JPH0460555U - - Google Patents

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JPH0460555U
JPH0460555U JP10334390U JP10334390U JPH0460555U JP H0460555 U JPH0460555 U JP H0460555U JP 10334390 U JP10334390 U JP 10334390U JP 10334390 U JP10334390 U JP 10334390U JP H0460555 U JPH0460555 U JP H0460555U
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JP
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gas supply
supply pipe
processing apparatus
plasma processing
plasma
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JP10334390U
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Description

【図面の簡単な説明】
第１図から第９図迄は、本考案によるプラズマ
処理装置を示すためのもので、第１図は全体構成
を示す断面図、第２図は第１図の−線による
拡大断面図、第３図は第１図の他の実施例を示す
断面図、第４図は第３図のＡ部の拡大断面図、第
５図は第３図の環状ガス供給管の斜視図、第６図
は第１図の他の実施例を示す断面図、第７図は第
６図のＢ部の拡大断面図、第８図は第６図の環状
ガス供給管の平面図、第９図は本考案と従来構成
の成膜分布を示す特性図、第１０図および第１１
図は従来構成を示すためのもので、第１０図は断
面図、第１１図は第１０図の−拡大断面図で
ある。 １はプラズマ生成室、１ａは天壁、４は材料ガ
ス、５は材料ガス供給管、Ｐは中心点、１３は試
料、２０は環状ガス供給管、２０ｂは放出口、２
０ｃは接続管、３０は環状溝、４０は板体である
。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 電子サイクロトロン共鳴励起によりプラズ
    マ生成室１内で発生させたプラズマを用いて試料
    １３に処理を施すようにしたプラズマ処理装置に
    おいて、 前記プラズマ生成室１に供給する材料ガス４を
    案内する材料ガス供給管５と、前記材料ガス供給
    管５に接続された複数の放出口２０ｂとを備え、
    前記放出口２０ｂは環状に配設されていることを
    特徴とするプラズマ処理装置。 (2) 前記各放出口２０ｂは、前記材料ガス供給
    管５に接続された環状ガス供給管２０に設けられ
    ていることを特徴とする請求項１記載のプラズマ
    処理装置。 (3) 前記環状ガス供給管２０は、前記試料１３
    の中心点Ｐに対しほぼ同心状に配設されているこ
    とを特徴とする請求項２記載のプラズマ処理装置
    。 (4) 前記環状ガス供給管２０に立設して形成さ
    れた接続管２０ｃを有し、前記接続管２０ｃが前
    記材料ガス供給管５に嵌合されていることを特徴
    とする請求項２又は３記載のプラズマ処理装置。 (5) 前記プラズマ生成室１の天壁１ａに前記材
    料ガス供給管５と連通するように形成された環状
    溝３０と、前記天壁１ａに接合された板体４０と
    を備え、前記板体４０には、前記放出口２０ｂが
    前記環状溝３０と連通して設けられていることを
    特徴とする請求項１記載のプラズマ処理装置。
JP10334390U 1990-10-02 1990-10-02 Pending JPH0460555U (ja)

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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63124238A (ja) * 1986-11-13 1988-05-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光デイスク
JPH01111876A (ja) * 1987-10-26 1989-04-28 Hitachi Ltd プラズマ処理による薄膜形成装置
JPH0246857B2 (ja) * 1980-04-14 1990-10-17 Kerunfuorushungusuanraage Yuuritsuhi Gmbh

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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