JPH0458461B2 - - Google Patents
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- JPH0458461B2 JPH0458461B2 JP59185148A JP18514884A JPH0458461B2 JP H0458461 B2 JPH0458461 B2 JP H0458461B2 JP 59185148 A JP59185148 A JP 59185148A JP 18514884 A JP18514884 A JP 18514884A JP H0458461 B2 JPH0458461 B2 JP H0458461B2
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- Liquid Crystal Substances (AREA)
Description
〔発明の利用分野〕
本発明は新規な液晶物質に関し、更に詳しくは
光学活性基を有するカイラル液晶物質に関する。 〔発明の背景及び先行技術〕 現在、液晶表示素子としてはTN(ねじれネマ
チツク)型表示方式が最も広く用いられている
が、応答速度の点に於て発光型表示素子(エレク
トロルミネツセンス、プラズマデイスプレイ等)
と比較して劣つており、この点に於ける改善は
種々試みられているにも拘らず、大巾な改善の可
能性はあまり残つていない様である。そのため
TN型表示素子に代わる別の原理による液晶表示
装置が種々試みられているが、その一つに強誘電
性液晶を利用する表示方式がある(N.A.Clark
ら;Applied Phys.lett.、36、899(1980))。この
方式は強誘電性液晶のカイラルスメクチツクC相
(以下Sc*相と略称する)或はカイラルスメクチ
ツクH相(以下SH*相と略称する)を利用するも
ので、それらの相が室温付近にある物質がこの方
式に適したものとして望まれている。本発明者ら
は、既にこの様な目的に適した幾つかのカイラス
メクチツク化合物を見付け特願出願した(例えば
特願昭58−640号、特願昭58−78594号、特願昭58
−106100号、特願昭59−18086号など)。本発明者
らは、更にこの表示方式に適したより優れた化合
物を見出すことを目的として光学活性基を有する
液晶物を種々探索して本発明に到達した。 〔発明の構成〕 即ち、本発明は一般式 (但し、上式に於いてRは炭素数1〜18のアルキ
ル基を示し、R*は光学活性な炭素数4〜18のア
ルキル基を示し、Xは単結合、−O−、
光学活性基を有するカイラル液晶物質に関する。 〔発明の背景及び先行技術〕 現在、液晶表示素子としてはTN(ねじれネマ
チツク)型表示方式が最も広く用いられている
が、応答速度の点に於て発光型表示素子(エレク
トロルミネツセンス、プラズマデイスプレイ等)
と比較して劣つており、この点に於ける改善は
種々試みられているにも拘らず、大巾な改善の可
能性はあまり残つていない様である。そのため
TN型表示素子に代わる別の原理による液晶表示
装置が種々試みられているが、その一つに強誘電
性液晶を利用する表示方式がある(N.A.Clark
ら;Applied Phys.lett.、36、899(1980))。この
方式は強誘電性液晶のカイラルスメクチツクC相
(以下Sc*相と略称する)或はカイラルスメクチ
ツクH相(以下SH*相と略称する)を利用するも
ので、それらの相が室温付近にある物質がこの方
式に適したものとして望まれている。本発明者ら
は、既にこの様な目的に適した幾つかのカイラス
メクチツク化合物を見付け特願出願した(例えば
特願昭58−640号、特願昭58−78594号、特願昭58
−106100号、特願昭59−18086号など)。本発明者
らは、更にこの表示方式に適したより優れた化合
物を見出すことを目的として光学活性基を有する
液晶物を種々探索して本発明に到達した。 〔発明の構成〕 即ち、本発明は一般式 (但し、上式に於いてRは炭素数1〜18のアルキ
ル基を示し、R*は光学活性な炭素数4〜18のア
ルキル基を示し、Xは単結合、−O−、
【式】又は
【式】のいづ
れか一つを示し、m及びnはいずれも1又は2で
ある) で表わされる化合物である。 ()式の化合物のうち代表的なものの相転移
温度を表1に示す。
ある) で表わされる化合物である。 ()式の化合物のうち代表的なものの相転移
温度を表1に示す。
【表】
()式に於いてm=1でn=2の化合物は等
方性液体相より少し低い温度領域でコレステリツ
ク相(以下Ch相と略称)を呈し、大部分のもの
はこの相より低い温度領域でスメクチツクC*相
(以下Sc*相と略称)を示し、最も好ましいもの
である。又、()式に於いてm=1又は2でn
=1のものは殆んどが単独ではSc*相が観察され
ないが、スメクチツクA相(以下SA相と略称)
を呈するのでSA相の温度領域の下の温度で潜在
的にSc*相を有するものと推察される。従つて、
()式の化合物を1成分として混合させること
により、Sc*相のみを呈する組成物、SA相のみを
呈する組成物、Sc*、SA相の両方を呈する組成物
などのいろいろの液晶組成物を構成することが可
能となる。 ()式のR*は後に述べるように光学活性な
アルコールから誘導されるものであるが、現在工
業的に容易に入手し得る原料アルコールとして
は、光学活性な2−メチルブタノールが最も多
く、次いで光学活性の2−オクタノール、2−ペ
ンタノール、2−ブタノールなどがある。 従つて工業的に最も容易に利用し得るR*は2
−メチルブチル基であり次いで1−メチルヘプチ
ル基、1−メチルブチル基、1−メチルプロピル
基などである。 液晶組成物を構成する場合、()式の化合物
のみより構成とすることも可能であり、又()
式の化合物と他のスメクチツク液晶を混合して
Sc*相を呈する液晶組成物を構成することも可能
である。 Sc*相の光スイツチング効果を表示素子として
応用する場合、TN方式に比較して3つのすぐれ
た特徴がある。第1の特徴は非常に高速で応答
し、その応答時間は通常のTN表示方式の素子と
比較すると、応答時間は1/100以下である。第2
の特徴はメモリー効果があることであり、上記の
高速応答性とあいまつて、時分割駆動が容易であ
る。第3の特徴はTN表示方式で濃淡の階調をと
るには、印加電圧を調節して行なうが、しきい値
電圧の温度依存性や応答速度の電圧依存性などの
難問がある。しかしSc*相の光スイツチング効果
を応用する場合には極性の反転時間を調節するこ
とにより、容易に階調を得ることができ、グラフ
イツク表示に非常に適している。 表示方法としては、2つの方式が考えられ、1
つの方法は2枚の偏光子を使用する複届折型、他
の1つの方法は二色性色素を使用するゲストホス
ト型である。Sc*相は自発分極をもつため、印加
電圧の極性を反転することにより、らせん軸を回
転軸として分子が反転する。Sc*相を有する液晶
組成物を液晶分子が電極面に平行にならぶように
配向処理を施した液晶表示セルに注入し、液晶分
子のダイレクターと一方の偏光面を平行になるよ
うに配置した2枚の偏光子の間に該液晶セルをは
さみ、電圧を印加して、極性を反転することによ
り、明視野および暗視野(偏光子の対向角度によ
り決まる)が得られる。一方ゲスト・ホスト型で
動作する場合には、印加電圧の極性を反転するこ
とにより明視野及び着色視野(偏光板の配置によ
り決まる)を得ることができる。 一般にスメクチツク状態で液晶分子をガラス壁
面に平行に配向させることは難かしく、数十キロ
ガウス以上の磁場中で等方性液体から非常にゆつ
くりと冷却する(1℃〜2℃/hr)ことにより、
液晶分子を配向させているが、コレステリツク相
を有する液晶物質では磁場の代わりに50V〜
100Vの直流電圧を印加しながら1℃/minの冷
却速度で冷却することにより、容易に均一に配向
したモノドメイン状態を得ることができる。 尚、()式の化合物に対応するラセミ体は、
下記に示す光学活性体()の製法に於いて原料
として光学活性アルコール類の代りに相当するラ
セミ体アルコールを使用することによつて、同様
に製造されるものであるが、()とほぼ同じ相
転移点を示す。ラセミ体はSc*相の代りにSc相を
示し、光学活性体()に添加してカイラルスメ
クチツクのピツチの調整に使用できる。 ()の化合物は、又、光学活性炭素原子を有
するため、これをネマチツク液晶に添加すること
によつて捩れた構造を誘起する能力を有する。捩
れた構造を有するネマチツク液晶、即ちカイラル
ネマチツク液晶はTN型表示素子のいわゆるリバ
ース・ドメイン(reverse domain、しま模様)
を生成することがないので()式の化合物はリ
バース・ドメイン生成の防止剤として使用でき
る。 〔化合物の製法〕 次に一般式()の化合物の合成法について述
べる。()式の化合物は次の様な工程により製
造することができる。 (R、R*、X、m、nは前記と同じ、又Halは
ハロゲン原子を示す。以下同様) 即ち、()式で表わされるフエノール類に
()式で表わされるカルボン酸ハライドをピリ
ジンのような塩基性溶媒中で作用させることによ
り製造される。 フエノール類()はnの数により以下の2つ
のものに分けられる。 (()式に於いてn=1のもの) (()式に於いてn=2のもの) (a)の光学活性p−アルキルオキシカルボ
ニルオキシフエノールは次に示すような工程で最
も好適に製造される。 即ち、ハイドロキノンを光学活性のアルコール
より誘導されたクロルギ酸アルキルで、塩基性溶
媒中でモノエステル化することにより(a)が
得られる。 又(b)の光学活性4′−アルキルオキシカル
ボニルオキシ−4−ビフエノールは次に示される
ような工程で最も好適に製造される。 即ち、p、p′−ビフエノールを光学活性なアル
コールより誘導されたクロルギ酸アルキルで塩基
性溶媒中、モノ炭酸エステル化することにより
(b)が製造される。 また、他方の原料である、芳香族カルボン酸ハ
ライドとしてはm、Xによつて以下の様なものに
分けることが出来る。 (()式に於いてm=1、X=単結合のもの) (()式に於いてm=1、X=−O−のもの) (()式に於いてm=1、X=−COO−のも
の) (()式に於いてm=1、X=−OCO−のも
の) (()式に於いてm=1、X=−OCOO−のも
の) (()式に於いてm=2、X=単結合のもの) (()式に於いてm=2、X=−O−のもの) (()式に於いてm=2、X=−COO−のも
の) (()式に於いてm=2、X=−OCO−のも
の) (()式に於いてm=2、X=−OCOO−のも
の) 上記の化合物はいずれも公知であるが、その幾
つかの化合物の製法については実施例中に於て述
べる。 〔実施例〕 以下実施例により本発明の化合物について更に
詳細に説明する。 実施例 1 〔4′−(2−メチルブチルオキシカルボニルオ
キシ)−4−ビフエニル−4−オクチルオキシ
カルボニルオキシベンゾエート (()式に於いてR=C8H17、R*=2−メチ
ルブチル基、m=1、n=2、X=−OCOO−の
もの)の製造〕 () 4−ヒドロキシ−4′−(2−メチルブチルオ
キシカルボニルオキシ)ビフエニル(b)の
製造 市販のp、p′−ビフエノール37gをピリジン
50mlに溶解して氷冷した。これに市販の光学活
性なクロルギ酸2−メチルブチル(S−(−)−
2−メチルブタノールより誘導されたもの)15
gを適下した。これを60℃の水浴上で2時間加
熱した後トルエン300mlを加え分液ロートに移
し水洗した。6N塩酸で洗浄すると固体が析出
するのでこれを吸引過した。液は水洗し中
性とした。固体をトルエン200mlを用いて熱
過し、液と前の溶液を合わせて、濃縮した。 残つた固体は未反応原料のp、p′−ビフエノ
ールである。濃縮した溶液中には、モノ置換化
合物とジ置換化合物が混在するのでカラムクロ
マトグラフにかけ分離した。はじめの流出分を
濃縮し、エタノールを用いて再結晶すると、
4,4′−ビス(2−メチルブチルオキシカルボ
ニルオキシ)ビフエニル(mp.85.5〜86.2℃)
が4.6g得られた。2番目の流出分を濃縮し、
トルエンを用いて再結晶すると、4−ヒドロキ
シ−4′−(2−メチルブチルオキシカルボニル
オキシ)ビフエニル(mp.128.7〜130.2℃)が
11.1g得られた。 () p−オクチルオキシカルボニルオキシベン
ゾイルクロライドの製造 市販のp−ヒドロキシベンズアルデヒド50g
を、ピリジン400mlに溶解し、氷冷下、クロル
ギ酸オクチル85gを滴下し、次いで水浴上で加
熱して一夜放置した。これにトルエン300mlを
加え、更に6N塩酸を加えて分液し、更に2N水
酸化ナトリウム水溶液で洗浄、水洗し、乾燥し
た。 そのトルエンを留去して、p−オクチルオキ
シカルボニルオキシベンズアルデヒドの粗製物
75gを得た。 このものを酢酸100mlに溶解し、そこへ三酸
化クロム30g、水40mlおよび酢酸60mlの混合液
を滴下した。室温中で4時間撹拌ののち、氷に
あけて析出した固体を取し、それをエタノー
ル400mlに溶解し、更に活性炭を加え振とうし、
熱過した。これを氷冷し、結晶を取して、
更にエタノール300mlから再結して、p−オク
チルオキシカルボニルオキシ安息香酸41gを得
た。m.p.125.5℃。 このものの5gと塩化チオニル7gを60℃の
水浴上で加熱し、一夜放置したのち減圧下で過
剰の塩化チオニルを留去して、p−オクチルオ
キシカルボニルオキシベンゾイルクロライド5
gを得た。このものは精製することなく次の段
階で使用した。 () 標表題化合物の製造 ()で得た4−ヒドロキシ−4′−(2−メ
チルブチルオキシカルボニルオキシ)ビフエニ
ル0.30gをピリジン5mlに溶解し、そこへ、氷
冷下、()で得たp−オクチルオキシカルボ
ニルオキシベンゾイルクロライド0.33gを滴下
した。これを60℃の湯浴上で加熱反応させた後
トルエン50mlを加えてからトルエン層を分離
し、それを6N塩酸で、次いで2N苛性ソーダ水
で洗浄した後、更に飽和食塩水で洗浄して中性
とした。これを硫酸ナトリウム上で乾燥してか
ら濃縮し、それをエタノール30mlを用いて2度
再結晶して目的の4−(2−メチルブチルオキ
シカルボニルオキシ)−4−ビフエニル−4−
オクチルオキシカルボニルオキシベンゾエート
を0.42g得た。このものはSB、Sc*、chの各相
を示す液晶で、その相転移点はC−Sc*点64.4
℃、Sc*−SB点55.2℃、Sc*−ch点131.6℃、ch
−点182.1℃であつた。又、このものの元素
分析値は次の如く計算値とよく一致した。 実測値 計算値 (C34H40O8として) C 70.6% 70.81% H 7.1% 6.99% 実施例 2 〔4′−オクチル−4−ビフエニルカルボン酸p
−(2−メチルブチルオキシカルボニルオキシ)
フエニルエステル(()式に於いてR=
C8H17、R*=2−メチルブチル基、Xは単結
合、m=2、n=1のもの)の製造〕 () p−(2−メチルブチルオキシ)フエノー
ル(a)の製造 市販のハイドロキノン22.0gをピリジン100
mlに溶解して氷冷したところへ、クロルギ酸
(2−メチルブチル)(2−メチルブタノールよ
り誘導)15.0gを滴下して、60℃の氷浴上で2
時間加熱した。これにトルエン200mlを加えて
有機層を分離した後、6N塩酸で洗浄し、次い
で飽和食塩水で洗浄し、中性とした。これを硫
酸ナトリウム上で乾燥してから、濃縮した。こ
れをカラムクロマトにかけて溶解成分を分離
し、その第1流出分を濃縮して、オイル状のハ
イドロキノン−ジ−(2−メチルブチルオキシ
カルボニル)4.0gを得た。又、第2流出分を
濃縮して、オイル状のp−(2−メチルブチル
オキシカルボニルオキシ)−フエノール12.3g
を得た。 () 標題化合物の製造 ()で製造したp−(2−メチルブチルオ
キシカルボニルオキシ)−フエノール0.25gを
ピリジン5mlに溶解して氷冷して、これに4′−
オクチル4−ビフエニルカルボン酸クロライド
0.37gをトルエン5mlに溶解したものを滴下し
た。これを60℃の湯浴上で加熱、反応させた
後、トルエン50mlを加えて、トルエン層を分離
し、6N塩酸で洗浄し、さらに2N苛性ソーダ水
で洗浄した後、飽和食塩水で洗浄して中性とし
た。これを硫酸ナトリウム上で乾燥して濃縮
し、これを酢酸エチル20mlとエタノール10mlの
混合液を用いて2度再結晶を行なつて、目的の
4′−オクチル−4−ビフエニルカルボン酸p−
(2−メチルブチルオキシカルボニルオキシ)
フエニルエステルを得た。このものはSA相及
ch相を示し、その相転移点はC−SA点78.3℃、
SA−ch点150.2℃、ch−点165.2℃であつた。
又、このものの元素分析値は次の如く計算値と
一致した。 実測値 計算値 (C33H40O5として) C 76.4% 76.71% H 8.0% 7.80% 実施例 3 〔4−(2−メチルブチルオキシカルボニルオ
キシ)フエニル−4−オクタノイルオキシベン
ゾエート(()式に於いてR=C7H15、R*=
2−メチルブチル基、m=n=1、X=−
COO−のもの)の製造〕 () p−オクタノイルオキシベンゾイルクロラ
イド(c)の製造 市販のp−ヒドロキシベンズアルデヒド50g
をピリジン400mlに溶解して、氷冷下、オクタ
ノイルクロライド80gを滴下して水浴上一夜放
置した。トルエン300mlを加えて、6N塩酸を加
えて分液し、更に2N水酸化ナトリウム水溶液
で洗浄、水洗し、乾燥した。これをトルエン留
去して、粗製物を得た。これを減圧蒸留してp
−オクタノイルオキシベンズアルデヒド(b.
p.176〜7℃/7mmHg)58.2gを得た。これを
酢酸80mlに溶解して、この液に三酸化クロム
23.4g、水25mlおよび酢酸48mlの混合液を滴下
した。室温中で4時間撹拌ののち、氷にあけ析
出した固体を過し、それをエタノール300ml
に溶解してから、活性炭を加えて振とうし、熱
過した。これを氷冷し析出した結晶を取
し、更にエタノール300mlから再結晶して、p
−オクタノイルオキシ安息香酸35gを得た。
m.p.51℃。このものの5gとシユウ酸クロライ
ド7.2gを60℃の水温上で加熱し、一夜放置し
た。のち、減圧下で過剰のしゆう酸クロライド
を留去してp−オクタノイルオキシベンゾイル
クロライド5gを得た。このものは精製すこと
なく次へ進んだ。 () 標題化合物の製造 実施例1()で製造した、p−(2−メチル
ブチルオキシカルボニルオキシ)フエノール
0.25gをピリジン5mlに溶解したところへ
()で製造したp−オクタノイルオキシベン
ゾイルクロライドの0.32gを滴下した。あとは
実施例1()と同様にして、目的の4−(2−
メチルブチルオキシカルボニルオキシ)フエニ
ル−4−オクタノイルオキシベンゾエート0.30
gを得た。このものはSA相及びch相を示し、
その相移点はSA−ch点25.4℃、C−ch点49.0
℃、ch−点58.2℃であつた。又このものの元
素分析値は次の如く良く計算値と一致した。 実測値 計算値 (C26H34O7として) C 68.0% 68.10% H 7.6% 7.47% 実施例 4(使用例1) 4−エチル−4′−シアノビフエニル 20重量% 4−ペンチル−4′−シアノビフエニル 40重量% 4−オクチルオキシ−4′−シアノビフエニル
25重量% 4−ペンチル−4′−シアノターフエニル
15重量% からなるネマチツク液晶組成物を配向処理剤とし
てポリビニルアルコール(PVA)を塗布し、そ
の表面をラビングして配向処理を施した透明電極
からなるセル(電極間隔10μm)に注入してTN
型表示セルとし、これを偏光顕微鏡下で観察した
ところ、リバース・ドメインを生じているのが観
察された。 上記のネマチツク液晶組成物に本願の()式
でm=2、n=1、X=−O−、R=C8H17−、
R*=−2−メチルブチル基なる化合物(No.24)
を1重量%添加したものを使用して、同様にTN
セルとして観察したところ、リバース・ドメイン
は解消され均一なネマチツク相が観察された。 実施例 5(使用例2) ()式に於いてm=1、n=2、X=単結
合、R=C5H11、R*=2−メチルブチル基なる化
合物(No.7)、m=1、n=2、X=−O−、R
=C4H9−、R*=2−メチルブチル基なる化合物
(No.11)、m=1、n=2、X=−O−、R=
C7H15−、R*=−2−メチルブチル基なる化合物
(No.14)、m=1、n=2、X=−O−、R=
C8H17−、R*=2−メチルブチル基なる化合物
(No.15)の等量混合物は73℃から112℃までSc*相
を示し、それ以上の温度でch相を示し、187℃で
等方性液体相となる。 この混合物を配向処理剤としてPVAを塗布し、
表面をラビングして平行配向処理を施した透明電
極を備えたセルに注入し、この液晶セルを直交ニ
コル状態に配置した2枚の偏光子の間にはさみ、
0.5Hz、15Vの低周波数の交流を印加したところ、
明瞭なスイツチング動作が観察され、非常にコン
トラストも良く、応答速度が1msecと速い液晶
表示素子が得られた。 実施例 6(使用例3) ()式に於いてm=1、n=2、X=−O
−、R=C5H11−、R*=2−メチルブチル基なる
化合物(No.12)、m=1、n=2、X=−O−、
R=C7H15−、R*=2−メチルブチル基なる化合
物(No.14)、m=1、n=2、X=−O−、R=
C8H17−、R*=2−メチルブチル基なる化合物
(No.15)、及びm=1、n=2、X=−OCO−、
R=C8H17、R*=2−メチルブチル基なる化合物
(No.19)の等量混合物は60℃から121℃までSc*相
を示し、それ以上の温度でch相を示し、186℃で
等方性液体相となる。 この混合物にアントラキノン系色素のD−16
(BDH社製品)を3重量%添加していわゆるゲス
ト・ホスト型にしたものを実施例5と同様なセル
に注入し、1枚の偏光子を偏光面が分子軸に垂直
になるように配置し、0.5Hz、15Vの低周波数の
交流を印加したところ明瞭なスイツチング動作が
観察され、非常にコントラストが良く、反応速度
が1.5msecと速いカラー液晶表示素子が得られ
た。
方性液体相より少し低い温度領域でコレステリツ
ク相(以下Ch相と略称)を呈し、大部分のもの
はこの相より低い温度領域でスメクチツクC*相
(以下Sc*相と略称)を示し、最も好ましいもの
である。又、()式に於いてm=1又は2でn
=1のものは殆んどが単独ではSc*相が観察され
ないが、スメクチツクA相(以下SA相と略称)
を呈するのでSA相の温度領域の下の温度で潜在
的にSc*相を有するものと推察される。従つて、
()式の化合物を1成分として混合させること
により、Sc*相のみを呈する組成物、SA相のみを
呈する組成物、Sc*、SA相の両方を呈する組成物
などのいろいろの液晶組成物を構成することが可
能となる。 ()式のR*は後に述べるように光学活性な
アルコールから誘導されるものであるが、現在工
業的に容易に入手し得る原料アルコールとして
は、光学活性な2−メチルブタノールが最も多
く、次いで光学活性の2−オクタノール、2−ペ
ンタノール、2−ブタノールなどがある。 従つて工業的に最も容易に利用し得るR*は2
−メチルブチル基であり次いで1−メチルヘプチ
ル基、1−メチルブチル基、1−メチルプロピル
基などである。 液晶組成物を構成する場合、()式の化合物
のみより構成とすることも可能であり、又()
式の化合物と他のスメクチツク液晶を混合して
Sc*相を呈する液晶組成物を構成することも可能
である。 Sc*相の光スイツチング効果を表示素子として
応用する場合、TN方式に比較して3つのすぐれ
た特徴がある。第1の特徴は非常に高速で応答
し、その応答時間は通常のTN表示方式の素子と
比較すると、応答時間は1/100以下である。第2
の特徴はメモリー効果があることであり、上記の
高速応答性とあいまつて、時分割駆動が容易であ
る。第3の特徴はTN表示方式で濃淡の階調をと
るには、印加電圧を調節して行なうが、しきい値
電圧の温度依存性や応答速度の電圧依存性などの
難問がある。しかしSc*相の光スイツチング効果
を応用する場合には極性の反転時間を調節するこ
とにより、容易に階調を得ることができ、グラフ
イツク表示に非常に適している。 表示方法としては、2つの方式が考えられ、1
つの方法は2枚の偏光子を使用する複届折型、他
の1つの方法は二色性色素を使用するゲストホス
ト型である。Sc*相は自発分極をもつため、印加
電圧の極性を反転することにより、らせん軸を回
転軸として分子が反転する。Sc*相を有する液晶
組成物を液晶分子が電極面に平行にならぶように
配向処理を施した液晶表示セルに注入し、液晶分
子のダイレクターと一方の偏光面を平行になるよ
うに配置した2枚の偏光子の間に該液晶セルをは
さみ、電圧を印加して、極性を反転することによ
り、明視野および暗視野(偏光子の対向角度によ
り決まる)が得られる。一方ゲスト・ホスト型で
動作する場合には、印加電圧の極性を反転するこ
とにより明視野及び着色視野(偏光板の配置によ
り決まる)を得ることができる。 一般にスメクチツク状態で液晶分子をガラス壁
面に平行に配向させることは難かしく、数十キロ
ガウス以上の磁場中で等方性液体から非常にゆつ
くりと冷却する(1℃〜2℃/hr)ことにより、
液晶分子を配向させているが、コレステリツク相
を有する液晶物質では磁場の代わりに50V〜
100Vの直流電圧を印加しながら1℃/minの冷
却速度で冷却することにより、容易に均一に配向
したモノドメイン状態を得ることができる。 尚、()式の化合物に対応するラセミ体は、
下記に示す光学活性体()の製法に於いて原料
として光学活性アルコール類の代りに相当するラ
セミ体アルコールを使用することによつて、同様
に製造されるものであるが、()とほぼ同じ相
転移点を示す。ラセミ体はSc*相の代りにSc相を
示し、光学活性体()に添加してカイラルスメ
クチツクのピツチの調整に使用できる。 ()の化合物は、又、光学活性炭素原子を有
するため、これをネマチツク液晶に添加すること
によつて捩れた構造を誘起する能力を有する。捩
れた構造を有するネマチツク液晶、即ちカイラル
ネマチツク液晶はTN型表示素子のいわゆるリバ
ース・ドメイン(reverse domain、しま模様)
を生成することがないので()式の化合物はリ
バース・ドメイン生成の防止剤として使用でき
る。 〔化合物の製法〕 次に一般式()の化合物の合成法について述
べる。()式の化合物は次の様な工程により製
造することができる。 (R、R*、X、m、nは前記と同じ、又Halは
ハロゲン原子を示す。以下同様) 即ち、()式で表わされるフエノール類に
()式で表わされるカルボン酸ハライドをピリ
ジンのような塩基性溶媒中で作用させることによ
り製造される。 フエノール類()はnの数により以下の2つ
のものに分けられる。 (()式に於いてn=1のもの) (()式に於いてn=2のもの) (a)の光学活性p−アルキルオキシカルボ
ニルオキシフエノールは次に示すような工程で最
も好適に製造される。 即ち、ハイドロキノンを光学活性のアルコール
より誘導されたクロルギ酸アルキルで、塩基性溶
媒中でモノエステル化することにより(a)が
得られる。 又(b)の光学活性4′−アルキルオキシカル
ボニルオキシ−4−ビフエノールは次に示される
ような工程で最も好適に製造される。 即ち、p、p′−ビフエノールを光学活性なアル
コールより誘導されたクロルギ酸アルキルで塩基
性溶媒中、モノ炭酸エステル化することにより
(b)が製造される。 また、他方の原料である、芳香族カルボン酸ハ
ライドとしてはm、Xによつて以下の様なものに
分けることが出来る。 (()式に於いてm=1、X=単結合のもの) (()式に於いてm=1、X=−O−のもの) (()式に於いてm=1、X=−COO−のも
の) (()式に於いてm=1、X=−OCO−のも
の) (()式に於いてm=1、X=−OCOO−のも
の) (()式に於いてm=2、X=単結合のもの) (()式に於いてm=2、X=−O−のもの) (()式に於いてm=2、X=−COO−のも
の) (()式に於いてm=2、X=−OCO−のも
の) (()式に於いてm=2、X=−OCOO−のも
の) 上記の化合物はいずれも公知であるが、その幾
つかの化合物の製法については実施例中に於て述
べる。 〔実施例〕 以下実施例により本発明の化合物について更に
詳細に説明する。 実施例 1 〔4′−(2−メチルブチルオキシカルボニルオ
キシ)−4−ビフエニル−4−オクチルオキシ
カルボニルオキシベンゾエート (()式に於いてR=C8H17、R*=2−メチ
ルブチル基、m=1、n=2、X=−OCOO−の
もの)の製造〕 () 4−ヒドロキシ−4′−(2−メチルブチルオ
キシカルボニルオキシ)ビフエニル(b)の
製造 市販のp、p′−ビフエノール37gをピリジン
50mlに溶解して氷冷した。これに市販の光学活
性なクロルギ酸2−メチルブチル(S−(−)−
2−メチルブタノールより誘導されたもの)15
gを適下した。これを60℃の水浴上で2時間加
熱した後トルエン300mlを加え分液ロートに移
し水洗した。6N塩酸で洗浄すると固体が析出
するのでこれを吸引過した。液は水洗し中
性とした。固体をトルエン200mlを用いて熱
過し、液と前の溶液を合わせて、濃縮した。 残つた固体は未反応原料のp、p′−ビフエノ
ールである。濃縮した溶液中には、モノ置換化
合物とジ置換化合物が混在するのでカラムクロ
マトグラフにかけ分離した。はじめの流出分を
濃縮し、エタノールを用いて再結晶すると、
4,4′−ビス(2−メチルブチルオキシカルボ
ニルオキシ)ビフエニル(mp.85.5〜86.2℃)
が4.6g得られた。2番目の流出分を濃縮し、
トルエンを用いて再結晶すると、4−ヒドロキ
シ−4′−(2−メチルブチルオキシカルボニル
オキシ)ビフエニル(mp.128.7〜130.2℃)が
11.1g得られた。 () p−オクチルオキシカルボニルオキシベン
ゾイルクロライドの製造 市販のp−ヒドロキシベンズアルデヒド50g
を、ピリジン400mlに溶解し、氷冷下、クロル
ギ酸オクチル85gを滴下し、次いで水浴上で加
熱して一夜放置した。これにトルエン300mlを
加え、更に6N塩酸を加えて分液し、更に2N水
酸化ナトリウム水溶液で洗浄、水洗し、乾燥し
た。 そのトルエンを留去して、p−オクチルオキ
シカルボニルオキシベンズアルデヒドの粗製物
75gを得た。 このものを酢酸100mlに溶解し、そこへ三酸
化クロム30g、水40mlおよび酢酸60mlの混合液
を滴下した。室温中で4時間撹拌ののち、氷に
あけて析出した固体を取し、それをエタノー
ル400mlに溶解し、更に活性炭を加え振とうし、
熱過した。これを氷冷し、結晶を取して、
更にエタノール300mlから再結して、p−オク
チルオキシカルボニルオキシ安息香酸41gを得
た。m.p.125.5℃。 このものの5gと塩化チオニル7gを60℃の
水浴上で加熱し、一夜放置したのち減圧下で過
剰の塩化チオニルを留去して、p−オクチルオ
キシカルボニルオキシベンゾイルクロライド5
gを得た。このものは精製することなく次の段
階で使用した。 () 標表題化合物の製造 ()で得た4−ヒドロキシ−4′−(2−メ
チルブチルオキシカルボニルオキシ)ビフエニ
ル0.30gをピリジン5mlに溶解し、そこへ、氷
冷下、()で得たp−オクチルオキシカルボ
ニルオキシベンゾイルクロライド0.33gを滴下
した。これを60℃の湯浴上で加熱反応させた後
トルエン50mlを加えてからトルエン層を分離
し、それを6N塩酸で、次いで2N苛性ソーダ水
で洗浄した後、更に飽和食塩水で洗浄して中性
とした。これを硫酸ナトリウム上で乾燥してか
ら濃縮し、それをエタノール30mlを用いて2度
再結晶して目的の4−(2−メチルブチルオキ
シカルボニルオキシ)−4−ビフエニル−4−
オクチルオキシカルボニルオキシベンゾエート
を0.42g得た。このものはSB、Sc*、chの各相
を示す液晶で、その相転移点はC−Sc*点64.4
℃、Sc*−SB点55.2℃、Sc*−ch点131.6℃、ch
−点182.1℃であつた。又、このものの元素
分析値は次の如く計算値とよく一致した。 実測値 計算値 (C34H40O8として) C 70.6% 70.81% H 7.1% 6.99% 実施例 2 〔4′−オクチル−4−ビフエニルカルボン酸p
−(2−メチルブチルオキシカルボニルオキシ)
フエニルエステル(()式に於いてR=
C8H17、R*=2−メチルブチル基、Xは単結
合、m=2、n=1のもの)の製造〕 () p−(2−メチルブチルオキシ)フエノー
ル(a)の製造 市販のハイドロキノン22.0gをピリジン100
mlに溶解して氷冷したところへ、クロルギ酸
(2−メチルブチル)(2−メチルブタノールよ
り誘導)15.0gを滴下して、60℃の氷浴上で2
時間加熱した。これにトルエン200mlを加えて
有機層を分離した後、6N塩酸で洗浄し、次い
で飽和食塩水で洗浄し、中性とした。これを硫
酸ナトリウム上で乾燥してから、濃縮した。こ
れをカラムクロマトにかけて溶解成分を分離
し、その第1流出分を濃縮して、オイル状のハ
イドロキノン−ジ−(2−メチルブチルオキシ
カルボニル)4.0gを得た。又、第2流出分を
濃縮して、オイル状のp−(2−メチルブチル
オキシカルボニルオキシ)−フエノール12.3g
を得た。 () 標題化合物の製造 ()で製造したp−(2−メチルブチルオ
キシカルボニルオキシ)−フエノール0.25gを
ピリジン5mlに溶解して氷冷して、これに4′−
オクチル4−ビフエニルカルボン酸クロライド
0.37gをトルエン5mlに溶解したものを滴下し
た。これを60℃の湯浴上で加熱、反応させた
後、トルエン50mlを加えて、トルエン層を分離
し、6N塩酸で洗浄し、さらに2N苛性ソーダ水
で洗浄した後、飽和食塩水で洗浄して中性とし
た。これを硫酸ナトリウム上で乾燥して濃縮
し、これを酢酸エチル20mlとエタノール10mlの
混合液を用いて2度再結晶を行なつて、目的の
4′−オクチル−4−ビフエニルカルボン酸p−
(2−メチルブチルオキシカルボニルオキシ)
フエニルエステルを得た。このものはSA相及
ch相を示し、その相転移点はC−SA点78.3℃、
SA−ch点150.2℃、ch−点165.2℃であつた。
又、このものの元素分析値は次の如く計算値と
一致した。 実測値 計算値 (C33H40O5として) C 76.4% 76.71% H 8.0% 7.80% 実施例 3 〔4−(2−メチルブチルオキシカルボニルオ
キシ)フエニル−4−オクタノイルオキシベン
ゾエート(()式に於いてR=C7H15、R*=
2−メチルブチル基、m=n=1、X=−
COO−のもの)の製造〕 () p−オクタノイルオキシベンゾイルクロラ
イド(c)の製造 市販のp−ヒドロキシベンズアルデヒド50g
をピリジン400mlに溶解して、氷冷下、オクタ
ノイルクロライド80gを滴下して水浴上一夜放
置した。トルエン300mlを加えて、6N塩酸を加
えて分液し、更に2N水酸化ナトリウム水溶液
で洗浄、水洗し、乾燥した。これをトルエン留
去して、粗製物を得た。これを減圧蒸留してp
−オクタノイルオキシベンズアルデヒド(b.
p.176〜7℃/7mmHg)58.2gを得た。これを
酢酸80mlに溶解して、この液に三酸化クロム
23.4g、水25mlおよび酢酸48mlの混合液を滴下
した。室温中で4時間撹拌ののち、氷にあけ析
出した固体を過し、それをエタノール300ml
に溶解してから、活性炭を加えて振とうし、熱
過した。これを氷冷し析出した結晶を取
し、更にエタノール300mlから再結晶して、p
−オクタノイルオキシ安息香酸35gを得た。
m.p.51℃。このものの5gとシユウ酸クロライ
ド7.2gを60℃の水温上で加熱し、一夜放置し
た。のち、減圧下で過剰のしゆう酸クロライド
を留去してp−オクタノイルオキシベンゾイル
クロライド5gを得た。このものは精製すこと
なく次へ進んだ。 () 標題化合物の製造 実施例1()で製造した、p−(2−メチル
ブチルオキシカルボニルオキシ)フエノール
0.25gをピリジン5mlに溶解したところへ
()で製造したp−オクタノイルオキシベン
ゾイルクロライドの0.32gを滴下した。あとは
実施例1()と同様にして、目的の4−(2−
メチルブチルオキシカルボニルオキシ)フエニ
ル−4−オクタノイルオキシベンゾエート0.30
gを得た。このものはSA相及びch相を示し、
その相移点はSA−ch点25.4℃、C−ch点49.0
℃、ch−点58.2℃であつた。又このものの元
素分析値は次の如く良く計算値と一致した。 実測値 計算値 (C26H34O7として) C 68.0% 68.10% H 7.6% 7.47% 実施例 4(使用例1) 4−エチル−4′−シアノビフエニル 20重量% 4−ペンチル−4′−シアノビフエニル 40重量% 4−オクチルオキシ−4′−シアノビフエニル
25重量% 4−ペンチル−4′−シアノターフエニル
15重量% からなるネマチツク液晶組成物を配向処理剤とし
てポリビニルアルコール(PVA)を塗布し、そ
の表面をラビングして配向処理を施した透明電極
からなるセル(電極間隔10μm)に注入してTN
型表示セルとし、これを偏光顕微鏡下で観察した
ところ、リバース・ドメインを生じているのが観
察された。 上記のネマチツク液晶組成物に本願の()式
でm=2、n=1、X=−O−、R=C8H17−、
R*=−2−メチルブチル基なる化合物(No.24)
を1重量%添加したものを使用して、同様にTN
セルとして観察したところ、リバース・ドメイン
は解消され均一なネマチツク相が観察された。 実施例 5(使用例2) ()式に於いてm=1、n=2、X=単結
合、R=C5H11、R*=2−メチルブチル基なる化
合物(No.7)、m=1、n=2、X=−O−、R
=C4H9−、R*=2−メチルブチル基なる化合物
(No.11)、m=1、n=2、X=−O−、R=
C7H15−、R*=−2−メチルブチル基なる化合物
(No.14)、m=1、n=2、X=−O−、R=
C8H17−、R*=2−メチルブチル基なる化合物
(No.15)の等量混合物は73℃から112℃までSc*相
を示し、それ以上の温度でch相を示し、187℃で
等方性液体相となる。 この混合物を配向処理剤としてPVAを塗布し、
表面をラビングして平行配向処理を施した透明電
極を備えたセルに注入し、この液晶セルを直交ニ
コル状態に配置した2枚の偏光子の間にはさみ、
0.5Hz、15Vの低周波数の交流を印加したところ、
明瞭なスイツチング動作が観察され、非常にコン
トラストも良く、応答速度が1msecと速い液晶
表示素子が得られた。 実施例 6(使用例3) ()式に於いてm=1、n=2、X=−O
−、R=C5H11−、R*=2−メチルブチル基なる
化合物(No.12)、m=1、n=2、X=−O−、
R=C7H15−、R*=2−メチルブチル基なる化合
物(No.14)、m=1、n=2、X=−O−、R=
C8H17−、R*=2−メチルブチル基なる化合物
(No.15)、及びm=1、n=2、X=−OCO−、
R=C8H17、R*=2−メチルブチル基なる化合物
(No.19)の等量混合物は60℃から121℃までSc*相
を示し、それ以上の温度でch相を示し、186℃で
等方性液体相となる。 この混合物にアントラキノン系色素のD−16
(BDH社製品)を3重量%添加していわゆるゲス
ト・ホスト型にしたものを実施例5と同様なセル
に注入し、1枚の偏光子を偏光面が分子軸に垂直
になるように配置し、0.5Hz、15Vの低周波数の
交流を印加したところ明瞭なスイツチング動作が
観察され、非常にコントラストが良く、反応速度
が1.5msecと速いカラー液晶表示素子が得られ
た。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 一般式 (但し、上式に於いてRは炭素数1〜18のアルキ
ル基を示し、R*は光学活性な炭素数4〜18のア
ルキル基を示し、Xは単結合、 −O−、【式】【式】又は 【式】のいづれか一つを示し、m及びnは いずれも1又は2である) で表わされる化合物。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59185148A JPS6163638A (ja) | 1984-09-04 | 1984-09-04 | 炭酸エステル液晶及びその組成物 |
| US06/692,164 US4647398A (en) | 1984-02-03 | 1985-01-17 | Liquid-crystalline carbonic acid esters and liquid crystal compositions containing same |
| EP85300550A EP0152217B1 (en) | 1984-02-03 | 1985-01-28 | Liquid crystalline carbonic acid esters and liquid crystal compositions containing them |
| DE8585300550T DE3579330D1 (de) | 1984-02-03 | 1985-01-28 | Fluessigkristallcarbonsaeureester und diese enthaltende fluessigkristallkompositionen. |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59185148A JPS6163638A (ja) | 1984-09-04 | 1984-09-04 | 炭酸エステル液晶及びその組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6163638A JPS6163638A (ja) | 1986-04-01 |
| JPH0458461B2 true JPH0458461B2 (ja) | 1992-09-17 |
Family
ID=16165698
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59185148A Granted JPS6163638A (ja) | 1984-02-03 | 1984-09-04 | 炭酸エステル液晶及びその組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6163638A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6187777A (ja) * | 1984-10-05 | 1986-05-06 | Ajinomoto Co Inc | 液晶組成物 |
-
1984
- 1984-09-04 JP JP59185148A patent/JPS6163638A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6163638A (ja) | 1986-04-01 |
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