JPH0455556B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0455556B2 JPH0455556B2 JP61303527A JP30352786A JPH0455556B2 JP H0455556 B2 JPH0455556 B2 JP H0455556B2 JP 61303527 A JP61303527 A JP 61303527A JP 30352786 A JP30352786 A JP 30352786A JP H0455556 B2 JPH0455556 B2 JP H0455556B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- insulating layer
- circuit board
- opening
- multilayer wiring
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
本発明は多層配線回路基板に関する。
（従来の技術）
従来から絶縁基板上に、導体パターン層と絶縁
層とが所定の層数だけ積層された多層配線回路基
板を製造する方法として、例えば次のような方法
が知られている。すなわち第２図ａおよび第２図
ｂに示すように、まずセラミツクス基板等の絶縁
基板１上に、マスクによる選択蒸着あるいは全面
蒸着後の通常のフオトリソ工程により第１の導体
パターン層２ａが形成する。次にこの導体パター
ン層２ａ上に第１の絶縁層３ａを全面に被着形成
したのち、エツチングマスクを大きくするか、あ
るいはオーバーエツチングにより所望の導体間接
続部の断面積よりも大きい導体間接続用の開口部
４ａを形成する。続いて同様の方法により第２の
絶縁層３ｂを全面に被着形成し、所望の導体間接
続部（貫通孔）の断面積と等しい大きさの導体間
接続用の開口部４ｂを形成する。こののち第２の
導体パターン層２ｂをマスクによる選択蒸着ある
いは全面蒸着後の通常のフオトリソ工程により所
望のパターンに形成する。
層とが所定の層数だけ積層された多層配線回路基
板を製造する方法として、例えば次のような方法
が知られている。すなわち第２図ａおよび第２図
ｂに示すように、まずセラミツクス基板等の絶縁
基板１上に、マスクによる選択蒸着あるいは全面
蒸着後の通常のフオトリソ工程により第１の導体
パターン層２ａが形成する。次にこの導体パター
ン層２ａ上に第１の絶縁層３ａを全面に被着形成
したのち、エツチングマスクを大きくするか、あ
るいはオーバーエツチングにより所望の導体間接
続部の断面積よりも大きい導体間接続用の開口部
４ａを形成する。続いて同様の方法により第２の
絶縁層３ｂを全面に被着形成し、所望の導体間接
続部（貫通孔）の断面積と等しい大きさの導体間
接続用の開口部４ｂを形成する。こののち第２の
導体パターン層２ｂをマスクによる選択蒸着ある
いは全面蒸着後の通常のフオトリソ工程により所
望のパターンに形成する。
（発明が解決しようとする問題点）
しかしながらこのようにして得られた従来の多
層配線回路基板では、第１の絶縁層３ａおよび第
２の絶縁層３ｂの開口部を形成する際に、第２図
ｃに示すように開口部４ａ，４ｂの角部等で絶縁
層の膜残り５ａ，５ｂが生じる。この膜残りは絶
縁層の材料として感光性ポリイミドを使用した場
合に特に顕著である。このように実質的な貫通孔
となる第２の絶縁層の開口部４ｂに膜残り５ｂが
生じると第１の導体パターン層２ａと第２の導体
パターン層２ｂとの接続面積が減少し、接続不良
が生ずるという問題があつた。
層配線回路基板では、第１の絶縁層３ａおよび第
２の絶縁層３ｂの開口部を形成する際に、第２図
ｃに示すように開口部４ａ，４ｂの角部等で絶縁
層の膜残り５ａ，５ｂが生じる。この膜残りは絶
縁層の材料として感光性ポリイミドを使用した場
合に特に顕著である。このように実質的な貫通孔
となる第２の絶縁層の開口部４ｂに膜残り５ｂが
生じると第１の導体パターン層２ａと第２の導体
パターン層２ｂとの接続面積が減少し、接続不良
が生ずるという問題があつた。
本発明はこのような問題を解決するためになさ
れたもので、絶縁層開口部の膜残りによる接続不
良を少なくして歩留りを向上させた多層配線回路
基板を提供することを目的とする。
れたもので、絶縁層開口部の膜残りによる接続不
良を少なくして歩留りを向上させた多層配線回路
基板を提供することを目的とする。
［発明の構成］
（問題点を解決するための手段）
本発明の多層配線回路基板は、絶縁基板上に導
体パターン層が２層構造の絶縁層を介して所定の
層数だけ積層され、前記２層構造の絶縁層に上下
に隣接する導体パターン層を接続するための貫通
孔が形成された多層配線回路基板において、前記
貫通孔を構成する２層の絶縁層のそれぞれの開口
部を、平行な長辺を有する細長形状に形成し、か
つ互いに長手方向がほぼ直角に交差するように形
成したことを特徴としている。
体パターン層が２層構造の絶縁層を介して所定の
層数だけ積層され、前記２層構造の絶縁層に上下
に隣接する導体パターン層を接続するための貫通
孔が形成された多層配線回路基板において、前記
貫通孔を構成する２層の絶縁層のそれぞれの開口
部を、平行な長辺を有する細長形状に形成し、か
つ互いに長手方向がほぼ直角に交差するように形
成したことを特徴としている。
絶縁層の開口部の形状としては長方形が適して
いるが、俵型その他任意の互いに平行な２つの長
辺を有する形状とすることができる。また本発明
においては２層の絶縁層のうち外側の層は内側の
層より薄くすることが望ましい。
いるが、俵型その他任意の互いに平行な２つの長
辺を有する形状とすることができる。また本発明
においては２層の絶縁層のうち外側の層は内側の
層より薄くすることが望ましい。
（作用）
このように各絶縁層の開口部を互いに平行な２
つの長辺を有する細長形状にしてそれらがほぼ直
交するように形成することにより、それぞれの開
口部に膜残りが発生しても必要な大きさの導体間
接続用貫通孔は確保されるため、膜残りによる接
続不良がほとんど生じなくなる。
つの長辺を有する細長形状にしてそれらがほぼ直
交するように形成することにより、それぞれの開
口部に膜残りが発生しても必要な大きさの導体間
接続用貫通孔は確保されるため、膜残りによる接
続不良がほとんど生じなくなる。
さらに、本発明においては、第１の導体パター
ン層と第２の導体パターン層との接続部分のうち
下層の導体パターンと平行する辺の周囲は２層の
絶縁層のうち外側の層のみが介在することになる
ので、この外側の層を内側の層より薄くすること
により、第２の導体パターン層の段切れによる接
続不良を防止することができる。
ン層と第２の導体パターン層との接続部分のうち
下層の導体パターンと平行する辺の周囲は２層の
絶縁層のうち外側の層のみが介在することになる
ので、この外側の層を内側の層より薄くすること
により、第２の導体パターン層の段切れによる接
続不良を防止することができる。
（実施例）
次に本発明の実施例について図面を用いて説明
する。
する。
第１図ａは本発明の多層配線回路基板の平面
図、第１図ｂは第１図ａのＡ−A′線に沿つて切
断した断面図、第１図ｃは開口部の拡大図であ
る。図において符号１１はセラミツクス基板等の
絶縁基板、符号１２ａは絶縁基板１１上に形成さ
れた第１の導体パターン層で、さらにその上に感
光性ポリイミドからなる第１の絶縁層１３ａと第
２の絶縁層１３ｂおよび第２の導体パターン層１
２ｂが形成されている。各絶縁層には第１の導体
パターン層１２ａと第２の導体パターン層１２ｂ
とを接続するための導体間接続用の開口部１４
ａ，１４ｂが形成されている。これらの開口部は
第１図ｃに示すように、第１の絶縁層１３ａの開
口部１４ａは長辺が第１の導体パターン層１２ａ
の配線方向と直交する長方形になるよう形成され
ており、第２の絶縁層１３ｂの開口部１４ｂは長
辺が第１の絶縁層１３ａの開口部１４ａの長辺と
直交する長方形になるように形成されている。
図、第１図ｂは第１図ａのＡ−A′線に沿つて切
断した断面図、第１図ｃは開口部の拡大図であ
る。図において符号１１はセラミツクス基板等の
絶縁基板、符号１２ａは絶縁基板１１上に形成さ
れた第１の導体パターン層で、さらにその上に感
光性ポリイミドからなる第１の絶縁層１３ａと第
２の絶縁層１３ｂおよび第２の導体パターン層１
２ｂが形成されている。各絶縁層には第１の導体
パターン層１２ａと第２の導体パターン層１２ｂ
とを接続するための導体間接続用の開口部１４
ａ，１４ｂが形成されている。これらの開口部は
第１図ｃに示すように、第１の絶縁層１３ａの開
口部１４ａは長辺が第１の導体パターン層１２ａ
の配線方向と直交する長方形になるよう形成され
ており、第２の絶縁層１３ｂの開口部１４ｂは長
辺が第１の絶縁層１３ａの開口部１４ａの長辺と
直交する長方形になるように形成されている。
本発明の多層配線回路基板は例えば次のように
して製造される。
して製造される。
まず絶縁基板１１の全面にTiを真空蒸着し、
通常のフオトリソ工程により所望のパターンを有
する第１の導体パターン層１２ａを形成する。次
にその全面に感光性ポリイミドを厚く被着形成
し、フオトマクスを使用して露光現象工程により
所定の位置に開口部１４ａを設けて第１の絶縁層
１３ａを形成する。この際フオトマスクとして開
口部が長方形で、その長辺が第１の導体パターン
層１２ａの配線方向と直交するように、かつその
幅が第２の導体パターン層１２ｂの配線幅よりも
短いパターンの形成されたものを使用する。続い
て感光性ポリイミドを第１の絶縁層１３ａより薄
く全面に被着形成し、フオトマスクを使用して同
様に開口部１４ｂを設けて第２の絶縁層１３ｂを
形成する。この際フオトマスクとして開口部が長
方形で、その長辺が第１の絶縁層１３ａの開口部
１４ａの長辺と直交するように、かつその幅が第
１の導体パターン層１２ａの配線幅よりも短いパ
ターンの形成されたものを使用する。
通常のフオトリソ工程により所望のパターンを有
する第１の導体パターン層１２ａを形成する。次
にその全面に感光性ポリイミドを厚く被着形成
し、フオトマクスを使用して露光現象工程により
所定の位置に開口部１４ａを設けて第１の絶縁層
１３ａを形成する。この際フオトマスクとして開
口部が長方形で、その長辺が第１の導体パターン
層１２ａの配線方向と直交するように、かつその
幅が第２の導体パターン層１２ｂの配線幅よりも
短いパターンの形成されたものを使用する。続い
て感光性ポリイミドを第１の絶縁層１３ａより薄
く全面に被着形成し、フオトマスクを使用して同
様に開口部１４ｂを設けて第２の絶縁層１３ｂを
形成する。この際フオトマスクとして開口部が長
方形で、その長辺が第１の絶縁層１３ａの開口部
１４ａの長辺と直交するように、かつその幅が第
１の導体パターン層１２ａの配線幅よりも短いパ
ターンの形成されたものを使用する。
しかる後、第２の絶縁層１３ｂの全面にTiを
真空蒸着し、通常のフオトリソ工程により所望の
パターンで第２の導体パターン層１２ｂを形成す
る。
真空蒸着し、通常のフオトリソ工程により所望の
パターンで第２の導体パターン層１２ｂを形成す
る。
このようにして製造した多層配線回路基板で
は、各長方形状の開口部１４ａ，１４ｂがそれぞ
れ長辺を直交させて配置されているので、第１図
ｃに示すように、膜残り１５ａ，１５ｂが発生し
てもこの部分は２つの絶縁層１３ａ，１３ｂを貫
通する実質的な貫通孔から外れた位置となり、し
たがつて必要な大きさの導体接続部が得られるの
で膜残りによる接続不良が解消される。またこの
実施例では第１の導体パターン層１２ａと第２の
導体パターン層１２ｂとが交差する領域で第１の
導体パターン層１２ａと平行な開口部１４ｂの長
辺の周囲が薄い第２の絶縁層１３ｂを介している
ので、第２の導体パターン層１２ｂの段切れが防
止され、段切れによる接続不良が解消される。
は、各長方形状の開口部１４ａ，１４ｂがそれぞ
れ長辺を直交させて配置されているので、第１図
ｃに示すように、膜残り１５ａ，１５ｂが発生し
てもこの部分は２つの絶縁層１３ａ，１３ｂを貫
通する実質的な貫通孔から外れた位置となり、し
たがつて必要な大きさの導体接続部が得られるの
で膜残りによる接続不良が解消される。またこの
実施例では第１の導体パターン層１２ａと第２の
導体パターン層１２ｂとが交差する領域で第１の
導体パターン層１２ａと平行な開口部１４ｂの長
辺の周囲が薄い第２の絶縁層１３ｂを介している
ので、第２の導体パターン層１２ｂの段切れが防
止され、段切れによる接続不良が解消される。
なお上述の実施例では２層の導体パターン層を
有する多層配線回路基板の例について説明した
が、これより層数の多い多層配線基板にも同様に
適用可能である。また第１の導体パターン層、第
２の導体パターン層ともにTiを使用したが、Ti
以外の金属を使用してもよく、第１の導体パター
ン層と第２の導体パターン層とで異なる金属を使
用してもよい。さらに開口部の形状も長方形に限
らず俵型その他の平行する２つの長辺を有する他
の形状とすることも可能である。
有する多層配線回路基板の例について説明した
が、これより層数の多い多層配線基板にも同様に
適用可能である。また第１の導体パターン層、第
２の導体パターン層ともにTiを使用したが、Ti
以外の金属を使用してもよく、第１の導体パター
ン層と第２の導体パターン層とで異なる金属を使
用してもよい。さらに開口部の形状も長方形に限
らず俵型その他の平行する２つの長辺を有する他
の形状とすることも可能である。
以上説明したように、上記構成の多層配線回路
基板においては、導体パターン層間に介在し両導
体パターン層間を電気的に接続する導体が配設さ
れる２層構成の絶縁層の各開口部がそれぞれ直交
するように形成されるので、膜残りが発生しても
必要な大きさの開口部が得られ、膜残りによる接
続不良がなくなる。さらに、２層構成の絶縁層の
うち外側の層を内側より薄くすれば、第１の導体
パターン層と第２の導体パターン層との接続部分
において外側の絶縁層の開口部の長辺の周囲がよ
り薄くなるので段切れによる接続不良を防止する
ことができる。
基板においては、導体パターン層間に介在し両導
体パターン層間を電気的に接続する導体が配設さ
れる２層構成の絶縁層の各開口部がそれぞれ直交
するように形成されるので、膜残りが発生しても
必要な大きさの開口部が得られ、膜残りによる接
続不良がなくなる。さらに、２層構成の絶縁層の
うち外側の層を内側より薄くすれば、第１の導体
パターン層と第２の導体パターン層との接続部分
において外側の絶縁層の開口部の長辺の周囲がよ
り薄くなるので段切れによる接続不良を防止する
ことができる。
［発明の効果］
以上の説明からも明らかなように、本発明によ
れば、上下に隣接する導体パターン層を接続する
ために必要な大きさの貫通孔が得られ、膜残りに
よる接続不良がなくなり、歩留りが向上するとと
もに工程の管理が容易になる。
れば、上下に隣接する導体パターン層を接続する
ために必要な大きさの貫通孔が得られ、膜残りに
よる接続不良がなくなり、歩留りが向上するとと
もに工程の管理が容易になる。
第１図ａは本発明の多層配線回路基板の平面
図、第１図ｂは第１図ａのＡ−A′線に沿つて切
断した断面図、第１図ｃは本発明における開口部
の拡大図、第２図ａは従来の多層配線回路基板の
平面図、第２図ｂは第２図ａのＢ−B′線に沿つ
て切断した断面図、第２図ｃは従来の開口部の拡
大図である。 １，１１……絶縁基板、２ａ，１２ａ……第１
の導体パターン層、２ｂ，１２ｂ……第２の導体
パターン層、３ａ，１３ａ……第１の絶縁層、３
ｂ，１３ｂ……第２の絶縁層、４ａ，１４ａ……
第１の絶縁層に形成された開口部、４ｂ，１４ｂ
……第２の絶縁層に形成された開口部、５ａ，１
５ａ……第１の絶縁層における開口部の膜残り、
５ｂ，１５ｂ……第２の絶縁層における開口部の
膜残り。
図、第１図ｂは第１図ａのＡ−A′線に沿つて切
断した断面図、第１図ｃは本発明における開口部
の拡大図、第２図ａは従来の多層配線回路基板の
平面図、第２図ｂは第２図ａのＢ−B′線に沿つ
て切断した断面図、第２図ｃは従来の開口部の拡
大図である。 １，１１……絶縁基板、２ａ，１２ａ……第１
の導体パターン層、２ｂ，１２ｂ……第２の導体
パターン層、３ａ，１３ａ……第１の絶縁層、３
ｂ，１３ｂ……第２の絶縁層、４ａ，１４ａ……
第１の絶縁層に形成された開口部、４ｂ，１４ｂ
……第２の絶縁層に形成された開口部、５ａ，１
５ａ……第１の絶縁層における開口部の膜残り、
５ｂ，１５ｂ……第２の絶縁層における開口部の
膜残り。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 絶縁基板上に導体パターン層が２層構造の絶
縁層を介して所定の層数だけ積層され、前記２層
構造の絶縁層に上下に隣接する導体パターン層を
接続するための貫通孔が形成された多層配線回路
基板において、前記貫通孔を構成する２層の絶縁
層のそれぞれの開口部を、平行な長辺を有する細
長形状に形成し、かつ互いに長手方向がほぼ直角
に交差するように形成したことを特徴とする多層
配線回路基板。 ２ 開口部の形状が長方形であることを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載の多層配線回路基
板。 ３ 絶縁層の開口部をその長手方向がこの絶縁層
に接する導体パターン層の配線方向とほぼ直交す
るように形成し、かつこの開口部の長辺の間隔を
この絶縁層に接しない側の導体パターン層の配線
幅よりも短く形成したことを特徴とする特許請求
の範囲第１項または第２項記載の多層配線回路基
板。 ４ ２層の絶縁層のうち外側の層が内側の層より
薄く形成されていることを特徴とする特許請求の
範囲第１項ないし第３項のいずれか１項記載の多
層配線回路基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30352786A JPS63155691A (ja) | 1986-12-18 | 1986-12-18 | 多層配線回路基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30352786A JPS63155691A (ja) | 1986-12-18 | 1986-12-18 | 多層配線回路基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63155691A JPS63155691A (ja) | 1988-06-28 |
| JPH0455556B2 true JPH0455556B2 (ja) | 1992-09-03 |
Family
ID=17922060
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30352786A Granted JPS63155691A (ja) | 1986-12-18 | 1986-12-18 | 多層配線回路基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63155691A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0557278B1 (en) * | 1990-11-15 | 1994-12-07 | International Business Machines Corporation | A method of making a multilayer thin film structure |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6196796A (ja) * | 1984-10-17 | 1986-05-15 | 株式会社日立製作所 | 多層配線板 |
-
1986
- 1986-12-18 JP JP30352786A patent/JPS63155691A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63155691A (ja) | 1988-06-28 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |