JPH0455131U - - Google Patents
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- JPH0455131U JPH0455131U JP9682190U JP9682190U JPH0455131U JP H0455131 U JPH0455131 U JP H0455131U JP 9682190 U JP9682190 U JP 9682190U JP 9682190 U JP9682190 U JP 9682190U JP H0455131 U JPH0455131 U JP H0455131U
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- JP
- Japan
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- manifold
- taken out
- epitaxial growth
- growth apparatus
- melt
- Prior art date
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- Pending
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- 150000004678 hydrides Chemical class 0.000 claims description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims 1
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Description
第１図はこの考案の一実施例によるハイドライ
ドＶＰＥ装置の概略的な構成図、第２図は従来の
装置の概略的な構成図である。 図において、１は石英反応管、２は加熱用ヒー
ター、３はＩｎメルト、４はＧａメルト、５はＩ
ｎＰ基板結晶、６はＨＣｌガス導入口、７はＡｓ
Ｈ３，ＰＨ３ガス導入口、８はマニホールド、９
はゲートバルブ、１０は真空引装置である。なお
、図中、同一符号は同一、または相当部分を示す
。
ドＶＰＥ装置の概略的な構成図、第２図は従来の
装置の概略的な構成図である。 図において、１は石英反応管、２は加熱用ヒー
ター、３はＩｎメルト、４はＧａメルト、５はＩ
ｎＰ基板結晶、６はＨＣｌガス導入口、７はＡｓ
Ｈ３，ＰＨ３ガス導入口、８はマニホールド、９
はゲートバルブ、１０は真空引装置である。なお
、図中、同一符号は同一、または相当部分を示す
。
Claims (1)
- ＩｎＧａＡｓＰ四元化合物のエピタキシヤル成
長に用いられるハイドライド気相成長装置におい
て、反応管の一端にゲートバルブによつて仕切ら
れたマニホールドを設けメルトの追加または交換
を行う場合にマニホールドを使つて、メルトの入
つたボートを出し入れする様にしたことを特徴と
する半導体結晶成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9682190U JPH0455131U (ja) | 1990-09-13 | 1990-09-13 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9682190U JPH0455131U (ja) | 1990-09-13 | 1990-09-13 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0455131U true JPH0455131U (ja) | 1992-05-12 |
Family
ID=31836659
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9682190U Pending JPH0455131U (ja) | 1990-09-13 | 1990-09-13 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0455131U (ja) |
-
1990
- 1990-09-13 JP JP9682190U patent/JPH0455131U/ja active Pending
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