル)を添加した後、実施例2と
同様に反応させ、融点199.0〜2020℃の3−
[4−(4−NN−ジメチルアミノフェニル)アミノフ
ェニル〕アミノ−7−メチル−フルオランの結晶21.
0g(78,1%)を得た。
比較例 l
実施例1と同じ反応を、リン酸を添加せずに実施し、融
点198.4〜200.4℃の3−〔4−(4−7エニ
ルアミノフエニル)アミノフェニルコアミノ−6−メチ
ル−7−クロルフルオランの結晶22. 0 g(70
,7%) を得た。
点198.4〜200.4℃の3−〔4−(4−7エニ
ルアミノフエニル)アミノフェニルコアミノ−6−メチ
ル−7−クロルフルオランの結晶22. 0 g(70
,7%) を得た。
この方法においては、硫酸中での縮合反応後、反応液を
苛性ソーダ水溶液と有機溶剤との混合液中で加熱した際
、容器壁に多量のタール状物質が付着していた。
苛性ソーダ水溶液と有機溶剤との混合液中で加熱した際
、容器壁に多量のタール状物質が付着していた。
比較例 2
実施例2と同じ反応を、リン酸を添加せずに実施し、融
点221 O〜224.0℃の3−(4−フェニルアミ
ノフェニル)アミノル6−メチルフータロルフルオラン
の結晶14.0g(528%)を得た。
点221 O〜224.0℃の3−(4−フェニルアミ
ノフェニル)アミノル6−メチルフータロルフルオラン
の結晶14.0g(528%)を得た。
この方法においては、硫酸中での縮合反応後、反応液を
苛性ソーダ水溶液と有機溶剤との混合液中で加熱した際
、容器壁に多量のタール状物質か付着していた。
苛性ソーダ水溶液と有機溶剤との混合液中で加熱した際
、容器壁に多量のタール状物質か付着していた。
比較例 3
実施例3と同し反応を、リン酸を添加せずに実施し、融
点199.0〜2000℃の3〜〔4(4−N、N−ジ
メチルアミノフェニル)アミノフェニル〕アミノ〜7−
メチル−フルオランの結晶18.7g (69,5%)
を得た。
点199.0〜2000℃の3〜〔4(4−N、N−ジ
メチルアミノフェニル)アミノフェニル〕アミノ〜7−
メチル−フルオランの結晶18.7g (69,5%)
を得た。
この方法においては、硫酸中での縮合反応後、反応液を
苛性ソーダ水溶液と有機溶剤との混合液中で加熱した際
、容器壁に多量のタール状物質か付着していた。
苛性ソーダ水溶液と有機溶剤との混合液中で加熱した際
、容器壁に多量のタール状物質か付着していた。
本発明の方法は、従来方法の欠点であった、後処理時に
多量のタール状物質か副生ずるという問題点及び収率の
改善された、工業的に優れたフルオラン化合物の製造方
法である。
多量のタール状物質か副生ずるという問題点及び収率の
改善された、工業的に優れたフルオラン化合物の製造方
法である。
出願人 (430)日本曹達株式会社
代理人 (7125)構出 吉美
(9648)東海 裕作
Claims (1)
- (1)式 I で表される安息香酸誘導体と式IIで表され
るフェノール誘導体とを濃硫酸中で反応させて式IIIで
表されるフルオラン化合物を製造する方法において、該
反応をリン酸の存在下において行うことを特徴とするフ
ルオラン化合物の製造方法。 ▲数式、化学式、表等があります▼( I )▲数式、化
学式、表等があります▼(II) ▲数式、化学式、表等があります▼(III) (式中、Rは水素原子又は低級アルキル基を、Xは同一
又は相異なり、低級アルキル基又はハロゲン原子を、m
は1又は2を、Arは同一又は相異なり、置換基を有し
ていてもよいフェニレン基もしくはナフチレン基を、R
^1及びR^2は水素原子又は低級アルキル基を、Yは
水素原子又は式−N(R^3)R^4で表される置換ア
ミノ基を、R^3は水素原子又は低級アルキル基を、R
^4は低級アルキル基又は置換基を有していてもよいフ
ェニル基もしくはナフチル基を示す。)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2161296A JPH0454187A (ja) | 1990-06-21 | 1990-06-21 | フルオラン化合物の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2161296A JPH0454187A (ja) | 1990-06-21 | 1990-06-21 | フルオラン化合物の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0454187A true JPH0454187A (ja) | 1992-02-21 |
Family
ID=15732414
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2161296A Pending JPH0454187A (ja) | 1990-06-21 | 1990-06-21 | フルオラン化合物の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0454187A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2283562A (en) * | 1993-04-22 | 1995-05-10 | Nippon Oxygen Co Ltd | Method of and apparatus for manufacturing various kinds of gases to be supplied to semiconductor manufacturing factories |
-
1990
- 1990-06-21 JP JP2161296A patent/JPH0454187A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2283562A (en) * | 1993-04-22 | 1995-05-10 | Nippon Oxygen Co Ltd | Method of and apparatus for manufacturing various kinds of gases to be supplied to semiconductor manufacturing factories |
| GB2283562B (en) * | 1993-04-22 | 1996-10-30 | Nippon Oxygen Co Ltd | Method of and apparatus for manufacturing various kinds of gases to be supplied to semiconductor manufacturing factories |
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